JP2002076360A - 半導体装置及びその製造方法、放射線撮像システム - Google Patents
半導体装置及びその製造方法、放射線撮像システムInfo
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体層を備える素子エリア内の配線厚み分
布を均一にして、デバイスの特性分布を向上させる。 【解決手段】 基体２０１上に金属層２０２及び金属層
２０２を埋め込むための埋め込み用絶縁層２０３とを備
えた半導体装置であって、金属層２０２及び埋め込み用
絶縁層２０３の一部の領域に半導体層２０４〜２０７を
形成してなることを特徴とする。
布を均一にして、デバイスの特性分布を向上させる。 【解決手段】 基体２０１上に金属層２０２及び金属層
２０２を埋め込むための埋め込み用絶縁層２０３とを備
えた半導体装置であって、金属層２０２及び埋め込み用
絶縁層２０３の一部の領域に半導体層２０４〜２０７を
形成してなることを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置及びそ
の製造方法、放射線撮像システムに関し、基体上に金属
層及び金属層を埋め込むための埋め込み用絶縁層とを備
えた半導体装置及びその製造方法、放射線撮像システム
に関する。
の製造方法、放射線撮像システムに関し、基体上に金属
層及び金属層を埋め込むための埋め込み用絶縁層とを備
えた半導体装置及びその製造方法、放射線撮像システム
に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、我々が開発したエリアセンサーは
透明ガラス基板にセンサー、ＴＦＴ、配線部を設け、外
部のドライバーによってＴＦＴをスイッチングすること
によって光画像を検知するというものである。
透明ガラス基板にセンサー、ＴＦＴ、配線部を設け、外
部のドライバーによってＴＦＴをスイッチングすること
によって光画像を検知するというものである。
【０００３】図６は、従来のエリアセンサーの平面図で
ある。図６にはセンサーを製作するための透明ガラス基
板５０２とその素子エリア５０１を示している。素子エ
リア５０１はその使用目的によってサイズ、形状が決定
されるものである。
ある。図６にはセンサーを製作するための透明ガラス基
板５０２とその素子エリア５０１を示している。素子エ
リア５０１はその使用目的によってサイズ、形状が決定
されるものである。
【０００４】図７は、図６の断面拡大図である。図７に
おいて、＜ｃ＞〜＜ｅ＞はそれぞれ、センサー部、ＴＦ
Ｔ部、配線クロス部である。６０２はＣｒ等からなる第
一金属層、６０４は窒化膜等からなるゲート絶縁層、６
０５はアモルファスシリコン等からなる活性層、６０６
はｎ+ 層、６０７はＡｌなどからなる第二金属層であ
る。なお、図７において、図６と同様の部分には、同一
の符号を付している。
おいて、＜ｃ＞〜＜ｅ＞はそれぞれ、センサー部、ＴＦ
Ｔ部、配線クロス部である。６０２はＣｒ等からなる第
一金属層、６０４は窒化膜等からなるゲート絶縁層、６
０５はアモルファスシリコン等からなる活性層、６０６
はｎ+ 層、６０７はＡｌなどからなる第二金属層であ
る。なお、図７において、図６と同様の部分には、同一
の符号を付している。
【０００５】ここで、センサーの特性を向上させる有効
な手段の一つとして、第一金属層６０２の抵抗値を下げ
る事があげられる。これを行うためには、第一金属層６
０２を厚くすることが有効である。
な手段の一つとして、第一金属層６０２の抵抗値を下げ
る事があげられる。これを行うためには、第一金属層６
０２を厚くすることが有効である。
【０００６】しかし、ただ単純に第一金属層６０２を厚
くすると、図７に示したように、第一金属層６０２のパ
ターン断面に沿って生じた段差が拡大し、絶縁耐圧の低
下によってデバイスの信頼性を損なうことになる。
くすると、図７に示したように、第一金属層６０２のパ
ターン断面に沿って生じた段差が拡大し、絶縁耐圧の低
下によってデバイスの信頼性を損なうことになる。
【０００７】この問題点を解決するために、図８に示す
ように、埋め込み用絶縁層６０３を設け、この中に第一
金属層６０２を埋め込んで、段差を低減させる構造が検
討されている。図８に示すように、第一金属層６０２表
面を埋め込み用絶縁層６０３表面と同等な高さにするこ
とによって段差をなくして第一金属層６０２を任意の厚
さに設計している。
ように、埋め込み用絶縁層６０３を設け、この中に第一
金属層６０２を埋め込んで、段差を低減させる構造が検
討されている。図８に示すように、第一金属層６０２表
面を埋め込み用絶縁層６０３表面と同等な高さにするこ
とによって段差をなくして第一金属層６０２を任意の厚
さに設計している。
【０００８】第一金属層６０２を埋め込み用絶縁層６０
３に埋め込む構造にするためには、新たなプロセスが必
要となる。このプロセスは、大きく２通りの方法が考え
られる。第一の方法は、第一金属層６０２を先にパター
ニングし、その上に埋め込み用絶縁層６０３を堆積、第
一金属層６０２の上に堆積した余分な埋め込み用絶縁層
６０３をＣＭＰ等によって除去するというものである。
３に埋め込む構造にするためには、新たなプロセスが必
要となる。このプロセスは、大きく２通りの方法が考え
られる。第一の方法は、第一金属層６０２を先にパター
ニングし、その上に埋め込み用絶縁層６０３を堆積、第
一金属層６０２の上に堆積した余分な埋め込み用絶縁層
６０３をＣＭＰ等によって除去するというものである。
【０００９】第二の方法は、埋め込み用絶縁層６０３を
堆積し、第一金属層６０２が形成される部分をエッチン
グ除去し、その上に第一金属層６０２を堆積、埋め込み
用絶縁層６０３の上に堆積した余分な第一金属層６０２
をＣＭＰ等によって除去するというものである。このＣ
ＭＰを素子エリア内だけで行うことは不可能で、実際は
素子エリア外まで含めて行う必要がある。
堆積し、第一金属層６０２が形成される部分をエッチン
グ除去し、その上に第一金属層６０２を堆積、埋め込み
用絶縁層６０３の上に堆積した余分な第一金属層６０２
をＣＭＰ等によって除去するというものである。このＣ
ＭＰを素子エリア内だけで行うことは不可能で、実際は
素子エリア外まで含めて行う必要がある。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の技術
は、ＣＭＰで素子エリアと素子エリア外とを同時に除去
する際、素子エリア部にはパターンによる段差がある
が、素子エリア外にはその段差がないため、双方でポリ
ッシングレートに違いが生じていた。その影響により、
素子エリア内においても高さ方向に分布が生じ、これが
デバイスの特性の分布となり、性能を低下させていた。
は、ＣＭＰで素子エリアと素子エリア外とを同時に除去
する際、素子エリア部にはパターンによる段差がある
が、素子エリア外にはその段差がないため、双方でポリ
ッシングレートに違いが生じていた。その影響により、
素子エリア内においても高さ方向に分布が生じ、これが
デバイスの特性の分布となり、性能を低下させていた。
【００１１】そこで、本発明は、半導体層を備える素子
エリア内の配線厚み分布を均一にして、デバイスの特性
分布を向上することを課題とする。
エリア内の配線厚み分布を均一にして、デバイスの特性
分布を向上することを課題とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は、基体上に金属層及び金属層を埋め込むた
めの埋め込み用絶縁層とを備えた半導体装置であって、
前記金属層及び前記埋め込み用絶縁層の一部の領域に半
導体層を形成してなることを特徴とする。
に、本発明は、基体上に金属層及び金属層を埋め込むた
めの埋め込み用絶縁層とを備えた半導体装置であって、
前記金属層及び前記埋め込み用絶縁層の一部の領域に半
導体層を形成してなることを特徴とする。
【００１３】また、本発明の半導体装置の製造方法は、
基体上に金属層及び金属層を埋め込むための埋め込み用
絶縁層とを形成し、前記金属層及び前記埋め込み用絶縁
層の一部の領域に半導体層を形成することを特徴とす
る。
基体上に金属層及び金属層を埋め込むための埋め込み用
絶縁層とを形成し、前記金属層及び前記埋め込み用絶縁
層の一部の領域に半導体層を形成することを特徴とす
る。
【００１４】さらに、本発明の放射線撮像システムは、
上記半導体装置と、半導体装置側に向けて放射線を照射
する放射線源と、前記半導体装置と前記放射線源との間
に設けた放射線を可視光に変換する蛍光体と、前記半導
体装置からの信号を処理する信号処理手段と、前記信号
処理手段からの信号を記録するための記録手段と、前記
信号処理手段からの信号を表示するための表示手段と、
前記信号処理手段からの信号を伝送するための伝送処理
手段とを具備することを特徴とする。
上記半導体装置と、半導体装置側に向けて放射線を照射
する放射線源と、前記半導体装置と前記放射線源との間
に設けた放射線を可視光に変換する蛍光体と、前記半導
体装置からの信号を処理する信号処理手段と、前記信号
処理手段からの信号を記録するための記録手段と、前記
信号処理手段からの信号を表示するための表示手段と、
前記信号処理手段からの信号を伝送するための伝送処理
手段とを具備することを特徴とする。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、図面を用いて、本発明の実
施形態について説明する。
施形態について説明する。
【００１６】（実施形態１）図１（ａ）は、本発明の実
施形態１のエリアセンサーの平面図である。図１（ａ）
には、透明ガラス基板２０１に形成した素子エリア１０
１とダミーパターン形成エリア１０２とを示している。
図１（ｂ）は、図１（ａ）の素子エリア１０１の拡大図
である。図１（ｃ）は、ダミーパターン形成エリア１０
２の拡大図である。なお、ダミーパターン形成エリア１
０２は、図６の素子エリア外５０２のエリアに相当する
ものである。
施形態１のエリアセンサーの平面図である。図１（ａ）
には、透明ガラス基板２０１に形成した素子エリア１０
１とダミーパターン形成エリア１０２とを示している。
図１（ｂ）は、図１（ａ）の素子エリア１０１の拡大図
である。図１（ｃ）は、ダミーパターン形成エリア１０
２の拡大図である。なお、ダミーパターン形成エリア１
０２は、図６の素子エリア外５０２のエリアに相当する
ものである。
【００１７】図１（ｂ）に示す素子エリア１０１では、
第一金属層の平面内密度と、図１（ｃ）に示すダミーパ
ターン形成エリア１０２の第一金属層は、パターンの形
状は違うが、平面内密度を同等にしている。ここで、本
実施形態では素子エリア１０１の第一金属層の平面内密
度をＡとしたときに、ダミーパターン形成エリア１０２
の第一金属層の平面内密度が０．８Ａ〜１．２Ａとなる
ようにして、ポリッシング時の分布が大きくならないよ
うにしている。
第一金属層の平面内密度と、図１（ｃ）に示すダミーパ
ターン形成エリア１０２の第一金属層は、パターンの形
状は違うが、平面内密度を同等にしている。ここで、本
実施形態では素子エリア１０１の第一金属層の平面内密
度をＡとしたときに、ダミーパターン形成エリア１０２
の第一金属層の平面内密度が０．８Ａ〜１．２Ａとなる
ようにして、ポリッシング時の分布が大きくならないよ
うにしている。
【００１８】このように、本実施形態では、素子エリア
１０１とダミーパターン形成エリア１０２との双方に第
一金属層２０２と埋め込み用絶縁層２０３とを形成して
いるため、双方でのポリッシングレートが均等となり、
厚み分布が均一になるものである。また、図１（ｃ）の
ようなパターン形状にすれば、プロセス中に発生する静
電気を、ダミーパターン形成エリア１０２側から逃がす
ことも可能となるので、製造時の静電気破壊を抑えるこ
とにより、歩留まりを向上することができる。
１０１とダミーパターン形成エリア１０２との双方に第
一金属層２０２と埋め込み用絶縁層２０３とを形成して
いるため、双方でのポリッシングレートが均等となり、
厚み分布が均一になるものである。また、図１（ｃ）の
ようなパターン形状にすれば、プロセス中に発生する静
電気を、ダミーパターン形成エリア１０２側から逃がす
ことも可能となるので、製造時の静電気破壊を抑えるこ
とにより、歩留まりを向上することができる。
【００１９】図２は、図１（ａ）のエリアセンサーの製
造工程を示す断面図である。まず、透明ガラス基板２０
１に、スパッタ等の蒸着手段を用いてＣｒ等の第一金属
層２０２を形成し（図２（ａ））、その後に、露光現像
エッチングプロセスを経てパターニングを行う。第一金
属層２０２は、単層でも多層でもかまわず、エッチング
手段はウェットでもドライでもかまわない。当然、この
パターニングの際、ダミーパターン形成エリア１０２に
もパターニングを行う。
造工程を示す断面図である。まず、透明ガラス基板２０
１に、スパッタ等の蒸着手段を用いてＣｒ等の第一金属
層２０２を形成し（図２（ａ））、その後に、露光現像
エッチングプロセスを経てパターニングを行う。第一金
属層２０２は、単層でも多層でもかまわず、エッチング
手段はウェットでもドライでもかまわない。当然、この
パターニングの際、ダミーパターン形成エリア１０２に
もパターニングを行う。
【００２０】つぎに、埋め込み用絶縁層２０３を形成す
るが、ポリッシングの余裕しろを確保するために、第一
の金属層よりも厚くすることが望ましい（図２
（ｂ））。また、半導体装置としてＴＦＴディスプレイ
等を製造しようとすると、第一金属層２０２の厚さは絶
縁耐圧等の関係から一般的に１０００Å以下に制限され
るが、本実施形態においてはＴＦＴディスプレイ等であ
っても埋め込み用絶縁膜２０３によって埋め込まれ平坦
化されるため、第一金属層２０２は任意の膜厚にするこ
とができる。つぎに余分な埋め込み絶縁層２０３をＣＭ
Ｐ等によって除去する（図２（ｃ））。
るが、ポリッシングの余裕しろを確保するために、第一
の金属層よりも厚くすることが望ましい（図２
（ｂ））。また、半導体装置としてＴＦＴディスプレイ
等を製造しようとすると、第一金属層２０２の厚さは絶
縁耐圧等の関係から一般的に１０００Å以下に制限され
るが、本実施形態においてはＴＦＴディスプレイ等であ
っても埋め込み用絶縁膜２０３によって埋め込まれ平坦
化されるため、第一金属層２０２は任意の膜厚にするこ
とができる。つぎに余分な埋め込み絶縁層２０３をＣＭ
Ｐ等によって除去する（図２（ｃ））。
【００２１】ポリッシングする際、素子エリア１０１に
もダミーパターン形成エリア１０２にも均等にポリッシ
ングシートが接触するため、研磨の際の分布が低減され
るので、最終的に素子エリアでは、均一な配線が形成で
きる。次に、ＣＶＤ等を用いてＳｉＮ：Ｈなどからなる
ゲート絶縁層２０４を形成する。
もダミーパターン形成エリア１０２にも均等にポリッシ
ングシートが接触するため、研磨の際の分布が低減され
るので、最終的に素子エリアでは、均一な配線が形成で
きる。次に、ＣＶＤ等を用いてＳｉＮ：Ｈなどからなる
ゲート絶縁層２０４を形成する。
【００２２】それから、ａ−Ｓｉ：Ｈ等からなる活性層
２０５、ｎ+ などよりなるオーミック層、Ａｌなどから
なる第二金属層２０７を形成することによって（図２
（ｄ））、エリアセンサーを製造している。
２０５、ｎ+ などよりなるオーミック層、Ａｌなどから
なる第二金属層２０７を形成することによって（図２
（ｄ））、エリアセンサーを製造している。
【００２３】（実施形態２）本実施形態では、素子エリ
ア１０１とダミーパターン形成エリア１０２とにおける
金属パターンを同形状とし、第一金属層の平面内密度を
同じにすることで、ポリッシング分布を最大限に均一に
している。具体的には、ダミーパターン形成エリア１０
２における金属パターンを、図１（ｂ）に示した形状と
している。
ア１０１とダミーパターン形成エリア１０２とにおける
金属パターンを同形状とし、第一金属層の平面内密度を
同じにすることで、ポリッシング分布を最大限に均一に
している。具体的には、ダミーパターン形成エリア１０
２における金属パターンを、図１（ｂ）に示した形状と
している。
【００２４】図３は、本発明の実施形態２のエリアセン
サーの製造工程を示す断面図である。なお、図３におい
て、図２と同様の部分には同一符号を付している。ま
ず、透明ガラス基板２０１に、ＣＶＤ等の蒸着手段を用
いてＳｉＮ：Ｈ等の埋め込み用絶縁膜２０３を形成し、
第一金属層２０２を埋め込む部分をドライエッチング等
のエッチング手段によってエッチング除去する（図３
（ａ））。
サーの製造工程を示す断面図である。なお、図３におい
て、図２と同様の部分には同一符号を付している。ま
ず、透明ガラス基板２０１に、ＣＶＤ等の蒸着手段を用
いてＳｉＮ：Ｈ等の埋め込み用絶縁膜２０３を形成し、
第一金属層２０２を埋め込む部分をドライエッチング等
のエッチング手段によってエッチング除去する（図３
（ａ））。
【００２５】この時、ダミーパターン形成エリア１０２
にも素子エリア１０１と同じパターンで第一金属層２０
２の埋め込み部分をダミーパターンとして形成する。埋
め込み絶縁膜２０３の膜厚は、最終的に仕上げる第一金
属層２０２の厚さと同等とする。第一金属層２０２はス
パッタ等の蒸着手段を用いて堆積するが、堆積時の層厚
は、埋め込み絶縁膜２０３の膜厚よりも厚くしている
（図３（ｂ））。また、第一金属層２０２は、単層でも
多層でもかまわない。次に、余分な第一金属層２０２を
ＣＭＰ等によって除去する（図３（ｃ））。
にも素子エリア１０１と同じパターンで第一金属層２０
２の埋め込み部分をダミーパターンとして形成する。埋
め込み絶縁膜２０３の膜厚は、最終的に仕上げる第一金
属層２０２の厚さと同等とする。第一金属層２０２はス
パッタ等の蒸着手段を用いて堆積するが、堆積時の層厚
は、埋め込み絶縁膜２０３の膜厚よりも厚くしている
（図３（ｂ））。また、第一金属層２０２は、単層でも
多層でもかまわない。次に、余分な第一金属層２０２を
ＣＭＰ等によって除去する（図３（ｃ））。
【００２６】その際、ポリッシングは、素子エリア１０
１とダミーパターン形成エリア１０２との双方において
行う。本実施形態では、素子エリア１０１とダミーパタ
ーン形成エリア１０２とにおける金属パターンを同じに
しているため、ポリッシングする際パネル表面全体にわ
たってほぼ均等にポリッシングシートが接触するため、
研磨の際の分布が更に低減される。
１とダミーパターン形成エリア１０２との双方において
行う。本実施形態では、素子エリア１０１とダミーパタ
ーン形成エリア１０２とにおける金属パターンを同じに
しているため、ポリッシングする際パネル表面全体にわ
たってほぼ均等にポリッシングシートが接触するため、
研磨の際の分布が更に低減される。
【００２７】なお、実施形態１，２では、透明ガラス基
板２０１上に、第１金属層２０２等を形成することによ
ってエリアセンサーを製造する場合を例に説明したが、
透明ガラス基板２０１に代えて、板状に形状が限定され
ない基体を用いてもよい。また、本発明は、光電変換装
置や液晶などを用いた画像表示装置に適用することがで
きる。
板２０１上に、第１金属層２０２等を形成することによ
ってエリアセンサーを製造する場合を例に説明したが、
透明ガラス基板２０１に代えて、板状に形状が限定され
ない基体を用いてもよい。また、本発明は、光電変換装
置や液晶などを用いた画像表示装置に適用することがで
きる。
【００２８】（実施形態３）図４（ａ）、図４（ｂ）
は、実施形態１，２において説明したエリアセンサーを
搭載したＸ線撮像装置の模式的構成図である。まず、Ｘ
線撮像装置の構成について説明する。光電変換素子であ
るところのセンサーとトランジスタであるところのＴＦ
Ｔは、ａ−Ｓｉセンサ基板６０１１内に複数個形成され
ている。そして、シフトレジスタＳＲ１と検出用集積回
路ＩＣが実装されたフレキシブル回路基板６０１０が接
続されている。
は、実施形態１，２において説明したエリアセンサーを
搭載したＸ線撮像装置の模式的構成図である。まず、Ｘ
線撮像装置の構成について説明する。光電変換素子であ
るところのセンサーとトランジスタであるところのＴＦ
Ｔは、ａ−Ｓｉセンサ基板６０１１内に複数個形成され
ている。そして、シフトレジスタＳＲ１と検出用集積回
路ＩＣが実装されたフレキシブル回路基板６０１０が接
続されている。
【００２９】フレキシブル回路基板６０１０の逆側は、
回路基板ＰＣＢ１、ＰＣＢ２に接続されている。前記ａ
−Ｓｉセンサ基板６０１１の複数枚が、基台６０１２の
上に接着されている。また、大型の光電変換装置を構成
する基台６０１２の下には、処理回路６０１８内のメモ
リ６０１４をＸ線から保護するため鉛板６０１３が実装
されている。
回路基板ＰＣＢ１、ＰＣＢ２に接続されている。前記ａ
−Ｓｉセンサ基板６０１１の複数枚が、基台６０１２の
上に接着されている。また、大型の光電変換装置を構成
する基台６０１２の下には、処理回路６０１８内のメモ
リ６０１４をＸ線から保護するため鉛板６０１３が実装
されている。
【００３０】ａ−Ｓｉセンサ基板６０１１上には、Ｘ線
を可視光に変換するための蛍光体６０３０、たとえば、
ＣｓＩが蒸着または貼り付けられている。図１で説明し
たエリアセンサーを用いてＸ線を検出する。本実施形態
では図４（ｂ）に示されるように全体をカーボンファイ
バー製のケース６０２０に収納している。
を可視光に変換するための蛍光体６０３０、たとえば、
ＣｓＩが蒸着または貼り付けられている。図１で説明し
たエリアセンサーを用いてＸ線を検出する。本実施形態
では図４（ｂ）に示されるように全体をカーボンファイ
バー製のケース６０２０に収納している。
【００３１】図５は、Ｘ線診断システムへの応用例を示
したものである。Ｘ線チューブ６０５０で発生したＸ線
６０６０は患者あるいは被験者６０６１の胸部６０６２
を透過し、蛍光体を上部に実装した光電変換装置６０４
０に入射する。この入射したＸ線には患者６０６１の体
内部の情報が含まれている。Ｘ線の入射に対応して蛍光
体は発光し、これを光電変換して電気的情報を得る。こ
の情報は、ディジタルに変換されイメージプロセッサ６
０７０により画像処理され制御室のディスプレイ６０８
０で観察できる。
したものである。Ｘ線チューブ６０５０で発生したＸ線
６０６０は患者あるいは被験者６０６１の胸部６０６２
を透過し、蛍光体を上部に実装した光電変換装置６０４
０に入射する。この入射したＸ線には患者６０６１の体
内部の情報が含まれている。Ｘ線の入射に対応して蛍光
体は発光し、これを光電変換して電気的情報を得る。こ
の情報は、ディジタルに変換されイメージプロセッサ６
０７０により画像処理され制御室のディスプレイ６０８
０で観察できる。
【００３２】また、この情報は電話回線６０９０等の伝
送手段により遠隔地へ転送でき、別の場所のドクタール
ームなどディスプレイ６０８１に表示もしくは光ディス
ク等の保存手段に保存することができ、遠隔地の医師が
診断することも可能である。またフィルムプロセッサ６
１００によりフィルム６１１０に記録することもでき
る。
送手段により遠隔地へ転送でき、別の場所のドクタール
ームなどディスプレイ６０８１に表示もしくは光ディス
ク等の保存手段に保存することができ、遠隔地の医師が
診断することも可能である。またフィルムプロセッサ６
１００によりフィルム６１１０に記録することもでき
る。
【００３３】なお、本実施形態では、光電変換装置を、
Ｘ線診断システムへ適用する場合について説明したが、
Ｘ線以外のα線、β線、γ線等の放射線を用いた非破壊
検査装置などの放射線撮像システムにも適用することが
できる。
Ｘ線診断システムへ適用する場合について説明したが、
Ｘ線以外のα線、β線、γ線等の放射線を用いた非破壊
検査装置などの放射線撮像システムにも適用することが
できる。
【００３４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、基体上
に金属層及び金属層を埋め込むための埋め込み用絶縁層
とを備え、金属層及び埋め込み用絶縁層の一部の領域に
半導体層を形成しているため、半導体層を備える素子エ
リア内の配線厚み分布が均一にとなるので、デバイスの
特性分布を向上することができる。
に金属層及び金属層を埋め込むための埋め込み用絶縁層
とを備え、金属層及び埋め込み用絶縁層の一部の領域に
半導体層を形成しているため、半導体層を備える素子エ
リア内の配線厚み分布が均一にとなるので、デバイスの
特性分布を向上することができる。
【図１】本発明の実施形態１のエリアセンサーを示す図
である。
である。
【図２】図１のエリアセンサーの製造工程を示す断面図
である。
である。
【図３】本発明の実施形態２のエリアセンサーの製造工
程を示す断面図である。
程を示す断面図である。
【図４】本発明の実施形態３のＸ線撮像装置の模式的構
成図である。
成図である。
【図５】本発明の実施形態３のＸ線診断システムの構成
図である。
図である。
【図６】従来のエリアセンサーの平面図である。
【図７】図６の断面拡大図である。
【図８】従来のエリアセンサーの平面図である。
１０１，５０１ 素子エリア １０２ ダミーパターン形成エリア ２０１ 透明ガラス基板 ２０２，６０２ Ｃｒなどからなる第一金属層 ２０３，６０３ 埋め込み用絶縁層 ２０４，６０４ ＳｉＮ：Ｈ等からなるゲート絶縁層 ２０５，６０５ ａ−Ｓｉ：Ｈ等からなる活性層 ２０６，６０６ ｎ+ などよりなるオーミック層 ２０７，６０７ Ａｌなどからなる第二金属層 ５０２ 素子エリア外
フロントページの続き Ｆターム(参考） 4C093 AA05 AA26 CA50 EB12 EB20 FH04 FH06 4M118 AA10 AB01 BA05 CA14 CB06 EA20 FA06 FB03 FB13 5F110 AA18 BB10 CC07 DD02 EE04 EE44 EE47 EE48 FF03 FF29 GG02 GG15 QQ19
Claims (8)
- 【請求項１】 基体上に金属層及び金属層を埋め込むた
めの埋め込み用絶縁層とを備えた半導体装置であって、 前記金属層及び前記埋め込み用絶縁層の一部の領域に半
導体層を形成してなることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 前記金属層及び前記埋め込み用絶縁層
は、所定の平面内密度となるように形成することを特徴
とする請求項１に記載の半導体装置。 - 【請求項３】 基体上に金属層及び金属層を埋め込むた
めの埋め込み用絶縁層とを形成し、 前記金属層及び前記埋め込み用絶縁層の一部の領域に半
導体層を形成することを特徴とする半導体装置の製造方
法。 - 【請求項４】 前記基体上に前記金属層を形成する工程
と、形成した前記金属層をパターニングする工程と、パ
ターニングした前記金属層上に前記埋め込み用絶縁層を
形成する工程と、前記埋め込み用絶縁層をポリッシング
することを特徴とする請求項３に記載の半導体装置の製
造方法。 - 【請求項５】 前記埋め込み用絶縁層を、前記金属層よ
りも厚くすることを特徴とする請求項４に記載の半導体
装置の製造方法。 - 【請求項６】 前記基体上に前記埋め込み用絶縁層を形
成する工程と、形成した前記埋め込み用絶縁層をパター
ニングする工程と、パターニングした前記埋め込み用絶
縁層上に前記金属層を形成する工程と、前記金属層をポ
リッシングすることを特徴とする請求項３から５のいず
れか１項に記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項７】 前記金属層を、前記埋め込み用絶縁層よ
りも厚くすることを特徴とする請求項６に記載の半導体
装置の製造方法。 - 【請求項８】 請求項１又は２に記載の半導体装置と、 半導体装置側に向けて放射線を照射する放射線源と、 前記半導体装置と前記放射線源との間に設けた放射線を
可視光に変換する蛍光体と、 前記半導体装置からの信号を処理する信号処理手段と、 前記信号処理手段からの信号を記録するための記録手段
と、 前記信号処理手段からの信号を表示するための表示手段
と、 前記信号処理手段からの信号を伝送するための伝送処理
手段とを具備することを特徴とする放射線撮像システ
ム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000267354A JP2002076360A (ja) | 2000-09-04 | 2000-09-04 | 半導体装置及びその製造方法、放射線撮像システム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000267354A JP2002076360A (ja) | 2000-09-04 | 2000-09-04 | 半導体装置及びその製造方法、放射線撮像システム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002076360A true JP2002076360A (ja) | 2002-03-15 |
Family
ID=18754294
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000267354A Pending JP2002076360A (ja) | 2000-09-04 | 2000-09-04 | 半導体装置及びその製造方法、放射線撮像システム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002076360A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012038857A (ja) * | 2010-08-05 | 2012-02-23 | Canon Inc | 検出装置及び放射線検出システム |
| JP2012079820A (ja) * | 2010-09-30 | 2012-04-19 | Canon Inc | 検出装置及び放射線検出システム |
| JP2012079860A (ja) * | 2010-09-30 | 2012-04-19 | Canon Inc | 検出装置及び放射線検出システム |
| CN108318907A (zh) * | 2018-02-01 | 2018-07-24 | 北京京东方光电科技有限公司 | X射线探测面板及其制造方法和x射线探测装置 |
-
2000
- 2000-09-04 JP JP2000267354A patent/JP2002076360A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2012038857A (ja) * | 2010-08-05 | 2012-02-23 | Canon Inc | 検出装置及び放射線検出システム |
| US8759785B2 (en) | 2010-08-05 | 2014-06-24 | Canon Kabushiki Kaisha | Detection apparatus and radiation detection system |
| JP2012079820A (ja) * | 2010-09-30 | 2012-04-19 | Canon Inc | 検出装置及び放射線検出システム |
| JP2012079860A (ja) * | 2010-09-30 | 2012-04-19 | Canon Inc | 検出装置及び放射線検出システム |
| CN108318907A (zh) * | 2018-02-01 | 2018-07-24 | 北京京东方光电科技有限公司 | X射线探测面板及其制造方法和x射线探测装置 |
| CN108318907B (zh) * | 2018-02-01 | 2019-10-01 | 北京京东方光电科技有限公司 | X射线探测面板及其制造方法和x射线探测装置 |
| US11567222B2 (en) | 2018-02-01 | 2023-01-31 | Beijing Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. | X-ray detecting panel comprising a photodiode, a main bias voltage signal line, and an auxiliary bias voltage signal line, X-ray detecting device, and manufacturing method thereof |
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