CN117596983A - 显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种显示装置，其具备：下电极；具有与所述下电极重叠的像素开口的肋部；包含配置在所述肋部之上的下部以及从所述下部的侧面突出的上部的隔壁；通过施加电压而发光的有机层，其从所述像素开口通过而覆盖所述下电极；以及覆盖所述有机层、并且与所述下部的侧面接触的上电极。所述肋部具有包围所述像素开口、并且随着接近所述像素开口而厚度减少的锥形部。所述有机层具有位于所述肋部之上的端部、以及随着接近所述端部而厚度减少的厚度减少部。而且，所述厚度减少部覆盖了所述锥形部的至少一部分。
Description
参照关联申请
本申请主张基于在2022年8月19日提出的日本专利申请第2022-131126号的优先权，将该日本专利申请记载的所有记载内容援引至此。
技术领域
本发明的实施方式涉及显示装置。
背景技术
近年来，作为显示元件而应用了有机发光二极管(OLED)的显示装置实现实用化。该显示元件具备下电极、覆盖下电极的有机层、以及覆盖有机层的上电极。
在制造上述这种显示装置时，需要提高制造工序的成品率的技术。
发明内容
总的来说，根据实施方式，显示装置具备：下电极；具有与所述下电极重叠的像素开口的肋部；包含配置在所述肋部之上的下部以及从所述下部的侧面突出的上部的隔壁；通过施加电压而发光的有机层，其从所述像素开口通过而覆盖所述下电极；以及覆盖所述有机层并且与所述下部的侧面接触的上电极。所述肋部具有包围所述像素开口、并且随着接近所述像素开口而厚度减少的锥形部。所述有机层具有位于所述肋部之上的端部、以及随着接近所述端部而厚度减少的厚度减少部。而且，所述厚度减少部覆盖了所述锥形部的至少一部分。
根据实施方式的另一观点，显示装置具备：第1下电极；第2下电极；具有与所述第1下电极重叠的第1像素开口以及与所述第2下电极重叠的第2像素开口的肋部；隔壁，其包含在所述第1像素开口与所述第2像素开口之间配置在所述肋部之上的下部以及从所述下部的侧面突出的上部；通过施加电压而发光的第1有机层，其从所述第1像素开口通过而覆盖所述第1下电极；通过施加电压而发光的第2有机层，其从所述第2像素开口通过而覆盖所述第2下电极；覆盖所述第1有机层并且与所述下部的第1侧面接触的第1上电极；以及覆盖所述第2有机层并且与所述下部的第2侧面接触的第2上电极。而且，所述第1侧面与所述第1像素开口之间的第1距离和所述第2侧面与所述第2像素开口之间的第2距离不同。
根据实施方式的又一观点，显示装置具备：第1下电极；第2下电极；具有与所述第1下电极重叠的第1像素开口以及与所述第2下电极重叠的第2像素开口的肋部；隔壁，其包含在所述第1像素开口与所述第2像素开口之间配置在所述肋部之上的下部以及从所述下部的侧面突出的上部；通过施加电压而发光的第1有机层，其从所述第1像素开口通过而覆盖所述第1下电极；通过施加电压而发光的第2有机层，其从所述第2像素开口通过而覆盖所述第2下电极；覆盖所述第1有机层并且与所述下部的第1侧面接触的第1上电极；以及覆盖所述第2有机层并且与所述下部的第2侧面接触的第2上电极。所述第1侧面与所述第1像素开口之间的第1距离比所述第2侧面与所述第2像素开口之间的第2距离大。
根据这些构成，能够提供能够提高制造工序的成品率的显示装置。
附图说明
图1是示出第1实施方式的显示装置的构成例的图。
图2是示出子像素的布局的一例的图。
图3是沿着图2中的III-III线的显示装置的概略性剖视图。
图4是肋部以及隔壁的概略性平面图。
图5是沿着图4中的V-V线的显示装置的概略性剖视图。
图6是沿着图4中的VI-VI线的显示装置的概略性剖视图。
图7是沿着图4中的VII-VII线的显示装置的概略性剖视图。
图8是示出可应用于子像素的构造的另一例的概略性剖视图。
图9是示出显示装置的制造方法的一例的流程图。
图10是示出显示装置的制造工序的一部分的概略性剖视图。
图11是示出接在图10之后的制造工序的概略性剖视图。
图12是示出上电极等的蒸镀方法的示意图。
图13是示出接在图11之后的制造工序的概略性剖视图。
图14是示出接在图13之后的制造工序的概略性剖视图。
图15是示出接在图14之后的制造工序的概略性剖视图。
图16是示出接在图15之后的制造工序的概略性剖视图。
图17是示出接在图16之后的制造工序的概略性剖视图。
图18是示出与实施方式比较的比较例的剖视图。
图19是第2实施方式中的肋部以及隔壁的下部的概略性平面图。
具体实施方式
参照附图说明几种实施方式。
本公开只不过为一例，本领域技术人员容易想到的保持发明的主旨的适当变更当然包含在本发明的范围内。另外，为了使说明更明确，与实际的形态相比，有时示意性示出附图各部分的宽度、厚度、形状等，但只不过为一例，不限定本发明的解释。另外，在本说明书和各图中，对与关于已经出现的图说明的构成要素发挥相同或者类似的功能的构成要素标注相同的附图标记，有时适当省略重复的详细说明。
此外，根据需要，为了易于理解，记载了彼此正交的X轴、Y轴以及Z轴。将沿着X轴的方向称为第1方向X，将沿着Y轴的方向称为第2方向Y，将沿着Z轴的方向称为第3方向Z。将与第3方向Z平行地观察各种要素称为俯视。
各实施方式的显示装置为作为显示元件而具备有机发光二极管(OLED)的有机电致发光显示装置，可搭载于电视机、个人计算机、车载设备、车载设备、智能手机、便携电话等。
[第1实施方式]
图1是示出第1实施方式的显示装置DSP的构成例的图。显示装置DSP在绝缘性的基板10之上具有显示图像的显示区域DA、以及显示区域DA的周边的周边区域SA。基板10可以为玻璃，也可以为具有挠性的树脂薄膜。
在本实施方式中，俯视下的基板10的形状为长方形。但基板10的俯视下的形状不限于长方形，也可以为正方形、圆形或者椭圆形等的其他形状。
显示区域DA具备在第1方向X以及第2方向Y上呈矩阵状排列的多个像素PX。像素PX包括多个子像素SP。在一例中，像素PX包括蓝色的子像素SP1、绿色的子像素SP2以及红色的子像素SP3。此外，像素PX可以一并包含子像素SP1、SP2、SP3以及白色等其他颜色的子像素SP，或者可以取代子像素SP1、SP2、SP3的某一个而包括白色等其他颜色的子像素SP。
子像素SP具备像素电路1、以及由像素电路1驱动的显示元件DE。像素电路1具备像素开关2、驱动晶体管3以及电容4。像素开关2以及驱动晶体管3例如为由薄膜晶体管构成的开关元件。
像素开关2的栅极电极连接于扫描线GL。像素开关2的源极电极以及漏极电极的一方连接于信号线SL，另一方连接于驱动晶体管3的栅极电极以及电容4。在驱动晶体管3中，源极电极以及漏极电极的一方连接于电源线PL以及电容4，另一方连接于显示元件DE。显示元件DE为作为发光元件的有机发光二极管(OLED)。
此外，像素电路1的构成不限于图示的例子。例如，像素电路1也可以具备更多的薄膜晶体管以及电容。
图2是示出子像素SP1、SP2、SP3的布局的一例的图。在图2的例子中，子像素SP1与子像素SP2在子像素SP1与子像素SP2在第1方向X上排列。而且，子像素SP1与子像素SP3也在第1方向X上排列。而且，子像素SP2与子像素SP3在第2方向Y上排列。
在子像素SP1、SP2、SP3为这种布局的情况下，在显示区域DA形成有子像素SP2、SP3在第2方向Y上交替配置的列、以及多个子像素SP1在第2方向Y上反复配置的列。这些列在第1方向X上交替排列。
此外，子像素SP1、SP2、SP3的布局不限于图2的例子。作为另一例，也可以为各像素PX中的子像素SP1、SP2、SP3在第1方向X上按该顺序排列。
在显示区域DA配置有肋部5以及隔壁6。肋部5在子像素SP1中具有像素开口AP1，在子像素SP2中具有像素开口AP2，在子像素SP3中具有像素开口AP3。
在图2的例子中，像素开口AP1的面积比像素开口AP2的面积大。像素开口AP1的面积比像素开口AP3的面积大。而且，像素开口AP3的面积比像素开口AP2的面积小。
隔壁6配置在相邻的子像素SP的边界，在俯视下与肋部5重叠。隔壁6具备沿第1方向X延伸的多个第1隔壁6x、以及沿第2方向Y延伸的多个第2隔壁6y。多个第1隔壁6x分别配置于在第2方向Y上相邻的像素开口AP2、AP3之间、以及在第2方向Y上相邻的两个像素开口AP1之间。第2隔壁6y分别配置于在第1方向X上相邻的像素开口AP1、AP2之间、以及在第1方向X上相邻的像素开口AP1、AP3之间。
在图2的例子中，第1隔壁6x以及第2隔壁6y彼此连接在一起。由此，隔壁6整体上为包围像素开口AP1、AP2、AP3的格子状。隔壁6也能够设为与肋部5同样地，在子像素SP1、SP2、SP3中具有开口。
子像素SP1具备与像素开口AP1分别重叠的下电极LE1、上电极UE1以及有机层OR1。子像素SP2具备与像素开口AP2分别重叠的下电极LE2、上电极UE2以及有机层OR2。子像素SP3具备与像素开口AP3分别重叠的下电极LE3、上电极UE3以及有机层OR3。
下电极LE1、上电极UE1以及有机层OR1构成子像素SP1的显示元件DE1。下电极LE2、上电极UE2以及有机层OR2构成子像素SP2的显示元件DE2。下电极LE3、上电极UE3以及有机层OR3构成子像素SP3的显示元件DE3。显示元件DE1、DE2、DE3也可以包含后述的盖层。
下电极LE1从接触孔CH1通过而连接于子像素SP1的像素电路1(参照图1)。下电极LE2从接触孔CH2通过而连接于子像素SP2的像素电路1。下电极LE3从接触孔CH3通过而连接于子像素SP3的像素电路1。
在图2的例子中，接触孔CH2、CH3与在第2方向Y上相邻的像素开口AP2、AP3之间的第1隔壁6x在整体上重叠。另外，接触孔CH1与在第2方向Y上相邻的两个像素开口AP1之间的第1隔壁6x在整体上重叠。作为另一例，也可以为接触孔CH1、CH2、CH3的至少一部分不与第1隔壁6x重叠。
图3是沿着图2中的III-III线的显示装置DSP的概略性剖视图。在上述基板10之上配置有电路层11。电路层11包括图1示出的像素电路1、扫描线GL、信号线SL以及电源线PL等各种电路或布线。
电路层11由有机绝缘层12覆盖。有机绝缘层12作为将因电路层11形成的凹凸平坦化的平坦化膜发挥作用。虽然在图3的剖面中未示出，但上述接触孔CH1、CH2、CH3均设在有机绝缘层12。
下电极LE1、LE2、LE3配置在有机绝缘层12之上。肋部5配置在有机绝缘层12以及下电极LE1、LE2、LE3之上。下电极LE1、LE2、LE3的端部由肋部5覆盖。
隔壁6包括配置在肋部5之上的具有导电性的下部61、以及配置在下部61之上的上部62。上部62具有比下部61大的宽度。由此，在图3中，上部62的两端部与下部61的侧面相比更突出。这种隔壁6的形状被称为悬垂状。
有机层OR1从像素开口AP1通过而覆盖下电极LE1。上电极UE1覆盖有机层OR1，与下电极LE1相对置。有机层OR2从像素开口AP2通过而覆盖下电极LE2。上电极UE2覆盖有机层OR2，与下电极LE2相对置。有机层OR3从像素开口AP3通过而覆盖下电极LE3。上电极UE3覆盖有机层OR3，与下电极LE3相对置。
在图3的例子中，在子像素SP1、SP2、SP3分别配置有盖层CP1、CP2、CP3。盖层CP1覆盖上电极UE1。盖层CP2覆盖上电极UE2。盖层CP3覆盖上电极UE3。
而且，在子像素SP1、SP2、SP3分别配置有封固层SE1、SE2、SE3。封固层SE1连续覆盖包围子像素SP1的隔壁6中的靠近子像素SP1的部分、盖层CP1。封固层SE2连续覆盖包围子像素SP2的隔壁6中的靠近子像素SP2的部分、盖层CP2。封固层SE3连续覆盖包围子像素SP3的隔壁6中的靠近子像素SP3的部分、盖层CP3。
有机层OR1、上电极UE1以及盖层CP1的一部分位于上部62之上。该一部分与有机层OR1、上电极UE1以及盖层CP1中的位于肋部5之上的部分分离。同样地，有机层OR2、上电极UE2以及盖层CP2的一部分位于上部62之上，该一部分与有机层OR2、上电极UE2以及盖层CP2中的位于肋部5之上的部分。而且，有机层OR3、上电极UE3以及盖层CP3的一部分位于上部62之上，该一部分与有机层OR3、上电极UE3以及盖层CP3中的位于肋部5之上的部分。
在图3的例子中，子像素SP1、SP2之间的隔壁6上的有机层OR1、上电极UE1、盖层CP1以及封固层SE1、与该隔壁6上的有机层OR2、上电极UE2、盖层CP2以及封固层SE2分离。另外，子像素SP1、SP3之间的隔壁6上的有机层OR1、上电极UE1、盖层CP1以及封固层SE1、与该隔壁6上的有机层OR3、上电极UE3、盖层CP3以及封固层SE3分离。
封固层SE1、SE2、SE3由树脂层13覆盖。树脂层13由封固层14覆盖。而且，封固层14由树脂层15覆盖。
有机绝缘层12以及树脂层13，15由有机材料形成。肋部5、封固层SE1、SE2、SE3以及封固层14例如利用氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)或者氮氧化硅(SiON)等的无机材料形成。
下电极LE1、LE2、LE3具有例如由银(Ag)形成的中间层、以及分别覆盖该中间层的上表面以及下表面的一对导电性氧化物层。各导电性氧化物层例如能够利用ITO(IndiumTin Oxid：氧化铟锡)、IZO(Indium Zinc Oxide：氧化铟锌)或者IGZO(Indium GalliumZinc Oxide：氧化铟镓锌)等的透明的导电性氧化物来形成。
有机层OR1、OR2、OR3例如具有空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层以及电子注入层的层叠构造。有机层OR1、OR2、OR3也可以分别包含多个发光层。
上电极UE1、UE2、UE3例如利用镁和银的合金(MgAg)等的金属材料形成。例如、下电极LE1、LE2、LE3分别相当于显示元件DE1、DE2、DE3的阳极。另外，上电极UE1、UE2、UE3分别相当于显示元件DE1、DE2、DE3的阴极。
盖层CP1、CP2、CP3例如利用透明的多个薄膜的多层体来形成。多层体作为多个薄膜，可以包含由无机材料形成的薄膜以及由有机材料形成的薄膜。另外，这些多个薄膜具有彼此不同的折射率。构成多层体的薄膜的材料与上电极UE1、UE2、UE3的材料不同，另外，与封固层SE1、SE2、SE3的材料也不同。此外，可以省略盖层CP1、CP2、CP3。
向隔壁6供给共用电压。该共用电压被分别供给至与下部61的侧面接触的上电极UE1、UE2、UE3。通过子像素SP1、SP2、SP3分别具有的像素电路1向下电极LE1、LE2、LE3供给像素电压。
有机层OR1、OR2、OR3通过施加电压而发光。具体来说，若在下电极LE1与上电极UE1之间形成电位差，则有机层OR1的发光层发出蓝色的波长范围的光。另外，若在下电极LE2与上电极UE2之间形成电位差，则有机层OR2的发光层发出绿色的波长范围的光。另外，下电极LE3与上电极UE3之间形成电位差，则有机层OR3的发光层发出红色的波长范围的光。
图4是肋部5以及隔壁6的下部61的概略性平面图。下部61具有包围像素开口AP1的侧面SF1、包围像素开口AP2的侧面SF2、包围像素开口AP3的侧面SF3。在以下的说明中，将像素开口AP1与侧面SF1之间的距离定义为D1，将像素开口AP2与侧面SF2之间的距离定义为D2，将像素开口AP3与侧面SF3之间的距离定义为D3。
在本实施方式中，距离D1、D2、D3不同。具体来说，距离D2比距离D1小，距离D3比距离D2小(D1＞D2＞D3)。
在图4的例子中，在像素开口AP1的整周上距离D1固定，在像素开口AP2的整周上距离D2固定，在像素开口AP3的整周上距离D3固定。但不限于该例子，距离D1、D2、D3也可以分别在像素开口AP1、AP2、AP3的周围中局部不同。例如、像素开口AP1与第1隔壁6x的侧面SF1之间的距离可以和像素开口AP1与第2隔壁6y的侧面SF1之间的距离不同。针对像素开口AP2、AP3也能够应用同样的构成。
图5是沿着图4中的V-V线的显示装置DSP的概略性剖视图，示出了子像素SP1和其周围的隔壁6(第1隔壁6x)的一部分。图6是沿着图4中的VI-VI线的显示装置DSP的概略性剖视图，示出为了子像素SP2和其周围的隔壁6(第1隔壁6x)的一部分。图7是沿着图5中的VII-VII线的显示装置DSP的概略性剖视图，示出了子像素SP3和其周围的隔壁6(第1隔壁6x)的一部分。此外，图5～图7的剖面均沿着Y-Z平面。另外，在图5～图7中，省略了基板10、电路层11、有机绝缘层12、树脂层13、封固层14以及树脂层15。
如图5～图7所示，隔壁6的下部61包括第1金属层611以及第2金属层612。第1金属层611配置在肋部5之上。第2金属层612形成得比第1金属层611厚，配置在第1金属层611之上。
第1金属层611例如能够利用钼(Mo)来形成。第2金属层612例如能够利用铝(Al)来形成。第2金属层612可以利用铝-钕(AlNd)等的铝合金来形成，可以具有铝层与铝合金层的层叠构造。另外，下部61也可以不包含第1金属层611。
隔壁6的上部62例如利用钛(Ti)等的金属材料来形成。上部62可以具有金属材料与ITO等的导电性氧化物的层叠构造。另外，上部62可以利用氧化硅等的无机绝缘材料来形成，也可具有无机绝缘材料与ITO等的导电性氧化物的层叠构造。
在图5的例子中，上电极UE1与右方的隔壁6的侧面SF1接触，不与左方的隔壁6的侧面SF1接触。上电极UE1接触的右方的隔壁6在图2中相当于与接触孔CH1重叠的第1隔壁6x。
在图6的例子中，上电极UE2与左方的隔壁6的侧面SF2接触，不与右方的隔壁6的侧面SF2接触。上电极UE2接触的左方的隔壁6在图2中相当于与接触孔CH2重叠的第1隔壁6x。
在图7的例子中，上电极UE3与右方的隔壁6的侧面SF3接触，不与左方的隔壁6的侧面SF3接触。上电极UE3接触的右方的隔壁6在图2中相当于与接触孔CH3重叠的第1隔壁6x。
如图5～图7所示，有机层OR1、OR2、OR3分别具有厚度T1、T2、T3。厚度T1相当于有机层OR1中的与像素开口AP1重叠的部分的厚度。厚度T2相当于有机层OR2中的与像素开口AP2重叠的部分的厚度。厚度T3相当于有机层OR3中的与像素开口AP3重叠的部分的厚度。
在本实施方式中，厚度T1、T2、T3不同。具体来说，厚度T2比厚度T1大，厚度T3比厚度T2大(T1＜T2＜T3)。厚度T1、T2、T3的值根据有机层OR1、OR2、OR3发出的光的波长，以能够实现来自显示元件DE1、DE2、DE3的良好的光获取效率的方式来规定。在一例中，在有机层OR1、OR2、OR3分别发出蓝色、绿色以及红色的波长范围的光的情况下，厚度T1为200±20nm，厚度T2为250±20nm，厚度T3为300±20nm。在有机层OR1、OR2、OR3具有两个发光层的所谓串联构造中也能够应用同样的厚度T1、T2、T3。
在图5的剖面中，有机层OR1的端部E1位于肋部5之上。有机层OR1具有随着接近侧面SF1、端部E1而厚度逐渐减少的厚度减少部SH1。位于上电极UE1以及盖层CP1中的厚度减少部SH1之上的部分的厚度也随着接近侧面SF1而逐渐减少。
另外，肋部5具有随着接近像素开口AP1而厚度逐渐减少的锥形部TP1。厚度减少部SH1以及锥形部TP1在俯视下包围像素开口AP1。
厚度减少部SH1在整体上位于像素开口AP1与侧面SF1之间，其一部分与上部62在第3方向Z上重叠。更具体来说，厚度减少部SH1位于整体上锥形部TP1与侧面SF1之间。即，在图5的例子中，厚度减少部SH1与锥形部TP1在第3方向Z上不重叠。厚度减少部SH1也不与像素开口AP1重叠。
在图6的剖面中，有机层OR2的端部E2位于肋部5之上。有机层OR2具有随着接近侧面SF2、端部E2而厚度逐渐减少的厚度减少部SH2。位于上电极UE2以及盖层CP2中的厚度减少部SH2之上的部分的厚度也随着接近侧面SF2而逐渐减少。
另外，肋部5具有随着接近像素开口AP2而厚度逐渐减少的锥形部TP2。厚度减少部SH2以及锥形部TP2在俯视下包围像素开口AP2。
厚度减少部SH2在整体上位于像素开口AP2与侧面SF2之间，其一部分与上部62在第3方向Z上重叠。即，在图6的例子中，厚度减少部SH2不与像素开口AP2重叠。另一方面，厚度减少部SH2与锥形部TP2局部重叠。
在图7的剖面中，有机层OR3的端部E3位于肋部5之上。有机层OR3具有随着接近侧面SF3、端部E3而厚度逐渐减少的厚度减少部SH3。位于上电极UE3以及盖层CP3中的厚度减少部SH3之上的部分的厚度也随着接近侧面SF3而逐渐减少。
另外，肋部5具有随着接近像素开口AP3而厚度逐渐减少的锥形部TP3。厚度减少部SH3以及锥形部TP3在俯视下包围像素开口AP3。
厚度减少部SH3在整体上位于像素开口AP3与侧面SF3之间，其一部分与上部62在第3方向Z上重叠。即，在图7的例子中，厚度减少部SH3不与像素开口AP3重叠。另一方面，厚度减少部SH3与锥形部TP3局部重叠。厚度减少部SH3与锥形部TP3重叠的区域的宽度比图6示出的厚度减少部SH2与锥形部TP2重叠的区域的宽度大。
图5～图7示出的厚度减少部SH1、SH2、SH3的宽度分别比锥形部TP1、TP2、TP3的宽度大。例如，锥形部TP1、TP2、TP3的宽度彼此相等。另外，例如，厚度减少部SH1、SH2、SH3的宽度也彼此相等、且比锥形部TP1、TP2、TP3的宽度大。
如上述那样，在本实施方式中，像素开口AP1与侧面SF1之间的距离D1、像素开口AP2与侧面SF2之间的距离D2、以及像素开口AP3与侧面SF3之间的距离D3不同，成立D1＞D2＞D3的关系。厚度减少部SH1与锥形部TP1、厚度减少部SH2与锥形部TP2、厚度减少部SH3与锥形部TP3的重叠程度的差异主要因该距离D1、D2、D3的关系引起。
若有机层OR1中的从像素开口AP1通过而与下电极LE1接触的部分的厚度不均匀，则有机层OR1的发光时会产生亮度不均。因此，厚度减少部SH1像图5的例子那样优选不与像素开口AP1重叠。基于同样的理由，像图6以及图7的例子那样，优选厚度减少部SH2、SH3分别不与像素开口AP2、AP3重叠。
此外，子像素SP1、SP2、SP3的构造不限于图5～图7示出的构造。
图8是示出可应用于子像素SP1的构造的另一例的概略性剖视图。在该例子中，上电极UE1与左右的隔壁6(第1隔壁6x)的侧面SF1接触。
子像素SP2、SP3的构造也可以与图8同样地进行变形。即，上电极UE2可以与图6示出的左右的隔壁6的侧面SF2接触。另外，上电极UE3可以与图7示出的左右的隔壁6的侧面SF3接触。
接下来，说明显示装置DSP的制造方法。
图9是示出显示装置DSP的制造方法的一例的流程图。图10～图17分别是示出显示装置DSP的制造工序的一部分的概略性剖视图。在图10～图17中，省略了基板10以及电路层11等。
在显示装置DSP的制造中，首先在基板10之上形成有电路层11以及有机绝缘层12(工序PR1)。
在工序PR1之后，如图10所示，在有机绝缘层12之上形成有下电极LE1、LE2、LE3(工序PR2)，形成有覆盖下电极LE1、LE2、LE3的肋部5(工序PR3)，在肋部5之上形成有隔壁6(工序PR4)。像素开口AP1、AP2、AP3可以在工序PR4之前形成，也可以在工序PR4之后形成。
在工序PR4之后，实施用于形成显示元件DE1、DE2、DE3的工序。在本实施方式中，假设最初形成显示元件DE1，接下来形成显示元件DE2，最后形成显示元件DE3的情况。但显示元件DE1、DE2、DE3的形成顺序不限于该例子。
在形成显示元件DE1时，首先如图11所示，通过蒸镀按顺序形成从像素开口AP1通过而与下电极LE1接触的有机层OR1、覆盖有机层OR1的上电极UE1、覆盖上电极UE1的盖层CP1，并且通过CVD(Chemical Vapor Deposition：化学气相沉积)形成连续覆盖盖层CP1、隔壁6的封固层SE1(工序PR5)。
这些有机层OR1、上电极UE1、盖层CP1以及封固层SE1至少相对于显示区域DA整体形成，不仅配置于子像素SP1，还配置于子像素SP2、SP3。有机层OR1、上电极UE1以及盖层CP1利用悬垂状的隔壁6隔断。
此外，图11例如为与图3同样的剖面，图11中的隔壁6均相当于图2示出的第2隔壁6y。在图11的例子中，上电极UE1与这些第2隔壁6y的下部61的侧面接触。作为另一例，上电极UE1也可以不与至少一方的第2隔壁6y的下部61接触。
如图5所示，上电极UE1接触与子像素SP1相邻的第1隔壁6x的至少一方的侧面SF1。
图12是示出用于得到这种子像素SP1的构造的蒸镀方法的示意图。在此，作为一例，示出了上电极UE1利用来自蒸镀源100的喷嘴N的蒸镀材料M形成的情形。蒸镀源100与蒸镀对象的基板例如沿着与第2方向Y平行的搬送方向TD相对移动。
蒸镀材料M从喷嘴N扩散射出。蒸镀材料M的射出方向RD(或者喷嘴N的延伸方向)以朝向图12中右方的隔壁6(与接触孔CH1重叠的第1隔壁6x)的方式相对于第3方向Z倾斜。因此，蒸镀材料M良好地附着于该右方的隔壁6的侧面SF1。另一方面，朝向图12中左方的隔壁6的侧面SF1的蒸镀材料M被上部62遮挡，因此，在该侧面SF1不易附着蒸镀材料M。
使用图12的蒸镀方法，使上电极UE1良好地附着于一方的隔壁6的侧面SF1。因此，能够确保上电极UE1与隔壁6的稳定导通。
此外，有机层OR1以及盖层CP1也利用同样的蒸镀方法来形成。因此，有机层OR1、上电极UE1以及盖层CP1如图5所示，在Y-Z剖面中在子像素SP1内靠近配置。
在蒸镀有机层OR1时，产生因上部62或在其上形成的有机层OR1自身遮挡来自蒸镀源100的蒸镀材料M的区域。在这种区域中，有机层OR1变薄，而形成上述的厚度减少部SH1。
在图9的流程图中，在工序P5之后，对有机层OR1、上电极UE1、盖层CP1以及封固层SE1进行图案化(工序PR6)。在该图案化中，如图13所示，在封固层SE1之上配置有抗蚀剂R。抗蚀剂R覆盖了子像素SP1和其周围的隔壁6的一部分。
此后，利用将抗蚀剂R作为掩膜的蚀刻如图14所示，除去有机层OR1、上电极UE1、盖层CP1以及封固层SE1中的从抗蚀剂R露出的部分。例如，该蚀刻包含相对于封固层SE1、盖层CP1、上电极UE1以及有机层OR1按顺序实施的湿法蚀刻或干法蚀刻。
在图14示出的工序之后，除去抗蚀剂R。由此，如图15所示，能够得到在子像素SP1形成有显示元件DE1以及封固层SE1、并在子像素SP2、SP3没有形成显示元件和封固层的基板。
显示元件DE2按照与显示元件DE1同样的顺序来形成。即，在工序PR6之后，通过蒸镀按顺序形成从像素开口AP2通过而与下电极LE2接触的有机层OR2、覆盖有机层OR2的上电极UE2、覆盖上电极UE2的盖层CP2，并且通过CVD形成连续覆盖盖层CP2、隔壁6的封固层SE2(工序PR7)。这些有机层OR2、上电极UE2、盖层CP2以及封固层SE2至少相对于显示区域DA整体形成，不仅配置于子像素SP2，还配置于子像素SP1、SP3。
有机层OR2、上电极UE2以及盖层CP2的蒸镀方法与使用图12说明的方法同样。但倾斜蒸镀源100的方向与图12的例子相反。由此，在Y-Z剖面中，能够得到与图6示出的构造同样的构造。
在工序PR7之后，通过湿法蚀刻或干法蚀刻将有机层OR2、上电极UE2、盖层CP2以及封固层SE2图案化(工序PR8)。该图案化的流程与工序PR6同样。
若经过工序PR8，则如图16所示，能够得到在子像素SP1形成有显示元件DE1以及封固层SE1、在子像素SP2形成有显示元件DE2以及封固层SE2、且在子像素SP3没有形成显示元件和封固层的基板。
显示元件DE3利用与显示元件DE1、DE2同样的顺序来形成。即，在工序PR8之后，通过蒸镀按顺序形成从像素开口AP3通过而与下电极LE3接触的有机层OR3、覆盖有机层OR3的上电极UE3、覆盖上电极UE3的盖层CP3，并且通过CVD形成连续覆盖盖层CP3、隔壁6的封固层SE3(工序PR9)。这些有机层OR3、上电极UE3、盖层CP3以及封固层SE3至少相对于显示区域DA整体形成，不仅配置于子像素SP3，还配置于子像素SP1、SP2。
有机层OR3、上电极UE3以及盖层CP3的蒸镀方法与使用图12说明的方法同样。由此，在Y-Z剖面中，能够得到与图7示出的构造同样的构造。
在工序PR9之后，利用湿法蚀刻或干法蚀刻将有机层OR3、上电极UE3、盖层CP3以及封固层SE3图案化(工序PR10)。该图案化的流程与工序PR6、P8同样。
经过工序PR10，如图17所示，能够得到在子像素SP1形成有显示元件DE1以及封固层SE1、在子像素SP2形成有显示元件DE2以及封固层SE2、且在子像素SP3形成有显示元件DE3以及封固层SE3的基板。
在形成了显示元件DE1、DE2、DE3以及封固层SE1、SE2、SE3之后，按顺序形成图3示出的树脂层13、封固层14以及树脂层15(工序PR11)。由此，显示装置DSP完成。
在此，说明本实施方式发挥的效果的一例。
图18是示出与本实施方式比较的比较例的剖视图，示出了相对于子像素SP2和其附近的隔壁6形成上电极UE2的工序。此外，在该变形例中，厚度减少部SH2全部位于肋部5之上，不与锥形部TP2重叠。因此，在位于肋部5之上的有机层OR2也产生厚度T2的部分。
如上所述，有机层OR2与有机层OR1相比较厚地形成。因此，在隔壁6的附近，上部62与有机层OR2的距离D小。特别是，在有机层OR2的厚度T2与隔壁6的高度H的差小的情况下，距离D大幅度变小。
若距离D过于小，则在蒸镀上电极UE2时，蒸镀材料M不易进入上部62的下方的空间S。因此，上电极UE2没有与侧面SF2充分接触，可能会产生上电极UE2与隔壁6的导通不良。
与之相对地，在本实施方式中，如图6所示，厚度减少部SH2与锥形部TP2重叠。在该情况下，位于肋部5之上的有机层OR2的厚度整体上被减少至小于厚度T2，因此，能够较大地确保距离D。由此，蒸镀材料M易于进入空间S，能够形成与侧面SF2良好接触的上电极UE2。
此外，由于有机层OR3形成得比有机层OR2更厚，所以上述的距离D变小的课题更显著。与之相对地，在本实施方式中，有机层OR3的厚度减少部SH3与锥形部TP3重叠。而且，厚度减少部SH3与锥形部TP3重叠的区域的宽度比厚度减少部SH2与锥形部TP2重叠的区域的宽度大。像这样，通过使厚度减少部SH3与锥形部TP3大幅度重叠，能够在形成上电极UE3时较大地确保距离D，能够形成与隔壁6的侧面SF3良好接触的上电极UE3、
另外，在本实施方式中，使从隔壁6的侧面SF1、SF2、SF3到像素开口AP1、AP2、AP3为止的距离D1、D2、D3不同。由此，能够实现适合各子像素SP1、SP2、SP3的构造。例如，如上所述，若厚度减少部SH1、SH2、SH3与像素开口AP1、AP2、AP3重叠则会产生亮度不均。关于这一点，在本实施方式中，由于距离D1比距离D2大，所以能够在厚度减少部SH1与像素开口AP1之间确保充分的余量。另外，由于距离D2比距离D3大，所以在厚度减少部SH2与像素开口AP2之间也能够确保比厚度减少部SH3与像素开口AP3之间更大的余量。
本实施方式的构成在缩短制造工序所需的时间时是有利的。例如，若减薄隔壁6的下部61的厚度，则相应地能够缩短形成包含下部61在内的隔壁6的工序时间。在一例中，在将隔壁6的下部61的厚度控制在500nm以下的情况下，通过应用本实施方式的构成，也能够缩短制造工序所需的时间并且能够确保上电极UE2、UE3与隔壁6的良好导通。
如以上那样，根据本实施方式的构成，抑制上电极UE2、UE3与隔壁6的导通不良，因此，提高显示装置DSP的制造工序的成品率。除此以外，还能够从本实施方式得到各种各样的有利效果。
[第2实施方式]
说明第2实施方式。针对本实施方式的显示装置DSP的构成中的、没有特别言及的部分能够应用与第1实施方式同样的构成。
图19是本实施方式的显示装置DSP中的肋部5以及隔壁6的下部61的概略性平面图。在本实施方式中，像素开口AP1与侧面SF1之间的距离D1、像素开口AP2与侧面SF2之间的距离D2、像素开口AP3与侧面SF3之间的距离D3相同(D1＝D2＝D3)。
例如、距离D1、D2、D3与第1实施方式中的距离D3同等。在该情况下，子像素SP3的剖面构造与图7的例子同样。另外，子像素SP2的剖面构造也与图6的例子大致同样，但厚度减少部SH2与锥形部TP2重叠的区域的宽度相较于图6的例子变大。关于子像素SP1，在图5的例子中，厚度减少部SH1与锥形部TP1没有重叠，但在本实施方式中，厚度减少部SH1和锥形部TP1与厚度减少部SH3以及锥形部TP3同样地是重叠的。
像这样，在利用适合将下部61与像素开口AP1、AP2、AP3之间的距离形成得最厚的有机层OR3的构成来统一的情况下，也与第1实施方式同样地，能够确保上电极UE1、UE2、UE3与下部61的良好导通。
而且，在本实施方式中，与第1实施方式相比，更大地确保了像素开口AP1、AP2的开口面积。因此，显示元件DE1、DE2中的发光区域变大，子像素SP1、SP2的亮度得到提高。
以上，以作为本发明的实施方式进行了说明的显示装置以及其制造方法为基础，本领域技术人员进行适当设计变更可实施得到的全部显示装置以及其制造方法只要包含本发明的主旨，也属于本发明的范围。
在本发明的思想范畴中，本领域技术人员可想到各种变形例，应理解为这些变形例也属于本发明的范围。例如，本领域技术人员相对于上述各实施方式适当进行构成要素的追加、削除、或设计变更、或者进行工序的追加、省略或条件变更而得到的变形例只要具备本发明的要旨，也包含在本发明的范围内。
另外，针对由在上述各实施方式中说明的形态带来的其他作用效果，从本说明书的记载可明确得出的或者本领域技术人员会适当想到的当然应理解为是由本发明带来的。
Claims (16)
1.一种显示装置，其特征在于，具备：
下电极；
具有与所述下电极重叠的像素开口的肋部；
隔壁，其包含配置在所述肋部之上的下部以及从所述下部的侧面突出的上部；
通过施加电压而发光的有机层，其从所述像素开口通过而覆盖所述下电极；以及
覆盖所述有机层、并且与所述下部的侧面接触的上电极，
所述肋部具有包围所述像素开口、并且随着接近所述像素开口而厚度减少的锥形部，
所述有机层具有位于所述肋部之上的端部、以及随着接近所述端部而厚度减少的厚度减少部，
所述厚度减少部覆盖了所述锥形部的至少一部分。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
所述厚度减少部在整体上位于所述像素开口与所述下部之间。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
所述厚度减少部的宽度比所述锥形部的宽度大。
4.一种显示装置，其特征在于，具备：
第1下电极；
第2下电极；
具有与所述第1下电极重叠的第1像素开口以及与所述第2下电极重叠的第2像素开口的肋部；
隔壁，其包含在所述第1像素开口与所述第2像素开口之间配置在所述肋部之上的下部以及从所述下部的侧面突出的上部；
通过施加电压而发光的第1有机层，其从所述第1像素开口通过而覆盖所述第1下电极；
通过施加电压而发光的第2有机层，其从所述第2像素开口通过而覆盖所述第2下电极；
覆盖所述第1有机层、并且与所述下部的第1侧面接触的第1上电极；以及
覆盖所述第2有机层、并且与所述下部的第2侧面接触的第2上电极，
所述第1侧面与所述第1像素开口之间的第1距离、和所述第2侧面与所述第2像素开口之间的第2距离不同。
5.根据权利要求4所述的显示装置，其特征在于，
所述第2有机层比所述第1有机层厚，
所述第2距离比所述第1距离小。
6.根据权利要求4所述的显示装置，其特征在于，
所述肋部具有包围所述第1像素开口并且随着接近所述第1像素开口而厚度减少的第1锥形部、以及包围所述第2像素开口并且随着接近所述第2像素开口而厚度减少的第2锥形部，
所述第1有机层具有位于所述肋部之上的第1端部、以及随着接近所述第1端部而厚度减少的第1厚度减少部，
所述第2有机层具有位于所述肋部之上的第2端部、以及随着接近所述第2端部而厚度减少的第2厚度减少部，
所述第1厚度减少部在整体上位于所述第1锥形部与所述第1侧面之间，
所述第2厚度减少部覆盖了所述第2锥形部的至少一部分。
7.根据权利要求6所述的显示装置，其特征在于，
所述第1厚度减少部的宽度比所述第1锥形部的宽度大，
所述第2厚度减少部的宽度比所述第2锥形部的宽度大。
8.根据权利要求4所述的显示装置，其特征在于，还具备：
第3下电极；
通过施加电压而发光的第3有机层，其从所述肋部所具有的第3像素开口通过而覆盖所述第3下电极；以及
覆盖所述第3有机层、并且与所述下部的第3侧面接触的第3上电极，
所述第1距离、所述第2距离、以及第3距离不同，该第3距离为所述第3侧面与所述第3像素开口之间的距离。
9.根据权利要求8所述的显示装置，其特征在于，
所述第2有机层比所述第1有机层厚，
所述第2距离比所述第1距离小。
10.根据权利要求9所述的显示装置，其特征在于，
所述第3有机层比所述第2有机层厚，
所述第3距离比所述第2距离小。
11.一种显示装置，其特征在于，具备：
第1下电极；
第2下电极；
具有与所述第1下电极重叠的第1像素开口以及与所述第2下电极重叠的第2像素开口的肋部；
隔壁，其包含在所述第1像素开口与所述第2像素开口之间配置在所述肋部之上的下部以及从所述下部的侧面突出的上部；
通过施加电压而发光的第1有机层，其从所述第1像素开口通过而覆盖所述第1下电极；
通过施加电压而发光的第2有机层，其从所述第2像素开口通过而覆盖所述第2下电极；
覆盖所述第1有机层、并且与所述下部的第1侧面接触的第1上电极；以及
覆盖所述第2有机层、并且与所述下部的第2侧面接触的第2上电极，
所述第1侧面与所述第1像素开口之间的第1距离比所述第2侧面与所述第2像素开口之间的第2距离大。
12.根据权利要求11所述的显示装置，其特征在于，
所述肋部具有包围所述第1像素开口并且随着接近所述第1像素开口而厚度减少的第1锥形部、以及包围所述第2像素开口并且随着接近所述第2像素开口而厚度减少的第2锥形部，
所述第1有机层具有位于所述肋部之上的第1端部、以及随着接近所述第1端部而厚度减少的第1厚度减少部，
所述第2有机层具有位于所述肋部之上的第2端部、以及随着接近所述第2端部而厚度减少的第2厚度减少部，
所述第1厚度减少部在整体上位于所述第1锥形部与所述第1侧面之间，
所述第2厚度减少部覆盖了所述第2锥形部的至少一部分。
13.根据权利要求12所述的显示装置，其特征在于，
所述第1厚度减少部的宽度比所述第1锥形部的宽度大，
所述第2厚度减少部的宽度比所述第2锥形部的宽度大。
14.根据权利要求13所述的显示装置，其特征在于，还具备：
第3下电极；
通过施加电压而发光的第3有机层，其从所述肋部所具有的第3像素开口通过而覆盖所述第3下电极；以及
覆盖所述第3有机层并且与所述下部的第3侧面接触的第3上电极，
所述第1距离、所述第2距离、以及第3距离不同，所述第3距离为所述第3侧面与所述第3像素开口之间的距离。
15.根据权利要求14所述的显示装置，其特征在于，
所述第3距离比所述第2距离小。
16.根据权利要求15所述的显示装置，其特征在于，
所述第3有机层比所述第1有机层或者所述第2有机层厚。
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