JP2024027926A - 表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 製造工程の歩留まりを向上させることが可能な表示装置を提供する。【解決手段】 実施形態に係る表示装置は、下電極と、前記下電極と重なる画素開口を有するリブと、前記リブの上に配置された下部および前記下部の側面から突出した上部を含む隔壁と、前記画素開口を通じて前記下電極を覆い、電圧の印加に応じて発光する有機層と、前記有機層を覆うとともに、前記下部の側面に接触する上電極と、を備えている。前記リブは、前記画素開口を囲うとともに前記画素開口に近づくに連れて厚さが減少するテーパ部を有している。前記有機層は、前記リブの上に位置する端部と、前記端部に近づくに連れて厚さが減少する減厚部とを有している。さらに、前記減厚部は、前記テーパ部の少なくとも一部を覆っている。【選択図】 図７

Description

本発明の実施形態は、表示装置に関する。

近年、表示素子として有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を適用した表示装置が実用化されている。この表示素子は、下電極と、下電極を覆う有機層と、有機層を覆う上電極とを備えている。

上記のような表示装置を製造するにあたり、製造工程の歩留まり向上させる技術が必要とされている。

特開２０００－１９５６７７号公報 特開２００４－２０７２１７号公報 特開２００８－１３５３２５号公報 特開２００９－３２６７３号公報 特開２０１０－１１８１９１号公報 国際公開第２０１８／１７９３０８号 米国特許出願公開第２０２２／００７７２５１号明細書

本発明の目的は、製造工程の歩留まりを向上させることが可能な表示装置を提供することにある。

実施形態に係る表示装置は、下電極と、前記下電極と重なる画素開口を有するリブと、前記リブの上に配置された下部および前記下部の側面から突出した上部を含む隔壁と、前記画素開口を通じて前記下電極を覆い、電圧の印加に応じて発光する有機層と、前記有機層を覆うとともに、前記下部の側面に接触する上電極と、を備えている。前記リブは、前記画素開口を囲うとともに前記画素開口に近づくに連れて厚さが減少するテーパ部を有している。前記有機層は、前記リブの上に位置する端部と、前記端部に近づくに連れて厚さが減少する減厚部とを有している。さらに、前記減厚部は、前記テーパ部の少なくとも一部を覆っている。

実施形態の他の観点によれば、表示装置は、第１下電極と、第２下電極と、前記第１下電極と重なる第１画素開口および前記第２下電極と重なる第２画素開口を有するリブと、前記第１画素開口と前記第２画素開口の間において前記リブの上に配置された下部および前記下部の側面から突出した上部を含む隔壁と、前記第１画素開口を通じて前記第１下電極を覆い、電圧の印加に応じて発光する第１有機層と、前記第２画素開口を通じて前記第２下電極を覆い、電圧の印加に応じて発光する第２有機層と、前記第１有機層を覆うとともに、前記下部の第１側面に接触する第１上電極と、前記第２有機層を覆うとともに、前記下部の第２側面に接触する第２上電極と、を備えている。さらに、前記第１側面と前記第１画素開口の間の第１距離と、前記第２側面と前記第２画素開口の間の第２距離とが異なる。

図１は、第１実施形態に係る表示装置の構成例を示す図である。 図２は、副画素のレイアウトの一例を示す図である。 図３は、図２中のIII－III線に沿う表示装置の概略的な断面図である。 図４は、リブおよび隔壁の概略的な平面図である。 図５は、図４中のV－V線に沿う表示装置の概略的な断面図である。 図６は、図４中のVI－VI線に沿う表示装置の概略的な断面図である。 図７は、図４中のVII－VII線に沿う表示装置の概略的な断面図である。 図８は、副画素に適用し得る構造の他の例を示す概略的な断面図である。 図９は、表示装置の製造方法の一例を示すフローチャートである。 図１０は、表示装置の製造工程の一部を示す概略的な断面図である。 図１１は、図１０に続く製造工程を示す概略的な断面図である。 図１２は、上電極等の蒸着方法を示す模式図である。 図１３は、図１１に続く製造工程を示す概略的な断面図である。 図１４は、図１３に続く製造工程を示す概略的な断面図である。 図１５は、図１４に続く製造工程を示す概略的な断面図である。 図１６は、図１５に続く製造工程を示す概略的な断面図である。 図１７は、図１６に続く製造工程を示す概略的な断面図である。 図１８は、実施形態との比較例を示す断面図である。 図１９は、第２実施形態におけるリブおよび隔壁の下部の概略的な平面図である。

いくつかの実施形態について図面を参照しながら説明する。
開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一または類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。

なお、図面には、必要に応じて理解を容易にするために、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を記載する。Ｘ軸に沿った方向を第１方向Ｘと称し、Ｙ軸に沿った方向を第２方向Ｙと称し、Ｚ軸に沿った方向を第３方向Ｚと称する。第３方向Ｚと平行に各種要素を見ることを平面視という。

各実施形態に係る表示装置は、表示素子として有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を備える有機エレクトロルミネッセンス表示装置であり、テレビ、パーソナルコンピュータ、車載機器、タブレット端末、スマートフォン、携帯電話端末等に搭載され得る。

［第１実施形態］
図１は、第１実施形態に係る表示装置ＤＳＰの構成例を示す図である。表示装置ＤＳＰは、絶縁性の基板１０の上に、画像を表示する表示領域ＤＡと、表示領域ＤＡの周辺の周辺領域ＳＡとを有している。基板１０は、ガラスであってもよいし、可撓性を有する樹脂フィルムであってもよい。

本実施形態においては、平面視における基板１０の形状が長方形である。ただし、基板１０の平面視における形状は長方形に限らず、正方形、円形あるいは楕円形などの他の形状であってもよい。

表示領域ＤＡは、第１方向Ｘおよび第２方向Ｙにマトリクス状に配列された複数の画素ＰＸを備えている。画素ＰＸは、複数の副画素ＳＰを含む。一例では、画素ＰＸは、青色の副画素ＳＰ１、緑色の副画素ＳＰ２および赤色の副画素ＳＰ３を含む。なお、画素ＰＸは、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３とともに、あるいは副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のいずれかに代えて、白色などの他の色の副画素ＳＰを含んでもよい。

副画素ＳＰは、画素回路１と、画素回路１によって駆動される表示素子ＤＥとを備えている。画素回路１は、画素スイッチ２と、駆動トランジスタ３と、キャパシタ４とを備えている。画素スイッチ２および駆動トランジスタ３は、例えば薄膜トランジスタにより構成されたスイッチング素子である。

画素スイッチ２のゲート電極は、走査線ＧＬに接続されている。画素スイッチ２のソース電極およびドレイン電極の一方は信号線ＳＬに接続され、他方は駆動トランジスタ３のゲート電極およびキャパシタ４に接続されている。駆動トランジスタ３において、ソース電極およびドレイン電極の一方は電源線ＰＬおよびキャパシタ４に接続され、他方は表示素子ＤＥに接続されている。表示素子ＤＥは、発光素子としての有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）である。

なお、画素回路１の構成は図示した例に限らない。例えば、画素回路１は、より多くの薄膜トランジスタおよびキャパシタを備えてもよい。

図２は、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のレイアウトの一例を示す図である。図２の例においては、副画素ＳＰ１と副画素ＳＰ２が第１方向Ｘに並んでいる。副画素ＳＰ１と副画素ＳＰ３も第１方向Ｘに並んでいる。さらに、副画素ＳＰ２と副画素ＳＰ３が第２方向Ｙに並んでいる。

副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３がこのようなレイアウトである場合、表示領域ＤＡには、副画素ＳＰ２，ＳＰ３が第２方向Ｙに交互に配置された列と、複数の副画素ＳＰ１が第２方向Ｙに繰り返し配置された列とが形成される。これらの列は、第１方向Ｘに交互に並ぶ。

なお、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のレイアウトは図２の例に限られない。他の一例として、各画素ＰＸにおける副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３が第１方向Ｘに順に並んでいてもよい。

表示領域ＤＡには、リブ５および隔壁６が配置されている。リブ５は、副画素ＳＰ１において画素開口ＡＰ１を有し、副画素ＳＰ２において画素開口ＡＰ２を有し、副画素ＳＰ３において画素開口ＡＰ３を有している。

図２の例においては、画素開口ＡＰ１の面積が画素開口ＡＰ２の面積よりも大きい。画素開口ＡＰ１の面積は、画素開口ＡＰ３の面積よりも大きい。さらに、画素開口ＡＰ３の面積は、画素開口ＡＰ２の面積よりも小さい。

隔壁６は、隣り合う副画素ＳＰの境界に配置され、平面視においてリブ５と重なっている。隔壁６は、第１方向Ｘに延びる複数の第１隔壁６ｘと、第２方向Ｙに延びる複数の第２隔壁６ｙとを有している。複数の第１隔壁６ｘは、第２方向Ｙに隣り合う画素開口ＡＰ２，ＡＰ３の間、および、第２方向Ｙに隣り合う２つの画素開口ＡＰ１の間にそれぞれ配置されている。第２隔壁６ｙは、第１方向Ｘに隣り合う画素開口ＡＰ１，ＡＰ２の間、および、第１方向Ｘに隣り合う画素開口ＡＰ１，ＡＰ３の間にそれぞれ配置されている。

図２の例においては、第１隔壁６ｘおよび第２隔壁６ｙが互いに接続されている。これにより、隔壁６は全体として画素開口ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３を囲う格子状である。隔壁６は、リブ５と同様に副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３において開口を有するということもできる。

副画素ＳＰ１は、画素開口ＡＰ１とそれぞれ重なる下電極ＬＥ１、上電極ＵＥ１および有機層ＯＲ１を備えている。副画素ＳＰ２は、画素開口ＡＰ２とそれぞれ重なる下電極ＬＥ２、上電極ＵＥ２および有機層ＯＲ２を備えている。副画素ＳＰ３は、画素開口ＡＰ３とそれぞれ重なる下電極ＬＥ３、上電極ＵＥ３および有機層ＯＲ３を備えている。

下電極ＬＥ１、上電極ＵＥ１および有機層ＯＲ１は、副画素ＳＰ１の表示素子ＤＥ１を構成する。下電極ＬＥ２、上電極ＵＥ２および有機層ＯＲ２は、副画素ＳＰ２の表示素子ＤＥ２を構成する。下電極ＬＥ３、上電極ＵＥ３および有機層ＯＲ３は、副画素ＳＰ３の表示素子ＤＥ３を構成する。表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３は、後述するキャップ層を含んでもよい。

下電極ＬＥ１は、コンタクトホールＣＨ１を通じて副画素ＳＰ１の画素回路１（図１参照）に接続されている。下電極ＬＥ２は、コンタクトホールＣＨ２を通じて副画素ＳＰ２の画素回路１に接続されている。下電極ＬＥ３は、コンタクトホールＣＨ３を通じて副画素ＳＰ３の画素回路１に接続されている。

図２の例において、コンタクトホールＣＨ２，ＣＨ３は、第２方向Ｙに隣り合う画素開口ＡＰ２，ＡＰ３の間の第１隔壁６ｘと全体的に重なっている。また、コンタクトホールＣＨ１は、第２方向Ｙに隣り合う２つの画素開口ＡＰ１の間の第１隔壁６ｘと全体的に重なっている。他の例として、コンタクトホールＣＨ１，ＣＨ２，ＣＨ３の少なくとも一部が第１隔壁６ｘと重なっていなくてもよい。

図３は、図２中のIII－III線に沿う表示装置ＤＳＰの概略的な断面図である。上述の基板１０の上に回路層１１が配置されている。回路層１１は、図１に示した画素回路１、走査線ＧＬ、信号線ＳＬおよび電源線ＰＬなどの各種回路や配線を含む。

回路層１１は、有機絶縁層１２により覆われている。有機絶縁層１２は、回路層１１により生じる凹凸を平坦化する平坦化膜として機能する。図３の断面には表れていないが、上述のコンタクトホールＣＨ１，ＣＨ２，ＣＨ３はいずれも有機絶縁層１２に設けられている。

下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３は、有機絶縁層１２の上に配置されている。リブ５は、有機絶縁層１２および下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の上に配置されている。下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の端部は、リブ５により覆われている。

隔壁６は、リブ５の上に配置された導電性を有する下部６１と、下部６１の上に配置された上部６２とを含む。上部６２は、下部６１よりも大きい幅を有している。これにより、図３においては上部６２の両端部が下部６１の側面よりも突出している。このような隔壁６の形状は、オーバーハング状と呼ばれる。

有機層ＯＲ１は、画素開口ＡＰ１を通じて下電極ＬＥ１を覆っている。上電極ＵＥ１は、有機層ＯＲ１を覆い、下電極ＬＥ１と対向している。有機層ＯＲ２は、画素開口ＡＰ２を通じて下電極ＬＥ２を覆っている。上電極ＵＥ２は、有機層ＯＲ２を覆い、下電極ＬＥ２と対向している。有機層ＯＲ３は、画素開口ＡＰ３を通じて下電極ＬＥ３を覆っている。上電極ＵＥ３は、有機層ＯＲ３を覆い、下電極ＬＥ３と対向している。

図３の例において、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３には、それぞれキャップ層ＣＰ１，ＣＰ２，ＣＰ３が配置されている。キャップ層ＣＰ１は、上電極ＵＥ１を覆っている。キャップ層ＣＰ２は、上電極ＵＥ２を覆っている。キャップ層ＣＰ３は、上電極ＵＥ３を覆っている。

さらに、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３には、それぞれ封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３が配置されている。封止層ＳＥ１は、副画素ＳＰ１を囲う隔壁６のうち副画素ＳＰ１寄りの部分やキャップ層ＣＰ１を連続的に覆っている。封止層ＳＥ２は、副画素ＳＰ２を囲う隔壁６のうち副画素ＳＰ２寄りの部分やキャップ層ＣＰ２を連続的に覆っている。封止層ＳＥ３は、副画素ＳＰ３を囲う隔壁６のうち副画素ＳＰ３寄りの部分やキャップ層ＣＰ３を連続的に覆っている。

有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１およびキャップ層ＣＰ１の一部は、上部６２の上に位置している。当該一部は、有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１およびキャップ層ＣＰ１のうちリブ５の上に位置する部分と離間している。同様に、有機層ＯＲ２、上電極ＵＥ２およびキャップ層ＣＰ２の一部は上部６２の上に位置し、当該一部は有機層ＯＲ２、上電極ＵＥ２およびキャップ層ＣＰ２のうちリブ５の上に位置する部分と離間している。さらに、有機層ＯＲ３、上電極ＵＥ３およびキャップ層ＣＰ３の一部は上部６２の上に位置し、当該一部は有機層ＯＲ３、上電極ＵＥ３およびキャップ層ＣＰ３のうちリブ５の上に位置する部分と離間している。

図３の例においては、副画素ＳＰ１，ＳＰ２の間の隔壁６上の有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、キャップ層ＣＰ１および封止層ＳＥ１と、当該隔壁６上の有機層ＯＲ２、上電極ＵＥ２、キャップ層ＣＰ２および封止層ＳＥ２とが離間している。また、副画素ＳＰ１，ＳＰ３の間の隔壁６上の有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、キャップ層ＣＰ１および封止層ＳＥ１と、当該隔壁６上の有機層ＯＲ３、上電極ＵＥ３、キャップ層ＣＰ３および封止層ＳＥ３とが離間している。

封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３は、樹脂層１３によって覆われている。樹脂層１３は、封止層１４によって覆われている。さらに、封止層１４は、樹脂層１５によって覆われている。

有機絶縁層１２および樹脂層１３，１５は、有機材料で形成されている。リブ５、封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３および封止層１４は、例えばシリコン窒化物（ＳｉＮｘ）、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）またはシリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）などの無機材料で形成されている。

下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３は、例えば銀（Ａｇ）で形成された中間層と、この中間層の上面および下面をそれぞれ覆う一対の導電性酸化物層とを有している。各導電性酸化物層は、例えばＩＴＯ（ＩｎｄｉｕｍＴｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（ＩｎｄｉｕｍＺｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）またはＩＧＺＯ（ＩｎｄｉｕｍＧａｌｌｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）などの透明な導電性酸化物で形成することができる。

有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３は、例えば、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロッキング層、発光層、正孔ブロッキング層、電子輸送層および電子注入層の積層構造を有している。有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３は、それぞれ複数の発光層を含んでもよい。

上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３は、例えばマグネシウムと銀の合金（ＭｇＡｇ）などの金属材料で形成されている。例えば、下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３は、それぞれ表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３のアノードに相当する。また、上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３は、それぞれ表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３のカソードに相当する。

キャップ層ＣＰ１，ＣＰ２，ＣＰ３は、例えば、透明な複数の薄膜の多層体によって形成されている。多層体は、複数の薄膜として、無機材料によって形成された薄膜および有機材料によって形成された薄膜を含んでもよい。また、これらの複数の薄膜は、互いに異なる屈折率を有している。多層体を構成する薄膜の材料は、上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３の材料とは異なり、また、封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３の材料とも異なる。なお、キャップ層ＣＰ１，ＣＰ２，ＣＰ３は省略されてもよい。

隔壁６には、共通電圧が供給されている。この共通電圧は、下部６１の側面に接触した上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３にそれぞれ供給される。下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３には、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３がそれぞれ有する画素回路１を通じて画素電圧が供給される。

有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３は、電圧の印加に応じて発光する。具体的には、下電極ＬＥ１と上電極ＵＥ１の間に電位差が形成されると、有機層ＯＲ１の発光層が青色の波長域の光を放つ。また、下電極ＬＥ２と上電極ＵＥ２の間に電位差が形成されると、有機層ＯＲ２の発光層が緑色の波長域の光を放つ。また、下電極ＬＥ３と上電極ＵＥ３の間に電位差が形成されると、有機層ＯＲ３の発光層が赤色の波長域の光を放つ。

図４は、リブ５および隔壁６の下部６１の概略的な平面図である。下部６１は、画素開口ＡＰ１を囲う側面ＳＦ１と、画素開口ＡＰ２を囲う側面ＳＦ２と、画素開口ＡＰ３を囲う側面ＳＦ３とを有している。以下の説明においては、画素開口ＡＰ１と側面ＳＦ１の間の距離をＤ１、画素開口ＡＰ２と側面ＳＦ２の間の距離をＤ２、画素開口ＡＰ３と側面ＳＦ３の間の距離をＤ３と定義する。

本実施形態においては、距離Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３が異なる。具体的には、距離Ｄ２が距離Ｄ１よりも小さく、距離Ｄ３が距離Ｄ２よりも小さい（Ｄ１＞Ｄ２＞Ｄ３）。

図４の例においては、画素開口ＡＰ１の全周にわたり距離Ｄ１が一定であり、画素開口ＡＰ２の全周にわたり距離Ｄ２が一定であり、画素開口ＡＰ３の全周にわたり距離Ｄ３が一定である。ただし、この例に限られず、距離Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３がそれぞれ画素開口ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３の周囲において部分的に異なってもよい。例えば、画素開口ＡＰ１と第１隔壁６ｘの側面ＳＦ１の間の距離と、画素開口ＡＰ１と第２隔壁６ｙの側面ＳＦ１の間の距離とが異なってもよい。画素開口ＡＰ２，ＡＰ３についても同様の構成を適用できる。

図５は、図４中のV－V線に沿う表示装置ＤＳＰの概略的な断面図であり、副画素ＳＰ１とその周囲の隔壁６（第１隔壁６ｘ）の一部を示している。図６は、図４中のVI－VI線に沿う表示装置ＤＳＰの概略的な断面図であり、副画素ＳＰ２とその周囲の隔壁６（第１隔壁６ｘ）の一部を示している。図７は、図５中のVII－VII線に沿う表示装置ＤＳＰの概略的な断面図であり、副画素ＳＰ３とその周囲の隔壁６（第１隔壁６ｘ）の一部を示している。なお、図５乃至図７の断面はいずれもＹ－Ｚ平面に沿うものである。また、図５乃至図７においては、基板１０、回路層１１、有機絶縁層１２、樹脂層１３、封止層１４および樹脂層１５を省略している。

図５乃至図７に示すように、隔壁６の下部６１は、第１金属層６１１および第２金属層６１２を含む。第１金属層６１１は、リブ５の上に配置されている。第２金属層６１２は、第１金属層６１１よりも厚く形成され、第１金属層６１１の上に配置されている。

第１金属層６１１は、例えばモリブデン（Ｍｏ）によって形成することができる。第２金属層６１２は、例えばアルミニウム（Ａｌ）によって形成することができる。第２金属層６１２は、アルミニウム－ネオジム（ＡｌＮｄ）などのアルミニウム合金によって形成されてもよいし、アルミニウム層とアルミニウム合金層の積層構造を有してもよい。また、下部６１は、第１金属層６１１を含まなくてもよい。

隔壁６の上部６２は、例えばチタン（Ｔｉ）などの金属材料で形成されている。上部６２は、金属材料とＩＴＯなどの導電性酸化物の積層構造を有してもよい。また、上部６２は、シリコン酸化物などの無機絶縁材料で形成されてもよいし、無機絶縁材料とＩＴＯなどの導電性酸化物の積層構造を有してもよい。

図５の例において、上電極ＵＥ１は、右方の隔壁６の側面ＳＦ１に接触し、左方の隔壁６の側面ＳＦ１には接触していない。上電極ＵＥ１が接触する右方の隔壁６は、図３においてコンタクトホールＣＨ１と重なる第１隔壁６ｘに相当する。

図６の例において、上電極ＵＥ２は、左方の隔壁６の側面ＳＦ２に接触し、右方の隔壁６の側面ＳＦ２には接触していない。上電極ＵＥ２が接触する左方の隔壁６は、図３においてコンタクトホールＣＨ２と重なる第１隔壁６ｘに相当する。

図７の例において、上電極ＵＥ３は、右方の隔壁６の側面ＳＦ３に接触し、左方の隔壁６の側面ＳＦ３には接触していない。上電極ＵＥ３が接触する右方の隔壁６は、図３においてコンタクトホールＣＨ３と重なる第１隔壁６ｘに相当する。

図５乃至図７に示すように、有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３は、それぞれ厚さＴ１，Ｔ２，Ｔ３を有している。厚さＴ１は、有機層ＯＲ１のうち画素開口ＡＰ１と重なる部分の厚さに相当する。厚さＴ２は、有機層ＯＲ２のうち画素開口ＡＰ２と重なる部分の厚さに相当する。厚さＴ３は、有機層ＯＲ３のうち画素開口ＡＰ３と重なる部分の厚さに相当する。

本実施形態においては、厚さＴ１，Ｔ２，Ｔ３が異なる。具体的には、厚さＴ２が厚さＴ１よりも大きく、厚さＴ３が厚さＴ２よりも大きい（Ｔ１＜Ｔ２＜Ｔ３）。厚さＴ１，Ｔ２，Ｔ３の値は、有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３が発する光の波長に応じて、表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３からの良好な光取り出し効率を実現できるように定められる。一例では、有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３が青色、緑色および赤色の波長域の光をそれぞれ放つ場合、厚さＴ１が２００±２０ｎｍであり、厚さＴ２が２５０±２０ｎｍであり、厚さＴ３が３００±２０ｎｍである。有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３が２つの発光層を備えるいわゆるタンデム構造においても同様の厚さＴ１，Ｔ２，Ｔ３を適用できる。

図５の断面において、有機層ＯＲ１の端部Ｅ１は、リブ５の上に位置している。有機層ＯＲ１は、側面ＳＦ１や端部Ｅ１に近づくに連れて厚さが漸次減少する減厚部ＳＨ１を有している。上電極ＵＥ１およびキャップ層ＣＰ１のうち減厚部ＳＨ１の上に位置する部分の厚さも側面ＳＦ１に近づくに連れて漸次減少している。

また、リブ５は、画素開口ＡＰ１に近づくに連れて厚さが漸次減少するテーパ部ＴＰ１を有している。減厚部ＳＨ１およびテーパ部ＴＰ１は、平面視においては画素開口ＡＰ１を囲っている。

減厚部ＳＨ１は、全体的に画素開口ＡＰ１と側面ＳＦ１の間に位置し、その一部が上部６２と第３方向Ｚに重なっている。より具体的には、減厚部ＳＨ１は、全体的にテーパ部ＴＰ１と側面ＳＦ１の間に位置している。すなわち、図５の例においては、減厚部ＳＨ１とテーパ部ＴＰ１が第３方向Ｚに重なっていない。減厚部ＳＨ１は、画素開口ＡＰ１とも重なっていない。

図６の断面において、有機層ＯＲ２の端部Ｅ２は、リブ５の上に位置している。有機層ＯＲ２は、側面ＳＦ２や端部Ｅ２に近づくに連れて厚さが漸次減少する減厚部ＳＨ２を有している。上電極ＵＥ２およびキャップ層ＣＰ２のうち減厚部ＳＨ２の上に位置する部分の厚さも側面ＳＦ２に近づくに連れて漸次減少している。

また、リブ５は、画素開口ＡＰ２に近づくに連れて厚さが漸次減少するテーパ部ＴＰ２を有している。減厚部ＳＨ２およびテーパ部ＴＰ２は、平面視においては画素開口ＡＰ２を囲っている。

減厚部ＳＨ２は、全体的に画素開口ＡＰ２と側面ＳＦ２の間に位置し、その一部が上部６２と第３方向Ｚに重なっている。すなわち、図６の例においては、減厚部ＳＨ２が画素開口ＡＰ２と重なっていない。一方で、減厚部ＳＨ２は、テーパ部ＴＰ２と部分的に重なっている。

図７の断面において、有機層ＯＲ３の端部Ｅ３は、リブ５の上に位置している。有機層ＯＲ３は、側面ＳＦ３や端部Ｅ３に近づくに連れて厚さが漸次減少する減厚部ＳＨ３を有している。上電極ＵＥ３およびキャップ層ＣＰ３のうち減厚部ＳＨ３の上に位置する部分の厚さも側面ＳＦ３に近づくに連れて漸次減少している。

また、リブ５は、画素開口ＡＰ３に近づくに連れて厚さが漸次減少するテーパ部ＴＰ３を有している。減厚部ＳＨ３およびテーパ部ＴＰ３は、平面視においては画素開口ＡＰ３を囲っている。

減厚部ＳＨ３は、全体的に画素開口ＡＰ３と側面ＳＦ３の間に位置し、その一部が上部６２と第３方向Ｚに重なっている。すなわち、図７の例においては、減厚部ＳＨ３が画素開口ＡＰ３と重なっていない。一方で、減厚部ＳＨ３は、テーパ部ＴＰ３と部分的に重なっている。減厚部ＳＨ３とテーパ部ＴＰ３が重なる領域の幅は、図６に示した減厚部ＳＨ２とテーパ部ＴＰ２が重なる領域の幅よりも大きい。

図５乃至図７に示した減厚部ＳＨ１，ＳＨ２，ＳＨ３の幅は、それぞれテーパ部ＴＰ１，ＴＰ２，ＴＰ３の幅よりも大きい。例えば、テーパ部ＴＰ１，ＴＰ２，ＴＰ３の幅は同等である。また、減厚部ＳＨ１，ＳＨ２，ＳＨ３の幅も同等である。

上述したように、本実施形態においては、画素開口ＡＰ１と側面ＳＦ１の間の距離Ｄ１、画素開口ＡＰ２と側面ＳＦ２の間の距離Ｄ２、および、画素開口ＡＰ３と側面ＳＦ３の間の距離Ｄ３が異なり、Ｄ１＞Ｄ２＞Ｄ３の関係が成立している。減厚部ＳＨ１とテーパ部ＴＰ１、減厚部ＳＨ２とテーパ部ＴＰ２、減厚部ＳＨ３とテーパ部ＴＰ３の重なり具合の相違は、主にこの距離Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３の関係に起因している。

有機層ＯＲ１のうち画素開口ＡＰ１を通じて下電極ＬＥ１に接触する部分の厚さが不均一であると、有機層ＯＲ１の発光時に輝度むらが生じ得る。そのため、減厚部ＳＨ１は、図５の例のように画素開口ＡＰ１と重ならないことが好ましい。同様の理由により、図６および図７の例のように、減厚部ＳＨ２，ＳＨ３は、それぞれ画素開口ＡＰ２，ＡＰ３と重ならないことが好ましい。

なお、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３の構造は、図５乃至図７に示すものに限られない。
図８は、副画素ＳＰ１に適用し得る構造の他の例を示す概略的な断面図である。この例においては、上電極ＵＥ１が左右の隔壁６（第１隔壁６ｘ）の側面ＳＦ１に接触している。

副画素ＳＰ２，ＳＰ３の構造についても図８と同様に変形し得る。すなわち、上電極ＵＥ２は、図６に示した左右の隔壁６の側面ＳＦ２に接触してもよい。また、上電極ＵＥ３は、図７に示した左右の隔壁６の側面ＳＦ３に接触してもよい。

続いて、表示装置ＤＳＰの製造方法について説明する。
図９は、表示装置ＤＳＰの製造方法の一例を示すフローチャートである。図１０乃至図１７は、それぞれ表示装置ＤＳＰの製造工程の一部を示す概略的な断面図である。図１０乃至図１７においては、基板１０および回路層１１等を省略している。

表示装置ＤＳＰの製造においては、先ず基板１０の上に回路層１１および有機絶縁層１２が形成される（工程ＰＲ１）。

工程ＰＲ１の後、図１０に示すように、有機絶縁層１２の上に下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３が形成され（工程ＰＲ２）、下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３を覆うリブ５が形成され（工程ＰＲ３）、リブ５の上に隔壁６が形成される（工程ＰＲ４）。画素開口ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３は、工程ＰＲ４の前に形成されてもよいし、工程ＰＲ４の後に形成されてもよい。

工程ＰＲ４の後、表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３を形成するための工程が実施される。本実施形態においては、表示素子ＤＥ１が最初に形成され、表示素子ＤＥ２が次に形成され、表示素子ＤＥ３が最後に形成される場合を想定する。ただし、表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３の形成順はこの例に限られない。

表示素子ＤＥ１の形成にあたっては、先ず図１１に示すように、画素開口ＡＰ１を通じて下電極ＬＥ１に接触する有機層ＯＲ１、有機層ＯＲ１を覆う上電極ＵＥ１、上電極ＵＥ１を覆うキャップ層ＣＰ１が蒸着によって順に形成されるとともに、キャップ層ＣＰ１や隔壁６を連続的に覆う封止層ＳＥ１がＣＶＤ（ＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）によって形成される（工程ＰＲ５）。

これら有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、キャップ層ＣＰ１および封止層ＳＥ１は、少なくとも表示領域ＤＡの全体に対して形成され、副画素ＳＰ１だけでなく副画素ＳＰ２，ＳＰ３にも配置されている。有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１およびキャップ層ＣＰ１は、オーバーハング状の隔壁６によって分断される。

なお、図１１は例えば図３と同様の断面であり、図１１中の隔壁６はいずれも図２に示した第２隔壁６ｙに相当する。図１１の例においては、上電極ＵＥ１がこれら第２隔壁６ｙの下部６１の側面に接触している。他の例として、上電極ＵＥ１が少なくとも一方の第２隔壁６ｙの下部６１に接触していなくてもよい。

図５に示したように、上電極ＵＥ１は、副画素ＳＰ１に隣接する第１隔壁６ｘの少なくとも一方の側面ＳＦ１に接触する。
図１２は、このような副画素ＳＰ１の構造を得るための蒸着方法を示す模式図である。ここでは一例として、上電極ＵＥ１が蒸着源１００のノズルＮからの蒸着材料Ｍによって形成される様子を示している。蒸着源１００と蒸着対象の基板は、例えば第２方向Ｙと平行な搬送方向ＴＤに沿って相対的に移動される。

蒸着材料Ｍは、ノズルＮから拡がりをもって放射される。蒸着材料Ｍの放射方向ＲＤ（あるいはノズルＮの延出方向）は、図１２中右方の隔壁６（コンタクトホールＣＨ１と重なる第１隔壁６ｘ）を向くように第３方向Ｚに対して傾斜している。そのため、蒸着材料Ｍが当該右方の隔壁６の側面ＳＦ１に良好に付着する。一方で、図１２中左方の隔壁６の側面ＳＦ１に向かう蒸着材料Ｍは上部６２によって遮られるため、この側面ＳＦ１には蒸着材料Ｍが付着しにくい。

図１２の蒸着方法を用いれば、上電極ＵＥ１が一方の隔壁６の側面ＳＦ１に良好に付着する。そのため、上電極ＵＥ１と隔壁６の安定した導通を確保することができる。

なお、有機層ＯＲ１およびキャップ層ＣＰ１も同様の蒸着方法で形成される。したがって、有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１およびキャップ層ＣＰ１は、図５に示したように、Ｙ－Ｚ断面においては副画素ＳＰ１内で片寄って配置される。

有機層ＯＲ１の蒸着に際しては、上部６２やその上に形成されていく有機層ＯＲ１自体によって蒸着源１００からの蒸着材料Ｍが遮られる領域が生じる。このような領域において、有機層ＯＲ１が薄くなり、上述の減厚部ＳＨ１が形成される。

図９のフローチャートにおいて、工程Ｐ５の後、有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、キャップ層ＣＰ１および封止層ＳＥ１がパターニングされる（工程ＰＲ６）。このパターニングにおいては、図１３に示すように、封止層ＳＥ１の上にレジストＲが配置される。レジストＲは、副画素ＳＰ１とその周囲の隔壁６の一部を覆っている。

その後、レジストＲをマスクとしたエッチングにより、図１４に示すように有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、キャップ層ＣＰ１および封止層ＳＥ１のうちレジストＲから露出した部分が除去される。例えば、当該エッチングは、封止層ＳＥ１、キャップ層ＣＰ１、上電極ＵＥ１および有機層ＯＲ１に対して順に実施されるウェットエッチングやドライエッチングを含む。

図１４に示した工程の後、レジストＲが除去される。これにより、図１５に示すように、副画素ＳＰ１に表示素子ＤＥ１および封止層ＳＥ１が形成され、副画素ＳＰ２，ＳＰ３に表示素子や封止層が形成されていない基板を得ることができる。

表示素子ＤＥ２は、表示素子ＤＥ１と同様の手順で形成される。すなわち、工程ＰＲ６の後、画素開口ＡＰ２を通じて下電極ＬＥ２に接触する有機層ＯＲ２、有機層ＯＲ２を覆う上電極ＵＥ２、上電極ＵＥ２を覆うキャップ層ＣＰ２が蒸着によって順に形成されるとともに、キャップ層ＣＰ２や隔壁６を連続的に覆う封止層ＳＥ２がＣＶＤによって形成される（工程ＰＲ７）。これら有機層ＯＲ２、上電極ＵＥ２、キャップ層ＣＰ２および封止層ＳＥ２は、少なくとも表示領域ＤＡの全体に対して形成され、副画素ＳＰ２だけでなく副画素ＳＰ１，ＳＰ３にも配置される。

有機層ＯＲ２、上電極ＵＥ２およびキャップ層ＣＰ２の蒸着方法は、図１２を用いて説明した方法と同様である。ただし、蒸着源１００を傾ける方向は、図１２の例とは反対である。これにより、Ｙ－Ｚ断面においては、図６に示したものと同様の構造を得ることができる。

工程ＰＲ７の後、有機層ＯＲ２、上電極ＵＥ２、キャップ層ＣＰ２および封止層ＳＥ２がウェットエッチングやドライエッチングによりパターニングされる（工程ＰＲ８）。このパターニングの流れは工程ＰＲ６と同様である。

工程ＰＲ８を経ると、図１６に示すように、副画素ＳＰ１に表示素子ＤＥ１および封止層ＳＥ１が形成され、副画素ＳＰ２に表示素子ＤＥ２および封止層ＳＥ２が形成され、副画素ＳＰ３に表示素子や封止層が形成されていない基板を得ることができる。

表示素子ＤＥ３は、表示素子ＤＥ１，ＤＥ２と同様の手順で形成される。すなわち、工程ＰＲ８の後、画素開口ＡＰ３を通じて下電極ＬＥ３に接触する有機層ＯＲ３、有機層ＯＲ３を覆う上電極ＵＥ３、上電極ＵＥ３を覆うキャップ層ＣＰ３が蒸着によって順に形成されるとともに、キャップ層ＣＰ３や隔壁６を連続的に覆う封止層ＳＥ３がＣＶＤによって形成される（工程ＰＲ９）。これら有機層ＯＲ３、上電極ＵＥ３、キャップ層ＣＰ３および封止層ＳＥ３は、少なくとも表示領域ＤＡの全体に対して形成され、副画素ＳＰ３だけでなく副画素ＳＰ１，ＳＰ２にも配置される。

有機層ＯＲ３、上電極ＵＥ３およびキャップ層ＣＰ３の蒸着方法は、図１２を用いて説明した方法と同様である。これにより、Ｙ－Ｚ断面においては、図７に示したものと同様の構造を得ることができる。

工程ＰＲ９の後、有機層ＯＲ３、上電極ＵＥ３、キャップ層ＣＰ３および封止層ＳＥ３がウェットエッチングやドライエッチングによりパターニングされる（工程ＰＲ１０）。このパターニングの流れは工程ＰＲ６，Ｐ８と同様である。

工程ＰＲ１０を経ると、図１７に示すように、副画素ＳＰ１に表示素子ＤＥ１および封止層ＳＥ１が形成され、副画素ＳＰ２に表示素子ＤＥ２および封止層ＳＥ２が形成され、副画素ＳＰ３に表示素子ＤＥ３および封止層ＳＥ３が形成された基板を得ることができる。

表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３および封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３が形成された後、図３に示した樹脂層１３、封止層１４および樹脂層１５が順に形成される（工程ＰＲ１１）。これにより、表示装置ＤＳＰが完成する。

ここで、本実施形態が奏する効果の一例について説明する。
図１８は、本実施形態との比較例を示す断面図であり、副画素ＳＰ２とその近傍の隔壁６に対して上電極ＵＥ２を形成する工程を表している。なお、当該変形例においては、減厚部ＳＨ２が全てリブ５の上に位置し、テーパ部ＴＰ２と重なっていない。したがって、リブ５の上の位置する有機層ＯＲ２にも厚さＴ２の部分が生じる。

上述の通り、有機層ＯＲ２は、有機層ＯＲ１に比べて厚く形成される。そのため、隔壁６の近傍においては、上部６２と有機層ＯＲ２の距離Ｄが小さい。特に、有機層ＯＲ２の厚さＴ２と隔壁６の高さＨの差が小さい場合には、距離Ｄが大幅に小さくなり得る。

距離Ｄが小さすぎると、上電極ＵＥ２を蒸着する際に、蒸着材料Ｍが上部６２の下方の空間Ｓに入り込みにくい。そのため、上電極ＵＥ２が側面ＳＦ２に十分に接触せず、上電極ＵＥ２と隔壁６の導通不良を生じる可能性がある。

これに対し、本実施形態においては、図６に示したように、減厚部ＳＨ２とテーパ部ＴＰ２が重なっている。この場合、リブ５の上に位置する有機層ＯＲ２の厚さが全体的に厚さＴ２未満に低減されるため、距離Ｄを大きく確保することができる。これにより、蒸着材料Ｍが空間Ｓに入り込みやすくなり、側面ＳＦ２に良好に接触した上電極ＵＥ２を形成することができる。

なお、有機層ＯＲ３に関しては、有機層ＯＲ２よりもさらに厚く形成されるため、上述の距離Ｄが小さくなる課題がより顕著となる。これに対し、本実施形態においては、有機層ＯＲ３の減厚部ＳＨ３がテーパ部ＴＰ３と重なっている。しかも、減厚部ＳＨ３とテーパ部ＴＰ３が重なる領域の幅は、減厚部ＳＨ２とテーパ部ＴＰ２が重なる領域の幅よりも大きい。このように減厚部ＳＨ３とテーパ部ＴＰ３が大きく重なることで、上電極ＵＥ３の形成時に距離Ｄを大きく確保でき、隔壁６の側面ＳＦ３に良好に接触した上電極ＵＥ３を形成することが可能となる。

また、本実施形態においては、隔壁６の側面ＳＦ１，ＳＦ２，ＳＦ３から画素開口ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３までの距離Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３を異ならせている。これにより、各副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３に適した構造を実現することができる。例えば、上述の通り減厚部ＳＨ１，ＳＨ２，ＳＨ３が画素開口ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３に重なると輝度むらが生じ得る。この点に関し、本実施形態においては、距離Ｄ１が距離Ｄ２よりも大きいため、減厚部ＳＨ１と画素開口ＡＰ１の間に十分なマージンを確保することができる。また、距離Ｄ２が距離Ｄ３よりも大きいため、減厚部ＳＨ２と画素開口ＡＰ２の間にも、減厚部ＳＨ３と画素開口ＡＰ３の間に比べて大きなマージンを確保することができる。

本実施形態に係る構成は、製造工程に要する時間を短縮する際に有利である。例えば、隔壁６の下部６１の厚さを薄くすれば、その分、下部６１を含む隔壁６を形成する工程時間を短縮できる。一例では、隔壁６の下部６１の厚さを５００ｎｍ以下に抑える場合であっても、本実施形態の構成を適用することにより、製造工程に要する時間を短縮しつつ上電極ＵＥ２，ＵＥ３と隔壁６の良好な導通を確保可能である。

以上のように、本実施形態の構成によれば、上電極ＵＥ２，ＵＥ３と隔壁６の導通不良が抑制されるので、表示装置ＤＳＰの製造工程の歩留まりが向上する。その他にも、本実施形態からは種々の好適な効果を得ることができる。

［第２実施形態］
第２実施形態について説明する。本実施形態に係る表示装置ＤＳＰの構成のうち、特に言及しない部分については第１実施形態と同様のものを適用できる。

図１９は、本実施形態に係る表示装置ＤＳＰにおけるリブ５および隔壁６の下部６１の概略的な平面図である。本実施形態においては、画素開口ＡＰ１と側面ＳＦ１の間の距離Ｄ１、画素開口ＡＰ２と側面ＳＦ２の間の距離Ｄ２、画素開口ＡＰ３と側面ＳＦ３の間の距離Ｄ３が同じである（Ｄ１＝Ｄ２＝Ｄ３）。

例えば、距離Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３は、第１実施形態における距離Ｄ３と同等である。この場合において、副画素ＳＰ３の断面構造は図７の例と同様である。また、副画素ＳＰ２の断面構造も図６の例と概ね同様であるが、減厚部ＳＨ２とテーパ部ＴＰ２の重なる領域の幅が図６の例よりも増加する。副画素ＳＰ１に関しては、図５の例においては減厚部ＳＨ１とテーパ部ＴＰ１が重なっていなかったが、本実施形態においては減厚部ＳＨ３およびテーパ部ＴＰ３と同様に重なる。

このように、下部６１と画素開口ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３の間の距離を最も厚く形成される有機層ＯＲ３に適したもので統一した場合であっても、第１実施形態と同じく、上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３と下部６１の良好な導通を確保できる。

さらに、本実施形態においては、第１実施形態に比べて画素開口ＡＰ１，ＡＰ２の開口面積が大きく確保されている。そのため、表示素子ＤＥ１，ＤＥ２における発光領域が大きくなり、副画素ＳＰ１，ＳＰ２の輝度が向上する。

以上、本発明の実施形態として説明した表示装置およびその製造方法を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての表示装置およびその製造方法も、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に属する。

本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変形例に想到し得るものであり、それら変形例についても本発明の範囲に属するものと解される。例えば、上述の各実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除、もしくは設計変更を行ったもの、または、工程の追加、省略もしくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。

また、上述の各実施形態において述べた態様によりもたらされる他の作用効果について、本明細書の記載から明らかなもの、または当業者において適宜想到し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。

ＤＳＰ…表示装置、ＤＡ…表示領域、ＰＸ…画素、ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３…副画素、ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３…画素開口、ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３…下電極、ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３…有機層、ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３…上電極、ＣＰ１，ＣＰ２，ＣＰ３…キャップ層、ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３…封止層、ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３…表示素子、５…リブ、６…隔壁、６１…隔壁の下部、６２…隔壁の上部。

Claims (10)

1. 下電極と、
   前記下電極と重なる画素開口を有するリブと、
   前記リブの上に配置された下部および前記下部の側面から突出した上部を含む隔壁と、
   前記画素開口を通じて前記下電極を覆い、電圧の印加に応じて発光する有機層と、
   前記有機層を覆うとともに、前記下部の側面に接触する上電極と、
   を備え、
   前記リブは、前記画素開口を囲うとともに前記画素開口に近づくに連れて厚さが減少するテーパ部を有し、
   前記有機層は、前記リブの上に位置する端部と、前記端部に近づくに連れて厚さが減少する減厚部とを有し、
   前記減厚部は、前記テーパ部の少なくとも一部を覆っている、
   表示装置。
2. 前記減厚部は、全体的に前記画素開口と前記下部の間に位置している、
   請求項１に記載の表示装置。
3. 前記減厚部の幅は、前記テーパ部の幅よりも大きい、
   請求項１に記載の表示装置。
4. 第１下電極と、
   第２下電極と、
   前記第１下電極と重なる第１画素開口および前記第２下電極と重なる第２画素開口を有するリブと、
   前記第１画素開口と前記第２画素開口の間において前記リブの上に配置された下部および前記下部の側面から突出した上部を含む隔壁と、
   前記第１画素開口を通じて前記第１下電極を覆い、電圧の印加に応じて発光する第１有機層と、
   前記第２画素開口を通じて前記第２下電極を覆い、電圧の印加に応じて発光する第２有機層と、
   前記第１有機層を覆うとともに、前記下部の第１側面に接触する第１上電極と、
   前記第２有機層を覆うとともに、前記下部の第２側面に接触する第２上電極と、
   を備え、
   前記第１側面と前記第１画素開口の間の第１距離と、前記第２側面と前記第２画素開口の間の第２距離とが異なる、
   表示装置。
5. 前記第２有機層は、前記第１有機層よりも厚く、
   前記第２距離は、前記第１距離よりも小さい、
   請求項４に記載の表示装置。
6. 前記リブは、前記第１画素開口を囲うとともに前記第１画素開口に近づくに連れて厚さが減少する第１テーパ部と、前記第２画素開口を囲うとともに前記第２画素開口に近づくに連れて厚さが減少する第２テーパ部と、を有し、
   前記第１有機層は、前記リブの上に位置する第１端部と、前記第１端部に近づくに連れて厚さが減少する第１減厚部とを有し、
   前記第２有機層は、前記リブの上に位置する第２端部と、前記第２端部に近づくに連れて厚さが減少する第２減厚部とを有し、
   前記第１減厚部は、全体的に前記第１テーパ部と前記第１側面の間に位置し、
   前記第２減厚部は、前記第２テーパ部の少なくとも一部を覆っている、
   請求項４に記載の表示装置。
7. 前記第１減厚部の幅は、前記第１テーパ部の幅よりも大きく、
   前記第２減厚部の幅は、前記第２テーパ部の幅よりも大きい、
   請求項６に記載の表示装置。
8. 第３下電極と、
   前記リブが有する第３画素開口を通じて前記第３下電極を覆い、電圧の印加に応じて発光する第３有機層と、
   前記第３有機層を覆うとともに、前記下部の第３側面に接触する第３上電極と、
   をさらに備え、
   前記第１距離と、前記第２距離と、前記第３側面と前記第３画素開口の間の第３距離とが異なる、
   請求項４に記載の表示装置。
9. 前記第２有機層は、前記第１有機層よりも厚く、
   前記第２距離は、前記第１距離よりも小さい、
   請求項８に記載の表示装置。
10. 前記第３有機層は、前記第２有機層よりも厚く、
    前記第３距離は、前記第２距離よりも小さい、
    請求項９に記載の表示装置。

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