JP2012038857A5 - - Google Patents

Claims (11)

1. 放射線又は光を電荷に変換する変換素子と、前記電荷に応じた電気信号を出力するスイッチ素子と、を含み、行方向及び列方向に配列された複数の画素と、
   前記行方向の複数の前記スイッチ素子に接続された駆動線と、
   前記列方向の複数の前記スイッチ素子に接続された信号線と、を有し、
   前記変換素子が前記スイッチ素子の上方に配置された検出装置であって、
   前記信号線は、前記変換素子の下方に配置された前記駆動線の最上位表面よりも下層の絶縁部材に埋め込んで配置された導電層からなることを特徴とする検出装置。
2. 前記変換素子と、絶縁基板の上に配置された前記スイッチ素子と、の間に複数の絶縁層を有し、
   前記絶縁部材は、前記複数の絶縁層のうち、前記変換素子の下方に配置された前記駆動線となる導電層の最上位表面よりも下層の絶縁層であることを特徴とする請求項１に記載の検出装置。
3. 前記スイッチ素子は、前記絶縁基板の上の第１導電層と、前記第１導電層の上の第１絶縁層と、前記第１絶縁層の上の第１半導体層と、前記第１半導体層の上の第１不純物半導体層と、前記第１不純物半導体層の上の第２導電層と、を含み、
   前記信号線は、前記スイッチ素子の上の第２絶縁層と、前記第２絶縁層の上の第３絶縁層と、に埋め込んで配置された第３導電層からなり、
   前記駆動線は、前記第３導電層と、前記第３絶縁層の上の第４絶縁層に埋め込んで配置された第４導電層と、によって前記スイッチ素子に接続され、前記第４絶縁層の上の第５絶縁層に埋め込んで配置された第５導電層からなり、
   前記変換素子は、前記第３導電層と前記第４導電層と前記第５導電層とによって前記スイッチ素子に接続され、前記第５絶縁層の上の第６絶縁層を介して配置された第７導電層を下電極として有する請求項２に記載の検出装置。
4. 前記画素は、前記変換素子を初期化する初期化用スイッチ素子を更に含み、
   前記行方向の複数の前記初期化用スイッチ素子に接続された初期化用駆動線と、
   前記列方向の複数の前記初期化用スイッチ素子に接続された初期化用バイアス線と、
   を更に含む請求項２に記載の検出装置。
5. 前記スイッチ素子は、前記絶縁基板の上の第１絶縁層と、前記第１絶縁層の上の第１半導体層と、前記第１絶縁層の上の第２絶縁層と、前記第２絶縁層の上の第１導電層と、前記第１導電層の上の第３絶縁層と、前記第３絶縁層の上の第２導電層と、を含み、
   前記信号線は、前記スイッチ素子の上の第４絶縁層の上の第５絶縁層に埋め込んで配置された第３導電層を含み、
   前記駆動線は、前記第３導電層と、前記第５絶縁層の上の第６絶縁層に埋め込んで配置された第４導電層と、によって前記スイッチ素子に接続され、前記第６絶縁層の上の第７絶縁層に埋め込んで配置された第５導電層を含む、請求項４に記載の検出装置。
6. 前記第５導電層は、前記第７絶縁層の上の第８絶縁層に更に埋め込んで配置されており、
   前記変換素子は、前記第３導電層と前記第４導電層と前記第５導電層とによって前記スイッチ素子に接続され、前記第８絶縁層の上の第９絶縁層を介して配置された第６導電層を下電極として有する請求項５に記載の検出装置。
7. 前記初期化用バイアス線は、前記第３導電層を含み、
   前記初期化用駆動線は、前記第３導電層と前記第４導電層とによって前記スイッチ素子に接続された前記第５導電層を含む請求項５又は６に記載の検出装置。
8. 前記複数の画素は、第１画素と第２画素とを含み、
   前記信号線は、前記第２導電層からなる第１信号線と、前記第３導電層からなる第２信号線と、を含み、
   前記駆動線は、前記第１導電層からなる第１駆動線と、前記第５導電層からなる第２駆動線と、を含み、
   前記初期化用バイアス線は、前記第２導電層からなる第１初期化用バイアス線と、前記第３導電層からなる第２初期化用バイアス線と、を含み、
   前記初期化用駆動線は、前記第１導電層からなる第１初期化用駆動線と、前記第５導電層からなる第２初期化用駆動線と、を含み、
   前記第１画素は、前記第１駆動線と前記第２駆動線の両方に接続された制御電極と、前記第１信号線と前記第２信号線の両方に接続された主電極と、を有するスイッチ素子と、前記第１初期化用駆動線にのみ接続された制御電極と、前記第１初期化用バイアス線にのみ接続された主電極と、を有する初期化用スイッチ素子と、を含み、
   前記第２画素は、前記第１駆動線にのみ接続された制御電極と、前記第１信号線にのみ接続された主電極と、を有するスイッチ素子と、前記第１初期化用駆動線と前記第２初期化用駆動線の両方に接続された制御電極と、前記第１初期化用バイアス線と前記第２初期化用バイアス線の両方に接続された主電極と、を有する初期化用スイッチ素子と、を含む請求項７に記載の検出装置。
9. 前記信号線の上部幅をＳＴ、最大幅をＳＭとした場合、
   ＳＴ＜ＳＭ
   を満たすことを特徴とする請求項１から８のいずれか１項に記載の検出装置。
10. 前記駆動線の下部幅をＧＢ、最大幅をＧＭとした場合、
    ＧＢ＜ＧＭ
    を満たすことを特徴とする請求項１から８のいずれか１項に記載の検出装置。
11. 請求項１〜１０のいずれか１項に記載の検出装置と、
    前記検出装置からの信号を処理する信号処理手段と、
    前記信号処理手段からの信号を記録するための記録手段と、
    前記信号処理手段からの信号を表示するための表示手段と、
    前記信号処理手段からの信号を伝送するための伝送処理手段と、
    前記放射線を発生させるための放射線源と、を具備することを特徴とする放射線検出システム。