JP2009064612A5 - - Google Patents
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Claims (9)
- 下部電極、有機ＥＬ層、上部電極を有する画素がマトリクス状に形成されて、前記下部電極間を画素毎に絶縁膜で分離して構成された表示部と、前記表示部の外側に形成された端子とを備えた有機ＥＬ表示装置であって、
前記下部電極と前記有機ＥＬ層の間に透明導電膜を有し、
前記透明導電膜は、第１の前記下部電極と前記第１の下部電極に隣接する第２の前記下部電極との間であって、前記絶縁膜の上にも連続して形成されていることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。 - 前記透明導電膜は膜厚が５〜２０ｎｍであって、抵抗率が１〜１０５Ω・ｃｍであることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
- 前記透明導電膜は膜厚が１０〜２０ｎｍであって、抵抗率が１〜１０５Ω・ｃｍであることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
- 前記透明導電膜は第１の前記端子と第２の前記端子の間にも連続膜として形成されていることを特徴とする請求項２に記載の表示装置。
- 前記透明導電膜はＩＴＯ又はＩＺＯであることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
- 前記下部電極はＡｌ−Ｚｎ合金、Ａｌ−Ｎｉ合金又はＡｌ−Ｓｉ合金で形成されていることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
- 下部電極、有機ＥＬ層、上部電極を有する画素がマトリクス状に形成されて表示部を形成し、前記表示部の外側に端子が形成された有機ＥＬ表示装置であって、
前記下部電極と前記有機ＥＬ層の間には透明導電膜が形成され、前記透明導電膜と前記下部電極の間にはＺｎまたはＺｎＯからなる薄膜が形成され、
前記透明導電膜は、第１の前記下部電極とこれに隣接する第２の前記下部電極の間にも連続して形成されていることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。 - 前記透明導電膜はＩＺＯであることを特徴とする請求項７に記載の有機ＥＬ表示装置。
- 前記下部電極はＡｌ−Ｓｉ合金、Ａｌ−Ｎｄ合金、Ａｌ−Ｃｕ合金のいずれかで形成されていることを特徴とする請求項７に記載の有機ＥＬ表示装置。
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