TW201812549A - 顯示裝置及其製作方法 - Google Patents

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Abstract

本發明之課題之一在於提供一種至少具有一部分作為觸控面板之功能的顯示裝置。 本發明提供下述之顯示裝置，其具有：複數個像素電極；複數個對向電極與複數個金屬膜，其等位於複數個像素電極上，呈條帶狀配置，且彼此交互；及EL層，其夾在複數個像素電極與複數個對向電極之間；且複數個對向電極彼此電性獨立。複數個對向電極之各者可與複數個金屬膜電性獨立。複數個金屬膜可電性浮動。

Description

顯示裝置及其製作方法
本發明之實施形態之一係關於一種有機EL顯示裝置等之顯示裝置及其製作方法。例如，係關於一種搭載有觸控面板之顯示裝置、及其製作方法。
作為用於使用者對顯示裝置輸入資訊之介面，觸控面板業已為人知悉。藉由將觸控面板設置在顯示裝置之畫面上，而使用者可操作在畫面上顯示之輸入按鈕及圖標等，從而可容易地對顯示裝置輸入資訊。例如在日本特開2015-18331號公報及日本特開2015-50245號公報中，揭示有在有機EL(Electroluminescence，電致發光)顯示裝置上搭載觸控面板之電子機器。
本發明之實施形態之一係一種顯示裝置，其具有：複數個像素電極；複數個對向電極，其等位於複數個像素電極上，呈條帶狀配置；及EL層，其夾在複數個像素電極與複數個對向電極之間；且複數個對向電極彼此電性獨立。 本發明之實施形態之一係一種顯示裝置，其具有：第1像素與第2像素，其等位於顯示區域內，彼此相鄰，且各自具有像素電極、像素電極上之EL層、及EL層上之對向電極；第1絕緣膜，其覆蓋第1像素與第2像素之像素電極之端部，且於第1像素與第2像素中夾在像素電極與EL層之間；及構造體，其位於第1絕緣膜之上，並與第1絕緣膜相接，且位於第1像素與第2像素之對向電極之間；並且第1像素與第2像素之對向電極彼此電性分離。 本發明之實施形態之一係一種顯示裝置，其具有：第1像素與第2像素，其等位於顯示區域內，彼此相鄰，且各自具有像素電極、像素電極上之EL層、EL層上之對向電極；及第1絕緣膜，其覆蓋第1像素與第2像素之像素電極之端部，且於第1像素與第2像素中夾在像素電極與EL層之間；且第1絕緣膜具有夾在第1像素與第2像素之對向電極之間之槽，第1像素與第2像素之對向電極彼此電性分離。 本發明之實施形態之一係一種顯示裝置之製作方法。該製作方法包含：形成彼此相鄰之第1像素電極與第2像素電極；以覆蓋第1像素電極與第2像素電極之端部之方式形成第1絕緣膜；在第1絕緣膜上形成至少含有有機絕緣體與無機絕緣體之一者之構造體；在第1像素電極、第2像素電極、第1絕緣膜、及構造體之上形成EL層；及藉由在EL層上形成導電膜，而以夾著構造體之方式，形成第1像素電極上之對向電極與第2像素電極上之對向電極。 本發明之實施形態之一係一種顯示裝置之製作方法。該製作方法包含：形成彼此相鄰之第1像素電極與第2像素電極；以覆蓋第1像素電極與第2像素電極之端部之方式形成第1絕緣膜；在第1絕緣膜上形成槽；在第1像素電極、第2像素電極、第1絕緣膜、及槽之上形成EL層；及藉由在EL層上形成導電膜，而以夾著槽之方式，形成第1像素電極上之第1對向電極與第2像素電極上之第2對向電極。
以下，一邊參照圖式等一邊說明本發明之各實施形態。惟，本發明在不脫離其主旨之範圍內能夠以各種態樣實施，並非限定於以下例示之實施形態之記載內容而解釋者。 圖式為了使說明更加明確，與實際態樣相較雖存在將各部分之寬度、厚度、形狀等示意性地表示之情形，但其終極而言僅為一例，並非限定本發明之解釋者。在本說明書及各圖中，存在對於與相關於已出現之圖中而說明者具備相同功能的元件賦予相同之符號，且省略其重複說明之情形。 在本發明中，在將某1個膜加工而形成複數個膜之情形下，有該等複數個膜具有不同之功能、作用之情形。然而，該等複數個膜系來自於在同一步驟中作為同一層而形成之膜，具有相同之層構造與相同之材料。因此，該等複數個膜係定義為存在於同一層者。 本說明書及申請專利範圍中，在表達在某構造體之上配置其他構造體之態樣時，在單純地表示為在「上」之情形下，如無特別異議，則視為包含：以與某構造體相接之方式，在正上方配置其他構造體之情形，與在某構造體之上方另外介隔別的構造體配置其他構造體之情形此二者。 (第1實施形態) 在本實施形態中，關於本發明之實施形態之顯示裝置100之構造，使用圖1至圖7進行說明。 圖1顯示將本實施形態之顯示裝置100示意性顯示的俯視圖。顯示裝置100在基板102之一個面(上表面)具有：顯示區域106，其具備在列方向與行方向上配置之複數個像素104；及驅動電路108。顯示區域106、驅動電路108設置在基板102與對向基板112之間。各種配線(未圖示)自顯示區域106及驅動電路108朝向基板102之側面延伸，且配線在基板102之端部露出，露出部形成端子110。端子110與撓性印刷電路(FPC)等之連接器(未圖示)連接。自外部電路供給之映像信號經由驅動電路108被賦予像素104，像素104之顯示元件被控制，而在顯示區域106上顯示映像。在圖1中，驅動電路108以夾著顯示區域106之方式設置有2個，但驅動電路108亦可為1個。又，驅動電路108不一定非得在基板102上形成，可使設置在不同基板上之驅動電路形成在基板102上、或連接器上。 在複數個像素104上可設置賦予彼此不同之色之發光元件及液晶元件等的顯示元件，藉此，可進行全色顯示。例如可將賦予紅色、綠色、或者藍色之顯示元件分別設置在三個像素104。或者，可行的是，所有像素104使用賦予白色之顯示元件，使用彩色濾光器就每一像素104取出紅色、綠色、或者藍色而進行全色顯示。像素104之排列亦無限制，可採用條帶排列、三角形排列、波形瓦(pentile)排列等。 如後文所述般，在各像素104設置有像素電極、及像素電極上之EL層。在EL層上，如圖1所示般，設置有呈條帶狀配置之對向電極120，由像素電極、EL層形成發光元件。 顯示裝置100可進一步具備呈條帶狀配置之複數個第1導電膜122。該情形下，對向電極120與第1導電膜122交互地配置。例如如圖1所示般，一個第1導電膜122由相鄰之二個對向電極120夾著。相同地，一個對向電極120除了兩端之對向電極120以外，由相鄰之二個第1導電膜122夾著。該等之對向電極120與第1導電膜122可以在相對於顯示區域106之一個邊平行之方向上延伸之方式配置。例如在圖1中，對向電極120與第1導電膜122在平行於顯示區域106之長邊方向之方向上延伸。或者如圖2所示般，可使對向電極120與第1導電膜122以在平行於顯示區域106之短邊方向之方向上延伸之方式配置。 複數個像素104分別被對向電極120之任一者覆蓋。換言之，一個對向電極120可以覆蓋複數個像素104中之複數個之方式設置。例如在對向電極120在平行於顯示區域106之長邊之第1方向上延伸之情形下(圖1)，可以不僅覆蓋在第1方向上並排之複數個像素104，還覆蓋在垂直於第1方向之方向上並排之複數個像素104之方式設置。在圖1中，自左起第二行之對向電極120覆蓋沿第1方向並排為三行之複數個像素104。相對於此，第1導電膜122可以與複數個像素104之任一者不重合之方式設置。此外，如圖1所示般，兩端之對向電極120可以與驅動電路108之一部分、或者全部重合之方式配置，如圖2所示般，所有之複數個對向電極120以與驅動電路108之一部分或者全部重合之方式配置。 相鄰之二個對向電極120隔著一個第1導電膜122被分離，因此，可使複數個對向電極120以彼此電性獨立之方式構成。該情形下，對對向電極120可同時地施加相同之電位，亦可施加不同之電位。 相同地，相鄰之二個第1導電膜122隔著一個對向電極120被分離，因此，可使第1導電膜122以彼此電性獨立之方式構成。該情形下，第1導電膜122可電性浮動，或者亦可以構成為能夠對各第1導電膜122同時施加不同之電位。 此外，對向電極120與第1導電膜122可被物理性分離而電性獨立。 圖3A顯示圖1所示之顯示裝置100之放大圖，圖3B顯示圖3A所示之構造之立體圖。在圖3A中，對向電極120與第1導電膜122之一部分被省略，在圖3B中對向電極120與第1導電膜122之全部被省略。另外，圖4顯示沿圖3A之虛線A-A’之剖視圖。 圖1、圖2為了明確化，而描述為在相鄰之對向電極120與第1導電膜122之間，分別在顯示區域106之短邊、或長邊方向上具有空間，但可行的是，如圖3A、及圖4所示般，以對向電極120與第1導電膜122之側面彼此存在於同一平面內之方式形成顯示裝置100。該情形下，在自基板102之法線方向觀察該基板102之平面觀察之狀態下，在相鄰之對向電極120與第1導電膜122之間不存在空間。或者，亦可以在平面觀察下彼此重合之方式設置對向電極120與第1導電膜122。換言之，相鄰之對向電極120與第1導電膜122之側面存在於同一平面內、或者實質上存在於同一平面內。 如圖3A、圖3B所示般，在對向電極120、第1導電膜122之下設置有分隔壁126。在與像素104對應之位置設置有像素電極124，像素電極124在設置於分隔壁126之開口部128處自分隔壁126露出。又，在第1導電膜122之下設置有構造體130。構造體130與分隔壁126相接，並設置於分隔壁126與第1導電膜122之間。構造體130以在平行於顯示區域106之短邊方向、或者長邊方向之方向上延伸之方式設置。構造體130以停留在設置有分隔壁126之區域之方式設置。換言之，構造體130設置在與分隔壁126之開口部128不重合之位置。因此，第1導電膜122之各者較複數個對向電極120之任一者寬度為小。如後文所述般，構造體130可含有絕緣物，絕緣物既可為有機絕緣物亦可為無機絕緣物。 如圖1至圖4所示般，由於在相鄰之對向電極120之間存在含有絕緣物之構造物130，故該等對向電極彼此被電性切斷。另外，相鄰之對向電極120與位於其間之第1導電膜122不是存在於同一平面上，而是位於不同之高度，故在空間上隔離。因此，相鄰之對向電極120與第1導電膜122亦彼此被電性切斷。 如圖4之剖面示意圖所示般，在像素104中設置有電晶體140、及與其連接之發光元件160。圖4係顯示在一個像素104設置一個電晶體140之例，但亦可在一個像素104設置複數個電晶體，且還可設置電容元件等之其他半導體元件。 電晶體140可在設置於基板102上之底塗層142之上具有：半導體膜144、閘極絕緣膜146、閘極電極148、源極/汲極電極150等。可在閘極電極148上進一步設置層間膜152。對電晶體140之構造並無制約，可使用頂部閘極型、底部閘極型之任意之電晶體。另外，半導體膜144與源極/汲極電極150之上下關係亦可任意地選擇，可採用底部接觸型、頂部接觸型之任一者。 在電晶體140上，設置有吸收起因於電晶體140或其他半導體元件之凹凸及傾斜而賦予平坦之表面的平坦化膜154。經由形成於平坦化膜154內之開口部，發光元件160之像素電極124與源極/汲極電極150之一者電性連接。 分隔壁126覆蓋像素電極124之端部，同時填埋像素電極124與源極/汲極電極150之一者之連接所使用之開口部。進而，在分隔壁126之上設置有與分隔壁126相接之構造體130。如圖3A、圖3B所示般，構造體130無須設置於相鄰之像素104夾著之分隔壁126全部，就每數個至每數十個之像素104行設置即可。例如，相鄰之構造體130之間隔可自1 mm至5 mm、或者2 mm至4 mm之範圍選擇。 在分隔壁126之開口部128、及分隔壁126上設置有EL層162，在其上設置有對向電極120。又，在本說明書及申請專利範圍中，所謂EL層意味著由像素電極124與對向電極120夾著之層。在圖4中，EL層162顯示為包含三個層164、166、168，但如後文所述般，EL層162中之層之數目並無限制。 EL層162所包含之全部之層、或者一部分亦設置於構造體130上，進而在其之上設置有第1導電膜122。如後文所述般，對向電極120與第1導電膜122係同時形成。因此，該等可存在於同一層內，並具有相同之構成、組成。藉由對向電極120與第1導電膜122同時形成，起因於構造體130所製作之階差，而對向電極120與第1導電膜122被物理性切斷。因此，如上述所述般，複數個對向電極120彼此電性獨立。 構造體130之剖面形狀可為如圖4所示之長方形，亦可為正方形。或者如圖5A、圖5B所示般，具有梯形之剖面。該情形下，由構造體130之底面與側面形成之角(錐形角)θ可如圖5A所示般大於90°，亦可如圖5B所示般小於90°。在θ大於90°之情形下，對向電極120與第1導電膜122可彼此重合。另一方面，在θ為90°，或小於90°之情形下，對向電極120之一部分可與構造體130之側面相接(圖5B)。 顯示裝置100可進一步以任意之構成而在對向電極120與第1導電膜122上隔著絕緣膜具有第2電極。圖6、圖7顯示具體之構造。圖7係沿圖6所示之鏈線B-B’之剖面示意圖。在圖6中，對向基板112未圖示。如圖6、7所示般，顯示裝置100可在對向電極120與第1導電膜122上具有：絕緣膜170；及複數個第2電極180，其位於絕緣膜170上，在與對向電極120及第1導電膜122延伸之方向為垂直之方向上呈條帶狀延伸。進而作為任意之構成，可將對向基板112設置在第2電極180上(圖7)。 又，在圖7中，絕緣膜170被描述為具有第1層172、第2層174、第3層176，該情形下，第1層172形成在對向電極120、及第1導電膜122上。然而，在絕緣膜170之構造方面並無制約，可使用包含單一之層的絕緣膜170。 絕緣膜170具有保護發光元件160之功能，並且可與對向電極120及第2電極180一起形成電容。亦即，由呈條帶狀形成之複數個對向電極120、絕緣膜170、及在與對向電極120交叉之方向呈條帶狀形成之第2電極180之積層構造184而形成電容，該積層構造184可作為觸控面板發揮功能。因此，若手指或手掌與第2電極180直接相接、或者經由對向基板112而與第2電極180相接(以下將該動作記為觸控)，則由積層構造184形成之電容發生變化，藉由感測該電容變化而感測觸控之有無，從而可特定觸控之部位。亦即，對向電極120作為發光元件160之一個電極發揮功能，且亦作為觸控面板之一個電極發揮功能。換言之，對向電極120由發光元件160與觸控面板所共有。 此外，作為觸控面板之一個電極，亦可取代對向電極120而使用複數個第1導電膜122。 如上述般，本實施形態所示之顯示裝置100中，相鄰之二個對向電極120與設置於其間之第1導電膜122彼此在空間上隔離，且被電性切斷。亦即，顯示裝置100可具有彼此電性獨立之複數個對向電極120作為發光元件160之上部電極。再者，可在複數個對向電極120上，包含與該等正交之條帶狀之電極(第2電極180)。亦即，顯示裝置100可作為所謂內嵌(in cell)型觸控面板發揮功能。因此，無需將顯示裝置與觸控面板另外形成而貼合，可在一塊基板(此處為基板102)上形成顯示裝置與觸控面板。因此，本實施形態可提供可利用更簡潔之步驟以低成本製造之觸控面板搭載顯示裝置。 (第2實施形態) 在本實施形態中，關於第1實施形態所示之顯示裝置100之製作方法，使用圖8A至圖14進行說明。圖8A至圖14相當於圖7所示之剖視圖。關於與第1實施形態相同之構成，有省略說明之情形。 ［1.電晶體］ 首先，在基板102上形成底塗層142(圖8A)。基板102具有支持電晶體140及發光元件160、第2電極180等之顯示裝置100所包含之半導體元件等的功能。因此，針對基板102，只要使用具有相對於在其上形成之各種元件之製程之溫度的耐熱性與相對於在製程中所使用之藥品之化學穩定性之材料即可。具體而言，基板102可包含玻璃或石英、塑膠、金屬、陶瓷等。在對顯示裝置100賦予可撓曲性之情形下，針對基板102可使用例如自聚醯亞胺、聚醯胺、聚酯、聚碳酸酯例示之高分子材料選擇之材料。 底塗層142係具有防止鹼金屬等之雜質自基板102朝電晶體140等擴散之功能的膜，可包含氮化矽或氧化矽、氮氧化矽、氧氮化矽等之無機絕緣體。底塗層142可應用化學汽相沈積法(CVD法)或濺鍍法等形成為具有單層、或者積層構造。另外，在基板102中之雜質濃度為小之情形下，可不設置底塗層142，或者可形成為僅覆蓋基板102之一部分。 其次，在底塗層142上形成半導體膜144。半導體膜144可含有例如矽等之14族元素。或者半導體膜144可含有氧化物半導體。作為氧化物半導體，可含有銦或鎵等之第13族元素，可例舉例如銦與鎵之混合氧化物(IGO)。在使用氧化物半導體之情形下，半導體膜144可進一步含有12族元素，作為一例可例舉含有銦、鎵、及鋅之混合氧化物(IGZO)。在半導體膜144之結晶性方面並無限定，可為單晶、多晶、微晶、或非晶。 在半導體膜144含有矽之情形下，半導體膜144可使用矽烷氣體等作為原料，可利用CVD法形成。對所獲得之非晶矽可藉由加熱處理、或者照射雷射等之光而進行結晶化。在半導體膜144含有氧化物半導體之情形下，可利用濺鍍法等來形成。 其次，以覆蓋半導體膜144之方式形成閘極絕緣膜146。閘極絕緣膜146可具有單層構造、積層構造之任一構造，可以與底塗層142同樣之方法形成。或者，可使用氧化鉿或矽酸鉿等之具有高介電常數之無機化合物。 接著，在閘極絕緣膜146上利用濺鍍法或CVD法形成閘極電極148(圖8B)。閘極電極148可使用鈦或鋁、銅、鉬、鎢、鉭等之金屬或其之合金等形成為具有單層、或者積層構造。例如可採用以鈦或鎢、鉬等之具有較高熔點之金屬夾持鋁或銅等之導電性高之金屬的構造。 其次，在閘極電極148上形成層間膜152(圖8B)。層間膜152可具有單層構造、積層構造之任一構造，可以與底塗層142同樣之方法形成。 其次，對層間膜152與閘極絕緣膜146進行蝕刻，形成到達半導體膜144之開口部(圖8C)。開口部可藉由例如在含有含氟烴之氣體中進行電漿蝕刻而形成。接著，藉由以覆蓋開口部之方式形成金屬膜，並進行蝕刻而成形，而形成源極/汲極電極150(圖8B)。金屬膜可具有與閘極電極148相同之構造，可使用與閘極電極148之形成相同之方法而形成。利用以上之步驟，來製作電晶體140。 ［2.構造體］ 其次，以覆蓋源極/汲極電極150之方式形成平坦化膜154(圖9A)。如上述般，平坦化膜154具有吸收起因於電晶體140或其他半導體元件之凹凸或傾斜而賦予平坦之面之功能。平坦化膜154可利用有機絕緣體來形成。作為有機絕緣體可例舉環氧樹脂、丙烯酸樹脂、聚醯亞胺、聚醯胺、聚酯、聚碳酸酯、聚矽氧烷等之高分子材料，利用旋轉塗佈法或浸塗法、噴墨法、印刷法等之濕式成膜法等形成。平坦化膜154可具有含有上述有機絕緣體之層與含有無機絕緣體之層的積層構造。該情形下，作為無機絕緣體可例舉氧化矽或氮化矽、氮氧化矽、氧氮化矽等之含有矽之無機絕緣體，可將含有該等之膜利用濺鍍法或CVD法而形成。 其次，對平坦化膜154進行蝕刻，形成到達源極/汲極電極150之一者之開口部(圖9A)。其後以覆蓋開口部之方式，在平坦化膜154上利用濺鍍法等形成發光元件160之像素電極124(圖9B)。另外，在本實施形態中顯示像素電極124與源極/汲極電極150直接相接之構成，但亦可在像素電極124與源極/汲極電極150之間形成具有導電性之其他膜。 像素電極124可含有具有透光性之導電性氧化物、或者金屬等。在將自發光元件160獲得之光在與基板102為反方向上取出時，可將鋁或銀等之金屬、或者該等之合金用在像素電極124。該情形下，可採用與上述金屬或合金、及具有透光性之導電性氧化物之積層構造，例如可採用以導電性氧化物夾持金屬之積層構造(導電性氧化物/銀/導電性氧化物)。作為導電性氧化物可使用銦-錫氧化物(ITO)或銦-鋅氧化物(IZO)。 接著，以覆蓋像素電極124之端部之方式形成分隔壁126(圖9B)。利用分隔壁126，可吸收起因於像素電極124等之階差，且可使相鄰之像素104之像素電極124彼此在電性上絕緣。分隔壁126亦為絕緣膜，可使用環氧樹脂或丙烯酸樹脂等的平坦化膜154可使用之材料，利用濕式成膜法而形成。具體而言，塗佈回應紫外線等之光之抗蝕劑，一邊將形成分隔壁126之區域以光罩遮光一邊照射光(曝光)。將被曝光之部分利用顯影而除去，將殘存之抗蝕劑加熱而硬化，形成分隔壁126。利用顯影、及加熱在分隔壁126之上表面形成如圖9B所示之曲面。 其次在分隔壁126上形成構造體130。具體而言，使用無機絕緣物、或者有機絕緣物形成構造體130。 作為無機絕緣物可例舉：氧化矽或氮化矽、氧氮化矽、氮氧化矽等之含矽之無機化合物等。含有該等之構造體130可利用CVD法或濺鍍法而形成。在使用CVD法時，可以矽烷氣體、或三烷氧基矽烷或四烷氧矽烷等作為原料氣體，以氧或臭氧等作為氧源，以氨或氧化氮等作為氮源使用。此外，亦可使用此處所例示之以外的無機化合物，例如可使用不透射可視光、或者著色之無機化合物。 利用如此之方法在像素電極124及分隔壁126上形成含有無機絕緣物之膜190。圖10A顯示積層含有無機絕緣物之二個膜186、188之構造，但可僅使用單一之膜186，或者亦可使用三個以上之膜形成膜190。 接著，在膜190上形成抗蝕劑192(圖10B)，依次進行使用光罩之曝光、利用蝕刻劑之顯影、殘存部分之加熱，而形成抗蝕劑遮罩194(圖11A)。 其次進行蝕刻，僅留下被抗蝕劑遮罩194覆蓋之部分，除去膜190(圖11B)。蝕刻可為乾式蝕刻，亦可為濕式蝕刻。乾式蝕刻可藉由使用CF4 或CHF3 等之含氟烴，在電漿存在下，處理膜190來進行。濕式蝕刻可藉由利用磷酸、氫氟酸、或者含有氟化氨之氫氟酸等之酸性蝕刻劑、或者氫氧化四甲銨(TMAH)溶液等之鹼性蝕刻劑處理膜190來進行。 其後，除去抗蝕劑遮罩194(圖12A)。抗蝕劑遮罩194例如可藉由使用氧氣，在電漿存在下進行處理(灰化)而除去。 利用以上之步驟，可形成含有無機絕緣物之構造體130。 另一方面，在形成含有有機絕緣物之構造體130時，首先，在像素電極124、分隔壁126上形成含有有機絕緣物之膜190(圖10A)。與含有無機絕緣物之構造體130之製作相同，膜190可為單層之構造，亦可具有如圖10A所示之積層構造。作為有機絕緣物可使用感光性之材料。例如可使用如因光照射而溶解性降低之高分子、或低聚物，在該情形下，作為高分子或低聚物，可使用環氧樹脂、丙烯酸樹脂、聚酯樹脂、聚醯亞胺樹脂等。典型的是，可使用例如以聚乙烯醇肉桂酸酯等為基本骨架之負性抗蝕劑。另一方面，作為因光照射而溶解性增大之材料可例舉正性抗蝕劑，例如可例舉具有以經取代之聚苯乙烯為基本骨架之高分子材料。 對該膜190進行使用光罩之曝光，以遺留構造體130之方式進行顯影(圖12A)。因此，與含有無機絕緣物之構造體130之形成不同，可不形成抗蝕劑遮罩194。 其次，使含有有機絕緣物之構造體130硬化。具體而言，在形成構造體130後，進行乾燥處理，將水分自構造體130及分隔壁126等除去。乾燥處理在50℃至150℃左右，較佳的是在不超過有機絕緣物之玻璃轉化溫度之溫度以下進行。該乾燥處理可在常壓下進行，亦可在減壓(例如10 Pa左右)下進行。 接著，在乾燥後對構造體130進行光照射。例如在氮或氬等之惰性環境中照射光。此時之環境較佳的是不含有水分，例如以露點溫度為-60℃、或者水分濃度為1 ppm左右之方式進行調整。光照射時之溫度可在自室溫至有機絕緣物之玻璃轉化溫度之範圍內進行選擇。所照射之光可例舉紫外光，可包含例如200 nm至400 nm之範圍之波長。藉此，在維持構造體130之形狀不變下進行有機絕緣物之交聯反應。其結果為，構造體130硬化，可防止因其後之熱處理而導致較大變形，而可維持其構造。 藉由經由以上之步驟，可形成含有無機絕緣物、或有機絕緣物之構造體130。此外，由於有機絕緣物可形成厚的膜，故有利於具有較大厚度之構造體130的形成。 ［3.發光元件］ 接著，形成發光元件160。具體而言，係在像素電極124、分隔壁126、構造體130上形成EL層162(圖12B)。在圖12B中EL層162具有包含第1層164、第2層166、第3層168之三層構造，但EL層162之構造並無制約。EL層162可以單一之層形成，亦可由4層以上之複數個層形成。例如可將載子注入層、載子輸送層、發光層、載子阻止層、激子阻止層等適當組合而形成EL層162。EL層162可利用上述之濕式法、或者蒸鍍法等形成。 在圖12B中，顯示第1層164與第3層168以被相鄰之像素104共有之方式形成，且第2層166在相鄰之像素104間個別地形成之例。為了形成如此之構造，首先，在基板102之下設置覆蓋顯示區域106以外之金屬遮罩，使形成第1層164之材料自設置於基板102之下之蒸鍍源蒸發，藉由使材料之蒸氣在像素電極124表面固化而形成第1層164。接著，使用選擇性覆蓋形成第2層166之像素104以外之金屬遮罩，使形成第2層166之材料蒸發，並使其蒸氣固化而形成第2層166。最後以與第1層164同樣之方法形成第3層168。在使用如此之方法之情形下，在構造體130上存在有EL層162中之第1層164與第3層168。 在相鄰之像素104間，EL層162之構造可不同。例如可行的是，以在相鄰之像素104間發光層不同，其他層具有相同之構造之方式形成EL層162。相反，亦可在全部之像素104內使用相同之EL層162。該情形下，例如將賦予白色發光之EL層162以被相鄰之像素104共有之方式形成，使用彩色濾光器等選擇自各像素104取出之光之波長。 接著，在EL層162上形成金屬膜(圖12B)。其結果為，複數個對向電極120與複數個第1導電膜122被同時形成。因此，複數個對向電極120與複數個第1導電膜122存在於同一層內。此時，起因於構造體130賦予之階差，金屬膜被分斷為與構造體130重合之部分和其以外之部分。在構造體130之上堆積之金屬膜形成第1導電膜122、在其以外之區域堆積之金屬膜形成對向電極120。相鄰之對向電極120彼此被電性切斷，位於其等之間的第1導電膜122不與對向電極120存在於同一平面上，而位於不同之高度，而在空間上與對向電極120隔離。因此，相鄰之對向電極120及其間之第1導電膜122分別被電性切斷。 作為金屬膜，可使用例如鎂或銀、鋁等之金屬、或該等之合金。在該等之金屬膜之上可積層ITO或IZO等之導電性氧化物。金屬膜可利用蒸鍍法或濺鍍法等形成。 利用以上之步驟，形成發光元件160。 ［4.觸控面板］ 設置在發光元件160上之絕緣膜170例如可如圖14所示般具有三層構造。如此之構造如以下所述般形成。首先，在對向電極120、第1導電膜122上形成第1層172(圖13A)。第1層172可含有氮化矽或氧化矽、氮氧化矽、氧氮化矽等之無機化合物，可以與底塗層142同樣之方法形成。接著，形成第2層174(圖13B)。第2層174可包含丙烯酸樹脂或含有聚矽氧烷、聚醯亞胺、聚酯等之有機樹脂。又，如圖13B所示般，可以如吸收起因於分隔壁126或構造體130之凹凸、且賦予平坦之面此般厚度形成。第2層174可利用上述之濕式成膜法形成，亦可藉由將成為上述高分子材料之原料的低聚物在減壓下形成為霧狀或者氣體狀，將其噴吹在第1層172，其後使低聚物聚合而形成。其後，形成第3層176(圖14)。第3層176具有與第1層172相同之構造，可以同樣之方法形成。 由於具有如此之構造之絕緣膜170顯示高氣體阻隔性，故可防止水或氧等之雜質朝發光元件160之侵入，而對顯示裝置100賦予高信賴性。 其後，如圖7所示般形成第2電極180。第2電極180可使用例如ITO或IZO等之透射可視光之導電性氧化物，利用濺鍍法等形成。第2電極180如圖6所示般，以在相對於複數個對向電極120及複數個第1導電膜122延伸之方向垂直的方向上延伸之方式形成。 藉由經由以上之步驟，可製作具有將彼此電性獨立之複數個對向電極120作為發光元件160之上部電極的顯示裝置100。用於製作電性獨立之複數個上部電極之先前之方法之一，包含：使用在上部電極被分斷之區域以外具有開口部之蒸鍍用金屬遮罩，利用蒸鍍形成上部電極。然而，在該方法中，金屬遮罩需要具有非常寬之開口部，且需要設置橫貫開口部之極細之遮蔽架。因此，不僅金屬遮罩本身之製作變得困難，而且其強度亦大幅度降低。為了將金屬遮罩在基板上準確度良好地設置，而需要對金屬遮罩施加張力，在具有大的開口部時，金屬遮罩因張力而容易變形、或者破損。因此，在使用金屬遮罩將上部電極分割為複數個方面伴隨著大的困難。 另一方面，可藉由利用光微影術將上部電極成形為任意之形，但在利用光微影之顯影或蝕刻中，EL層在物理性或化學性上容易受到損傷，而喪失作為發光元件之功能。因此，利用光微影之上部電極之分斷在事實上難以應用。 相對於此，在本實施形態中所闡述之製作方法中，藉由在分隔壁128製作構造體130，而可容易地分斷上部電極，形成電性獨立之複數個對向電極120。再者，如在第1實施形態中所闡述般，由於複數個對向電極120不僅可作為發光元件160之上部電極，亦可被用作觸控面板之一個電極，故利用在本實施形態中所闡述之製作方法，可容易地以低成本提供內嵌型之觸控面板。 (第3實施形態) 在本實施形態中，關於與第1、第2實施形態構造不同之顯示裝置200，使用圖15A至圖16B進行說明。關於與第1、第2實施形態相同之構成，有省略說明之情形。 顯示裝置200於在構造體130與第1導電膜122間具有第2導電膜132之點上，與顯示裝置100不同。具體而言，如圖15A所示般，顯示裝置200具有：分隔壁126上之構造體130；及第2導電膜132，其位於構造體130之上，且與構造體130相接。 構造體130可具有與在第1、第2實施形態中所闡述之構造體130相同之構造，例如可含有無機絕緣物。另一方面在第2導電膜132中，可使用例如鋁或鈦、鉬、鎢、鉭等之金屬。或者，第2導電膜132可含有閘極電極148或源極/汲極電極150所含有之金屬。 在設置第2導電膜132時，例如如圖15B所示般，構造體130之上表面之面積可較第2導電膜132之底面之面積小。該情形下，構造體130之剖面可設為梯形。或者，構造體130之側面可具有朝內側凹陷之曲面形狀(圖15C)。在圖15B或圖15C中，顯示EL層160與構造體130之側面不相接。然而，依存於構造體130之形狀，EL層162在形成時在導電膜132之下迂迴繞入，其結果如圖15D及15E所示般，亦有構造體130之側面與EL層162相接之情形。 本實施形態之構造體130與其上之第2導電膜132可利用如圖16A、圖16B所示之方法而製作。亦即，如第2實施形態中所述般，在像素電極124、及分隔壁126上形成含有無機絕緣物、或有機絕緣物之膜190。其後，進一步在膜190上形成導電膜202(圖16A)。省略詳細之說明，但與在第2實施形態中所述之方法相同地，藉由在導電膜202上形成抗蝕劑，將抗蝕劑曝光、顯影而形成抗蝕劑遮罩，將導電膜202與膜190部分地除去，而可形成圖16B所示之構造體130、及第2導電膜132。其後，藉由與第2實施形態中所述之方法相同地形成發光元件160，而可製作顯示裝置200。 若作為發光元件160之一個電極發揮功能之對向電極120所使用之材料之導電性不高，或者為了確保對向電極120之透光性而無法增大其厚度之情形時，若將對向電極120作為觸控面板之一個電極使用時，會有導電性不足之情形。相對於此，藉由採用本實施形態所示之構造，可將導電性較大之第2導電膜132形成為條帶狀，而可使其作為觸控面板之一個電極有效地發揮功能。 (第4實施形態) 在本實施形態中，關於與第1至第3實施形態構造不同之顯示裝置300，使用圖17至圖20進行說明。關於與第1至第3實施形態相同之構成，有省略說明之情形。 顯示裝置300在將第2導電膜132設置於構造體130之內部之點，與顯示裝置200不同。具體而言，如圖17所示般，顯示裝置300具有在分隔壁126上以與分隔壁126相接之方式設置之第2導電膜132，第2導電膜132被構造體130覆蓋。構造體130可含有無機絕緣物，或可含有有機絕緣物。 具有如此之構造之第2導電膜132、構造體130，可利用如圖18A至19B所示之方法來製作。具體而言，以覆蓋像素電極124、分隔壁126之方式形成第2導電膜132(圖18A)。第2導電膜132可使用閘極電極148或源極/汲極電極150所含有之金屬等應用濺鍍法或CVD法來形成。其後，如在第2實施形態中所闡述般，藉由在第2導電膜132上塗佈抗蝕劑，經由光罩之抗蝕劑之曝光及顯影而製作抗蝕劑遮罩，藉由蝕刻第2導電膜132，並除去抗蝕劑遮罩而在形成構造體130之位置形成第2導電膜132(圖18B)。 在構造體130具有無機絕緣物時，與在第2實施形態中所闡述之方法相同地，在像素電極124、分隔壁126、及第2導電膜132上形成含有無機絕緣物之膜190(圖18C)。接著，在含有無機絕緣物之膜190上，形成與第2導電膜132之整體重合之抗蝕劑遮罩194(圖19A)，藉由將膜190之未被抗蝕劑遮罩194覆蓋之部分利用蝕刻除去，而可獲得第2導電膜132、及覆蓋其之構造體130(圖19B)。 在構造體130具有有機絕緣物時，與在第2實施形態中所闡述之方法相同地，在圖18B所示之像素電極124、分隔壁126、及第2導電膜132上塗佈抗蝕劑，進行利用光罩之曝光、顯影，而形成覆蓋第2導電膜132之抗蝕劑192(圖20A)。藉由對抗蝕劑192進行如在第2實施形態中所闡述般乾燥、加熱、光照射來進行形狀之穩定化，而可獲得第2導電膜132、及覆蓋其之構造體130。 以後之製程與在第2實施形態中所闡述之製程相同。 與第3實施形態相同，藉由採用本實施形態所示之構造，可使導電性大之第2導電膜132呈條帶狀形成，而可使其作為觸控面板之一個電極有效地發揮功能。 (第5實施形態) 在本實施形態中，關於與第1至第4實施形態構造不同之顯示裝置400，使用圖21至圖24B進行說明。關於與第1至第4實施形態相同之構成，有省略說明之情形。 顯示裝置400之第2導電膜132雖然設置於構造體130之下，但在下述之點上與顯示裝置300不同，即：自構造體130露出一部分並與對向電極120相接之點，在構造體130與EL層162之間、及在第2導電膜132與EL層162間分隔壁126之一部分露出之點，以及在上述露出部分隔壁126與對向電極120相接之點。具體而言，如圖21所示般，顯示裝置400在分隔壁126上具有以與分隔壁126相接之方式設置之第2導電膜132，且第2導電膜132之一部分被構造體130覆蓋。換言之，第2導電膜132之一部分自構造體130露出。與第4實施形態相同，構造體130可含有無機絕緣物，或可含有有機絕緣物。 構造體130之形成有導電膜132之側壁被對向電極120覆蓋，對向於該側壁之側壁之至少一部分未被對向電極120覆蓋而露出。與此同時，在該一部分露出之側壁之附近，形成狹縫133。在狹縫133處，EL層162之最上層即第3層168自對向電極120露出。因此，相鄰之對向電極120利用狹縫133而彼此電性獨立。 具有如此之構造的第2導電膜132、構造體130可利用如圖22A至圖23所示之方法來製作。具體而言，如在第4實施形態中所闡述般，在分隔壁126上形成第2導電膜132(圖22A)。在構造體130具有無機絕緣物時，以覆蓋像素電極124、分隔壁126、第2導電膜132之方式形成含有無機絕緣物之膜190。接著，在含有無機絕緣物之膜190上，形成與第2導電膜132之一部分重合之抗蝕劑遮罩194(圖22B)，藉由將膜190之未被抗蝕劑遮罩194覆蓋之部分利用蝕刻除去，而可獲得第2導電膜132、及將其部分地覆蓋之構造體130(圖21C)。 雖未圖示，但在構造體130具有有機絕緣物時，與在第2實施形態中所闡述之方法相同地，在圖22A所示之像素電極124、分隔壁126、及第2導電膜132上塗佈抗蝕劑，使抗蝕劑利用光罩曝光、顯影，只要形成部分地覆蓋第2導電膜132之抗蝕劑即可。此時，藉由對抗蝕劑進行如第2實施形態所述般乾燥、加熱、光照射來進行形狀之穩定化，而可獲得第2導電膜132、及覆蓋其之構造體130。 對如此般獲得之基板102進行傾斜蒸鍍。在傾斜蒸鍍中，如圖23所示般，以形成有像素電極124或構造體130之面朝下之方式將基板102設置在蒸鍍腔室內，且使基板102自水平面傾斜。而後，將含有蒸鍍之材料的坩堝或載缽等之蒸鍍源210設置在基板102之下，使材料自此蒸發而進行成膜。此時，由於蒸鍍源210與基板102表面之間隔設為一定，故可將蒸鍍源210、基板102之任一者或者二者彼此相對地、在平行於基板102之表面之方向(沿箭頭所示之方向)移動。 首先，將EL層162利用傾斜蒸鍍而形成，如圖24A所示般，使形成EL層162之材料之蒸氣自傾斜方向靠近基板102。藉此，可在成為構造體130之背面之區域、亦即在第2導電膜132露出之側的構造體130之側面、第2導電膜132之露出之表面、及相對於第2導電膜132與構造體130為相反側之分隔壁126之一部分上，防止EL層162之形成。 其次，利用傾斜蒸鍍形成對向電極120。此時，改變基板102之角度，如圖24B所示般，在與含有EL層162之材料之蒸氣對向之方向，使含有對向電極120之材料之蒸氣靠近基板102。藉此，在與第2導電膜132露出之側為相反側之構造體130之側面形成之EL層162、及其附近不形成對向電極120。然而，在不形成EL層162之區域，亦即在第2導電膜132露出之側的構造體130之側面、第2導電膜132之露出之表面、及相對於第2導電膜132與構造體130為相反側之分隔壁126之一部分上形成對向電極120。此外，此時，第2導電膜132與對向電極120電性連接。藉由如此般將EL層162與對向電極120在不同之方向蒸鍍，而可使複數個對向電極120彼此電性獨立。 與第1實施形態相同，藉由採用本實施形態所示之構造，可將彼此電性獨立之對向電極120用作觸控面板之一個電極。在對向電極120所使用之材料之導電性並不充分高時，若顯示區域106變大，則在對向電極120內會產生電壓下降。其結果為，在顯示區域106整體難以將均一之電位賦予像素電極124與對向電極120之間，而無法在顯示區域106內獲得均一之亮度。然而，由於第2導電膜132可作為具有充分厚度之金屬膜而形成，故可具有高導電性。而且，藉由與對向電極120相同地呈條帶狀設置，並使其與對向電極120電性連接，而可使其作為輔助電極發揮功能。其結果為，可防止電壓下降，從而可實現高品質之顯示。 (第6實施形態) 在本實施形態中，關於與第1至第5實施形態構造不同之顯示裝置500，使用圖25、26進行說明。關於與第1至第5實施形態相同之構成，有省略說明之情形。 顯示裝置500在下述之點上與顯示裝置100、200、300、400不同，即：未設置構造體130，替代其而在分隔壁126設置槽134，在該槽134之內部配置EL層162之全部、或者一部分、及第1導電膜122之點。 更具體而言，顯示裝置500在分隔壁126內具有槽134。槽134可就每數個至每數十個之像素104而設置。槽134如圖25所示般可不到達平坦化膜154，或者其底面可停留在分隔壁126內。另外，槽134亦可以露出像素電極124之方式設置。 在槽134內，設置有EL層162之一部分或者全部。在圖25中，顯示EL層162中之第1層164與第3層168設置在槽134內之例。 在槽134內，進一步在EL層162之一部分、或者全部之上，設置有第1導電膜122。如後文所述般，該第1導電膜122與對向電極120同時形成，因此，第1導電膜122與對向電極120存在於同一層內。第1導電膜122與對向電極120被起因於槽134之階差切斷，而電性獨立。 如此之構造可利用如以下之方法形成。亦即，與在第2實施形態中所闡述之方法相同地形成至分隔壁126為止(圖26A)。其後，製作在形成槽134之區域具有開口部之抗蝕劑遮罩，藉由對開口部進行蝕刻，而形成槽134(圖26B)。槽134之側面較佳的是相對於基板102之上表面垂直地接近。因此，較佳者係利用乾式蝕刻形成槽134。此外，槽134以在平行於顯示區域106之一邊之方向上延伸之方式形成。 其後，與第2實施形態相同地形成EL層162(圖26C)，並在EL層162上形成導電膜。由於導電膜幾乎不在槽134之側面形成，故可被槽134切斷。其結果為，相鄰之對向電極120彼此電性獨立(圖25)。 與第1實施形態相同，對向電極120不僅作為發光元件160之一個電極，亦作為觸控面板之一個電極發揮功能。因此，可提供組裝入可利用簡潔之步驟以低成本製造之內嵌型觸控面板的顯示裝置。 作為本發明之實施形態，上述之各實施形態只要不互相矛盾，可適當地組合而實施。又，以各實施形態之顯示裝置為基礎，由熟悉此項技術者適當地進行構成要素之追加、削除或設計變更者，或進行步驟之追加、省略或條件變更者，只要具備本發明之要旨，皆包含於本發明之範圍內。 在本說明書中，作為揭示例主要例示了EL顯示裝置之情形，但作為其他之應用例，亦可列舉其他之自發光型顯示裝置、液晶顯示裝置、或具有電泳元件等之電子紙型顯示裝置等所有平板型顯示裝置。又，可不受特別限定而應用於中小型直至大型。 即便是與由上述各實施形態之態樣所帶來之作用效果不同之其他作用效果，若係由本說明書之記載顯而易知者，或由熟悉此項技術者可容易地預測者，應當理解為係本發明所帶來之作用效果。
100‧‧‧顯示裝置
102‧‧‧基板
104‧‧‧像素
106‧‧‧顯示區域
108‧‧‧驅動電路
110‧‧‧端子
112‧‧‧對向基板
120‧‧‧對向電極
122‧‧‧第1導電膜
124‧‧‧像素電極
126‧‧‧分隔壁
128‧‧‧開口部
130‧‧‧構造體
132‧‧‧第2導電膜
133‧‧‧狹縫
134‧‧‧槽
140‧‧‧電晶體
142‧‧‧底塗層
144‧‧‧半導體膜
146‧‧‧閘極絕緣膜
148‧‧‧閘極電極
150‧‧‧源極/汲極電極
152‧‧‧層間膜
154‧‧‧平坦化膜
160‧‧‧發光元件
162‧‧‧EL層
164‧‧‧層/第1層
166‧‧‧層/第2層
168‧‧‧層/第3層
170‧‧‧絕緣膜
172‧‧‧第1層
174‧‧‧第2層
176‧‧‧第3層
180‧‧‧第2電極
184‧‧‧積層構造
186‧‧‧膜
188‧‧‧膜
190‧‧‧膜
192‧‧‧抗蝕劑
194‧‧‧抗蝕劑遮罩
200‧‧‧顯示裝置
202‧‧‧導電膜
210‧‧‧蒸鍍源
300‧‧‧顯示裝置
400‧‧‧顯示裝置
500‧‧‧顯示裝置
A-A’‧‧‧虛線
B-B’‧‧‧鏈線
θ‧‧‧角
圖1係本發明之實施形態之一之顯示裝置的示意性俯視圖。 圖2係本發明之實施形態之一之顯示裝置的示意性俯視圖。 圖3A、圖3B係本發明之實施形態之一之顯示裝置的示意性俯視圖與立體圖。 圖4係本發明之實施形態之一之顯示裝置的示意性剖視圖。 圖5A、圖5B係本發明之實施形態之一之顯示裝置的示意性剖視圖。 圖6係本發明之實施形態之一之顯示裝置的示意性俯視圖。 圖7係本發明之實施形態之一之顯示裝置的示意性剖視圖。 圖8A至圖8C係顯示本發明之實施形態之一之顯示裝置之製作方法的剖面示意圖。 圖9A、圖9B係顯示本發明之實施形態之一之顯示裝置之製作方法的剖面示意圖。 圖10A、圖10B係顯示本發明之實施形態之一之顯示裝置之製作方法的剖面示意圖。 圖11A、圖11B係顯示本發明之實施形態之一之顯示裝置之製作方法的剖面示意圖。 圖12A、圖12B係顯示本發明之實施形態之一之顯示裝置之製作方法的剖面示意圖。 圖13A、圖13B係顯示本發明之實施形態之一之顯示裝置之製作方法的剖面示意圖。 圖14係顯示本發明之實施形態之一之顯示裝置之製作方法的剖面示意圖。 圖15A至圖15E係本發明之實施形態之一之顯示裝置的剖面示意圖。 圖16A、圖16B係顯示本發明之實施形態之一之顯示裝置之製作方法的剖面示意圖。 圖17係本發明之實施形態之一之顯示裝置的剖面示意圖。 圖18A至圖18C係顯示本發明之實施形態之一之顯示裝置之製作方法的剖面示意圖。 圖19A、圖19B係顯示本發明之實施形態之一之顯示裝置之製作方法的剖面示意圖。 圖20係顯示本發明之實施形態之一之顯示裝置之製作方法的剖面示意圖。 圖21係本發明之實施形態之一之顯示裝置的剖面示意圖。 圖22A至圖22C係顯示本發明之實施形態之一之顯示裝置之製作方法的剖面示意圖。 圖23係顯示本發明之實施形態之一之顯示裝置之製作方法的示意圖。 圖24A、圖24B係顯示本發明之實施形態之一之顯示裝置之製作方法的剖面示意圖。 圖25係本發明之實施形態之一之顯示裝置的剖面示意圖。 圖26A至圖26C係顯示本發明之實施形態之一之顯示裝置之製作方法的剖面示意圖。

Claims (20)

  1. 一種顯示裝置，其具有： 複數個像素電極； 複數個對向電極，其等位於前述複數個像素電極上，呈條帶狀配置；及 EL層，其夾在前述複數個像素電極與前述複數個對向電極之間；且 前述複數個對向電極彼此電性獨立。
  2. 如請求項1之顯示裝置，其中進一步具有複數個金屬膜，其等呈條帶狀配置，且與前述對向電極交互地配置，且 前述複數個對向電極之各者與前述複數個金屬膜電性獨立。
  3. 如請求項2之顯示裝置，其中前述複數個對向電極之各者與前述複數個像素電極之複數個重合。
  4. 如請求項2之顯示裝置，其中前述複數個金屬膜之各者之寬度較前述複數個對向電極之寬度之任一者為小。
  5. 如請求項2之顯示裝置，其中進一步具有：前述複數個對向電極與前述複數個金屬膜之上的第2絕緣膜，及 前述第2絕緣膜上之複數個電極，且 前述複數個電極呈條帶狀排列，前述複數個對向電極與前述複數個金屬膜交叉。
  6. 一種顯示裝置，其具有：第1像素與第2像素，其等位於顯示區域內，彼此相鄰，且各自具有像素電極、前述像素電極上之EL層、及前述EL層上之對向電極； 第1絕緣膜，其覆蓋前述第1像素與前述第2像素之前述像素電極之端部，且於前述第1像素與前述第2像素中夾在前述像素電極與前述EL層之間；及 構造體，其位於前述第1絕緣膜之上，與前述第1絕緣膜相接，且位於前述第1像素與前述第2像素之前述對向電極之間；並且 前述第1像素與前述第2像素之前述對向電極彼此電性分離。
  7. 如請求項6之顯示裝置，其中進一步具有前述構造體之上之第1導電膜，且 前述第1導電膜存在於與前述第1像素和前述第2像素之前述對向電極相同之層內，且與前述第1像素與前述第2像素之前述對向電極電性分離。
  8. 如請求項6之顯示裝置，其中前述構造體在平行於前述顯示區域之一個邊之第1方向延伸。
  9. 如請求項8之顯示裝置，其中進一步具有：前述第1像素與前述第2像素之前述對向電極上之第2絕緣膜，及 前述第2絕緣膜上之複數個第2電極，且 前述複數個第2電極呈條帶狀排列，且在垂直於前述第1方向之第2方向延伸。
  10. 如請求項7之顯示裝置，其中更於前述構造體與前述第1導電膜之間具有第2導電膜。
  11. 如請求項6之顯示裝置，其中更具有第2導電膜，其位於前述第1絕緣膜之上，且由前述構造體覆蓋。
  12. 如請求項11之顯示裝置，其中前述第2導電膜與前述第1像素及第2像素之前述對向電極之一者電性連接。
  13. 一種顯示裝置，其具有：第1像素與第2像素，其位於顯示區域內，彼此相鄰，且各自具有像素電極、前述像素電極上之EL層、前述EL層上之對向電極；及 第1絕緣膜，其覆蓋前述第1像素與前述第2像素之前述像素電極之端部，且於前述第1像素與前述第2像素中夾在前述像素電極與前述EL層之間；且 前述第1絕緣膜具有夾在前述第1像素與前述第2像素之前述對向電極之間之槽，且 前述第1像素與前述第2像素之前述對向電極彼此電性分離。
  14. 如請求項13之顯示裝置，其中更於前述槽內具有第1導電膜，且 前述第1導電膜位於與前述第1像素和前述第2像素之前述對向電極相同之層，且與前述第1像素與前述第2像素之前述對向電極電性分離。
  15. 如請求項14之顯示裝置，其中在前述第1像素與前述第2像素之前述對向電極上具有第2絕緣膜，且 在前述第2絕緣膜上具有複數個第2電極，並且 前述複數個第2電極呈條帶狀排列，且在相對於前述槽延伸之方向垂直之方向延伸。
  16. 一種顯示裝置之製作方法，其包含：形成彼此相鄰之第1像素電極與第2像素電極； 以覆蓋前述第1像素電極與前述第2像素電極之端部之方式形成第1絕緣膜； 在前述第1絕緣膜上形成至少含有有機絕緣體與無機絕緣體之一者之構造體； 至少在前述第1像素電極與前述第2像素電極上形成EL層，其後， 藉由在前述EL層上、及在自前述EL層露出之前述第1絕緣膜上形成導電膜，而以夾著前述構造體之方式，形成前述第1像素電極上之第1對向電極與前述第2像素電極上之第2對向電極。
  17. 如請求項16之顯示裝置之製作方法，其中前述第1對向電極與前述第2對向電極係以藉由使前述構造體介置於其等之間而彼此電性獨立之方式形成。
  18. 如請求項16之顯示裝置之製作方法，其中前述導電膜亦形成於前述構造體上，且 形成於前述構造體上之前述導電膜與前述第1對向電極及前述第2對向電極電性獨立。
  19. 如請求項18之顯示裝置之製作方法，其中形成於前述構造體上之前述導電膜之寬度，較前述第1對向電極與前述第2對向電極之寬度為小。
  20. 如請求項18之顯示裝置之製作方法，其中進一步包含：在形成於前述構造體上之前述導電膜、前述第1對向電極、及前述第2對向電極上形成絕緣膜，在前述絕緣膜上形成複數個電極，且 前述複數個電極呈條帶狀排列，形成於前述構造體上之前述導電膜與前述第1對向電極及前述第2對向電極交叉。
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