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  1. 基板の上に、第1電極と、少なくとも発光層を含む有機層と、第2電極とを有する有機EL素子を複数備え、隣接して配置される前記第1電極の間に絶縁性の画素分離膜を備え、前記画素分離膜の上に導電性材料からなる補助配線を備えた有機EL表示装置において、
    前記補助配線の上には、逆テーパー状の絶縁体又は導電体からなる隔壁が形成されており、前記隔壁の逆テーパー部の直下位置で前記補助配線と第2電極とが電気的に接続されていることを特徴とする有機EL表示装置。
  2. 前記有機層は、前記第1電極、前記画素分離膜及び前記隔壁を含む表示領域全面を覆うように形成されていることを特徴とする請求項1に記載の有機EL表示装置。
  3. 前記第2電極は透明導電性材料からなり、有機EL発光が前記第2電極を介して取り出されることを特徴とする請求項1又は2に記載の有機EL表示装置。
  4. 前記隔壁が複数の層からなることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の有機EL表示装置。
  5. 前記補助配線のうち少なくとも2本が表示領域内に並行して設けられており、
    前記隔壁が、前記補助配線が設けられている方向に、間隔を空けて断続的に設けられていることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の有機EL表示装置。
  6. 前記第2電極の膜厚は、20nm以上45nm以下であることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の有機EL表示装置。
  7. 基板の上に、第1電極と、少なくとも発光層を含む有機層と、第2電極とを有する有機EL素子を複数備え、隣接して配置される前記第1電極の間に絶縁性の画素分離膜を備え、前記画素分離膜の上に導電性材料からなる補助配線を備える有機EL表示装置の製造方法において、
    前記基板の上に前記第1電極を形成する工程と、
    前記第1電極の周縁部を覆い、各前記第1電極を区画するように前記画素分離膜を形成する工程と、
    前記画素分離膜の上に前記補助配線を形成する工程と、
    前記補助配線の上に逆テーパー状の絶縁体又は導電体からなる前記隔壁を形成する工程と、
    前記第1電極、前記画素分離膜及び前記隔壁を含む表示領域全面を覆うように、前記有機層を形成する工程と、
    前記有機層の上に前記第2電極を形成し、前記隔壁の逆テーパー部の直下位置で前記補助配線と前記第2電極とを電気的に接続する工程とを有することを特徴とする有機EL表示装置の製造方法。
  8. 前記有機層を形成する工程、前記有機層を真空蒸着法で形成する工程であることを特徴とする請求項7に記載の有機EL表示装置の製造方法。
  9. 前記第2電極を形成する工程、前記第2電極をスパッタ法で形成する工程であることを特徴とする請求項7又は8に記載の有機EL表示装置の製造方法。
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