JP2023136831A - 表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 表示素子の上電極に電圧を供給するための改善された構造を備える表示装置を提供する。【解決手段】 一実施形態に係る表示装置は、基板と、画素を含む表示領域に配置された画素回路および周辺領域に配置された金属製の給電線を含む回路層と、回路層を覆う絶縁層と、表示領域において絶縁層の上方に配置され、画素回路から電圧が供給される下電極と、下電極と重なる開口を有するリブと、表示領域においてリブの上方に配置された隔壁と、下電極に対向し、隔壁に接続された上電極と、下電極と上電極の間に配置され、下電極と上電極の電位差に応じて発光する有機層と、周辺領域に配置され、隔壁に接続された導電層とを備えている。隔壁および導電層は、金属製の下部と、下部の側面から突出した上部とを有している。周辺領域に位置する第１コンタクト部において、導電層の下部と給電線が接触している。【選択図】 図９

Description

本発明の実施形態は、表示装置に関する。

近年、表示素子として有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を適用した表示装置が実用化されている。この表示素子は、下電極と、下電極を覆う有機層と、有機層を覆う上電極とを備えている。

下電極には、画素ごとに配置された画素回路から電圧が供給される。一方、上電極には、各副画素に共通した電圧が供給される。上電極に電圧を供給するための構造については種々の改善の余地がある。

特開２０００－１９５６７７号公報 特開２００４－２０７２１７号公報 特開２００８－１３５３２５号公報 特開２００９－３２６７３号公報 特開２０１０－１１８１９１号公報 国際公開第２０１８／１７９３０８号

本発明の目的は、表示素子の上電極に電圧を供給するための改善された構造を備える表示装置を提供することにある。

一実施形態に係る表示装置は、基板と、画素を含む表示領域に配置された画素回路および前記基板の端部と前記表示領域の間の周辺領域に配置された金属製の給電線を含む回路層と、前記回路層を覆う絶縁層と、前記表示領域において前記絶縁層の上方に配置され、前記画素回路から電圧が供給される下電極と、前記下電極と重なる開口を有するリブと、前記表示領域において前記リブの上方に配置された隔壁と、前記下電極に対向し、前記隔壁に接続された上電極と、前記下電極と前記上電極の間に配置され、前記下電極と前記上電極の電位差に応じて発光する有機層と、前記周辺領域に配置され、前記隔壁に接続された導電層と、を備えている。前記隔壁および前記導電層は、金属製の下部と、前記下部の側面から突出した上部と、を有している。前記周辺領域に位置する第１コンタクト部において、前記導電層の前記下部と前記給電線が接触している。

図１は、一実施形態に係る表示装置の構成例を示す図である。 図２は、副画素のレイアウトの一例を示す図である。 図３は、図２中のIII－III線に沿う表示装置の概略的な断面図である。 図４は、隔壁とその近傍を拡大した概略的な断面図である。 図５は、隔壁に適用し得る構造の他の例を示す概略的な断面図である。 図６は、表示装置が備えるいくつかの要素の概略的な平面図である。 図７は、表示装置が備える他の要素の概略的な平面図である。 図８は、図６において鎖線枠で囲った領域の拡大図である。 図９は、図８におけるＩＸ－ＩＸ線に沿う表示装置の概略的な断面図である。 図１０は、導電層の端部近傍の概略的な断面図である。 図１１は、導電層と給電線の接続構造の他の例を示す概略的な断面図である。

一実施形態について図面を参照しながら説明する。
開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一または類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。

なお、図面には、必要に応じて理解を容易にするために、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を記載する。Ｘ軸に沿った方向を第１方向と称し、Ｙ軸に沿った方向を第２方向と称し、Ｚ軸に沿った方向を第３方向と称する。第３方向Ｚと平行に各種要素を見ることを平面視という。

本実施形態に係る表示装置は、表示素子として有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を備える有機エレクトロルミネッセンス表示装置であり、テレビ、パーソナルコンピュータ、車載機器、タブレット端末、スマートフォン、携帯電話端末等に搭載され得る。

図１は、本実施形態に係る表示装置ＤＳＰの構成例を示す図である。表示装置ＤＳＰは、絶縁性の基板１０の上に、画像を表示する表示領域ＤＡと、表示領域ＤＡの周辺の周辺領域ＳＡとを有している。基板１０は、ガラスであってもよいし、可撓性を有する樹脂フィルムであってもよい。

本実施形態においては、平面視における基板１０の形状が長方形である。ただし、基板１０の平面視における形状は長方形に限らず、正方形、円形あるいは楕円形などの他の形状であってもよい。

表示領域ＤＡは、第１方向Ｘおよび第２方向Ｙにマトリクス状に配列された複数の画素ＰＸを備えている。画素ＰＸは、複数の副画素ＳＰを含む。一例では、画素ＰＸは、赤色の副画素ＳＰ１、緑色の副画素ＳＰ２および青色の副画素ＳＰ３を含む。なお、画素ＰＸは、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３とともに、あるいは副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のいずれかに代えて、白色などの他の色の副画素ＳＰを含んでもよい。

副画素ＳＰは、画素回路１と、画素回路１によって駆動される表示素子２０とを備えている。画素回路１は、画素スイッチ２と、駆動トランジスタ３と、キャパシタ４とを備えている。画素スイッチ２および駆動トランジスタ３は、例えば薄膜トランジスタにより構成されたスイッチング素子である。

画素スイッチ２のゲート電極は、走査線ＧＬに接続されている。画素スイッチ２のソース電極およびドレイン電極の一方は信号線ＳＬに接続され、他方は駆動トランジスタ３のゲート電極およびキャパシタ４に接続されている。駆動トランジスタ３において、ソース電極およびドレイン電極の一方は電源線ＰＬおよびキャパシタ４に接続され、他方は表示素子２０に接続されている。

表示素子２０は、発光素子としての有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）である。例えば、副画素ＳＰ１は赤色の波長域の光を放つ表示素子２０を備え、副画素ＳＰ２は緑色の波長域の光を放つ表示素子２０を備え、副画素ＳＰ３は青色の波長域の光を放つ表示素子２０を備えている。

なお、画素回路１の構成は図示した例に限らない。例えば、画素回路１は、より多くの薄膜トランジスタおよびキャパシタを備えてもよい。

図２は、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のレイアウトの一例を示す図である。図２の例においては、副画素ＳＰ１と副画素ＳＰ２が第２方向Ｙに並んでいる。さらに、副画素ＳＰ１，ＳＰ２がそれぞれ副画素ＳＰ３と第１方向Ｘに並んでいる。

副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３がこのようなレイアウトである場合、表示領域ＤＡには、副画素ＳＰ１，ＳＰ２が第２方向Ｙに交互に配置された列と、複数の副画素ＳＰ３が第２方向Ｙに繰り返し配置された列とが形成される。これらの列は、第１方向Ｘに交互に並ぶ。

なお、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のレイアウトは図２の例に限られない。他の一例として、各画素ＰＸにおける副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３が第１方向Ｘに順に並んでいてもよい。

表示領域ＤＡには、リブ５および隔壁６が配置されている。リブ５は、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３においてそれぞれ画素開口ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３を有している。図２の例においては、画素開口ＡＰ２が画素開口ＡＰ１よりも大きく、画素開口ＡＰ３が画素開口ＡＰ２よりも大きい。

隔壁６は、隣り合う副画素ＳＰの境界に配置され、平面視においてリブ５と重なっている。隔壁６は、第１方向Ｘに延びる複数の第１隔壁６ｘと、第２方向Ｙに延びる複数の第２隔壁６ｙとを有している。複数の第１隔壁６ｘは、第２方向Ｙに隣り合う画素開口ＡＰ１，ＡＰ２の間、および、第２方向Ｙに隣り合う２つの画素開口ＡＰ３の間にそれぞれ配置されている。第２隔壁６ｙは、第１方向Ｘに隣り合う画素開口ＡＰ１，ＡＰ３の間、および、第１方向Ｘに隣り合う画素開口ＡＰ２，ＡＰ３の間にそれぞれ配置されている。

図２の例においては、第１隔壁６ｘおよび第２隔壁６ｙが互いに接続されている。これにより、隔壁６は全体として画素開口ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３を囲う格子状である。隔壁６は、リブ５と同様に副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３において開口を有するということもできる。

副画素ＳＰ１は、画素開口ＡＰ１とそれぞれ重なる下電極ＬＥ１、上電極ＵＥ１および有機層ＯＲ１を備えている。副画素ＳＰ２は、画素開口ＡＰ２とそれぞれ重なる下電極ＬＥ２、上電極ＵＥ２および有機層ＯＲ２を備えている。副画素ＳＰ３は、画素開口ＡＰ３とそれぞれ重なる下電極ＬＥ３、上電極ＵＥ３および有機層ＯＲ３を備えている。図２の例においては、上電極ＵＥ１および有機層ＯＲ１の外形が一致し、上電極ＵＥ２および有機層ＯＲ２の外形が一致し、上電極ＵＥ３および有機層ＯＲ３の外形が一致している。

下電極ＬＥ１、上電極ＵＥ１および有機層ＯＲ１は、副画素ＳＰ１の表示素子２０を構成する。下電極ＬＥ２、上電極ＵＥ２および有機層ＯＲ２は、副画素ＳＰ２の表示素子２０を構成する。下電極ＬＥ３、上電極ＵＥ３および有機層ＯＲ３は、副画素ＳＰ３の表示素子２０を構成する。

下電極ＬＥ１は、コンタクトホールＣＨ１を通じて副画素ＳＰ１の画素回路１（図１参照）に接続されている。下電極ＬＥ２は、コンタクトホールＣＨ２を通じて副画素ＳＰ２の画素回路１に接続されている。下電極ＬＥ３は、コンタクトホールＣＨ３を通じて副画素ＳＰ３の画素回路１に接続されている。

図２の例において、コンタクトホールＣＨ１，ＣＨ２は、第２方向Ｙに隣り合う画素開口ＡＰ１，ＡＰ２の間の第１隔壁６ｘと全体的に重なっている。コンタクトホールＣＨ３は、第２方向Ｙに隣り合う２つの画素開口ＡＰ３の間の第１隔壁６ｘと全体的に重なっている。他の例として、コンタクトホールＣＨ１，ＣＨ２，ＣＨ３の少なくとも一部が第１隔壁６ｘと重なっていなくてもよい。

図３は、図２中のIII－III線に沿う表示装置ＤＳＰの概略的な断面図である。上述の基板１０の上に回路層１１が配置されている。回路層１１は、図１に示した画素回路１、走査線ＧＬ、信号線ＳＬおよび電源線ＰＬなどの各種回路や配線を含む。回路層１１は、有機絶縁層１２により覆われている。有機絶縁層１２は、回路層１１により生じる凹凸を平坦化する平坦化膜として機能する。図３の断面には表れていないが、上述のコンタクトホールＣＨ１，ＣＨ２，ＣＨ３は有機絶縁層１２に設けられている。

下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３は、有機絶縁層１２の上に配置されている。リブ５は、有機絶縁層１２および下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の上に配置されている。下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の端部は、リブ５により覆われている。

隔壁６は、リブ５の上に配置された導電性を有する下部６１と、下部６１の上に配置された上部６２とを含む。上部６２は、下部６１よりも大きい幅を有している。これにより、図３においては上部６２の両端部が下部６１の側面よりも突出している。このような隔壁６の形状は、オーバーハング状ということもできる。

有機層ＯＲ１は、画素開口ＡＰ１を通じて下電極ＬＥ１を覆っている。上電極ＵＥ１は、有機層ＯＲ１を覆い、下電極ＬＥ１と対向している。有機層ＯＲ２は、画素開口ＡＰ２を通じて下電極ＬＥ２を覆っている。上電極ＵＥ２は、有機層ＯＲ２を覆い、下電極ＬＥ２と対向している。有機層ＯＲ３は、画素開口ＡＰ３を通じて下電極ＬＥ３を覆っている。上電極ＵＥ３は、有機層ＯＲ３を覆い、下電極ＬＥ３と対向している。

図３の例においては、有機層ＯＲ１の上にキャップ層ＣＰ１が配置され、有機層ＯＲ２の上にキャップ層ＣＰ２が配置され、有機層ＯＲ３の上にキャップ層ＣＰ３が配置されている。キャップ層ＣＰ１，ＣＰ２，ＣＰ３は、それぞれ有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３が発する光の光学特性を調整する。

有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１およびキャップ層ＣＰ１の一部は、上部６２の上に位置している。当該一部は、有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１およびキャップ層ＣＰ１の他の部分と離間している。同様に、有機層ＯＲ２、上電極ＵＥ２およびキャップ層ＣＰ２の一部は上部６２の上に位置し、当該一部は有機層ＯＲ２、上電極ＵＥ２およびキャップ層ＣＰ２の他の部分と離間している。さらに、有機層ＯＲ３、上電極ＵＥ３およびキャップ層ＣＰ３の一部は上部６２の上に位置し、当該一部は有機層ＯＲ３、上電極ＵＥ３およびキャップ層ＣＰ３の他の部分と離間している。

副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３には、封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３がそれぞれ配置されている。封止層ＳＥ１は、キャップ層ＣＰ１や隔壁６を連続的に覆っている。封止層ＳＥ２は、キャップ層ＣＰ２や隔壁６を連続的に覆っている。封止層ＳＥ３は、キャップ層ＣＰ３や隔壁６を連続的に覆っている。

図３の例においては、副画素ＳＰ１，ＳＰ３の間の隔壁６上の有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、キャップ層ＣＰ１および封止層ＳＥ１と、当該隔壁６上の有機層ＯＲ３、上電極ＵＥ３、キャップ層ＣＰ３および封止層ＳＥ３とが離間している。また、副画素ＳＰ２，ＳＰ３の間の隔壁６上の有機層ＯＲ２、上電極ＵＥ２、キャップ層ＣＰ２および封止層ＳＥ２と、当該隔壁６上の有機層ＯＲ３、上電極ＵＥ３、キャップ層ＣＰ３および封止層ＳＥ３とが離間している。

封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３は、樹脂層１３により覆われている。樹脂層１３は、封止層１４により覆われている。さらに、封止層１４は、樹脂層１５により覆われている。

有機絶縁層１２および樹脂層１３，１５は、有機材料で形成されている。リブ５および封止層１４，ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３は、例えばシリコン窒化物（ＳｉＮｘ）などの無機材料で形成されている。リブ５および封止層１４，ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３は、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）、シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）または酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）のいずれかの単層体として形成されてもよい。また、リブ５および封止層１４，ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３は、シリコン窒化物層、シリコン酸化物層、シリコン酸窒化物層および酸化アルミニウム層のうちの少なくとも２つの組合せによる積層体として形成されてもよい。

上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３は、例えばマグネシウムと銀の合金（ＭｇＡｇ）などの金属材料で形成されている。下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の電位が上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３の電位よりも相対的に高い場合、下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３がアノードに相当し、上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３がカソードに相当する。また、上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３の電位が下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の電位よりも相対的に高い場合、上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３がアノードに相当し、下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３がカソードに相当する。

有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３は、一対の機能層と、これら機能層の間に配置された発光層とを含む。一例として、有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３は、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロッキング層、発光層、正孔ブロッキング層、電子輸送層および電子注入層を順に積層した構造を有している。

キャップ層ＣＰ１，ＣＰ２，ＣＰ３は、例えば、透明な複数の薄膜の多層体によって形成されている。多層体は、複数の薄膜として、無機材料によって形成された薄膜および有機材料によって形成された薄膜を含んでもよい。また、これらの複数の薄膜は、互いに異なる屈折率を有している。多層体を構成する薄膜の材料は、上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３の材料とは異なり、また、封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３の材料とも異なる。なお、キャップ層ＣＰ１，ＣＰ２，ＣＰ３は省略されてもよい。

隔壁６には、共通電圧が供給されている。この共通電圧は、下部６１の側面に接触した上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３にそれぞれ供給される。下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３には、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３がそれぞれ有する画素回路１を通じて画素電圧が供給される。

下電極ＬＥ１と上電極ＵＥ１の間に電位差が形成されると、有機層ＯＲ１の発光層が赤色の波長域の光を放つ。下電極ＬＥ２と上電極ＵＥ２の間に電位差が形成されると、有機層ＯＲ２の発光層が緑色の波長域の光を放つ。下電極ＬＥ３と上電極ＵＥ３の間に電位差が形成されると、有機層ＯＲ３の発光層が青色の波長域の光を放つ。

図４は、副画素ＳＰ１，ＳＰ２の境界に配置された隔壁６とその近傍を拡大した概略的な断面図である。この図においては、基板１０、回路層１１、樹脂層１３、封止層１４および樹脂層１５を省略している。

隔壁６の下部６１は、側面Ｆ１，Ｆ２を有している。隔壁６の上部６２は、側面Ｆ１から突出した端部Ｅ１と、側面Ｆ２から突出した端部Ｅ２とを有している。上電極ＵＥ１，ＵＥ３は、それぞれ側面Ｆ１，Ｆ２に接触している。

図４の例において、下部６１は、第１金属層６１１と、第１金属層６１１よりも薄い第２金属層６１２有している。第２金属層６１２は、リブ５と第１金属層６１１の間に位置している。また、上部６２は、第１金属層６１１の上に配置された第１薄膜６２１と、第１薄膜６２１の上に配置された第２薄膜６２２とを有している。

第１金属層６１１は、例えばアルミニウム（Ａｌ）によって形成されている。第１金属層６１１は、アルミニウム合金によって形成されてもよいし、アルミニウムとアルミニウム合金の積層構造を有してもよい。第２金属層６１２は、例えばモリブデン（Ｍｏ）によって形成されている。

第１薄膜６２１は、例えばチタン（Ｔｉ）によって形成されている。第１薄膜６２１は、シリコン酸化物などの無機材料で形成されてもよい。第２薄膜６２２は、例えばＩＴＯ（ＩｎｄｉｕｍＴｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（ＩｎｄｉｕｍＺｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）およびＩＧＺＯ（ＩｎｄｉｕｍＧａｌｌｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）などの透明な導電性酸化物によって形成されている。なお、上部６２は、チタンやシリコン酸化物などの単層構造を有してもよい。

図４の例において、下電極ＬＥ１は、第１導電性酸化物層Ｌ１と、第２導電性酸化物層Ｌ２と、これら導電性酸化物層Ｌ１，Ｌ２の間の中間層Ｌ３とを有している。第１導電性酸化物層Ｌ１は中間層Ｌ３の上面を覆い、第２導電性酸化物層Ｌ２は中間層Ｌ３の下面を覆っている。

導電性酸化物層Ｌ１，Ｌ２は、例えばＩＴＯによって形成されている。すなわち、下電極ＬＥ１の上面および下面は、ＩＴＯによって形成されている。他の例として、導電性酸化物層Ｌ１，Ｌ２は、ＩＺＯまたはＩＧＺＯなどで形成されてもよい。中間層Ｌ３は、例えば銀（Ａｇ）などの金属材料で形成されている。下電極ＬＥ２，ＬＥ３も下電極ＬＥ１と同様の構成を有している。

図５は、隔壁６に適用し得る構造の他の例を示す概略的な断面図である。この図の例においては、下部６１が図４に示した第２金属層６１２を有していない。すなわち、下部６１は、第１金属層６１１によって形成されている。第１金属層６１１は、リブ５の上面に接触している。

図５の例においても、第１金属層６１１は、アルミニウムやアルミニウム合金によって形成されてもよいし、アルミニウムとアルミニウム合金の積層構造を有してもよい。

続いて、周辺領域ＳＡに適用し得る構造につき説明する。
図６は、表示装置ＤＳＰの概略的な平面図である。表示装置ＤＳＰは、周辺領域ＳＡに配置される要素として、第１ゲート駆動回路ＧＤ１、第２ゲート駆動回路ＧＤ２、セレクタ回路ＳＴおよび端子部Ｔを備えている。第１ゲート駆動回路ＧＤ１、第２ゲート駆動回路ＧＤ２およびセレクタ回路ＳＴは、それぞれ画素回路１に信号を供給する駆動回路の一例であり、図３に示した回路層１１に含まれる。

第１ゲート駆動回路ＧＤ１および第２ゲート駆動回路ＧＤ２は、図１に示した走査線ＧＬに走査信号を供給する。端子部Ｔには、例えばフレキシブル回路基板が接続される。セレクタ回路ＳＴは、このフレキシブル回路基板から入力される映像信号を図１に示した信号線ＳＬに供給する。

基板１０は、第１端部Ｅ１、第２端部Ｅ２、第３端部Ｅ３および第４端部Ｅ４を有している。第１端部Ｅ１および第２端部Ｅ２は、第２方向Ｙと平行に延びている。第３端部Ｅ３および第４端部Ｅ４は、第１方向Ｘと平行に延びている。

図６の例においては、第１ゲート駆動回路ＧＤ１が表示領域ＤＡと第１端部Ｅ１の間に配置され、第２ゲート駆動回路ＧＤ２が表示領域ＤＡと第２端部Ｅ２の間に配置され、セレクタ回路ＳＴおよび端子部Ｔが表示領域ＤＡと第３端部Ｅ３の間に配置されている。

さらに、表示装置ＤＳＰは、周辺領域ＳＡに配置された導電層ＣＬ（ドット模様を付した部分）およびダム構造ＤＳ（斜線模様を付した部分）を備えている。図６の例においては、導電層ＣＬが表示領域ＤＡを囲っている。また、ダム構造ＤＳが導電層ＣＬを囲っている。導電層ＣＬおよびダム構造ＤＳは、部分的に重なっている。例えば、ダム構造ＤＳは、図２に示した樹脂層１３を堰き止める役割を担う。

導電層ＣＬは、表示領域ＤＡに配置された隔壁６と接続されている。導電層ＣＬは、第１ゲート駆動回路ＧＤ１、第２ゲート駆動回路ＧＤ２およびセレクタ回路ＳＴと平面視において重なっている。

なお、導電層ＣＬは、必ずしも表示領域ＤＡを囲う形状を有する必要はない。例えば、表示領域ＤＡと第３端部Ｅ３の間や、表示領域ＤＡと第４端部Ｅ４の間に導電層ＣＬが配置されていなくてもよい。

図７は、周辺領域ＳＡに配置される他の要素を示す概略的な平面図である。周辺領域ＳＡには、給電線ＰＷ（斜線模様を付した部分）および中継配線ＲＬ（ドット模様を付した部分）が配置されている。

図７においては給電線ＰＷおよび中継配線ＲＬが表示領域ＤＡを囲っているが、この例に限られない。給電線ＰＷおよび中継配線ＲＬは、部分的に重なっている。

給電線ＰＷは、第３端部Ｅ３の近傍に位置する一対のパッドＰＤを有している。これらパッドＰＤは、端子部Ｔと電気的に接続されている。給電線ＰＷには、端子部Ｔおよび各パッドＰＤを通じて共通電圧が供給される。さらに、給電線ＰＷの共通電圧は、中継配線ＲＬに供給される。

図８は、図６において鎖線枠ＶＩＩＩで囲った領域の拡大図である。図９は、図８におけるＩＸ－ＩＸ線に沿う表示装置ＤＳＰの概略的な断面図である。図８においてドット模様を付した領域が導電層ＣＬおよび隔壁６（第１隔壁６ｘおよび第２隔壁６ｙ）に相当する。導電層ＣＬおよび隔壁６は、同じ材料で同じ製造プロセスにより一体的に形成されている。

図８および図９に示すように、ダム構造ＤＳは、第１凸部Ｒ１、第２凸部Ｒ２、第３凸部Ｒ３および第４凸部Ｒ４を有している。第１凸部Ｒ１は表示領域ＤＡを囲い、第２凸部Ｒ２は第１凸部Ｒ１を囲い、第３凸部Ｒ３は第２凸部Ｒ２を囲い、第４凸部Ｒ４は第３凸部Ｒ３を囲う。なお、ダム構造ＤＳが有する凸部の数は４つに限定されず、３つ以下または５つ以上であってもよい。

図９に示すように、凸部Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４は、有機絶縁層１２の端部１２ａと基板１０の第１端部Ｅ１の間に位置している。凸部Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４は、端部１２ａと第２端部Ｅ２の間、端部１２ａと第３端部Ｅ３の間、端部１２ａと第４端部Ｅ４の間にも位置している。凸部Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４は、例えば有機絶縁層１２と同じ材料で同じプロセスにより形成されている。

凸部Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４のうち隣り合う２つの間隔は、凸部Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４のそれぞれの幅よりも大きい。一例として、凸部Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４のそれぞれの幅は１５～２５μｍであり、凸部Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４のうち隣り合う２つの間隔は２５～３５μｍである。また、凸部Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４のそれぞれの高さは３～４μｍである。

図９の例において、回路層１１は、絶縁層３１，３２，３３および金属層４１，４２，４３を備えている。絶縁層３１は、基板１０を覆っている。金属層４１は、絶縁層３１の上に配置され、絶縁層３２により覆われている。金属層４２は、絶縁層３２の上に配置され、絶縁層３３により覆われている。金属層４３は、絶縁層３３の上に配置され、有機絶縁層１２により覆われている。

絶縁層３１，３２，３３は、例えばシリコン窒化物およびシリコン酸化物などの無機材料で形成されている。金属層４１，４２，４３は、例えばモリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、モリブデンタングステン合金（ＭｏＷ）、アルミニウム（Ａｌ）および銅（Ｃｕ）などの金属材料の単層構造または積層構造を有している。

第１ゲート駆動回路ＧＤ１は、金属層４１，４２，４３や半導体層によって形成されている。図６に示した第２ゲート駆動回路ＧＤ２およびセレクタ回路ＳＴや、図１に示した画素回路１も同様に、金属層４１，４２，４３や半導体層によって形成されている。また、図１に示した走査線ＧＬ、信号線ＳＬおよび電源線ＰＬは、金属層４１，４２，４３のいずれかによって形成されている。

凸部Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４は、絶縁層３３の上に配置されている。リブ５は、周辺領域ＳＡにも配置されている。図９の例においては、ダム構造ＤＳにリブ５が配置されていない。

導電層ＣＬは、周辺領域ＳＡにおいてリブ５を覆っている。導電層ＣＬは、図３乃至図５に示した隔壁６と同じく下部６１および上部６２を含む。導電層ＣＬにおいても、上部６２の端部が下部６１の側面よりも突出している。

図８および図９に示すように、導電層ＣＬは、ダム構造ＤＳの一部を覆っている。導電層ＣＬの端部ＣＬａは、第１凸部Ｒ１と基板１０の第１端部Ｅ１の間に位置している。導電層ＣＬの端部ＣＬａは、第１凸部Ｒ１と第２端部Ｅ２の間、第１凸部Ｒ１と第３端部Ｅ３の間、第１凸部Ｒ１と第４端部Ｅ４の間にも位置している。すなわち、端部ＣＬａは、全周にわたり第１凸部Ｒ１と基板１０の端部の間に位置している。また、図６に示すように、端部ＣＬａは、第１ゲート駆動回路ＧＤ１と第１端部Ｅ１の間、第２ゲート駆動回路ＧＤ２と第２端部Ｅ２の間、セレクタ回路ＳＴと第３端部Ｅ３の間に位置している。

図９の例においては、導電層ＣＬが第１凸部Ｒ１を覆っている、さらに、端部ＣＬａが凸部Ｒ１，Ｒ２の間において絶縁層３３の上に位置している。この例に限られず、端部ＣＬａは、凸部Ｒ２，Ｒ３の間や凸部Ｒ３，Ｒ４の間に位置してもよい。

図９の例において、給電線ＰＷは、金属層４２によって形成された第１部分Ｐ１と、金属層４３によって形成された第２部分Ｐ２とを有している。第２部分Ｐ２は、第１部分Ｐ１に接触している。例えば、図７に示した給電線ＰＷのうち、パッドＰＤは第１部分Ｐ１によって形成され、表示領域ＤＡを囲う部分は少なくとも第２部分Ｐ２によって形成されている。

中継配線ＲＬは、大部分が有機絶縁層１２の上に配置され、リブ５によって覆われている。中継配線ＲＬは、下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３と同じ材料で同じ製造プロセスにより形成されている。したがって、中継配線ＲＬは、下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３と同じく第１導電性酸化物層Ｌ１、第２導電性酸化物層Ｌ２および中間層Ｌ３を有している。

導電層ＣＬは、第１コンタクト部ＣＮ１において給電線ＰＷに接続されている。中継配線ＲＬは、第２コンタクト部ＣＮ２において給電線ＰＷに接続され、第３コンタクト部ＣＮ３において導電層ＣＬに接続されている。これにより、導電層ＣＬには、給電線ＰＷから直接、あるいは中継配線ＲＬを介して、給電線ＰＷの共通電圧が供給される。さらに、導電層ＣＬの共通電圧は、表示領域ＤＡの隔壁６および上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３に供給される。

第１コンタクト部ＣＮ１においては、導電層ＣＬの下部６１が給電線ＰＷの第２部分Ｐ２の上面に接触している。第１コンタクト部ＣＮ１は、例えば図７に示した中継配線ＲＬのうち給電線ＰＷと重ならない領域の一部に相当し、平面視において表示領域ＤＡを囲っている。ただし、第１コンタクト部ＣＮ１は、表示領域ＤＡの周囲の少なくとも１か所において途切れていてもよい。

図９の例において、第１コンタクト部ＣＮ１は、有機絶縁層１２の端部１２ａと基板１０の第１端部Ｅ１の間に位置している。より具体的には、第１コンタクト部ＣＮ１は、有機絶縁層１２の端部１２ａと第１凸部Ｒ１の間に位置している。第１コンタクト部ＣＮ１は、端部１２ａと第２端部Ｅ２の間、端部１２ａと第３端部Ｅ３の間、端部１２ａと第４端部Ｅ４の間にも位置している。

第２コンタクト部ＣＮ２においては、中継配線ＲＬが給電線ＰＷの第２部分Ｐ２の上面に接触している。図８に示すように、第２コンタクト部ＣＮ２は、表示領域ＤＡと第１コンタクト部ＣＮ１の間に位置している。より具体的には、第２コンタクト部ＣＮ２は、有機絶縁層１２の端部１２ａと第１コンタクト部ＣＮ１の間に位置している。

図９の例では、第２コンタクト部ＣＮ２において、中継配線ＲＬの上面が導電層ＣＬの下部６１によって覆われている。これにより、第２コンタクト部ＣＮ２においても給電線ＰＷと導電層ＣＬが電気的に接続される。

なお、図８および図９の例においては第１コンタクト部ＣＮ１と第２コンタクト部ＣＮ２が隣接しているが、これらコンタクト部ＣＮ１，ＣＮ２は離間していてもよい。例えば、第１コンタクト部ＣＮ１と第２コンタクト部ＣＮ２の間に凸部Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４の少なくとも１つが介在してもよい。

第２コンタクト部ＣＮ２は、例えば図７において給電線ＰＷと中継配線ＲＬが重なった領域に相当し、表示領域ＤＡを囲っている。ただし、第２コンタクト部ＣＮ２は、表示領域ＤＡの周囲の少なくとも１か所において途切れていてもよい。

図８に示すように、第３コンタクト部ＣＮ３は、平面視において第２コンタクト部ＣＮ２と表示領域ＤＡの間に位置している。図８および図９に示すように、第３コンタクト部ＣＮ３は、リブ５に設けられた複数のコンタクトホールＣＨａを有している。導電層ＣＬの下部６１は、これらコンタクトホールＣＨａを通じて中継配線ＲＬの上面に接触している。

図８の例においては、複数のコンタクトホールＣＨａがいずれも第１方向Ｘに長尺に延びるとともに第２方向Ｙに並んでいる。コンタクトホールＣＨａの形状および配置はこの例に限られず、種々の態様に変形し得る。

導電層ＣＬは、第１方向Ｘおよび第２方向Ｙに一定の間隔を空けて並んだ複数の開口ＡＰａを有している。図８の例においては、これら開口ＡＰａの一部が第２方向Ｙに隣り合うコンタクトホールＣＨａの間に位置している。開口ＡＰａは、例えば平面視においてコンタクトホールＣＨａよりも小さい。

導電層ＣＬおよび隔壁６の形成に際しては、先ず下部６１および上部６２の基となる層が表示領域ＤＡおよび周辺領域の全体に形成され、これらの層がエッチングにより導電層ＣＬおよび隔壁６の形状にパターニングされる。表示領域ＤＡにおいては各副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３に対応する開口（第１隔壁６ｘと第２隔壁６ｙで囲われる領域）が多く存在する。表示領域ＤＡと周辺領域ＳＡとでこのような開口の密度が異なると、均一なエッチングの進行を実現できない可能性がある。これに対し、導電層ＣＬに複数の開口ＡＰａを設けることにより、表示領域ＤＡと周辺領域ＳＡとでエッチングの進行を均一化することができる。

図９に示すように、周辺領域ＳＡには、有機層ＯＲｓ、上電極ＵＥｓ、キャップ層ＣＰｓおよび封止層ＳＥｓが配置されている。図９の例においては有機層ＯＲｓ、上電極ＵＥｓおよびキャップ層ＣＰｓを一つの層として示しているが、実際には上電極ＵＥｓが有機層ＯＲｓを覆い、キャップ層ＣＰｓが上電極ＵＥｓを覆っている。有機層ＯＲｓ、上電極ＵＥｓおよびキャップ層ＣＰｓは、導電層ＣＬおよびダム構造ＤＳを覆っている。封止層ＳＥｓは、有機層ＯＲｓ、上電極ＵＥｓおよびキャップ層ＣＰｓを覆っている。

有機層ＯＲｓは、有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３のいずれかと同じ材料で同じプロセスにより形成されている。上電極ＵＥｓは、上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３のいずれかと同じ材料で同じプロセスにより形成されている。キャップ層ＣＰｓは、キャップ層ＣＰ１，ＣＰ２，ＣＰ３のいずれかと同じ材料で同じプロセスにより形成されている。封止層ＳＥｓは、封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３のいずれかと同じ材料で同じプロセスにより形成されている。一例では、有機層ＯＲｓ、上電極ＵＥｓ、キャップ層ＣＰｓおよび封止層ＳＥｓは、それぞれ有機層ＯＲ３、上電極ＵＥ３、キャップ層ＣＰ３および封止層ＳＥ３と同じ材料で同じプロセスにより形成されている。

樹脂層１３は、例えばインクジェット方式により形成される。凸部Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４により生じる封止層ＳＥｓの凹凸によって、硬化前の樹脂層１３の拡がりが抑制される。図９においては樹脂層１３の端部が第２凸部Ｒ２の近傍に位置しているが、この例に限られない。封止層１４は、樹脂層１３の端部の外側において封止層ＳＥｓと接触している。樹脂層１５は、封止層１４を全体的に覆っている。

図１０は、導電層ＣＬの端部ＣＬａ近傍の概略的な断面図である。導電層ＣＬは、下部６１および上部６２を有している。導電層ＣＬの下部６１および上部６２の層構成は、図４および図５に示した隔壁６の層構成と同様である。

端部ＣＬａにおいて、導電層ＣＬの下部６１は、側面Ｆ３を有している。導電層ＣＬの上部６２は、側面Ｆ３よりも突出している。すなわち、端部ＣＬａにおける導電層ＣＬの形状は、隔壁６と同じくオーバーハング状である。

このような形状の導電層ＣＬの上に有機層ＯＲｓ、上電極ＵＥｓおよびキャップ層ＣＰｓを形成すると、図１０に示すように、端部ＣＬａにおいてこれら有機層ＯＲｓ、上電極ＵＥｓおよびキャップ層ＣＰｓが分断される。

封止層ＳＥｓは、導電層ＣＬの上下にそれぞれ位置する有機層ＯＲｓ、上電極ＵＥｓおよびキャップ層ＣＰｓを覆うとともに、下部６１の側面Ｆ３も覆っている。

なお、図８乃至図１０においては表示領域ＤＡと第１端部Ｅ１の間の構造に着目したが、表示領域ＤＡと第２端部Ｅ２の間、表示領域ＤＡと第３端部Ｅ３の間、および、表示領域ＤＡと第４端部Ｅ４の間にも同様の構造を適用できる。好ましくは、有機層ＯＲｓ、上電極ＵＥｓおよびキャップ層ＣＰｓは、端部ＣＬａの全周にわたり分断されている。

以上の本実施形態に係る表示装置ＤＳＰにおいては、表示領域ＤＡに配置された隔壁６が周辺領域ＳＡに配置された導電層ＣＬと接続されている。さらに、隔壁６が副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３の上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３に接続され、導電層ＣＬが給電線ＰＷに接続されている。このような構造においては、給電線ＰＷの共通電圧を、導電層ＣＬおよび隔壁６を介して上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３に供給することができる。

２つの導電性の部材を接続するにあたり、両者の材料の組み合わせによっては良好な導通を確保できない場合がある。例えば、一方の材料がアルミニウムで他方の材料がＩＴＯである場合、両者の界面に電蝕が生じる。したがって、例えば導電層ＣＬの下部６１が図５に示した第１金属層６１１のようにアルミニウムで形成され、中継配線ＲＬの上面が図５に示した第１導電性酸化物層Ｌ１のようにＩＴＯで形成されている場合、第３コンタクト部ＣＮ３における導電層ＣＬと中継配線ＲＬの接続抵抗が高まり得る。

これに対し、本実施形態においては、導電層ＣＬの下部６１が第１コンタクト部ＣＮ１にて給電線ＰＷに接触している。下部６１および給電線ＰＷはいずれも金属製であるため、第１コンタクト部ＣＮ１における接続抵抗が小さい。これにより、導電層ＣＬ、隔壁６および上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３の電圧低下を抑制することが可能である。

さらに、本実施形態においては、導電層ＣＬと給電線ＰＷが中継配線ＲＬを介して接続されている。このように複数の経路で導電層ＣＬと給電線ＰＷを接続することにより、両者の導通の信頼性が向上する。

例えば、モリブデンの部材とＩＴＯの部材とを接続する場合、両者の界面には上述の電飾が生じにくい。そのため、中継配線ＲＬの上面がＩＴＯで形成されていても、例えば図４の例のように下部６１がモリブデンの第２金属層６１２を有している場合には、導電層ＣＬと給電線ＰＷの良好な導通を確保できる。

図９の例のように、周辺領域ＳＡに有機層ＯＲｓ、上電極ＵＥｓおよびキャップ層ＣＰｓが配置されている場合、これらの層を通じて表示装置ＤＳＰ内部に水分が浸入する可能性がある。この水分がゲート駆動回路ＧＤ１，ＧＤ２、セレクタ回路ＳＴ、給電線ＰＷ、画素回路１および表示素子２０などに到達すると、表示装置ＤＳＰの動作不良が生じ得る。

これに対し、本実施形態に係る表示装置ＤＳＰにおいては、導電層ＣＬの端部ＣＬａが、ダム構造ＤＳの第１凸部Ｒ１と基板１０の端部Ｅ１，Ｅ２，Ｅ３，Ｅ４の間に位置している。これにより、図１０に示したように有機層ＯＲｓ、上電極ＵＥｓおよびキャップ層ＣＰｓが分断され、これらの層を通じた表示装置ＤＳＰ内部への水分浸入を抑制できる。結果として、表示装置ＤＳＰの水分への耐性が向上する。図９の例のように端部ＣＬａがコンタクト部ＣＮ１，ＣＮ２，ＣＮ３よりも外側に位置していれば、これらコンタクト部ＣＮ１，ＣＮ２，ＣＮ３を通じた水分の浸入が抑制されるため一層好適である。

ダム構造ＤＳの凸部Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４の上面は曲面となり得るため、仮に導電層ＣＬの端部ＣＬａがダム構造ＤＳの凸部Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４の上に位置すると、端部ＣＬａが良好なオーバーハング状に形成されない可能性がある。

これに対し、図９の例のように端部ＣＬａが凸部Ｒ１，Ｒ２の間に位置していれば、端部ＣＬａを良好なオーバーハング状に形成することができる。端部ＣＬａが凸部Ｒ２，Ｒ３の間や凸部Ｒ３，Ｒ４の間に位置する場合でも同様の効果を得ることができる。

なお、導電層ＣＬと給電線ＰＷの接続構造は、図９に示した例に限られない。例えば、表示装置ＤＳＰは、中継配線ＲＬ、第２コンタクト部ＣＮ２および第３コンタクト部ＣＮ３を備えなくてもよい。

また、第１コンタクト部ＣＮ１の構造は、図９に示した例に限られない。図１１は、導電層ＣＬと給電線ＰＷの接続構造の他の例を示す概略的な断面図である。図１１の例において、第１コンタクト部ＣＮ１は、有機絶縁層１２に設けられたコンタクトホールＣＨｂと、リブ５に設けられたコンタクトホールＣＨｃとを有している。

コンタクトホールＣＨｂは、給電線ＰＷの第２部分Ｐ２を有機絶縁層１２から露出させる。コンタクトホールＣＨｃは、コンタクトホールＣＨｂと重なっている。導電層ＣＬの下部６１は、コンタクトホールＣＨｂ，ＣＨｃを通じて給電線ＰＷの第２部分Ｐ２に接触している。

第１コンタクト部ＣＮ１がこのような構造を有する場合であっても、導電線ＣＬと給電線ＰＷの接続抵抗を下げ、両者を良好に導通させることができる。図１１の例において、図９に示した中継配線ＲＬがさらに設けられ、この中継配線ＲＬが第２コンタクト部ＣＮ２にて給電線ＰＷに接続され、第３コンタクト部ＣＮ３にて導電層ＣＬに接続されてもよい。

以上、本発明の実施形態として説明した表示装置を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての表示装置も、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に属する。

本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変形例に想到し得るものであり、それら変形例についても本発明の範囲に属するものと解される。例えば、上述の各実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除、もしくは設計変更を行ったもの、または、工程の追加、省略もしくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。

また、上述の各実施形態において述べた態様によりもたらされる他の作用効果について、本明細書の記載から明らかなもの、または当業者において適宜想到し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。

ＤＳＰ…表示装置、ＤＡ…表示領域、ＳＡ…周辺領域、ＰＸ…画素、ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３…副画素、ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３…下電極、ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３，ＵＥｓ…上電極、ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３，ＯＲｓ…有機層、ＣＰ１，ＣＰ２，ＣＰ３，ＣＰｓ…キャップ層、ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３，ＳＥｓ…封止層、ＣＬ…導電層、ＰＷ…給電線、ＲＬ…中継配線、ＤＳ…ダム構造、Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４…凸部、ＣＮ１…第１コンタクト部、ＣＮ２…第２コンタクト部、ＣＮ３…第３コンタクト部、ＡＰａ…開口、ＣＨａ…コンタクトホール、１…画素回路、５…リブ、６…隔壁、１０…基板、１２…有機絶縁層、６１…隔壁の下部、６２…隔壁の上部。

Claims (13)

1. 基板と、
   画素を含む表示領域に配置された画素回路と、前記基板の端部と前記表示領域の間の周辺領域に配置された金属製の給電線と、を含む回路層と、
   前記回路層を覆う絶縁層と、
   前記表示領域において前記絶縁層の上方に配置され、前記画素回路から電圧が供給される下電極と、
   前記下電極と重なる開口を有するリブと、
   前記表示領域において前記リブの上方に配置された隔壁と、
   前記下電極に対向し、前記隔壁に接続された上電極と、
   前記下電極と前記上電極の間に配置され、前記下電極と前記上電極の電位差に応じて発光する有機層と、
   前記周辺領域に配置され、前記隔壁に接続された導電層と、
   を備え、
   前記隔壁および前記導電層は、金属製の下部と、前記下部の側面から突出した上部と、を有し、
   前記周辺領域に位置する第１コンタクト部において、前記導電層の前記下部と前記給電線が接触している、
   表示装置。
2. 前記第１コンタクト部は、平面視において前記絶縁層の端部と前記基板の端部の間に位置している、
   請求項１に記載の表示装置。
3. 前記第１コンタクト部は、前記表示領域を囲っている、
   請求項１または２に記載の表示装置。
4. 前記周辺領域に位置する第２コンタクト部において前記給電線に接続され、前記周辺領域に位置する第３コンタクト部において前記導電層に接続された中継配線をさらに備える、
   請求項１乃至３のうちいずれか１項に記載の表示装置。
5. 前記第２コンタクト部は、平面視において前記表示領域と前記第１コンタクト部の間に位置している、
   請求項４に記載の表示装置。
6. 前記第３コンタクト部は、平面視において前記表示領域と前記第２コンタクト部の間に位置している、
   請求項４または５に記載の表示装置。
7. 前記中継配線は、前記リブにより覆われ、
   前記第３コンタクト部は、前記リブに設けられた複数のコンタクトホールを含み、
   前記導電層は、前記複数のコンタクトホールを通じて前記中継配線に接触している、
   請求項４乃至６のうちいずれか１項に記載の表示装置。
8. 前記周辺領域に配置された凸部を含むダム構造をさらに備え、
   前記第１コンタクト部は、平面視において前記絶縁層の端部と前記凸部の間に位置している、
   請求項１乃至７のうちいずれか１項に記載の表示装置。
9. 前記導電層の端部は、平面視において前記凸部と前記基板の端部の間に位置している、
   請求項８に記載の表示装置。
10. 前記ダム構造は、前記表示領域を囲う第１凸部と、前記第１凸部を囲う第２凸部と、を含み、
    前記導電層の端部は、平面視において前記第１凸部と前記第２凸部の間に位置している、
    請求項８に記載の表示装置。
11. 前記周辺領域に配置され、前記画素回路に信号を供給する駆動回路をさらに備え、
    前記導電層の端部は、平面視において前記駆動回路と前記基板の端部の間に位置している、
    請求項１乃至１０のうちいずれか１項に記載の表示装置。
12. 前記有機層は、前記周辺領域にも配置され、
    前記導電層の端部により前記有機層が分断されている、
    請求項１乃至１１のうちいずれか１項に記載の表示装置。
13. 前記下電極の上面は、ＩＴＯにより形成され、
    前記隔壁および前記導電層の下部は、アルミニウムにより形成されている、
    請求項１乃至１２のうちいずれか１項に記載の表示装置。

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