JP2023160055A - 表示装置およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 水分に対する信頼性および表示品位を向上させることが可能な表示装置とその製造方法を提供する。【解決手段】 一実施形態に係る表示装置は、下電極と、前記下電極の端部を覆うとともに、前記下電極の一部を露出させる画素開口を有するリブと、前記リブの上に配置された隔壁と、前記下電極に対向し、前記隔壁に接触する上電極と、前記下電極と前記上電極の間に配置され、前記下電極と前記上電極の電位差に応じて発光する有機層と、前記下電極、前記上電極および前記有機層を含む表示素子と、前記隔壁とを連続的に覆う封止層と、を備えている。前記封止層は、前記リブの上方に位置し、第１厚さを有する第１部分と、前記画素開口を通じて前記リブから露出した前記下電極の上方に位置し、前記第１厚さよりも小さい第２厚さを有する第２部分と、を含む。【選択図】 図４

Description

本発明の実施形態は、表示装置およびその製造方法に関する。

近年、表示素子として有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を適用した表示装置が実用化されている。この表示素子は、下電極と、下電極を覆う有機層と、有機層を覆う上電極とを備え、下電極と上電極の電位差に応じて有機層が発光する。

上記のような表示装置において、水分に対する信頼性の向上と、表示品位の向上とが求められている。

特開２０００－１９５６７７号公報 特開２００４－２０７２１７号公報 特開２００８－１３５３２５号公報 特開２００９－３２６７３号公報 特開２０１０－１１８１９１号公報 国際公開第２０１８／１７９３０８号 米国特許出願公開第２０２２／００７７２５１号明細書

本発明の目的は、水分に対する信頼性および表示品位を向上させることが可能な表示装置とその製造方法を提供することにある。

一実施形態に係る表示装置は、下電極と、前記下電極の端部を覆うとともに、前記下電極の一部を露出させる画素開口を有するリブと、前記リブの上に配置された隔壁と、前記下電極に対向し、前記隔壁に接触する上電極と、前記下電極と前記上電極の間に配置され、前記下電極と前記上電極の電位差に応じて発光する有機層と、前記下電極、前記上電極および前記有機層を含む表示素子と、前記隔壁とを連続的に覆う封止層と、を備えている。前記封止層は、前記リブの上方に位置し、第１厚さを有する第１部分と、前記画素開口を通じて前記リブから露出した前記下電極の上方に位置し、前記第１厚さよりも小さい第２厚さを有する第２部分と、を含む。

一実施形態に係る表示装置の製造方法においては、基板の上方に下電極を形成し、前記下電極の端部を覆うとともに、前記下電極の一部を露出させる画素開口を有するリブを形成し、前記リブの上に隔壁を形成し、前記画素開口を通じて前記下電極を覆う有機層を形成し、前記有機層を覆い、前記隔壁に接触する上電極を形成し、前記下電極、前記上電極および前記有機層を含む表示素子と、前記隔壁とを連続的に覆う封止層を形成し、前記封止層のうち、前記画素開口を通じて前記リブから露出した前記下電極の上方に位置する部分を薄膜化する。

図１は、一実施形態に係る表示装置の構成例を示す図である。 図２は、副画素のレイアウトの一例を示す図である。 図３は、図２中のIII－III線に沿う表示装置の概略的な断面図である。 図４は、隔壁とその近傍を拡大した概略的な断面図である。 図５は、隔壁とその近傍に適用し得る他の例を示す概略的な断面図である。 図６は、隔壁、リブおよび封止層の概略的な平面図である。 図７は、表示装置の製造工程の一部を示す概略的な断面図である。 図８は、図７に続く工程を示す概略的な断面図である。 図９は、図８に続く工程を示す概略的な断面図である。 図１０は、図９に続く工程を示す概略的な断面図である。 図１１は、図１０に続く工程を示す概略的な断面図である。 図１２は、図１１に続く工程を示す概略的な断面図である。 図１３は、図１２に続く工程を示す概略的な断面図である。 図１４は、図１３に続く工程を示す概略的な断面図である。

いくつかの実施形態について図面を参照しながら説明する。
開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一または類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。

なお、図面には、必要に応じて理解を容易にするために、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を記載する。Ｘ軸に沿った方向を第１方向と称し、Ｙ軸に沿った方向を第２方向と称し、Ｚ軸に沿った方向を第３方向と称する。第３方向Ｚと平行に各種要素を見ることを平面視という。

各実施形態に係る表示装置は、表示素子として有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を備える有機エレクトロルミネッセンス表示装置であり、テレビ、パーソナルコンピュータ、車載機器、タブレット端末、スマートフォン、携帯電話端末等に搭載され得る。

図１は、本実施形態に係る表示装置ＤＳＰの構成例を示す図である。表示装置ＤＳＰは、絶縁性の基板１０の上に、画像を表示する表示領域ＤＡと、表示領域ＤＡの周辺の周辺領域ＳＡとを有している。基板１０は、ガラスであってもよいし、可撓性を有する樹脂フィルムであってもよい。

本実施形態においては、平面視における基板１０の形状が長方形である。ただし、基板１０の平面視における形状は長方形に限らず、正方形、円形あるいは楕円形などの他の形状であってもよい。

表示領域ＤＡは、第１方向Ｘおよび第２方向Ｙにマトリクス状に配列された複数の画素ＰＸを備えている。画素ＰＸは、複数の副画素ＳＰを含む。一例では、画素ＰＸは、赤色の第１副画素ＳＰ１、緑色の第２副画素ＳＰ２および青色の第３副画素ＳＰ３を含む。なお、画素ＰＸは、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３とともに、あるいは副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のいずれかに代えて、白色などの他の色の副画素ＳＰを含んでもよい。

副画素ＳＰは、画素回路１と、画素回路１によって駆動される表示素子ＤＥとを備えている。画素回路１は、画素スイッチ２と、駆動トランジスタ３と、キャパシタ４とを備えている。画素スイッチ２および駆動トランジスタ３は、例えば薄膜トランジスタにより構成されたスイッチング素子である。

画素スイッチ２のゲート電極は、走査線ＧＬに接続されている。画素スイッチ２のソース電極およびドレイン電極の一方は信号線ＳＬに接続され、他方は駆動トランジスタ３のゲート電極およびキャパシタ４に接続されている。駆動トランジスタ３において、ソース電極およびドレイン電極の一方は電源線ＰＬおよびキャパシタ４に接続され、他方は表示素子ＤＥに接続されている。表示素子ＤＥは、発光素子としての有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）である。

なお、画素回路１の構成は図示した例に限らない。例えば、画素回路１は、より多くの薄膜トランジスタおよびキャパシタを備えてもよい。

図２は、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のレイアウトの一例を示す図である。図２の例においては、第１副画素ＳＰ１と第３副画素ＳＰ３が第１方向Ｘに並んでいる。第２副画素ＳＰ２と第３副画素ＳＰ３も第１方向Ｘに並んでいる。さらに、第１副画素ＳＰ１と第２副画素ＳＰ２が第２方向Ｙに並んでいる。

副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３がこのようなレイアウトである場合、表示領域ＤＡには、副画素ＳＰ１，ＳＰ２が第２方向Ｙに交互に配置された列と、複数の第３副画素ＳＰ３が第２方向Ｙに繰り返し配置された列とが形成される。これらの列は、第１方向Ｘに交互に並ぶ。

なお、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のレイアウトは図２の例に限られない。他の一例として、各画素ＰＸにおける副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３が第１方向Ｘに順に並んでいてもよい。

表示領域ＤＡには、リブ５および隔壁６が配置されている。リブ５は、第１副画素ＳＰ１において第１画素開口ＡＰ１を有し、第２副画素ＳＰ２において第２画素開口ＡＰ２を有し、第３副画素ＳＰ３において第３画素開口ＡＰ３を有している。図２の例においては、第２画素開口ＡＰ２が第１画素開口ＡＰ１よりも大きく、第３画素開口ＡＰ３が第２画素開口ＡＰ２よりも大きい。

隔壁６は、隣り合う副画素ＳＰの境界に配置され、平面視においてリブ５と重なっている。隔壁６は、第１方向Ｘに延びる複数の第１隔壁６ｘと、第２方向Ｙに延びる複数の第２隔壁６ｙとを有している。複数の第１隔壁６ｘは、第２方向Ｙに隣り合う画素開口ＡＰ１，ＡＰ２の間、および、第２方向Ｙに隣り合う２つの第３画素開口ＡＰ３の間にそれぞれ配置されている。第２隔壁６ｙは、第１方向Ｘに隣り合う画素開口ＡＰ１，ＡＰ３の間、および、第１方向Ｘに隣り合う画素開口ＡＰ２，ＡＰ３の間にそれぞれ配置されている。

図２の例においては、第１隔壁６ｘおよび第２隔壁６ｙが互いに接続されている。これにより、隔壁６は全体として画素開口ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３を囲う格子状である。隔壁６は、リブ５と同様に副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３において開口を有するということもできる。

第１副画素ＳＰ１は、第１画素開口ＡＰ１とそれぞれ重なる第１下電極ＬＥ１、第１上電極ＵＥ１および第１有機層ＯＲ１を備えている。第２副画素ＳＰ２は、第２画素開口ＡＰ２とそれぞれ重なる第２下電極ＬＥ２、第２上電極ＵＥ２および第２有機層ＯＲ２を備えている。第３副画素ＳＰ３は、第３画素開口ＡＰ３とそれぞれ重なる第３下電極ＬＥ３、第３上電極ＵＥ３および第３有機層ＯＲ３を備えている。

第１下電極ＬＥ１、第１上電極ＵＥ１および第１有機層ＯＲ１は、第１副画素ＳＰ１の第１表示素子ＤＥ１を構成する。第２下電極ＬＥ２、第２上電極ＵＥ２および第２有機層ＯＲ２は、第２副画素ＳＰ２の第２表示素子ＤＥ２を構成する。第３下電極ＬＥ３、第３上電極ＵＥ３および第３有機層ＯＲ３は、第３副画素ＳＰ３の第３表示素子ＤＥ３を構成する。表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３は、後述するキャップ層を含んでもよい。

例えば、第１表示素子ＤＥ１は赤色の波長域の光を放ち、第２表示素子ＤＥ２は緑色の波長域の光を放ち、第３表示素子ＤＥ３は青色の波長域の光を放つ。

第１下電極ＬＥ１は、第１コンタクトホールＣＨ１を通じて第１副画素ＳＰ１の画素回路１（図１参照）に接続されている。第２下電極ＬＥ２は、第２コンタクトホールＣＨ２を通じて第２副画素ＳＰ２の画素回路１に接続されている。第３下電極ＬＥ３は、第３コンタクトホールＣＨ３を通じて第３副画素ＳＰ３の画素回路１に接続されている。

図２の例において、コンタクトホールＣＨ１，ＣＨ２は、第２方向Ｙに隣り合う画素開口ＡＰ１，ＡＰ２の間の第１隔壁６ｘと全体的に重なっている。また、第３コンタクトホールＣＨ３は、第２方向Ｙに隣り合う２つの第３画素開口ＡＰ３の間の第１隔壁６ｘと全体的に重なっている。他の例として、コンタクトホールＣＨ１，ＣＨ２，ＣＨ３の少なくとも一部が第１隔壁６ｘと重なっていなくてもよい。

図３は、図２中のIII－III線に沿う表示装置ＤＳＰの概略的な断面図である。上述の基板１０の上に回路層１１が配置されている。回路層１１は、図１に示した画素回路１、走査線ＧＬ、信号線ＳＬおよび電源線ＰＬなどの各種回路や配線を含む。

回路層１１は、有機絶縁層１２により覆われている。有機絶縁層１２は、回路層１１により生じる凹凸を平坦化する平坦化膜として機能する。図３の断面には表れていないが、上述のコンタクトホールＣＨ１，ＣＨ２，ＣＨ３はいずれも有機絶縁層１２に設けられている。

下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３は、有機絶縁層１２の上に配置されている。リブ５は、有機絶縁層１２および下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の上に配置されている。下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の端部は、リブ５により覆われている。

隔壁６は、リブ５の上に配置された導電性を有する下部６１と、下部６１の上に配置された上部６２とを含む。上部６２は、下部６１よりも大きい幅を有している。これにより、図３においては上部６２の両端部が下部６１の側面よりも突出している。このような隔壁６の形状は、オーバーハング状ということもできる。

第１有機層ＯＲ１は、第１画素開口ＡＰ１を通じて第１下電極ＬＥ１を覆っている。第１上電極ＵＥ１は、第１有機層ＯＲ１を覆い、第１下電極ＬＥ１と対向している。第２有機層ＯＲ２は、第２画素開口ＡＰ２を通じて第２下電極ＬＥ２を覆っている。第２上電極ＵＥ２は、第２有機層ＯＲ２を覆い、第２下電極ＬＥ２と対向している。第３有機層ＯＲ３は、第３画素開口ＡＰ３を通じて第３下電極ＬＥ３を覆っている。第３上電極ＵＥ３は、第３有機層ＯＲ３を覆い、第３下電極ＬＥ３と対向している。

図３の例においては、第１上電極ＵＥ１の上に第１キャップ層ＣＰ１が配置され、第２上電極ＵＥ２の上に第２キャップ層ＣＰ２が配置され、第３上電極ＵＥ３の上に第３キャップ層ＣＰ３が配置されている。キャップ層ＣＰ１，ＣＰ２，ＣＰ３は、それぞれ有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３が発する光の光学特性を調整する。

第１有機層ＯＲ１、第１上電極ＵＥ１および第１キャップ層ＣＰ１の一部は、上部６２の上に位置している。当該一部は、第１有機層ＯＲ１、第１上電極ＵＥ１および第１キャップ層ＣＰ１の他の部分と離間している。同様に、第２有機層ＯＲ２、第２上電極ＵＥ２および第２キャップ層ＣＰ２の一部は上部６２の上に位置し、当該一部は第２有機層ＯＲ２、第２上電極ＵＥ２および第２キャップ層ＣＰ２の他の部分と離間している。さらに、第３有機層ＯＲ３、第３上電極ＵＥ３および第３キャップ層ＣＰ３の一部は上部６２の上に位置し、当該一部は第３有機層ＯＲ３、第３上電極ＵＥ３および第３キャップ層ＣＰ３の他の部分と離間している。

第１副画素ＳＰ１には第１封止層ＳＥ１が配置され、第２副画素ＳＰ２には第２封止層ＳＥ２が配置され、第３副画素ＳＰ３には第３封止層ＳＥ３が配置されている。第１封止層ＳＥ１は、第１キャップ層ＣＰ１や第１副画素ＳＰ１の周囲の隔壁６を連続的に覆っている。第２封止層ＳＥ２は、第２キャップ層ＣＰ２や第２副画素ＳＰ２の周囲の隔壁６を連続的に覆っている。第３封止層ＳＥ３は、第３キャップ層ＣＰ３や第３副画素ＳＰ３の周囲の隔壁６を連続的に覆っている。

封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３の端部（周縁部）は、上部６２の上に位置している。図３の例においては、副画素ＳＰ１，ＳＰ３間の隔壁６の上部６２の上に位置する封止層ＳＥ１，ＳＥ３の端部同士が離間し、副画素ＳＰ２，ＳＰ３間の隔壁６の上部６２の上に位置する封止層ＳＥ２，ＳＥ３の端部同士が離間している。

封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３は、樹脂層１３によって覆われている。樹脂層１３は、封止層１４によって覆われている。さらに、封止層１４は、樹脂層１５によって覆われている。

有機絶縁層１２および樹脂層１３，１５は、有機材料で形成されている。リブ５および封止層１４，ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３は、例えばシリコン窒化物（ＳｉＮ）、シリコン酸化物（ＳｉＯ）またはシリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）などの無機材料で形成されている。

下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３は、例えば銀（Ａｇ）で形成された中間層と、この中間層の上面および下面をそれぞれ覆う一対の導電性酸化物層とを有している。各導電性酸化物層は、例えばＩＴＯ（ＩｎｄｉｕｍＴｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（ＩｎｄｉｕｍＺｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）またはＩＧＺＯ（ＩｎｄｉｕｍＧａｌｌｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）などの透明な導電性酸化物で形成することができる。

上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３は、例えばマグネシウムと銀の合金（ＭｇＡｇ）などの金属材料で形成されている。例えば、下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３はアノードに相当し、上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３はカソードに相当する。

有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３は、例えば、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロッキング層、発光層、正孔ブロッキング層、電子輸送層および電子注入層の積層構造を有している。

キャップ層ＣＰ１，ＣＰ２，ＣＰ３は、例えば、透明な複数の薄膜の多層体によって形成されている。多層体は、複数の薄膜として、無機材料によって形成された薄膜および有機材料によって形成された薄膜を含んでもよい。また、これらの複数の薄膜は、互いに異なる屈折率を有している。多層体を構成する薄膜の材料は、上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３の材料とは異なり、また、封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３の材料とも異なる。なお、キャップ層ＣＰ１，ＣＰ２，ＣＰ３は省略されてもよい。

隔壁６の下部６１は、例えばアルミニウム（Ａｌ）によって形成されている。下部６１は、アルミニウム－ネオジム（ＡｌＮｄ）などのアルミニウム合金によって形成されてもよいし、アルミニウム層とアルミニウム合金層の積層構造を有してもよい。さらに、下部６１は、アルミニウム層またはアルミニウム合金層の下に、アルミニウムやアルミニウム合金とは異なる金属材料で形成された薄膜を有してもよい。このような薄膜は、例えばモリブデン（Ｍｏ）によって形成することができる。

隔壁６の上部６２は、例えばチタン（Ｔｉ）などの金属材料で形成された第１薄膜と、ＩＴＯなどの導電性酸化物で形成された第２薄膜との積層構造を有している。上部６２は、チタンなどの金属材料の単層構造を有してもよい。また、上部６２は、シリコン酸化物などの無機材料の単層構造を有してもよい。

隔壁６には、共通電圧が供給されている。この共通電圧は、下部６１の側面に接触した上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３にそれぞれ供給される。下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３には、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３がそれぞれ有する画素回路１を通じて画素電圧が供給される。

第１下電極ＬＥ１と第１上電極ＵＥ１の間に電位差が形成されると、第１有機層ＯＲ１の発光層が赤色の波長域の光を放つ。第２下電極ＬＥ２と第２上電極ＵＥ２の間に電位差が形成されると、第２有機層ＯＲ２の発光層が緑色の波長域の光を放つ。第３下電極ＬＥ３と第３上電極ＵＥ３の間に電位差が形成されると、第３有機層ＯＲ３の発光層が青色の波長域の光を放つ。

図４は、副画素ＳＰ１，ＳＰ３の間に配置された隔壁６とその近傍を拡大した概略的な断面図である。この図においては、基板１０、回路層１１、樹脂層１３、封止層１４および樹脂層１５を省略している。

下部６１は、一対の側面６１ａ，６１ｂを有している。上部６２の両端部は、それぞれ側面６１ａ，６１ｂよりも突出している。図４の例において、下部６１は、上部６２に近づくに連れて先細る形状を有している。すなわち、側面６１ａ，６１ｂは、これらの間の距離が上部６２に近づくに連れて減少するように第３方向Ｚに対し傾斜している。他の例として、側面６１ａ，６１ｂは、第３方向Ｚと実質的に平行であってもよい。

第１封止層ＳＥ１を形成する条件によっては、第１封止層ＳＥ１によって満たされていない空洞であるボイドＶが側面６１ａの近傍に生じ得る。同様に、第３封止層ＳＥ３を形成する条件によっては、第３封止層ＳＥ３によって満たされていない空洞であるボイドＶが側面６１ｂの近傍に生じ得る。

第１封止層ＳＥ１は、第１厚さＴ１を有する第１部分Ｐ１と、第２厚さＴ２を有する第２部分Ｐ２とを含む。第１部分Ｐ１は、大部分がリブ５の上方に位置し、第１キャップ層ＣＰ１、下部６１の側面６１ａの一部、上部６２の底面および側面などを連続的に覆っている。第２部分Ｐ２は、第１画素開口ＡＰ１の上方（第１画素開口ＡＰ１を通じてリブ５から露出した第１下電極ＬＥ１の上方）に位置している。図４の例においては、第１部分Ｐ１と第２部分Ｐ２の境界が第１画素開口ＡＰ１の上方に位置している。他の例として、当該境界がリブ５の上方に位置してもよい。

第１部分Ｐ１の厚さは一定ではなく、下地の形状に応じて変化し得る。例えば図４の例においては、ボイドＶの周囲において第１部分Ｐ１の厚さが低減されている。一例では、第１厚さＴ１は、第１部分Ｐ１の各所における厚さの平均値である。他の例として、第１厚さＴ１は、第１部分Ｐ１のうちボイドＶの周囲を除く部分の厚さやその平均値であってもよい。

第２部分Ｐ２に関しては、下地が比較的平坦であり、厚さが概ね一定である。一例では、第２厚さＴ２は、第２部分Ｐ２の各所における厚さの平均値である。例えばリブ５の端部付近など、第２部分Ｐ２の下地に凹凸がある場合、第２厚さＴ２は、このような凹凸の周囲を除く部分の厚さやその平均値であってもよい。

本実施形態においては、第２厚さＴ２が第１厚さＴ１よりも小さい（Ｔ２＜Ｔ１）。例えば、第２厚さＴ２は、第１厚さＴ１の１／２以下である。一例では、第１厚さＴ１は１．０μｍ以上であり、第２厚さＴ２は１．０μｍ未満である。第２厚さＴ２は、０．１μｍ以上であることが好ましい。

隔壁６と第２部分Ｐ２の間の距離Ｄは、隔壁６の高さＨ以上であることが好ましい（Ｄ≧Ｈ）。ここで、距離Ｄは、側面６１ａの下端と第１封止層ＳＥ１の第２部分Ｐ２との間の、隔壁６の幅方向における距離に相当する。隔壁６の幅方向は、図４に示す第２隔壁６ｙに関しては第１方向Ｘであり、図２に示す第１隔壁６ｘに関しては第２方向Ｙである。高さＨは、リブ５の上面から上部６２の上面までの第３方向Ｚにおける距離に相当し、一例では１．０μｍ以上である。

好ましくは、第２部分Ｐ２の全周にわたり距離Ｄ≧高さＨの関係が成立する。ただし、第２部分Ｐ２の周囲の少なくとも一部において当該関係が成立しない箇所が生じていてもよい。

第１封止層ＳＥ１と同じく、第２封止層ＳＥ２および第３封止層ＳＥ３も第１部分Ｐ１と第２部分Ｐ２をそれぞれ含む。封止層ＳＥ２，ＳＥ３における第１厚さＴ１と第２厚さＴ２の関係や、高さＨと距離Ｄの関係は、第１封止層ＳＥ１について上述したものと同様である。ただし、封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３における第１厚さＴ１が互いに異なってもよいし、封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３における第２厚さＴ２が互いに異なってもよい。また、封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３における距離Ｄが互いに異なってもよい。

図５は、隔壁６とその近傍に適用し得る他の例を示す概略的な断面図である。上述の図４の例においては、第１厚さＴ１および第２厚さＴ２がいずれも高さＨよりも小さい（Ｔ１，Ｔ２＜Ｈ）。一方、図５の例においては、第１厚さＴ１が高さＨより大きく（Ｔ１＞Ｈ）、第２厚さＴ２が高さＨよりも小さい（Ｔ２＜Ｈ）。

図５の例における第１厚さＴ１は、例えば１．０μｍ以上であり、一例では３．０μｍ程度である。このように封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３が厚く形成される場合において、第２厚さＴ２は、例えば第１厚さＴ１の１／３以下であってもよい。

図６は、隔壁６、リブ５および封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３の概略的な平面図である。図６に示す封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３において、右上がりの斜線を付した領域が第１部分Ｐ１に相当し、左上がりの斜線を付した領域が第２部分Ｐ２に相当する。

封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３のそれぞれに描かれた矩形状の破線は、第１部分Ｐ１と第２部分Ｐ２の境界を示す。図６の例においては、これら境界がそれぞれ画素開口ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３と重なっている。すなわち、図６の例においては、第１封止層ＳＥ１の第２部分Ｐ２の面積が第１画素開口ＡＰ１の面積よりも僅かに小さく、第２封止層ＳＥ２の第２部分Ｐ２の面積が第２画素開口ＡＰ２の面積よりも僅かに小さく、第３封止層ＳＥ３の第２部分Ｐ２の面積が第３画素開口ＡＰ３の面積よりも僅かに小さい。他の例として、これら境界がそれぞれ画素開口ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３の周囲のリブ５と重なってもよい。

第１封止層ＳＥ１の第１部分Ｐ１は、第１封止層ＳＥ１の第２部分Ｐ２を囲うとともに、第１画素開口ＡＰ１の周囲のリブ５および隔壁６と重なっている。第２封止層ＳＥ２の第１部分Ｐ１は、第２封止層ＳＥ２の第２部分Ｐ２を囲うとともに、第２画素開口ＡＰ２の周囲のリブ５および隔壁６と重なっている。第３封止層ＳＥ３の第１部分Ｐ１は、第３封止層ＳＥ３の第２部分Ｐ２を囲うとともに、第３画素開口ＡＰ３の周囲のリブ５および隔壁６と重なっている。

続いて、表示装置ＤＳＰの製造方法について説明する。本実施形態では一例として、第３表示素子ＤＥ３が最初に形成され、第２表示素子ＤＥ２が次に形成され、第１表示素子ＤＥ１が最後に形成される場合を想定する。ただし、表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３の形成順はこの例に限られない。

図７乃至図１４は、本実施形態における表示装置ＤＳＰの製造工程の一部を示す概略的な断面図である。これらの図においては、基板１０および回路層１１を省略している。

表示装置ＤＳＰを製造するにあたっては、先ず、図３に示した基板１０の上に回路層１１および有機絶縁層１２が形成される。その後、図７に示すように、有機絶縁層１２の上に下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３が形成され、有機絶縁層１２および下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の上にリブ５が形成され、リブ５の上に隔壁６が形成される。リブ５の画素開口ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３は、隔壁６の前に形成されてもよいし、隔壁６の後に形成されてもよい。

次に、図８に示すように基板全体に対して第３有機層ＯＲ３、第３上電極ＵＥ３、第３キャップ層ＣＰ３および第３封止層ＳＥ３が順に蒸着によって形成される。このとき、オーバーハング状の隔壁６によって、各副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３に形成された第３有機層ＯＲ３、第３上電極ＵＥ３および第３キャップ層ＣＰ３が分断される。第３封止層ＳＥ３は、第３下電極ＬＥ３、第３有機層ＯＲ３、第３上電極ＵＥ３および第３キャップ層ＣＰ３を含む第３表示素子ＤＥ３や隔壁６を連続的に覆っている。

次に、図９に示すように、第３封止層ＳＥ３の上にレジストＲ１が配置される。レジストＲ１は、第３副画素ＳＰ３と重なるようにパターニングされている。レジストＲ１は、第３副画素ＳＰ３を囲う隔壁６のうち、第３副画素ＳＰ３寄りの部分の直上にも位置している。

さらに、レジストＲ１をマスクとしたエッチングにより、図１０に示すように第３有機層ＯＲ３、第３上電極ＵＥ３、第３キャップ層ＣＰ３および第３封止層ＳＥ３のうちレジストＲ１から露出した部分が除去される。これにより、第３副画素ＳＰ３には第３下電極ＬＥ３、第３有機層ＯＲ３、第３上電極ＵＥ３および第３キャップ層ＣＰ３を含む第３表示素子ＤＥ３とこれを覆う第３封止層ＳＥ３とが形成され、副画素ＳＰ１，ＳＰ２には表示素子や封止層が形成されていない状態の基板を得ることができる。

その後、レジストＲ１が除去され、第３表示素子ＤＥ３と同様の手順で第２副画素ＳＰ２に第２表示素子ＤＥ２を形成するための工程が実施される。これにより、図１１に示すように、第２副画素ＳＰ２に第２下電極ＬＥ２、第２有機層ＯＲ２、第２上電極ＵＥ２および第２キャップ層ＣＰ２を含む第２表示素子ＤＥ２とこれを覆う第２封止層ＳＥ２とがさらに形成された状態の基板を得ることができる。

第２表示素子ＤＥ２の形成の後、第３表示素子ＤＥ３と同様の手順で第１副画素ＳＰ１に第１表示素子ＤＥ１を形成するための工程が実施される。これにより、図１２に示すように、第１副画素ＳＰ１に第１下電極ＬＥ１、第１有機層ＯＲ１、第１上電極ＵＥ１および第１キャップ層ＣＰ１を含む第１表示素子ＤＥ１とこれを覆う第１封止層ＳＥ１とがさらに形成された状態の基板を得ることができる。図１２の状態においては、封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３の厚さが全体的に上述の第１厚さＴ１である。

続いて、図１３に示すように、封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３のうち隔壁６を覆う部分（上述の第１部分Ｐ１に相当する部分）の上にレジストＲ２が配置される。レジストＲ２は、隔壁６の両側に突出したリブ５の上方にも位置している。

さらに、レジストＲ２をマスクとしたエッチングにより、図１４に示すように封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３のうちレジストＲ２から露出した部分が薄膜化される。このエッチングは、例えばドライエッチングであり、封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３のうちレジストＲ２から露出した部分の厚さが上述の第２厚さＴ２に低減されるまで継続される。当該ドライエッチングは、例えば予め定められた時間が経過したことに応じて停止される。なお、ドライエッチングに代えて、ウェットエッチングにより封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３が薄膜化されてもよい。

このような図１３および図１４に示す工程を経て、封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３に第１部分Ｐ１と第２部分Ｐ２が形成される。その後、レジストＲ２が除去されるとともに、樹脂層１３、封止層１４および樹脂層１５を形成する工程が順に実施される。これにより、図３に示した構造の表示装置ＤＳＰが完成する。

なお、ここでは表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３を形成した後に、封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３のそれぞれに一括して第１部分Ｐ１と第２部分Ｐ２を設ける工程を説明した。しかしながら、封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３に別々の工程で第１部分Ｐ１と第２部分Ｐ２が設けられてもよい。

以上の本実施形態において、封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３は、第１部分Ｐ１と、第１部分Ｐ１よりも薄い第２部分Ｐ２とを有している。リブ５の上方には隔壁６が配置されており、封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３の下地の変化が大きい。このような領域を厚い第１部分Ｐ１で覆うことにより、表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３などへの水分浸入が効果的に抑制されるので、表示装置ＤＳＰの水分に対する信頼性を高めることができる。

一方で、画素開口ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３の上方においては、封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３の下地が比較的平坦である。このような領域は、水分浸入の抑制の観点からは封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３に大きな厚さが求められない。したがって、これらの領域を薄い第２部分Ｐ２で覆う場合でも、表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３などへの水分浸入を抑制することができる。

仮に、画素開口ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３の上方に厚い封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３が配置されていると、表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３の光学特性が悪化し得る。これに対し、画素開口ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３の上方において封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３が第２部分Ｐ２のように薄膜化されていれば、表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３の光学特性を向上させることが可能である。

このように、本実施形態においては、封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３に厚さの異なる第１部分Ｐ１と第２部分Ｐ２を設けたことにより、水分に対する信頼性と表示品位の向上とを両立させた表示装置ＤＳＰを得ることができる。

上述したように、例えば第１厚さＴ１が１．０μｍ以上であれば、隔壁６の近傍における水分浸入を好適に抑制することができる。また、第２厚さＴ２が１．０μｍ未満かつ０．１μｍ以上であれば、表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３の光学特性を向上させるとともに、画素開口ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３の近傍における水分浸入を好適に抑制することができる。

第２部分Ｐ２が隔壁６に近すぎると、隔壁６の近傍における水分浸入が十分に抑制されない可能性がある。そこで、上述したように、隔壁６と第２部分Ｐ２の間の距離Ｄが隔壁６の高さＨ以上であることが好ましい。このように距離Ｄを定めることで、第１部分Ｐ１による水分浸入の抑制の実効性を高めることができる。
ここで例示した他にも、本実施形態からは種々の好適な効果を得ることができる。

以上、本発明の実施形態として説明した表示装置およびその製造方法を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての表示装置およびその製造方法も、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に属する。

本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変形例に想到し得るものであり、それら変形例についても本発明の範囲に属するものと解される。例えば、上述の実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除、もしくは設計変更を行ったもの、または、工程の追加、省略もしくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。

また、上述の実施形態において述べた態様によりもたらされる他の作用効果について、本明細書の記載から明らかなもの、または当業者において適宜想到し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。

ＤＳＰ…表示装置、ＤＡ…表示領域、ＳＡ…周辺領域、ＰＸ…画素、ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３…第１乃至第３副画素、ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３…第１乃至第３下電極、ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３…第１乃至第３有機層、ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３…第１乃至第３上電極、ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３…第１乃至第３封止層、ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３…第１乃至第３表示素子、５…リブ、６…隔壁、６１…隔壁の下部、６２…隔壁の上部、Ｐ１…封止層の第１部分、Ｐ２…封止層の第２部分。

Claims (10)

1. 下電極と、
   前記下電極の端部を覆うとともに、前記下電極の一部を露出させる画素開口を有するリブと、
   前記リブの上に配置された隔壁と、
   前記下電極に対向し、前記隔壁に接触する上電極と、
   前記下電極と前記上電極の間に配置され、前記下電極と前記上電極の電位差に応じて発光する有機層と、
   前記下電極、前記上電極および前記有機層を含む表示素子と、前記隔壁とを連続的に覆う封止層と、
   を備え、
   前記封止層は、
   前記リブの上方に位置し、第１厚さを有する第１部分と、
   前記画素開口を通じて前記リブから露出した前記下電極の上方に位置し、前記第１厚さよりも小さい第２厚さを有する第２部分と、
   を含む、表示装置。
2. 前記第１部分は、平面視において前記第２部分を囲っている、
   請求項１に記載の表示装置。
3. 前記第２厚さは、前記第１厚さの１／２以下である、
   請求項１に記載の表示装置。
4. 前記第１厚さは、前記隔壁の高さよりも大きく、
   前記第２厚さは、前記隔壁の高さよりも小さい、
   請求項１に記載の表示装置。
5. 前記第１厚さは、１．０μｍ以上であり、
   前記第２厚さは、１．０μｍ未満である、
   請求項１に記載の表示装置。
6. 前記第２厚さは、０．１μｍ以上である、
   請求項５に記載の表示装置。
7. 前記隔壁と前記第２部分の間の距離は、前記隔壁の高さ以上である、
   請求項１に記載の表示装置。
8. 前記隔壁は、
   前記リブの上に配置された下部と、
   前記下部の上に配置され、前記下部の側面よりも突出した上部と、
   を有し、
   前記上電極は、前記側面に接触し、
   前記第１部分は、前記側面の一部を覆っている、
   請求項１乃至７のうちいずれか１項に記載の表示装置。
9. 基板の上方に下電極を形成し、
   前記下電極の端部を覆うとともに、前記下電極の一部を露出させる画素開口を有するリブを形成し、
   前記リブの上に隔壁を形成し、
   前記画素開口を通じて前記下電極を覆う有機層を形成し、
   前記有機層を覆い、前記隔壁に接触する上電極を形成し、
   前記下電極、前記上電極および前記有機層を含む表示素子と、前記隔壁とを連続的に覆う封止層を形成し、
   前記封止層のうち、前記画素開口を通じて前記リブから露出した前記下電極の上方に位置する部分を薄膜化する、
   表示装置の製造方法。
10. 前記薄膜化は、
    前記封止層のうち前記隔壁を覆う部分の上にレジストを配置し、
    エッチングにより、前記封止層のうち前記レジストから露出した部分の厚さを低減する、
    ことを含む、
    請求項９に記載の表示装置の製造方法。

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