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Description
本実施形態では、本発明の実施形態の表示装置100の構造に関し、図1乃至図7を用いて説明する。
本実施形態では、第1実施形態で示した表示装置100の作製方法に関し、図8乃至図14を用いて説明する。図8乃至図14は、図7に示す断面図に相当する。第1実施形態と同様の構成に関しては、説明を割愛することがある。
まず、基板102上にアンダーコート142を形成する(図8(A))。基板102は、トランジスタ140や発光素子160、第2の電極180など、表示装置100に含まれる半導体素子などを支持する機能を有する。したがって基板102には、この上に形成される各種素子のプロセスの温度に対する耐熱性とプロセスで使用される薬品に対する化学的安定性を有する材料を使用すればよい。具体的には、基板102はガラスや石英、プラスチック、金属、セラミックなどを含むことができる。表示装置100に可撓性を付与する場合には、基板102として例えばポリイミド、ポリアミド、ポリエステル、ポリカーボナートに例示される高分子材料から選択される材料を用いることができる。
次に平坦化膜154を、ソース/ドレイン電極150を覆うように形成する(図9(A))。上述したように、平坦化膜154は、トランジスタ140やその他の半導体素子に起因する凹凸や傾斜を吸収し、平坦な面を与える機能を有する。平坦化膜154は有機絶縁体で形成することができる。有機絶縁体としてエポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド、ポリアミド、ポリエステル、ポリカーボナート、ポリシロキサンなどの高分子材料が挙げられ、スピンコート法やディップコーティング法、インクジェット法、印刷法などの湿式成膜法などによって形成することができる。平坦化膜154は上記有機絶縁体を含む層と無機絶縁体を含む層の積層構造を有していてもよい。この場合、無機絶縁体としては酸化ケイ素や窒化ケイ素、窒化酸化ケイ素、酸化窒化ケイ素などのシリコンを含有する無機絶縁体が挙げられ、これらを含む膜はスパッタリング法やCVD法によって形成することができる。
引き続き発光素子160を形成する。具体的には、画素電極124、隔壁126、構造体130上にEL層162を形成する(図12(B))。図12(B)ではEL層162は、第1の層164、第2の層166、第3の層168を含む三層構造を有しているが、EL層162の構造に制約はない。EL層162は単一の層で形成されてもよく、4つ以上の複数の層から形成されてもよい。例えばキャリア注入層、キャリア輸送層、発光層、キャリア阻止層、励起子阻止層など適宜を組み合わせてEL層162を形成することができる。EL層162は上述した湿式法、あるいは蒸着法などによって形成することができる。
発光素子160上に設けられる絶縁膜170は、例えば図14に示すように三層構造を有することができる。このような構造は以下のように形成される。まず、対向電極120、第1の導電膜122上に第1の層172を形成する(図13(A))。第1の層172は窒化ケイ素や酸化ケイ素、窒化酸化ケイ素、酸化窒化ケイ素などの無機化合物を含むことができ、アンダーコート142と同様の方法で形成することができる。引き続き第2の層174を形成する(図13(B))。第2の層174は、アクリル樹脂やポリシロキサン、ポリイミド、ポリエステルなどを含む有機樹脂を含むことができる。また、図13(B)に示すように、隔壁126や構造体130に起因する凹凸を吸収するよう、また、平坦な面を与えるような厚さで形成してもよい。第2の層174は、上述した湿式成膜法によって形成することもできるが、上記高分子材料の原料となるオリゴマーを減圧下で霧状あるいはガス状にし、これを第1の層172に吹き付けて、その後オリゴマーを重合することによって形成してもよい。その後、第3の層176を形成する(図14)。第3の層176は、第1の層172と同様の構造を有し、同様の方法で形成することができる。
本実施形態では、第1、第2実施形態とは構造が異なる表示装置200に関し、図15(A)、(B)、(C)を用いて説明する。第1、第2実施形態と同様の構成に関しては説明を割愛することがある。
本実施形態では、第1乃至第3実施形態とは構造が異なる表示装置300に関し、図17乃至図20を用いて説明する。第1乃至第3実施形態と同様の構成に関しては説明を割愛することがある。
本実施形態では、第1乃至第4実施形態とは構造が異なる表示装置400に関し、図21乃至図24を用いて説明する。第1乃至第4実施形態と同様の構成に関しては説明を割愛することがある。
本実施形態では、第1乃至第5実施形態とは構造が異なる表示装置500に関し、図25、26を用いて説明する。第1乃至第5実施形態と同様の構成に関しては説明を割愛することがある。
Claims (11)
- 表示領域内に位置し、互いに隣接し、かつ、画素電極、前記画素電極上のEL層、前記EL層上の対向電極をそれぞれ有する第1の画素と第2の画素と、
前記第1の画素と前記第2の画素の前記画素電極の端部を覆い、前記第1の画素と前記第2の画素において前記画素電極と前記EL層に挟まれる第1の絶縁膜と、
前記第1の絶縁膜の上に位置し、前記第1の絶縁膜と接し、前記第1の画素と前記第2の画素の前記対向電極の間に位置する構造体と、
前記構造体の上の第1の導電膜と、
前記構造体と前記第1の導電膜の間に位置する第2の導電膜を有し、
前記第1の画素と前記第2の画素の前記対向電極は、互いに電気的に分離され、
前記第1の導電膜は、前記第1の画素と前記第2の画素の前記対向電極と同じ層内に存在し、前記第1の画素と前記第2の画素の前記対向電極から電気的に分離される表示装置。 - 前記構造体は、前記表示領域の一つの辺に平行な第1の方向に伸びる、請求項1に記載の表示装置。
- 前記第1の画素と前記第2の画素の前記対向電極上の第2の絶縁膜と、
前記第2の絶縁膜上の複数の第2の電極をさらに有し、
前記複数の第2の電極はストライプ状に配列し、前記第1の方向に垂直な第2の方向に伸びる、請求項2に記載の表示装置。 - 表示領域内に位置し、互いに隣接し、かつ、画素電極、前記画素電極上のEL層、前記EL層上の対向電極をそれぞれ有する第1の画素と第2の画素と、
前記第1の画素と前記第2の画素の前記対向電極の端部を覆い、前記第1の画素と前記第2の画素において前記画素電極と前記EL層に挟まれる第1の絶縁膜と、
前記第1の絶縁膜の上に位置し、前記第1の絶縁膜と接し、前記第1の画素と前記第2の画素の前記対向電極の間に位置する構造体と、
前記第1の絶縁膜の上に位置し、前記構造体の下に位置する第2の導電膜を有し、
前記第1の画素と前記第2の画素の前記対向電極は、互いに電気的に分離される表示装置。 - 前記第2の導電膜は、前記第1の画素と第2の画素の前記対向電極の一つと電気的に接続される、請求項4に記載の表示装置。
- 前記構造体の上の第1の導電膜をさらに有し、
前記第1の導電膜は、前記第1の画素と前記第2の画素の前記対向電極と同じ層内に存在し、前記第1の画素と前記第2の画素の前記対向電極から電気的に分離される、請求項4に記載の表示装置。 - 前記構造体は、前記表示領域の一つの辺に平行な第1の方向に伸びる、請求項4に記載の表示装置。
- 前記第1の画素と前記第2の画素の前記対向電極上の第2の絶縁膜と、
前記第2の絶縁膜上の複数の第2の電極をさらに有し、
前記複数の第2の電極はストライプ状に配列し、前記第1の方向に垂直な第2の方向に伸びる、請求項7に記載の表示装置。 - 表示領域内に位置し、互いに隣接し、かつ、画素電極、前記画素電極上のEL層、前記EL層上の対向電極をそれぞれ有する第1の画素と第2の画素と、
前記第1の画素と前記第2の画素の前記画素電極の端部を覆い、前記第1の画素と前記第2の画素において前記画素電極と前記EL層に挟まれる第1の絶縁膜を有し、
前記第1の絶縁膜は、前記第1の画素と前記第2の画素の前記対向電極に挟まれる溝を有し、
前記第1の画素と前記第2の画素の前記対向電極は、互いに電気的に分離される表示装置。 - 前記溝内に第1の導電膜をさらに有し、
前記第1の導電膜は、前記第1の画素と前記第2の画素の前記対向電極と同じ層に位置し、前記第1の画素と前記第2の画素の前記対向電極から電気的に分離される、請求項9に記載の表示装置。 - 前記第1の画素と前記第2の画素の前記対向電極上に第2の絶縁膜を有し、
前記第2の絶縁膜上に複数の第2の電極を有し、
前記複数の第2の電極はストライプ状に配列し、前記溝が伸延する方向に対して垂直な方向に伸びる、請求項10に記載の表示装置。
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