JP2024027925A - 表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 製造工程の歩留まりを向上させることが可能な表示装置を提供する。【解決手段】 実施形態に係る表示装置は、第１及び第２下電極と、第１及び第２下電極と重なる第１及び第２下画素開口を有するリブと、第１画素開口を通じて第１下電極を覆う第１有機層と、第２画素開口を通じて第２下電極を覆う第２有機層と、第１有機層を覆う第１上電極と、第２有機層を覆う第２上電極と、第１画素開口と第２画素開口の間においてリブの上に配置された下部および下部の側面から突出した上部を含む隔壁と、を備えている。隔壁は、第１画素開口側の第１部分と、第２画素開口側の第２部分と、を有している。さらに、第１画素開口と重なる第１下電極の上面から第１部分の上面までの第１高さと、第２画素開口と重なる第２下電極の上面から第２部分の上面までの第２高さとが異なる。【選択図】 図６

Description

本発明の実施形態は、表示装置に関する。

近年、表示素子として有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を適用した表示装置が実用化されている。この表示素子は、下電極と、下電極を覆う有機層と、有機層を覆う上電極とを備えている。

上記のような表示装置を製造するにあたり、製造工程の歩留まり向上させる技術が必要とされている。

特開２０００－１９５６７７号公報 特開２００４－２０７２１７号公報 特開２００８－１３５３２５号公報 特開２００９－３２６７３号公報 特開２０１０－１１８１９１号公報 国際公開第２０１８／１７９３０８号 米国特許出願公開第２０２２／００７７２５１号明細書

本発明の目的は、製造工程の歩留まりを向上させることが可能な表示装置を提供することにある。

実施形態に係る表示装置は、第１下電極と、第２下電極と、前記第１下電極と重なる第１画素開口および前記第２下電極と重なる第２画素開口を有するリブと、前記第１画素開口を通じて前記第１下電極を覆い、電圧の印加に応じて発光する第１有機層と、前記第２画素開口を通じて前記第２下電極を覆い、電圧の印加に応じて発光する第２有機層と、前記第１有機層を覆う第１上電極と、前記第２有機層を覆う第２上電極と、前記第１画素開口と前記第２画素開口の間において前記リブの上に配置された下部および前記下部の側面から突出した上部を含む隔壁と、を備えている。前記隔壁は、前記第１画素開口側の第１部分と、前記第２画素開口側の第２部分と、を有している。さらに、前記第１画素開口と重なる前記第１下電極の上面から前記第１部分の上面までの第１高さと、前記第２画素開口と重なる前記第２下電極の上面から前記第２部分の上面までの第２高さとが異なる。

図１は、第１実施形態に係る表示装置の構成例を示す図である。 図２は、副画素のレイアウトの一例を示す図である。 図３は、図２中のIII－III線に沿う表示装置の概略的な断面図である。 図４は、リブおよび隔壁の概略的な平面図である。 図５は、図４中のV－V線に沿う表示装置の概略的な断面図である。 図６は、図４中のVI－VI線に沿う表示装置の概略的な断面図である。 図７は、図４中のVII－VII線に沿う表示装置の概略的な断面図である。 図８は、副画素に適用し得る構造の他の例を示す概略的な断面図である。 図９は、表示装置の製造方法の一例を示すフローチャートである。 図１０は、表示装置の製造工程の一部を示す概略的な断面図である。 図１１は、図１０に続く製造工程を示す概略的な断面図である。 図１２は、図１１に続く製造工程を示す概略的な断面図である。 図１３は、図１２に続く製造工程を示す概略的な断面図である。 図１４は、図１３に続く製造工程を示す概略的な断面図である。 図１５は、図１４に続く製造工程を示す概略的な断面図である。 図１６は、図１５に続く製造工程を示す概略的な断面図である。 図１７は、図１６に続く製造工程を示す概略的な断面図である。 図１８は、図１７に続く製造工程を示す概略的な断面図である。 図１９は、図１８に続く製造工程を示す概略的な断面図である。 図２０は、上電極等の蒸着方法を示す模式図である。 図２１は、図１９に続く製造工程を示す概略的な断面図である。 図２２は、図２１に続く製造工程を示す概略的な断面図である。 図２３は、図２２に続く製造工程を示す概略的な断面図である。 図２４は、図２３に続く製造工程を示す概略的な断面図である。 図２５は、図２４に続く製造工程を示す概略的な断面図である。 図２６は、第１実施形態との比較例を示す断面図である。 図２７は、第２実施形態における副画素とその周囲の隔壁を示す概略的な断面図である。 図２８は、第２実施形態における副画素とその周囲の隔壁を示す他の概略的な断面図である。 図２９は、第２実施形態における副画素とその周囲の隔壁を示すさらに他の概略的な断面図である。 図３０は、第３実施形態における隔壁を示す概略的な断面図である。

いくつかの実施形態について図面を参照しながら説明する。
開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一または類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。

なお、図面には、必要に応じて理解を容易にするために、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を記載する。Ｘ軸に沿った方向を第１方向Ｘと称し、Ｙ軸に沿った方向を第２方向Ｙと称し、Ｚ軸に沿った方向を第３方向Ｚと称する。第３方向Ｚと平行に各種要素を見ることを平面視という。

各実施形態に係る表示装置は、表示素子として有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を備える有機エレクトロルミネッセンス表示装置であり、テレビ、パーソナルコンピュータ、車載機器、タブレット端末、スマートフォン、携帯電話端末等に搭載され得る。

［第１実施形態］
図１は、第１実施形態に係る表示装置ＤＳＰの構成例を示す図である。表示装置ＤＳＰは、絶縁性の基板１０の上に、画像を表示する表示領域ＤＡと、表示領域ＤＡの周辺の周辺領域ＳＡとを有している。基板１０は、ガラスであってもよいし、可撓性を有する樹脂フィルムであってもよい。

本実施形態においては、平面視における基板１０の形状が長方形である。ただし、基板１０の平面視における形状は長方形に限らず、正方形、円形あるいは楕円形などの他の形状であってもよい。

表示領域ＤＡは、第１方向Ｘおよび第２方向Ｙにマトリクス状に配列された複数の画素ＰＸを備えている。画素ＰＸは、複数の副画素ＳＰを含む。一例では、画素ＰＸは、青色の副画素ＳＰ１、緑色の副画素ＳＰ２および赤色の副画素ＳＰ３を含む。なお、画素ＰＸは、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３とともに、あるいは副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のいずれかに代えて、白色などの他の色の副画素ＳＰを含んでもよい。

副画素ＳＰは、画素回路１と、画素回路１によって駆動される表示素子ＤＥとを備えている。画素回路１は、画素スイッチ２と、駆動トランジスタ３と、キャパシタ４とを備えている。画素スイッチ２および駆動トランジスタ３は、例えば薄膜トランジスタにより構成されたスイッチング素子である。

画素スイッチ２のゲート電極は、走査線ＧＬに接続されている。画素スイッチ２のソース電極およびドレイン電極の一方は信号線ＳＬに接続され、他方は駆動トランジスタ３のゲート電極およびキャパシタ４に接続されている。駆動トランジスタ３において、ソース電極およびドレイン電極の一方は電源線ＰＬおよびキャパシタ４に接続され、他方は表示素子ＤＥに接続されている。表示素子ＤＥは、発光素子としての有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）である。

なお、画素回路１の構成は図示した例に限らない。例えば、画素回路１は、より多くの薄膜トランジスタおよびキャパシタを備えてもよい。

図２は、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のレイアウトの一例を示す図である。図２の例においては、副画素ＳＰ１と副画素ＳＰ２が第１方向Ｘに並んでいる。副画素ＳＰ１と副画素ＳＰ３も第１方向Ｘに並んでいる。さらに、副画素ＳＰ２と副画素ＳＰ３が第２方向Ｙに並んでいる。

副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３がこのようなレイアウトである場合、表示領域ＤＡには、副画素ＳＰ２，ＳＰ３が第２方向Ｙに交互に配置された列と、複数の副画素ＳＰ１が第２方向Ｙに繰り返し配置された列とが形成される。これらの列は、第１方向Ｘに交互に並ぶ。

なお、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のレイアウトは図２の例に限られない。他の一例として、各画素ＰＸにおける副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３が第１方向Ｘに順に並んでいてもよい。

表示領域ＤＡには、リブ５および隔壁６が配置されている。リブ５は、副画素ＳＰ１において画素開口ＡＰ１を有し、副画素ＳＰ２において画素開口ＡＰ２を有し、副画素ＳＰ３において画素開口ＡＰ３を有している。

図２の例においては、画素開口ＡＰ１の面積が画素開口ＡＰ２の面積よりも大きい。画素開口ＡＰ１の面積は、画素開口ＡＰ３の面積よりも大きい。さらに、画素開口ＡＰ３の面積は、画素開口ＡＰ２の面積よりも小さい。

隔壁６は、隣り合う副画素ＳＰの境界に配置され、平面視においてリブ５と重なっている。隔壁６は、第１方向Ｘに延びる複数の第１隔壁６ｘと、第２方向Ｙに延びる複数の第２隔壁６ｙとを有している。複数の第１隔壁６ｘは、第２方向Ｙに隣り合う画素開口ＡＰ２，ＡＰ３の間、および、第２方向Ｙに隣り合う２つの画素開口ＡＰ１の間にそれぞれ配置されている。第２隔壁６ｙは、第１方向Ｘに隣り合う画素開口ＡＰ１，ＡＰ２の間、および、第１方向Ｘに隣り合う画素開口ＡＰ１，ＡＰ３の間にそれぞれ配置されている。

図２の例においては、第１隔壁６ｘおよび第２隔壁６ｙが互いに接続されている。これにより、隔壁６は全体として画素開口ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３を囲う格子状である。隔壁６は、リブ５と同様に副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３において開口を有するということもできる。

副画素ＳＰ１は、画素開口ＡＰ１とそれぞれ重なる下電極ＬＥ１、上電極ＵＥ１および有機層ＯＲ１を備えている。副画素ＳＰ２は、画素開口ＡＰ２とそれぞれ重なる下電極ＬＥ２、上電極ＵＥ２および有機層ＯＲ２を備えている。副画素ＳＰ３は、画素開口ＡＰ３とそれぞれ重なる下電極ＬＥ３、上電極ＵＥ３および有機層ＯＲ３を備えている。

下電極ＬＥ１、上電極ＵＥ１および有機層ＯＲ１は、副画素ＳＰ１の表示素子ＤＥ１を構成する。下電極ＬＥ２、上電極ＵＥ２および有機層ＯＲ２は、副画素ＳＰ２の表示素子ＤＥ２を構成する。下電極ＬＥ３、上電極ＵＥ３および有機層ＯＲ３は、副画素ＳＰ３の表示素子ＤＥ３を構成する。表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３は、後述するキャップ層を含んでもよい。

下電極ＬＥ１は、コンタクトホールＣＨ１を通じて副画素ＳＰ１の画素回路１（図１参照）に接続されている。下電極ＬＥ２は、コンタクトホールＣＨ２を通じて副画素ＳＰ２の画素回路１に接続されている。下電極ＬＥ３は、コンタクトホールＣＨ３を通じて副画素ＳＰ３の画素回路１に接続されている。

図２の例において、コンタクトホールＣＨ２，ＣＨ３は、第２方向Ｙに隣り合う画素開口ＡＰ２，ＡＰ３の間の第１隔壁６ｘと全体的に重なっている。また、コンタクトホールＣＨ１は、第２方向Ｙに隣り合う２つの画素開口ＡＰ１の間の第１隔壁６ｘと全体的に重なっている。他の例として、コンタクトホールＣＨ１，ＣＨ２，ＣＨ３の少なくとも一部が第１隔壁６ｘと重なっていなくてもよい。

図３は、図２中のIII－III線に沿う表示装置ＤＳＰの概略的な断面図である。上述の基板１０の上に回路層１１が配置されている。回路層１１は、図１に示した画素回路１、走査線ＧＬ、信号線ＳＬおよび電源線ＰＬなどの各種回路や配線を含む。

回路層１１は、有機絶縁層１２により覆われている。有機絶縁層１２は、回路層１１により生じる凹凸を平坦化する平坦化膜として機能する。図３の断面には表れていないが、上述のコンタクトホールＣＨ１，ＣＨ２，ＣＨ３はいずれも有機絶縁層１２に設けられている。

下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３は、有機絶縁層１２の上に配置されている。リブ５は、有機絶縁層１２および下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の上に配置されている。下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の端部は、リブ５により覆われている。

隔壁６は、リブ５の上に配置された導電性を有する下部６１と、下部６１の上に配置された上部６２とを含む。上部６２は、下部６１よりも大きい幅を有している。これにより、図３においては上部６２の両端部が下部６１の側面よりも突出している。このような隔壁６の形状は、オーバーハング状と呼ばれる。

有機層ＯＲ１は、画素開口ＡＰ１を通じて下電極ＬＥ１を覆っている。上電極ＵＥ１は、有機層ＯＲ１を覆い、下電極ＬＥ１と対向している。有機層ＯＲ２は、画素開口ＡＰ２を通じて下電極ＬＥ２を覆っている。上電極ＵＥ２は、有機層ＯＲ２を覆い、下電極ＬＥ２と対向している。有機層ＯＲ３は、画素開口ＡＰ３を通じて下電極ＬＥ３を覆っている。上電極ＵＥ３は、有機層ＯＲ３を覆い、下電極ＬＥ３と対向している。

図３の例において、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３には、それぞれキャップ層ＣＰ１，ＣＰ２，ＣＰ３が配置されている。キャップ層ＣＰ１は、上電極ＵＥ１を覆っている。キャップ層ＣＰ２は、上電極ＵＥ２を覆っている。キャップ層ＣＰ３は、上電極ＵＥ３を覆っている。

さらに、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３には、それぞれ封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３が配置されている。封止層ＳＥ１は、副画素ＳＰ１を囲う隔壁６のうち副画素ＳＰ１寄りの部分やキャップ層ＣＰ１を連続的に覆っている。封止層ＳＥ２は、副画素ＳＰ２を囲う隔壁６のうち副画素ＳＰ２寄りの部分やキャップ層ＣＰ２を連続的に覆っている。封止層ＳＥ３は、副画素ＳＰ３を囲う隔壁６のうち副画素ＳＰ３寄りの部分やキャップ層ＣＰ３を連続的に覆っている。

有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１およびキャップ層ＣＰ１の一部は、上部６２の上に位置している。当該一部は、有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１およびキャップ層ＣＰ１のうちリブ５の上に位置する部分と離間している。同様に、有機層ＯＲ２、上電極ＵＥ２およびキャップ層ＣＰ２の一部は上部６２の上に位置し、当該一部は有機層ＯＲ２、上電極ＵＥ２およびキャップ層ＣＰ２のうちリブ５の上に位置する部分と離間している。さらに、有機層ＯＲ３、上電極ＵＥ３およびキャップ層ＣＰ３の一部は上部６２の上に位置し、当該一部は有機層ＯＲ３、上電極ＵＥ３およびキャップ層ＣＰ３のうちリブ５の上に位置する部分と離間している。

図３の例においては、副画素ＳＰ１，ＳＰ２の間の隔壁６上の有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、キャップ層ＣＰ１および封止層ＳＥ１と、当該隔壁６上の有機層ＯＲ２、上電極ＵＥ２、キャップ層ＣＰ２および封止層ＳＥ２とが離間している。また、副画素ＳＰ１，ＳＰ３の間の隔壁６上の有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、キャップ層ＣＰ１および封止層ＳＥ１と、当該隔壁６上の有機層ＯＲ３、上電極ＵＥ３、キャップ層ＣＰ３および封止層ＳＥ３とが離間している。

封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３は、樹脂層１３によって覆われている。樹脂層１３は、封止層１４によって覆われている。さらに、封止層１４は、樹脂層１５によって覆われている。

有機絶縁層１２および樹脂層１３，１５は、有機材料で形成されている。リブ５、封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３および封止層１４は、例えばシリコン窒化物（ＳｉＮｘ）、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）またはシリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）などの無機材料で形成されている。

下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３は、例えば銀（Ａｇ）で形成された中間層と、この中間層の上面および下面をそれぞれ覆う一対の導電性酸化物層とを有している。各導電性酸化物層は、例えばＩＴＯ（ＩｎｄｉｕｍＴｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（ＩｎｄｉｕｍＺｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）またはＩＧＺＯ（ＩｎｄｉｕｍＧａｌｌｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）などの透明な導電性酸化物で形成することができる。

有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３は、例えば、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロッキング層、発光層、正孔ブロッキング層、電子輸送層および電子注入層の積層構造を有している。有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３は、それぞれ複数の発光層を含んでもよい。

上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３は、例えばマグネシウムと銀の合金（ＭｇＡｇ）などの金属材料で形成されている。例えば、下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３は、それぞれ表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３のアノードに相当する。また、上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３は、それぞれ表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３のカソードに相当する。

キャップ層ＣＰ１，ＣＰ２，ＣＰ３は、例えば、透明な複数の薄膜の多層体によって形成されている。多層体は、複数の薄膜として、無機材料によって形成された薄膜および有機材料によって形成された薄膜を含んでもよい。また、これらの複数の薄膜は、互いに異なる屈折率を有している。多層体を構成する薄膜の材料は、上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３の材料とは異なり、また、封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３の材料とも異なる。なお、キャップ層ＣＰ１，ＣＰ２，ＣＰ３は省略されてもよい。

隔壁６には、共通電圧が供給されている。この共通電圧は、下部６１の側面に接触した上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３にそれぞれ供給される。下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３には、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３がそれぞれ有する画素回路１を通じて画素電圧が供給される。

有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３は、電圧の印加に応じて発光する。具体的には、下電極ＬＥ１と上電極ＵＥ１の間に電位差が形成されると、有機層ＯＲ１の発光層が青色の波長域の光を放つ。また、下電極ＬＥ２と上電極ＵＥ２の間に電位差が形成されると、有機層ＯＲ２の発光層が緑色の波長域の光を放つ。また、下電極ＬＥ３と上電極ＵＥ３の間に電位差が形成されると、有機層ＯＲ３の発光層が赤色の波長域の光を放つ。

図４は、リブ５および隔壁６の概略的な平面図である。本実施形態において、隔壁６は、高さが異なる第１部分Ｐ１（ドット模様を付した部分）、第２部分Ｐ２（左上がりの斜線を付した部分）および第３部分Ｐ３（右上がりの斜線を付した部分）を有している。第１部分Ｐ１は、画素開口ＡＰ１を囲っている。第２部分Ｐ２は、画素開口ＡＰ２を囲っている。第３部分Ｐ３は、画素開口ＡＰ３を囲っている。

図４の例において、第１部分Ｐ１は、画素開口ＡＰ１に隣接する第１隔壁６ｘの全体と、画素開口ＡＰ１に隣接する第２隔壁６ｙのうち画素開口ＡＰ１側の半分とで構成されている。第２部分Ｐ２は、画素開口ＡＰ２に隣接する第１隔壁６ｘのうち画素開口ＡＰ２側の半分と、画素開口ＡＰ２に隣接する第２隔壁６ｙのうち画素開口ＡＰ２側の半分とで構成されている。第３部分Ｐ３は、画素開口ＡＰ３に隣接する第１隔壁６ｘのうち画素開口ＡＰ３側の半分と、画素開口ＡＰ３に隣接する第２隔壁６ｙのうち画素開口ＡＰ３側の半分とで構成されている。第１部分Ｐ１、第２部分Ｐ２および第３部分Ｐ３の境界において、上部６２には後述する段差ＳＴが形成されている。

図５は、図４中のV－V線に沿う表示装置ＤＳＰの概略的な断面図であり、副画素ＳＰ１とその周囲の隔壁６（第１隔壁６ｘ）の一部を示している。図６は、図４中のVI－VI線に沿う表示装置ＤＳＰの概略的な断面図であり、副画素ＳＰ２とその周囲の隔壁６（第１隔壁６ｘ）の一部を示している。図７は、図５中のVII－VII線に沿う表示装置ＤＳＰの概略的な断面図であり、副画素ＳＰ３とその周囲の隔壁６（第１隔壁６ｘ）の一部を示している。なお、図５乃至図７の断面はいずれもＹ－Ｚ平面に沿うものである。また、図５乃至図７においては、基板１０、回路層１１、有機絶縁層１２、樹脂層１３、封止層１４および樹脂層１５を省略している。

図５に示すように、第１部分Ｐ１における下部６１は、側面ＳＦ１を有している。図５の例において、上電極ＵＥ１は、右方の隔壁６の側面ＳＦ１に接触し、左方の隔壁６の側面ＳＦ１には接触していない。上電極ＵＥ１が接触する右方の隔壁６は、図３においてコンタクトホールＣＨ１と重なる第１隔壁６ｘに相当する。

図６に示すように、第２部分Ｐ２における下部６１は、側面ＳＦ２を有している。図６の例において、上電極ＵＥ２は、左方の隔壁６の側面ＳＦ２に接触し、右方の隔壁６の側面ＳＦ２には接触していない。上電極ＵＥ２が接触する右方の隔壁６は、図３においてコンタクトホールＣＨ２と重なる第１隔壁６ｘに相当する。

図７に示すように、第３部分Ｐ３における下部６１は、側面ＳＦ３を有している。図７の例において、上電極ＵＥ３は、右方の隔壁６の側面ＳＦ３に接触し、左方の隔壁６の側面ＳＦ３には接触していない。上電極ＵＥ３が接触する右方の隔壁６は、図３においてコンタクトホールＣＨ３と重なる第１隔壁６ｘに相当する。

図５乃至図７に示すように、有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３は、それぞれ厚さＴ１，Ｔ２，Ｔ３を有している。厚さＴ１は、有機層ＯＲ１のうち画素開口ＡＰ１と重なる部分の厚さに相当する。厚さＴ２は、有機層ＯＲ２のうち画素開口ＡＰ２と重なる部分の厚さに相当する。厚さＴ３は、有機層ＯＲ３のうち画素開口ＡＰ３と重なる部分の厚さに相当する。

本実施形態においては、厚さＴ１，Ｔ２，Ｔ３が異なる。具体的には、厚さＴ２が厚さＴ１よりも大きく、厚さＴ３が厚さＴ２よりも大きい（Ｔ１＜Ｔ２＜Ｔ３）。厚さＴ１，Ｔ２，Ｔ３の値は、有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３が発する光の波長に応じて、表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３からの良好な光取り出し効率を実現できるように定められる。一例では、有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３が青色、緑色および赤色の波長域の光をそれぞれ放つ場合、厚さＴ１が２００±２０ｎｍであり、厚さＴ２が２５０±２０ｎｍであり、厚さＴ３が３００±２０ｎｍである。有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３が２つの発光層を備えるいわゆるタンデム構造においても同様の厚さＴ１，Ｔ２，Ｔ３を適用できる。

図５に示すように、隔壁６の第１部分Ｐ１は、高さＨ１を有している。高さＨ１は、画素開口ＡＰ１と重なる下電極ＬＥ１の上面から、第１部分Ｐ１における上部６２の上面までの第３方向Ｚにおける距離に相当する。

図６に示すように、隔壁６の第２部分Ｐ２は、高さＨ２を有している。高さＨ２は、画素開口ＡＰ２と重なる下電極ＬＥ２の上面から、第２部分Ｐ２における上部６２の上面までの第３方向Ｚにおける距離に相当する。

図７に示すように、隔壁６の第３部分Ｐ３は、高さＨ３を有している。高さＨ３は、画素開口ＡＰ３と重なる下電極ＬＥ３の上面から、第３部分Ｐ３における上部６２の上面までの第３方向Ｚにおける距離に相当する。

本実施形態においては、高さＨ１，Ｈ２，Ｈ３が異なる。具体的には、高さＨ２が高さＨ１よりも大きく、高さＨ３が高さＨ２よりも大きい（Ｈ１＜Ｈ２＜Ｈ３）。一例として、高さＨ１，Ｈ２の差分は、厚さＴ１，Ｔ２の差分と同等である。また、高さＨ２，Ｈ３の差分は、厚さＴ１，Ｔ２の差分と同等である。

図５乃至図７に示すように、下部６１は、リブ５の上に配置された第１金属層６３と、第１金属層６３の上に配置された第２金属層６４とを含む。第１部分Ｐ１、第２部分Ｐ２および第３部分Ｐ３のそれぞれにおける上部６２の厚さは同じである。また、第１部分Ｐ１、第２部分Ｐ２および第３部分Ｐ３の下方に位置するリブ５の厚さは同じである。すなわち、本実施形態において、高さＨ１，Ｈ２，Ｈ３の相違は、下部６１の厚さが互いに異なることによって生じている。図５乃至図７の例においては、第１部分Ｐ１、第２部分Ｐ２および第３部分Ｐ３において、第１金属層６３の厚さが異なる。第１部分Ｐ１、第２部分Ｐ２および第３部分Ｐ３における第２金属層６４の厚さは同じである。

具体的には、第１金属層６３は、第１層６３１と、第２層６３２と、第３層６３３とを含む。図５に示すように、第１部分Ｐ１における第１金属層６３は、第１層６３１によって構成されている。図６および図７に示すように、第２部分Ｐ２における第１金属層６３は、第１層６３１および第２層６３２で構成されている。さらに、第３部分Ｐ３における第１金属層６３は、第１層６３１、第２層６３２および第３層６３３で構成されている。

第２部分Ｐ２および第３部分Ｐ３において、第２層６３２は、第１層６３１とリブ５の間に位置している。また、第３部分Ｐ３において、第３層６３３は、第２層６３２とリブ５の間に位置している。

図６および図７に示すように、第２部分Ｐ２と第３部分Ｐ３の境界においては、第２金属層６４や上部６２の上面に段差ＳＴが形成されている。また、図４に破線で示すように、第１部分Ｐ１と第２部分Ｐ２の境界や、第１部分Ｐ１と第３部分Ｐ３の境界においても、同様の段差が形成されている。

第１層６３１、第２層６３２および第３層６３３は、例えばモリブデン（Ｍｏ）によって形成することができる。ただし、第１層６３１、第２層６３２および第３層６３３が異なる材料で形成されてもよい。

第２金属層６４は、第１金属層６３とは異なる材料、例えばアルミニウム（Ａｌ）によって形成することができる。第２金属層６４は、アルミニウム－ネオジム（ＡｌＮｄ）などのアルミニウム合金によって形成されてもよいし、アルミニウム層とアルミニウム合金層の積層構造を有してもよい。

上部６２は、例えばチタン（Ｔｉ）などの金属材料で形成されている。上部６２は、金属材料とＩＴＯなどの導電性酸化物の積層構造を有してもよい。また、上部６２は、シリコン酸化物などの無機材料で形成されてもよいし、無機材料とＩＴＯなどの導電性酸化物の積層構造を有してもよい。

なお、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３の構造は、図５乃至図７に示すものに限られない。
図８は、副画素ＳＰ１に適用し得る構造の他の例を示す概略的な断面図である。この例においては、上電極ＵＥ１が左右の隔壁６（第１隔壁６ｘ）の側面ＳＦ１に接触している。

副画素ＳＰ２，ＳＰ３の構造についても図８と同様に変形し得る。すなわち、上電極ＵＥ２は、図６に示した左右の隔壁６の側面ＳＦ２に接触してもよい。また、上電極ＵＥ３は、図７に示した左右の隔壁６の側面ＳＦ３に接触してもよい。

続いて、表示装置ＤＳＰの製造方法について説明する。
図９は、表示装置ＤＳＰの製造方法の一例を示すフローチャートである。図１０乃至図２５は、それぞれ表示装置ＤＳＰの製造工程の一部を示す概略的な断面図である。図１０乃至図２５においては、基板１０および回路層１１等を省略している。

表示装置ＤＳＰの製造においては、先ず基板１０の上に回路層１１および有機絶縁層１２が形成される（工程ＰＲ１）。

工程ＰＲ１の後、図１０に示すように、有機絶縁層１２の上に下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３が形成され（工程ＰＲ２）、下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３を覆うリブ５が形成される（工程ＰＲ３）。続いて、図１１乃至図１８に例示する方法によりリブ５の上に隔壁６が形成される（工程ＰＲ４）。なお、画素開口ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３は、工程ＰＲ４の前に形成されてもよいし、工程ＰＲ４の後に形成されてもよい。

工程ＰＲ４においては、先ず図１１に示すようにリブ５の上に第３層６３３が形成される。第３層６３３は、基板の全体に対して第３層６３３の基となる薄膜を形成し、この薄膜を第３部分Ｐ３と同様の平面形状にパターニングすることにより形成することができる。

第３層６３３の形成後、図１２に示すように、第２層６３２が形成される。第２層６３２は、基板の全体に対して第２層６３２の基となる薄膜を形成し、この薄膜を第２部分Ｐ２および第３部分Ｐ３と同様の平面形状にパターニングすることにより形成することができる。

第２層６３２の形成後、図１３に示すように、第１層６３１の基となる薄膜６３１ａが基板の全体に対して形成される。さらに、図１４に示すように、薄膜６３１ａの上に第２金属層６４の基となる薄膜６４ａが形成され、薄膜６４ａの上に上部６２の基となる薄膜６２ａが形成され、薄膜６２ａの上にレジストＲ１が形成される。レジストＲ１は、隔壁６の平面形状にパターニングされている。

続いて、図１５に示すように、薄膜６２ａのうちレジストＲ１から露出した部分がウェットエッチングによって除去される。これにより、上部６２が形成される。

上部６２の形成後、図１６に示すように、薄膜６４ａのうちレジストＲ１から露出した部分が異方性のドライエッチングによって除去される。これにより、第２金属層６４が形成される。なお、当該ドライエッチングにおいて、第２金属層６４のうちレジストＲ１から露出した部分が薄く残されてもよい。

第２金属層６４の形成後、図１７に示すように、薄膜６３１ａのうちレジストＲ１から露出した部分が等方性のウェットエッチングによって除去される。これにより、第１金属層６３（第１層６３１、第２層６３２および第３層６３３）が形成される。当該ウェットエッチングにおいては、第１金属層６３および第２金属層６４の側面も侵食される。これにより、第１金属層６３および第２金属層６４の幅が上部６２よりも低減される。

その後、図１８に示すようにレジストＲ１を除去することにより、下部６１と上部６２を含むオーバーハング状の隔壁６が完成する。図１８の例においては、隔壁６の右半分が第１層６３１および第２層６３２を含む第２部分Ｐ２であり、隔壁６の左半分が第１層６３１、第２層６３２および第３層６３３を含む第３部分Ｐ３である。この他に、第１層６３１を含み第２層６３２および第３層６３３を含まない第１部分Ｐ１も形成される。

隔壁６の形成後、表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３を形成するための工程が実施される。本実施形態においては、表示素子ＤＥ１が最初に形成され、表示素子ＤＥ２が次に形成され、表示素子ＤＥ３が最後に形成される場合を想定する。ただし、表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３の形成順はこの例に限られない。

表示素子ＤＥ１の形成にあたっては、先ず図１９に示すように、画素開口ＡＰ１を通じて下電極ＬＥ１に接触する有機層ＯＲ１、有機層ＯＲ１を覆う上電極ＵＥ１、上電極ＵＥ１を覆うキャップ層ＣＰ１が蒸着によって順に形成されるとともに、キャップ層ＣＰ１や隔壁６を連続的に覆う封止層ＳＥ１がＣＶＤ（ＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）によって形成される（工程ＰＲ５）。

これら有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、キャップ層ＣＰ１および封止層ＳＥ１は、少なくとも表示領域ＤＡの全体に対して形成され、副画素ＳＰ１だけでなく副画素ＳＰ２，ＳＰ３にも配置されている。有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１およびキャップ層ＣＰ１は、オーバーハング状の隔壁６によって分断される。

なお、図１９は図３と同様の断面であり、図１９中の隔壁６はいずれも図２に示した第２隔壁６ｙに相当する。図１９の例においては、上電極ＵＥ１がこれら第２隔壁６ｙの下部６１の側面に接触している。他の例として、上電極ＵＥ１が一方の第２隔壁６ｙの下部６１に接触していなくてもよい。

図５に示したように、上電極ＵＥ１は、副画素ＳＰ１に隣接する第１隔壁６ｘの少なくとも一方の側面ＳＦ１に接触する。
図２０は、このような副画素ＳＰ１の構造を得るための蒸着方法を示す模式図である。ここでは一例として、上電極ＵＥ１が蒸着源１００のノズルＮからの蒸着材料Ｍによって形成される様子を示している。蒸着源１００と蒸着対象の基板は、例えば第２方向Ｙと平行な搬送方向ＴＤに沿って相対的に移動される。

蒸着材料Ｍは、ノズルＮから拡がりをもって放射される。蒸着材料Ｍの放射方向ＲＤ（あるいはノズルＮの延出方向）は、図２０中右方の隔壁６（コンタクトホールＣＨ１と重なる第１隔壁６ｘ）を向くように第３方向Ｚに対して傾斜している。そのため、蒸着材料Ｍが当該右方の隔壁６の側面ＳＦ１に良好に付着する。一方で、図２０中左方の隔壁６の側面ＳＦ１に向かう蒸着材料Ｍは上部６２によって遮られるため、この側面ＳＦ１には蒸着材料Ｍが付着しにくい。

なお、有機層ＯＲ１およびキャップ層ＣＰ１も同様の蒸着方法で形成される。したがって、有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１およびキャップ層ＣＰ１は、図５に示したように、Ｙ－Ｚ断面においては副画素ＳＰ１内で片寄って配置される。

図２０の蒸着方法を用いれば、上電極ＵＥ１が一方の隔壁６の側面ＳＦ１に良好に付着する。そのため、上電極ＵＥ１と隔壁６の安定した導通を確保することができる。

図９のフローチャートにおいて、工程ＰＲ５の後、有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、キャップ層ＣＰ１および封止層ＳＥ１がパターニングされる（工程ＰＲ６）。このパターニングにおいては、図２１に示すように、封止層ＳＥ１の上にレジストＲ２が配置される。レジストＲ２は、副画素ＳＰ１とその周囲の隔壁６の一部を覆っている。

その後、レジストＲ２をマスクとしたエッチングにより、図２２に示すように有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、キャップ層ＣＰ１および封止層ＳＥ１のうちレジストＲ２から露出した部分が除去される。例えば、当該エッチングは、封止層ＳＥ１、キャップ層ＣＰ１、上電極ＵＥ１および有機層ＯＲ１に対して順に実施されるウェットエッチングやドライエッチングを含む。

図２２に示した工程の後、レジストＲ２が除去される。これにより、図２３に示すように、副画素ＳＰ１に表示素子ＤＥ１および封止層ＳＥ１が形成され、副画素ＳＰ２，ＳＰ３に表示素子や封止層が形成されていない基板を得ることができる。

表示素子ＤＥ２は、表示素子ＤＥ１と同様の手順で形成される。すなわち、工程ＰＲ６の後、画素開口ＡＰ２を通じて下電極ＬＥ２に接触する有機層ＯＲ２、有機層ＯＲ２を覆う上電極ＵＥ２、上電極ＵＥ２を覆うキャップ層ＣＰ２が蒸着によって順に形成されるとともに、キャップ層ＣＰ２や隔壁６を連続的に覆う封止層ＳＥ２がＣＶＤによって形成される（工程ＰＲ７）。これら有機層ＯＲ２、上電極ＵＥ２、キャップ層ＣＰ２および封止層ＳＥ２は、少なくとも表示領域ＤＡの全体に対して形成され、副画素ＳＰ２だけでなく副画素ＳＰ１，ＳＰ３にも配置される。

有機層ＯＲ２、上電極ＵＥ２およびキャップ層ＣＰ２の蒸着方法は、図２０を用いて説明した方法と同様である。ただし、蒸着源１００を傾ける方向は、図２０の例とは反対である。これにより、Ｙ－Ｚ断面においては、図６に示したものと同様の構造を得ることができる。

工程ＰＲ７の後、有機層ＯＲ２、上電極ＵＥ２、キャップ層ＣＰ２および封止層ＳＥ２がウェットエッチングやドライエッチングによりパターニングされる（工程ＰＲ８）。このパターニングの流れは工程ＰＲ６と同様である。

工程ＰＲ８を経ると、図２４に示すように、副画素ＳＰ１に表示素子ＤＥ１および封止層ＳＥ１が形成され、副画素ＳＰ２に表示素子ＤＥ２および封止層ＳＥ２が形成され、副画素ＳＰ３に表示素子や封止層が形成されていない基板を得ることができる。

表示素子ＤＥ３は、表示素子ＤＥ１，ＤＥ２と同様の手順で形成される。すなわち、工程ＰＲ８の後、画素開口ＡＰ３を通じて下電極ＬＥ３に接触する有機層ＯＲ３、有機層ＯＲ３を覆う上電極ＵＥ３、上電極ＵＥ３を覆うキャップ層ＣＰ３が蒸着によって順に形成されるとともに、キャップ層ＣＰ３や隔壁６を連続的に覆う封止層ＳＥ３がＣＶＤによって形成される（工程ＰＲ９）。これら有機層ＯＲ３、上電極ＵＥ３、キャップ層ＣＰ３および封止層ＳＥ３は、少なくとも表示領域ＤＡの全体に対して形成され、副画素ＳＰ３だけでなく副画素ＳＰ１，ＳＰ２にも配置される。

有機層ＯＲ３、上電極ＵＥ３およびキャップ層ＣＰ３の蒸着方法は、図２０を用いて説明した方法と同様である。これにより、Ｙ－Ｚ断面においては、図７に示したものと同様の構造を得ることができる。

工程ＰＲ９の後、有機層ＯＲ３、上電極ＵＥ３、キャップ層ＣＰ３および封止層ＳＥ３がウェットエッチングやドライエッチングによりパターニングされる（工程ＰＲ１０）。このパターニングの流れは工程ＰＲ６，Ｐ８と同様である。

工程ＰＲ１０を経ると、図２５に示すように、副画素ＳＰ１に表示素子ＤＥ１および封止層ＳＥ１が形成され、副画素ＳＰ２に表示素子ＤＥ２および封止層ＳＥ２が形成され、副画素ＳＰ３に表示素子ＤＥ３および封止層ＳＥ３が形成された基板を得ることができる。

表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３および封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３が形成された後、図３に示した樹脂層１３、封止層１４および樹脂層１５が順に形成される（工程ＰＲ１１）。これにより、表示装置ＤＳＰが完成する。

ここで、本実施形態が奏する効果の一例について説明する。
図２６は、本実施形態との比較例を示す断面図であり、副画素ＳＰ２とその近傍の隔壁６に対して上電極ＵＥ２を形成する工程を表している。この比較例においては、隔壁６の下部６１が図５に示した第１部分Ｐ１と同様の構成を有している。すなわち、当該隔壁６の第１金属層６３は、第１層６３１を有し、第２層６３２および第３層６３３を有していない。

上述の通り、有機層ＯＲ２は、有機層ＯＲ１に比べて厚く形成される。そのため、隔壁６の近傍においては、上部６２と有機層ＯＲ２の距離Ｄが小さい。特に、有機層ＯＲ２の厚さＴ２と隔壁６の高さＨの差が小さい場合には、距離Ｄが大幅に小さくなり得る。

距離Ｄが小さすぎると、上電極ＵＥ２を蒸着する際に、蒸着材料Ｍが上部６２の下方の空間Ｓに入り込みにくい。そのため、上電極ＵＥ２が側面ＳＦ２に十分に接触せず、上電極ＵＥ２と隔壁６の導通不良を生じる可能性がある。

これに対し、本実施形態においては、厚い有機層ＯＲ２が形成される副画素ＳＰ２を囲う隔壁６が第２部分Ｐ２を有している。第２部分Ｐ２は、第１部分Ｐ１に比べて高いため、距離Ｄを大きく確保することができる。これにより、蒸着材料Ｍが空間Ｓに入り込みやすくなり、側面ＳＦ２に良好に接触した上電極ＵＥ２を形成することができる。

なお、有機層ＯＲ３に関しては、有機層ＯＲ２よりもさらに厚く形成されるため、上述の距離Ｄが小さくなる課題がより顕著となる。これに対し、本実施形態においては副画素ＳＰ３を囲う隔壁６が第２部分Ｐ２よりもさらに高い第３部分Ｐ３を有している。そのため、第３部分Ｐ３の側面ＳＦ３に良好に接触した上電極ＵＥ３を形成することができる。

本実施形態に係る構成は、製造工程に要する時間を短くする際に有利である。例えば、隔壁６の下部６１の厚さを薄くすれば、その分、下部６１を含む隔壁６を形成する工程時間を短縮できる。一例では、隔壁６の下部６１の厚さ５００ｎｍ以下に抑える場合であっても、本実施形態の構成を適用することにより、製造工程に要する時間を短くしつつ上電極ＵＥ２，ＵＥ３と隔壁６の良好な導通を確保可能である。

以上のように、本実施形態の構成によれば、上電極ＵＥ２，ＵＥ３と隔壁６の導通不良が抑制されるので、表示装置ＤＳＰの製造工程の歩留まりが向上する。その他にも、本実施形態からは種々の好適な効果を得ることができる。

なお、本実施形態においては、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３に対し、それぞれ高さが異なる第１部分Ｐ１，第２部分Ｐ２および第３部分Ｐ３を設ける場合を想定した。他の例として、隔壁６のうち副画素ＳＰ１，ＳＰ２を囲う部分の高さを同じとし、副画素ＳＰ３を囲う部分に限り高さを増してもよい。また、隔壁６のうち副画素ＳＰ２，ＳＰ３を囲う部分の高さを同じとしてもよい。

［第２実施形態］
第２実施形態について説明する。本実施形態に係る表示装置ＤＳＰの構成のうち、特に言及しない部分については第１実施形態と同様のものを適用できる。

図２７は、本実施形態に係る表示装置ＤＳＰにおける副画素ＳＰ１とその周囲の隔壁６（第１隔壁６ｘ）の一部を示す概略的な断面図である。図２８は、本実施形態に係る表示装置ＤＳＰにおける副画素ＳＰ２とその周囲の隔壁６（第１隔壁６ｘ）の一部を示す概略的な断面図である。図２９は、本実施形態に係る表示装置ＤＳＰにおける副画素ＳＰ３とその周囲の隔壁６（第１隔壁６ｘ）の一部を示す概略的な断面図である。これら断面図は、いずれもＹ－Ｚ平面に沿うものである。また、図２７乃至図２９においては、基板１０、回路層１１、有機絶縁層１２、樹脂層１３、封止層１４および樹脂層１５を省略している。

本実施形態に係る表示装置ＤＳＰにおいて、隔壁６は、第１実施形態と同様に、高さＨ１を有する第１部分Ｐ１と、高さＨ２を有する第２部分Ｐ２と、高さＨ３を有する第３部分Ｐ３とを含む。第１部分Ｐ１、第２部分Ｐ２および第３部分Ｐ３は、例えば図４に示した平面形状を有しているが、この例に限られない。

図２７に示す副画素ＳＰ１および第１部分Ｐ１の構成は、図５に示したものと同様である。一方で、図２８および図２９に示すように、第２部分Ｐ２および第３部分Ｐ３の第１金属層６３は、第１部分Ｐ１の第１金属層６３と同じ厚さを有している。すなわち、第１部分Ｐ１、第２部分Ｐ２および第３部分Ｐ３の厚さが同等である。

本実施形態において、第１部分Ｐ１、第２部分Ｐ２および第３部分Ｐ３の高さの相違は、主に図２８および図２９に示す嵩上げ層７によって実現されている。嵩上げ層７は、第２部分Ｐ２、第３部分Ｐ３およびリブ５の下方に位置している。図２８および図２９の例においては、下電極ＬＥ２，ＬＥ３の端部が嵩上げ層７とリブ５の間に位置している。

嵩上げ層７は、第２部分Ｐ２の下方において厚さＴａを有し、第３部分Ｐ３の下方において厚さＴｂを有している。厚さＴｂは、厚さＴａよりも大きい（Ｔａ＜Ｔｂ）。図２７の例においては、第１部分Ｐ１の下方に嵩上げ層７が配置されていない。他の例として、第１部分Ｐ１の下方に厚さＴａ，Ｔｂよりも小さい厚さを有する嵩上げ層７が配置されてもよい。

リブ５の上面は、第１部分Ｐ１が配置される領域Ａ１と、第２部分Ｐ２が配置される領域Ａ２と、第３部分Ｐ３が配置される領域Ａ３とを有している。領域Ａ２，Ａ３の下方には嵩上げ層７が配置されているため、これら領域Ａ２，Ａ３は領域Ａ１に比べて第３方向Ｚに高い位置に形成されている。さらに、嵩上げ層７が領域Ａ３の下方において厚いため、領域Ａ３は領域Ａ２に比べて第３方向Ｚに高い位置に形成されている。このような領域Ａ１，Ａ２，Ａ３の高さの相違により、第１部分Ｐ１、第２部分Ｐ２および第３部分Ｐ３の高さＨ１，Ｈ２，Ｈ３の間には、第１実施形態と同じくＨ１＜Ｈ２＜Ｈ３の関係が成立する。

図２８および図２９に示すように、領域Ａ２，Ａ３の境界において、リブ５の上面に段差ＳＴ１が形成されている。また、第２部分Ｐ２と第３部分Ｐ３の境界において、上部６２の上面に段差ＳＴ２が形成されている。図２７乃至図２９の断面には表れていないが、領域Ａ１と領域Ａ２の境界、領域Ａ１と領域Ａ３の境界、第１部分Ｐ１と第２部分Ｐ２の境界、および、第１部分Ｐ１と第３部分Ｐ３の境界においても同様の段差が生じる。

嵩上げ層７が配置されたことにより、第２部分Ｐ２と画素開口ＡＰ２の間のリブ５の上面には、画素開口ＡＰ２に向けて下降する傾斜面Ｆａが形成される。さらに、第３部分Ｐ３と画素開口ＡＰ３の間のリブ５の上面には、画素開口ＡＰ３に向けて下降する傾斜面Ｆｂが形成される。第３部分Ｐ３の下方の嵩上げ層７が厚いことから、傾斜面Ｆｂは、傾斜面Ｆａよりも急な角度で傾いている。例えば、傾斜面Ｆａは、第２部分Ｐ２における上部６２と第３方向Ｚに重なっている。また、傾斜面Ｆｂは、第３部分Ｐ３における上部６２と第３方向Ｚに重なっている。

傾斜面Ｆａが形成されると、その上に厚い有機層ＯＲ２が配置されたとしても、有機層ＯＲ２と上部６２の間の距離が大きくなる。同様に、傾斜面Ｆｂが形成されると、その上に厚い有機層ＯＲ３が配置されたとしても、有機層ＯＲ３と上部６２の間の距離が大きくなる。そのため、第１実施形態と同じく、側面ＳＦ２，ＳＦ３に対してそれぞれ良好に接触した上電極ＵＥ２，ＵＥ３を蒸着によって形成することができる。

例えば、嵩上げ層７は、図３に示した有機絶縁層１２の上に配置されている。このような嵩上げ層７は、有機絶縁層１２と同様の絶縁性の有機材料、あるいはリブ５と同様の絶縁性の無機材料で形成することができる。

例えば、厚さＴａの部分と厚さＴｂの部分は、嵩上げ層７をパターニングするためのフォトリソグラフィ工程において、レジストの露光にハーフトーンマスクを用いることで形成されてもよい。他の例として、嵩上げ層７が積層構造を有し、積層される絶縁層の数を部分的に異ならせることで、厚さＴａの部分と厚さＴｂの部分が形成されてもよい。

また、嵩上げ層７は、有機絶縁層１２の一部であってもよい。すなわち、有機絶縁層１２を形成するためのフォトリソグラフィ工程において、レジストの露光にマルチトーンマスクを用いることで、嵩上げ層７がない部分と、厚さＴａの部分と、厚さＴｂの部分とが形成されてもよい。

本実施形態の構成は、第１実施形態の構成と組み合わせることができる。すなわち、第１部分Ｐ１、第２部分Ｐ２および第３部分Ｐ３の高さの相違は、嵩上げ層７と、第１金属層６３の厚さの相違とによって実現されてもよい。

［第３実施形態］
第３実施形態について説明する。本実施形態に係る表示装置ＤＳＰの構成のうち、特に言及しない部分については第１実施形態または第２実施形態と同様のものを適用できる。

図３０は、本実施形態に係る表示装置ＤＳＰにおける副画素ＳＰ２，ＳＰ３とその間の隔壁６（第１隔壁６ｘ）の一部を示す概略的な断面図である。本実施形態においては、第１部分Ｐ１、第２部分Ｐ２および第３部分Ｐ３の区別なく、隔壁６の高さが一様である。ただし、上部６２は、第１実施形態および第２実施形態において図示したものよりも厚く形成されている。

下部６１は厚さＴｃを有し、上部６２は厚さＴｄを有している。厚さＴｄは、厚さＴｃの３０％以上かつ１００％以下であることが好ましい。一例では、厚さＴｃは３００ｎｍ以上かつ５００ｎｍ以下であり、厚さＴｄは１５０ｎｍ以上かつ３００ｎｍ以下である。

有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３を蒸着する際には、図２０にも示したように蒸着材料が蒸着源から拡がりをもって放射される。そのため、隔壁６の近傍には、上部６２の影となって蒸着材料の付着量が低減した影領域ＳＨが形成される。影領域ＳＨにおいては、有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３の厚さが隔壁６に近づくに連れて減少する。

上部６２を厚く形成することで、この影領域ＳＨの幅が拡がる。そのため、例えば厚い有機層ＯＲ２，ＯＲ３が形成されたとしても、有機層ＯＲ２，ＯＲ３の影領域ＳＨと上部６２の間の距離が大きくなる。これにより、第１および第２実施形態と同じく、側面ＳＦ２，ＳＦ３に対してそれぞれ良好に接触した上電極ＵＥ２，ＵＥ３を形成することができる。

本実施形態の構成は、第１および第２実施形態の構成と組み合わせることができる。すなわち、隔壁６が高さの異なる第１部分Ｐ１、第２部分Ｐ２および第３部分Ｐ３を有するとともに、これらの部分における上部６２が厚く形成されてもよい。

以上、本発明の実施形態として説明した表示装置およびその製造方法を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての表示装置およびその製造方法も、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に属する。

本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変形例に想到し得るものであり、それら変形例についても本発明の範囲に属するものと解される。例えば、上述の各実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除、もしくは設計変更を行ったもの、または、工程の追加、省略もしくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。

また、上述の各実施形態において述べた態様によりもたらされる他の作用効果について、本明細書の記載から明らかなもの、または当業者において適宜想到し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。

ＤＳＰ…表示装置、ＤＡ…表示領域、ＰＸ…画素、ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３…副画素、ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３…下電極、ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３…有機層、ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３…上電極、ＣＰ１，ＣＰ２，ＣＰ３…キャップ層、ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３…封止層、ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３…表示素子、５…リブ、６…隔壁、６１…隔壁の下部、６２…隔壁の上部、６３…第１金属層、６４…第２金属層、６３１…第１層、６３２…第２層、６３３…第３層、Ｐ１…隔壁の第１部分、Ｐ２…隔壁の第２部分、Ｐ３…隔壁の第３部分、７…嵩上げ層。

Claims (10)

1. 第１下電極と、
   第２下電極と、
   前記第１下電極と重なる第１画素開口および前記第２下電極と重なる第２画素開口を有するリブと、
   前記第１画素開口を通じて前記第１下電極を覆い、電圧の印加に応じて発光する第１有機層と、
   前記第２画素開口を通じて前記第２下電極を覆い、電圧の印加に応じて発光する第２有機層と、
   前記第１有機層を覆う第１上電極と、
   前記第２有機層を覆う第２上電極と、
   前記第１画素開口と前記第２画素開口の間において前記リブの上に配置された下部および前記下部の側面から突出した上部を含む隔壁と、
   を備え、
   前記隔壁は、前記第１画素開口側の第１部分と、前記第２画素開口側の第２部分と、を有し、
   前記第１画素開口と重なる前記第１下電極の上面から前記第１部分の上面までの第１高さと、前記第２画素開口と重なる前記第２下電極の上面から前記第２部分の上面までの第２高さとが異なる、
   表示装置。
2. 前記第２有機層は、前記第１有機層よりも厚く、
   前記第２高さは、前記第１高さよりも大きい、
   請求項１に記載の表示装置。
3. 前記第１上電極は、前記第１部分に含まれる前記下部の第１側面に接触し、
   前記第２上電極は、前記第２部分に含まれる前記下部の第２側面に接触している、
   請求項１に記載の表示装置。
4. 前記第１部分と前記第２部分の境界において、前記上部に段差が形成されている、
   請求項１に記載の表示装置。
5. 前記第１部分と前記第２部分において、前記下部の厚さが異なる、
   請求項１に記載の表示装置。
6. 前記下部は、第１金属層と、前記第１金属層と異なる金属材料で前記第１金属層の上に配置された第２金属層と、を含み、
   前記第１部分と前記第２部分において、前記第１金属層の厚さが異なる、
   請求項５に記載の表示装置。
7. 前記第２部分および前記リブの下方に位置する嵩上げ層をさらに備え、
   前記リブの上面は、前記第１部分が配置される第１領域と、前記第２部分が配置される第２領域とを有し、
   前記嵩上げ層により、前記第２領域が前記第１領域よりも高い位置に形成されている、
   請求項１に記載の表示装置。
8. 前記嵩上げ層により、前記第２部分と前記第２画素開口の間の前記リブの上面に前記第２画素開口に向けて下降する傾斜面が形成されている、
   請求項７に記載の表示装置。
9. 前記第１部分は、前記第１画素開口を囲い、
   前記第２部分は、前記第２画素開口を囲う、
   請求項１乃至８のうちいずれか１項に記載の表示装置。
10. 第３下電極と、
    前記リブが有する第３画素開口を通じて前記第３下電極を覆い、電圧の印加に応じて発光する第３有機層と、
    前記第３有機層を覆う第３上電極と、
    をさらに備え、
    前記隔壁は、前記第３画素開口を囲う第３部分をさらに有し、
    前記第３画素開口と重なる前記第３下電極の上面から前記第３部分の上面までの第３高さは、前記第１高さおよび前記第２高さと異なる、
    請求項９に記載の表示装置。

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