JP2002289824A - 光検出装置、放射線検出装置および放射線撮像システム - Google Patents
光検出装置、放射線検出装置および放射線撮像システムInfo
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- JP2002289824A JP2002289824A JP2001093002A JP2001093002A JP2002289824A JP 2002289824 A JP2002289824 A JP 2002289824A JP 2001093002 A JP2001093002 A JP 2001093002A JP 2001093002 A JP2001093002 A JP 2001093002A JP 2002289824 A JP2002289824 A JP 2002289824A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 画素構成上必須なゲート配線、信号線、スイ
ッチＴＦＴの性能を落とすことなく、画素開口率を改善
し、高感度化を達成すると共に、高精細化を実現する。 【解決手段】 入射光を電気信号に変換する光電変換素
子を含む画素が基板上に複数形成された光検出装置にお
いて、基板と光電変換素子とを覆って形成された絶縁層
上であって、且つ隣接する光電変換素子の間隙の上に、
光電変換素子を含む画素に接続された配線が配置されて
いることを特徴とする。
ッチＴＦＴの性能を落とすことなく、画素開口率を改善
し、高感度化を達成すると共に、高精細化を実現する。 【解決手段】 入射光を電気信号に変換する光電変換素
子を含む画素が基板上に複数形成された光検出装置にお
いて、基板と光電変換素子とを覆って形成された絶縁層
上であって、且つ隣接する光電変換素子の間隙の上に、
光電変換素子を含む画素に接続された配線が配置されて
いることを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光検出装置、放射
線検出装置およびそれを具備する放射線撮像システムに
関し、Ｘ線、γ線などの放射線を検出する放射線検出装
置に好適に用いられ、医療画像診断装置、非破壊検査装
置、放射線を用いた分析装置などに応用されるものに関
する。
線検出装置およびそれを具備する放射線撮像システムに
関し、Ｘ線、γ線などの放射線を検出する放射線検出装
置に好適に用いられ、医療画像診断装置、非破壊検査装
置、放射線を用いた分析装置などに応用されるものに関
する。
【０００２】
【従来の技術】近年、Ｘ線、γ線などの放射線を検出す
る放射線検出装置としては、放射線を可視光に変換し、
その変換光を非晶質シリコン薄膜を用いた光電変換素子
により検出する、所謂、間接型の放射線検出装置があ
る。この種の放射線検出装置が製品化された理由として
は、主に、光導電性を持った非晶質シリコンを核とした
液晶技術の進歩により、ＴＦＴ（Thin Film Transisto
r：薄膜トランジスタ）及び光センサーの大面積化が可
能になった背景と、従来から使用されているＧＯＳ蛍光
体又はＣｓＩ蛍光体などの組み合わせにより、大画面
で、且つ、信頼性が高い放射線検出装置を安定的に作成
できることが可能となったことに拠る所が大きい。
る放射線検出装置としては、放射線を可視光に変換し、
その変換光を非晶質シリコン薄膜を用いた光電変換素子
により検出する、所謂、間接型の放射線検出装置があ
る。この種の放射線検出装置が製品化された理由として
は、主に、光導電性を持った非晶質シリコンを核とした
液晶技術の進歩により、ＴＦＴ（Thin Film Transisto
r：薄膜トランジスタ）及び光センサーの大面積化が可
能になった背景と、従来から使用されているＧＯＳ蛍光
体又はＣｓＩ蛍光体などの組み合わせにより、大画面
で、且つ、信頼性が高い放射線検出装置を安定的に作成
できることが可能となったことに拠る所が大きい。
【０００３】従来、この種の代表的な放射線検出装置と
しては、本発明者らが提案しているＭＩＳ型光電変換素
子とスイッチＴＦＴとから構成されたＭＩＳ―ＴＦＴ構
造の画素が複数配列された光センサーアレーと、上述の
蛍光体を組み合わせた放射線検出装置がある。本例での
光センサーアレーの特徴は、先述したスイッチＴＦＴと
ＭＩＳ型光電変換素子が同一層構成、同一プロセスによ
り製造が可能であることであり、その結果、安定的に、
且つ、低価格で生産できると言った利点がある。
しては、本発明者らが提案しているＭＩＳ型光電変換素
子とスイッチＴＦＴとから構成されたＭＩＳ―ＴＦＴ構
造の画素が複数配列された光センサーアレーと、上述の
蛍光体を組み合わせた放射線検出装置がある。本例での
光センサーアレーの特徴は、先述したスイッチＴＦＴと
ＭＩＳ型光電変換素子が同一層構成、同一プロセスによ
り製造が可能であることであり、その結果、安定的に、
且つ、低価格で生産できると言った利点がある。
【０００４】また、一方、ＰＩＮ型光電変換素子とスイ
ッチＴＦＴとを組み合わせたＰＩＮ−ＴＦＴ構造の画素
が複数配列された光センサーアレー、或いは、スイッチ
素子にＰＩＮ型ダイオードを用いたＰＩＮ−ＰＩＮ構造
の画素が複数配列された光センサーアレーなど多岐に渡
る提案がされているが、基本的には、放射線を蛍光体に
より可視光に変換し、その変換光を光電変換素子により
蓄積電荷として保存し、その電荷をスイッチ素子により
順次読み出すと言った共通の駆動方法を一般的に用いて
いる。一般的な放射線検出装置に利用される光センサー
アレーの模式的な等価回路を図１４に示す。同図では、
説明を単純化するために３×３の合計９個の画素から構
成されて光センサーアレーを例として用いている。１画
素は１個の光電変換素子Sij(ｉ、ｊ=１〜３)、スイッチ
ＴＦＴ Tij(ｉ、ｊ=１〜３)等で構成されている。この
時、光電変換素子Sijは、上述のＭＩＳ型、或いはＰＩ
Ｎ型など本図では同一である。また、図１４において、
Vsn(n=１〜３)は光電変換素子のバイアス配線であり、
バイアス電源Ｂに接続されている。Ｖｇ n(n=１〜３)は
スイッチＴＦＴのゲート配線、Sign(n＝１〜３)は信号
線である。夫々の光電変換素子Sijの信号出力は、光電
変換素子Sij自身に蓄積される。そして、駆動用回路Ｄ
の出力信号によって、スイッチＴＦＴ Tijが順次オンさ
れ、光電変換素子Sij自身に蓄積された蓄積電荷に対応
する電流が信号線Sign(n＝１〜３)に流れる。この様に
して読み出された信号は、信号処理回路Aに入力され、
出力信号として増幅、Ａ／Ｄ変換され出力される。
ッチＴＦＴとを組み合わせたＰＩＮ−ＴＦＴ構造の画素
が複数配列された光センサーアレー、或いは、スイッチ
素子にＰＩＮ型ダイオードを用いたＰＩＮ−ＰＩＮ構造
の画素が複数配列された光センサーアレーなど多岐に渡
る提案がされているが、基本的には、放射線を蛍光体に
より可視光に変換し、その変換光を光電変換素子により
蓄積電荷として保存し、その電荷をスイッチ素子により
順次読み出すと言った共通の駆動方法を一般的に用いて
いる。一般的な放射線検出装置に利用される光センサー
アレーの模式的な等価回路を図１４に示す。同図では、
説明を単純化するために３×３の合計９個の画素から構
成されて光センサーアレーを例として用いている。１画
素は１個の光電変換素子Sij(ｉ、ｊ=１〜３)、スイッチ
ＴＦＴ Tij(ｉ、ｊ=１〜３)等で構成されている。この
時、光電変換素子Sijは、上述のＭＩＳ型、或いはＰＩ
Ｎ型など本図では同一である。また、図１４において、
Vsn(n=１〜３)は光電変換素子のバイアス配線であり、
バイアス電源Ｂに接続されている。Ｖｇ n(n=１〜３)は
スイッチＴＦＴのゲート配線、Sign(n＝１〜３)は信号
線である。夫々の光電変換素子Sijの信号出力は、光電
変換素子Sij自身に蓄積される。そして、駆動用回路Ｄ
の出力信号によって、スイッチＴＦＴ Tijが順次オンさ
れ、光電変換素子Sij自身に蓄積された蓄積電荷に対応
する電流が信号線Sign(n＝１〜３)に流れる。この様に
して読み出された信号は、信号処理回路Aに入力され、
出力信号として増幅、Ａ／Ｄ変換され出力される。
【０００５】ＭＩＳ−ＴＦＴ構造の１画素の模式的平面
図を図１５に示す。図１５は、蛍光体が接着されていな
い時にソース・ドレイン電極等が配置される側から見た
図であり、実線は信号線が配置される側から見て目視可
能な箇所であり、点線は目視できない箇所である。
図を図１５に示す。図１５は、蛍光体が接着されていな
い時にソース・ドレイン電極等が配置される側から見た
図であり、実線は信号線が配置される側から見て目視可
能な箇所であり、点線は目視できない箇所である。
【０００６】図１５において１画素は、光電変換素子の
センサー部５０、光電変換素子の下部電極３および光電
変換素子のバイアス配線８により構成される光電変換素
子と、ゲート電極４およびスイッチＴＦＴのソース・ド
レイン電極であるソース・ドレイン電極９等により構成
されるスイッチＴＦＴと、スイッチＴＦＴのゲート配線
であるゲート配線２、光電変換素子で変換された電気信
号を転送するための信号線である信号線１０と、スイッ
チＴＦＴのソース・ドレイン電極９と光電変換素子の下
部電極を電気接続するためのコンタクトホール１２とに
より構成されている。
センサー部５０、光電変換素子の下部電極３および光電
変換素子のバイアス配線８により構成される光電変換素
子と、ゲート電極４およびスイッチＴＦＴのソース・ド
レイン電極であるソース・ドレイン電極９等により構成
されるスイッチＴＦＴと、スイッチＴＦＴのゲート配線
であるゲート配線２、光電変換素子で変換された電気信
号を転送するための信号線である信号線１０と、スイッ
チＴＦＴのソース・ドレイン電極９と光電変換素子の下
部電極を電気接続するためのコンタクトホール１２とに
より構成されている。
【０００７】上記の従来例の模式的断面図を図１６に示
す。図１６は、図１５に示される、ゲート配線、光電変
換素子、スイッチＴＦＴおよび信号線といった各デバイ
スの層構成を説明するために、各々のデバイスにおいて
任意の方向で切断した断面図を配列した図である。なお
層構成の順序においては、図１５の従来例と同様であ
る。
す。図１６は、図１５に示される、ゲート配線、光電変
換素子、スイッチＴＦＴおよび信号線といった各デバイ
スの層構成を説明するために、各々のデバイスにおいて
任意の方向で切断した断面図を配列した図である。なお
層構成の順序においては、図１５の従来例と同様であ
る。
【０００８】図１６において、１はガラス基板、３は光
電変換素子の下部電極、８は光電変換素子のバイアス配
線であり、２はスイッチＴＦＴのゲート配線、４はスイ
ッチＴＦＴのゲート電極、９はスイッチＴＦＴのソース
・ドレイン電極である。
電変換素子の下部電極、８は光電変換素子のバイアス配
線であり、２はスイッチＴＦＴのゲート配線、４はスイ
ッチＴＦＴのゲート電極、９はスイッチＴＦＴのソース
・ドレイン電極である。
【０００９】光電変換素子のセンサー部と、スイッチＴ
ＦＴのソース・ドレイン電極を除いた層と、信号線の下
部とは同一層構成であって、５は絶縁膜、６は活性層と
しての非晶質シリコン膜、７はオーミックコンタクト層
である。１０はスイッチＴＦＴに接続されている信号線
である。また、１００は保護膜、１０１は接着層、１０
２は蛍光体層である。入射放射線は同図において蛍光体
層の方向より入射する構成となっている。
ＦＴのソース・ドレイン電極を除いた層と、信号線の下
部とは同一層構成であって、５は絶縁膜、６は活性層と
しての非晶質シリコン膜、７はオーミックコンタクト層
である。１０はスイッチＴＦＴに接続されている信号線
である。また、１００は保護膜、１０１は接着層、１０
２は蛍光体層である。入射放射線は同図において蛍光体
層の方向より入射する構成となっている。
【００１０】現在、この種の放射線検出装置に対して
は、放射線量の低減を実現する高感度化の要求が高ま
り、また、画像の高品位化を達成する高精細化も期待さ
れている状況である。この様な状況において、蛍光体の
発光効率の改善を始めとして、光センサーアレーでの光
収集効率の改善、更には、光電変換素子、その物の改
良、即ち、光電変換効率の改善に至るまで多岐に渡り開
発が進められている。
は、放射線量の低減を実現する高感度化の要求が高ま
り、また、画像の高品位化を達成する高精細化も期待さ
れている状況である。この様な状況において、蛍光体の
発光効率の改善を始めとして、光センサーアレーでの光
収集効率の改善、更には、光電変換素子、その物の改
良、即ち、光電変換効率の改善に至るまで多岐に渡り開
発が進められている。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】一般に、高画像品位を
達成する場合、先ず、画素ピッチを微細化する必要があ
るが、単純に、画素ピッチを微細化することは、逆に、
感度低下を引き起こす事になり、単純には実現できな
い。
達成する場合、先ず、画素ピッチを微細化する必要があ
るが、単純に、画素ピッチを微細化することは、逆に、
感度低下を引き起こす事になり、単純には実現できな
い。
【００１２】この理由は、高精細化に伴って有効画素領
域は縮小されずに、同一か、或いは、より大きな面積に
なることが要求されているからである。
域は縮小されずに、同一か、或いは、より大きな面積に
なることが要求されているからである。
【００１３】即ち、画素数の増加に伴い、スイッチＴＦ
Ｔの駆動速度、信号処理速度などを高速化する必要があ
り、スイッチＴＦＴの駆動配線、信号線などは、一層の
低抵抗化が必要となる。また、スイッチＴＦＴのオン抵
抗の低減などスイッチＴＦＴの大型化も場合により必要
となる。言い換えれば、夫々の配線幅などは増加するこ
とはあっても縮小する事はなく、スイッチＴＦＴのサイ
ズにおいても小型化が期待されるものでもない。
Ｔの駆動速度、信号処理速度などを高速化する必要があ
り、スイッチＴＦＴの駆動配線、信号線などは、一層の
低抵抗化が必要となる。また、スイッチＴＦＴのオン抵
抗の低減などスイッチＴＦＴの大型化も場合により必要
となる。言い換えれば、夫々の配線幅などは増加するこ
とはあっても縮小する事はなく、スイッチＴＦＴのサイ
ズにおいても小型化が期待されるものでもない。
【００１４】その結果、高精細化に伴い、夫々の配線幅
が画素内に占める面積比が増大し、また、スイッチＴＦ
Ｔが占める面積も大きく変化しないため、画素に占める
光電変換素子の開口率は、画素ピッチが縮小されるに従
い、一般的には、低下する傾向がある。この様に、大面
積を維持しつつ、高精細化を達成する場合、画素開口率
の低下が起こる。その結果、一定の画像品位を得るため
には、放射線量を増加する必要があり、医療分野では人
体への影響を考慮すると受け入れられるものではない。
図１２に１画素の開口率について説明するための平面図
を示す。図１２において、Ｐは画素ピッチ、Ｖｇはスイ
ッチＴＦＴのゲート配線、Ｓｉｇは信号線、Ｓは光電変
換素子のセンサー領域である。ゲート配線Ｖｇの幅をＷ
ｇ、信号線Ｓｉｇの幅をＷｓ、ゲート配線Ｖｇと光電変
換素子のセンサー領域ＳとのクリアランスをＬｇ、信号
線１０とのクリアランスをＬｓとすると、開口率Ａｐは
以下の式により大雑把に算出できる。
が画素内に占める面積比が増大し、また、スイッチＴＦ
Ｔが占める面積も大きく変化しないため、画素に占める
光電変換素子の開口率は、画素ピッチが縮小されるに従
い、一般的には、低下する傾向がある。この様に、大面
積を維持しつつ、高精細化を達成する場合、画素開口率
の低下が起こる。その結果、一定の画像品位を得るため
には、放射線量を増加する必要があり、医療分野では人
体への影響を考慮すると受け入れられるものではない。
図１２に１画素の開口率について説明するための平面図
を示す。図１２において、Ｐは画素ピッチ、Ｖｇはスイ
ッチＴＦＴのゲート配線、Ｓｉｇは信号線、Ｓは光電変
換素子のセンサー領域である。ゲート配線Ｖｇの幅をＷ
ｇ、信号線Ｓｉｇの幅をＷｓ、ゲート配線Ｖｇと光電変
換素子のセンサー領域ＳとのクリアランスをＬｇ、信号
線１０とのクリアランスをＬｓとすると、開口率Ａｐは
以下の式により大雑把に算出できる。
【００１５】Ａｐ＝（Ｐ−Ｗｇ−２Ｌｇ）×（Ｐ−Ｗｓ
−２Ｌｓ）/Ｐ2実際には、スイッチＴＦＴがあるため、
ここで、算出される開口率Ａｐに比較して、実際の開口
率は小さい値になるが、説明を単純化するために、ここ
ではスイッチＴＦＴの面積は考慮しないこととする。
−２Ｌｓ）/Ｐ2実際には、スイッチＴＦＴがあるため、
ここで、算出される開口率Ａｐに比較して、実際の開口
率は小さい値になるが、説明を単純化するために、ここ
ではスイッチＴＦＴの面積は考慮しないこととする。
【００１６】次に、一例としてゲート配線Ｖｇの幅をＷ
ｇ＝１０μｍ、信号線Ｓｉｇの幅をＷｓ＝８μｍ、信号
線Ｓｉｇおよびゲート配線ＶｇのクリアランスをＬｇ＝
Ｌｓ＝４μｍとして、画素ピッチに対する開口率の変化
を図１３に示す。
ｇ＝１０μｍ、信号線Ｓｉｇの幅をＷｓ＝８μｍ、信号
線Ｓｉｇおよびゲート配線ＶｇのクリアランスをＬｇ＝
Ｌｓ＝４μｍとして、画素ピッチに対する開口率の変化
を図１３に示す。
【００１７】ここで、クリアランスＬｇは、ゲート配線
及びゲート電極及び光電変換素子の下部電極を電気的に
絶縁する必要があることと、同一層上に配置されるた
め、実際には、製造装置などの限界から、４μｍ程度の
スペースとして存在しているものである。
及びゲート電極及び光電変換素子の下部電極を電気的に
絶縁する必要があることと、同一層上に配置されるた
め、実際には、製造装置などの限界から、４μｍ程度の
スペースとして存在しているものである。
【００１８】また、クリアランスＬｓは光電変換素子の
ＭＩＳ構成と信号線下部のＭＩＳ構成を電気的に分離す
るため、同様に、実際には、４μｍ程度のスペースとし
て存在しているものである。同図より明らかな様に、開
口率Ａｐは、画素ピッチＰが７０、８０μｍ程度を境
に、画素ピッチＰが縮小されるに従い、急激に低下する
事が確認できる。即ち、現状では、７０、８０μｍ程度
の高精細化は、感度低下を大きく引き起こす事になり、
実現困難となる。
ＭＩＳ構成と信号線下部のＭＩＳ構成を電気的に分離す
るため、同様に、実際には、４μｍ程度のスペースとし
て存在しているものである。同図より明らかな様に、開
口率Ａｐは、画素ピッチＰが７０、８０μｍ程度を境
に、画素ピッチＰが縮小されるに従い、急激に低下する
事が確認できる。即ち、現状では、７０、８０μｍ程度
の高精細化は、感度低下を大きく引き起こす事になり、
実現困難となる。
【００１９】一方、従来、一般的である１５０μｍ〜２
００μｍ程度の画素ピッチにおいても、感度的には未だ
十分であるとは言えない。つまり、上述の様に、夫々の
配線幅、或いは、スイッチＴＦＴサイズなどの制約があ
り、現状では、開口率による改善では高感度化が見込め
ない状況である。
００μｍ程度の画素ピッチにおいても、感度的には未だ
十分であるとは言えない。つまり、上述の様に、夫々の
配線幅、或いは、スイッチＴＦＴサイズなどの制約があ
り、現状では、開口率による改善では高感度化が見込め
ない状況である。
【００２０】そこで、本発明の課題は、画素構成上必須
なゲート配線、信号線、スイッチＴＦＴの性能を落とす
ことなく、画素開口率を改善し、高感度化を達成すると
共に、高精細化を実現を可能にするものである。
なゲート配線、信号線、スイッチＴＦＴの性能を落とす
ことなく、画素開口率を改善し、高感度化を達成すると
共に、高精細化を実現を可能にするものである。
【００２１】
【課題を解決するための手段】上記の課題を達成するた
めに、本発明にかかる光検出装置は、入射光を電気信号
に変換する光電変換素子を含む画素が基板上に複数形成
された光検出装置において、前記基板と前記光電変換素
子とを覆って形成された絶縁層上であって、且つ隣接す
る前記光電変換素子の間隙の上に、前記画素に接続され
た配線が配置されていることを特徴とする。
めに、本発明にかかる光検出装置は、入射光を電気信号
に変換する光電変換素子を含む画素が基板上に複数形成
された光検出装置において、前記基板と前記光電変換素
子とを覆って形成された絶縁層上であって、且つ隣接す
る前記光電変換素子の間隙の上に、前記画素に接続され
た配線が配置されていることを特徴とする。
【００２２】また、本発明は、入射光を電気信号に変換
する光電変換素子を含む画素が基板上に複数形成された
光検出装置において、前記基板と前記光電変換素子とを
覆うように有機低誘電率絶縁層を形成し、その上に、前
記光電変換素子を含む画素に接続された配線が配置され
ていることを特徴とする。
する光電変換素子を含む画素が基板上に複数形成された
光検出装置において、前記基板と前記光電変換素子とを
覆うように有機低誘電率絶縁層を形成し、その上に、前
記光電変換素子を含む画素に接続された配線が配置され
ていることを特徴とする。
【００２３】
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して本発明
にかかる光検出装置、放射線検出装置およびそれを具備
する放射線撮像システムの実施形態について詳細に説明
する。
にかかる光検出装置、放射線検出装置およびそれを具備
する放射線撮像システムの実施形態について詳細に説明
する。
【００２４】以下で参照される図１および図４は蛍光体
が接着されていない時に信号線が配置される側から見た
図であり、実線は信号線が配置される側から見て目視可
能な箇所であり、点線は目視できない箇所である。
が接着されていない時に信号線が配置される側から見た
図であり、実線は信号線が配置される側から見て目視可
能な箇所であり、点線は目視できない箇所である。
【００２５】［第１実施形態］以下、本発明にかかる光
検出装置の一実施形態としての第１の実施形態について
説明する。本実施形態ではＭＩＳ型光電変換素子を用い
た光検出装置が適用されている。図１は、本実施形態の
光電変換素子およびスイッチＴＦＴ等で構成される画素
を信号線が配置される側から見た模式的平面図である。
図１において、９はスイッチＴＦＴのソース・ドレイン
電極、５０は光電変換素子のセンサー部、２はスイッチ
ＴＦＴを駆動するためのゲート配線、４はスイッチＴＦ
Ｔのゲート電極、１０は信号線、８は光電変換素子のバ
イアス配線、１２はスイッチＴＦＴのソース・ドレイン
電極９と光電変換素子の下部電極３を電気接続するため
のコンタクトホール、１３はスイッチＴＦＴのソース・
ドレイン電極９と信号線とを絶縁層１１を介して電気的
に接続するためのコンタクトホール１２である。また、
絶縁層１１は、光電変換素子の形成後、更にバイアス配
線８およびソース・ドレイン電極９を形成した後に、形
成される。絶縁層１１となる出発材料を塗布する塗布方
法などにより絶縁層を形成すれば容易に表面を平坦化で
きる。この絶縁膜としては、比誘電率が３．５以下、よ
り好ましくは３．０以下の有機低誘電率膜を用いること
が好ましい。
検出装置の一実施形態としての第１の実施形態について
説明する。本実施形態ではＭＩＳ型光電変換素子を用い
た光検出装置が適用されている。図１は、本実施形態の
光電変換素子およびスイッチＴＦＴ等で構成される画素
を信号線が配置される側から見た模式的平面図である。
図１において、９はスイッチＴＦＴのソース・ドレイン
電極、５０は光電変換素子のセンサー部、２はスイッチ
ＴＦＴを駆動するためのゲート配線、４はスイッチＴＦ
Ｔのゲート電極、１０は信号線、８は光電変換素子のバ
イアス配線、１２はスイッチＴＦＴのソース・ドレイン
電極９と光電変換素子の下部電極３を電気接続するため
のコンタクトホール、１３はスイッチＴＦＴのソース・
ドレイン電極９と信号線とを絶縁層１１を介して電気的
に接続するためのコンタクトホール１２である。また、
絶縁層１１は、光電変換素子の形成後、更にバイアス配
線８およびソース・ドレイン電極９を形成した後に、形
成される。絶縁層１１となる出発材料を塗布する塗布方
法などにより絶縁層を形成すれば容易に表面を平坦化で
きる。この絶縁膜としては、比誘電率が３．５以下、よ
り好ましくは３．０以下の有機低誘電率膜を用いること
が好ましい。
【００２６】また、図１のＡ−Ａ’部の模式的断面図を
図２に示す。図２において、１はガラス基板、３は光電
変換素子の下部電極、１０はスイッチＴＦＴのソース・
ドレイン電極９に接続された信号線、５は絶縁膜、６は
活性層としての非晶質シリコン膜、７はオーミックコン
タクト層であって不純物がドープされた非単結晶シリコ
ンからなるｎ+層である。１１は平坦化された絶縁層で
ある。
図２に示す。図２において、１はガラス基板、３は光電
変換素子の下部電極、１０はスイッチＴＦＴのソース・
ドレイン電極９に接続された信号線、５は絶縁膜、６は
活性層としての非晶質シリコン膜、７はオーミックコン
タクト層であって不純物がドープされた非単結晶シリコ
ンからなるｎ+層である。１１は平坦化された絶縁層で
ある。
【００２７】図２の絶縁膜５、活性層としての非晶質シ
リコン膜６およびオーミックコンタクト層７で光電変換
素子のセンサー部５０を構成している。光電変換素子と
図２では図示されないスイッチＴＦＴとは同一層構成で
ある。
リコン膜６およびオーミックコンタクト層７で光電変換
素子のセンサー部５０を構成している。光電変換素子と
図２では図示されないスイッチＴＦＴとは同一層構成で
ある。
【００２８】図２において、画素を構成するスイッチＴ
ＦＴに接続される信号線１０は、従来はセンサー部５０
等と同じ工程で形成される層上に配置されていたが、本
実施形態の信号線１０は、光電変換素子と基板とを覆っ
て形成される絶縁層１１上に配置されている。また、本
実施形態では、信号線１０は隣接する光電変換素子間の
領域に配置されている。
ＦＴに接続される信号線１０は、従来はセンサー部５０
等と同じ工程で形成される層上に配置されていたが、本
実施形態の信号線１０は、光電変換素子と基板とを覆っ
て形成される絶縁層１１上に配置されている。また、本
実施形態では、信号線１０は隣接する光電変換素子間の
領域に配置されている。
【００２９】このため、隣接する光電変換素子間の距離
を短くする事が可能となる。本実施形態では、信号線と
光電変換素子との寄生容量の影響を考慮して、隣接する
光電変換素子の間隔が、信号線の幅と同一または実質的
に同一となる構成になっている。
を短くする事が可能となる。本実施形態では、信号線と
光電変換素子との寄生容量の影響を考慮して、隣接する
光電変換素子の間隔が、信号線の幅と同一または実質的
に同一となる構成になっている。
【００３０】この様に、本構成によれば、信号線と光電
変換素子の下部電極とのクリアランスを必要としないた
め、開口率Ａｐの向上が可能となる。スイッチＴＦＴに
接続された信号線と光電変換素子の下部電極とのクリア
ランスＬｓに対する開口率Ａｐの関係を図３に示す。図
中、Ｌｓ＝４μｍとした場合を従来例とし、Ｌｓ≒０μ
ｍとした場合を本実施形態としている。
変換素子の下部電極とのクリアランスを必要としないた
め、開口率Ａｐの向上が可能となる。スイッチＴＦＴに
接続された信号線と光電変換素子の下部電極とのクリア
ランスＬｓに対する開口率Ａｐの関係を図３に示す。図
中、Ｌｓ＝４μｍとした場合を従来例とし、Ｌｓ≒０μ
ｍとした場合を本実施形態としている。
【００３１】従来例では、スイッチＴＦＴのソース・ド
レイン電極９と信号線１０とを同一の工程で形成され
る、異なる層上に別々に作成するため、素子間分離時
に、従来、一括で分離した構造の場合、製造装置の関係
でＬｓ＝４μｍが限度であるところが、本実施形態では
Ｌｓ≒０で作成でき、その結果、概ね開口率Ａｐは５〜
２５％程度向上することができる。
レイン電極９と信号線１０とを同一の工程で形成され
る、異なる層上に別々に作成するため、素子間分離時
に、従来、一括で分離した構造の場合、製造装置の関係
でＬｓ＝４μｍが限度であるところが、本実施形態では
Ｌｓ≒０で作成でき、その結果、概ね開口率Ａｐは５〜
２５％程度向上することができる。
【００３２】特に、高精細、即ち、画素ピッチが小さく
なるに従って、開口率Ａｐの改善効果は大きくなる。例
えば、画素ピッチが１００μｍでは、開口率は従来に比
較して１．１倍、５０μｍでは１．２５倍となる。図９
に本実施形態を従来と比較した開口率比を示す。また、
従来の感度、即ち、光電変換素子が占める面積を同一に
した場合、本実施形態では、従来に比較して５μｍ程
度、画素ピッチを縮小する事も可能となる。
なるに従って、開口率Ａｐの改善効果は大きくなる。例
えば、画素ピッチが１００μｍでは、開口率は従来に比
較して１．１倍、５０μｍでは１．２５倍となる。図９
に本実施形態を従来と比較した開口率比を示す。また、
従来の感度、即ち、光電変換素子が占める面積を同一に
した場合、本実施形態では、従来に比較して５μｍ程
度、画素ピッチを縮小する事も可能となる。
【００３３】次に、本実施形態の製造方法について述べ
る。図６、図７または図８において、露出している部分
は実線で描かれ、露出していない部分は点線で描かれて
いるものとする。 （１）図６（Ａ）に示す様に、ガラス基板上にスイッチ
ＴＦＴのゲート配線２、ゲート電極４および光電変換素
子の下部電極３としてＣｒ薄膜を１０００Åスパッター
等により成膜して、パターン形成する。 （２）図６（Ｂ）に示す様に、プラズマＣＶＤ法等によ
り絶縁膜５としてＳｉＮ膜３００ｎｍ、活性層６として
ノンドープ非晶質シリコン膜６００ｎｍ、オーミックコ
ンタクト層７としてのｎ+型オーミックコンタクト層１
００ｎｍを連続形成する。その後、スイッチＴＦＴのソ
ース・ドレイン電極９と光電変換素子の下部電極３とを
電気接続するためのコンタクトホール１２をＲＩＥ法等
により絶縁膜５、活性層６、オーミックコンタクト層７
に形成する。 （３）図７（Ａ）に示す様に、光電変換素子のバイアス
配線８及びスイッチＴＦＴのソース・ドレイン電極９と
なるＡｌ薄膜を１μｍスパッター等により成膜し、それ
をエッチングして、バイアス配線８及びソース・ドレイ
ン電極９のパターンを形成する。 （４）図７（Ｂ）に示す様に、絶縁膜５、活性層６、オ
ーミックコンタクト層７の一部をエッチング除去して，
画素毎を独立化し且つ光電変換素子のセンサー部５０と
スイッチＴＦＴが独立化するように分離する。 （５）図８（Ａ）に示す様に、絶縁層１１として、ジビ
ニルシロキサンビスベンゾシクロブテン（ダウケミカル
社製ＢＣＢ）を、２．５μｍスピン塗布し、硬化薄膜化
させ比誘電率が２．６〜２．７の絶縁層１１を形成した
後、スイッチＴＦＴのソース・ドレイン電極４との電気
接合のためのコンタクトホール１３をＲＩＥ法等により
絶縁層１１に形成する。 （６）図８（Ｂ）に示す様に、信号線１０となる、Ａｌ
薄膜を１μｍスパッター等により成膜し、エッチングし
て信号線１０のパターンを形成する。
る。図６、図７または図８において、露出している部分
は実線で描かれ、露出していない部分は点線で描かれて
いるものとする。 （１）図６（Ａ）に示す様に、ガラス基板上にスイッチ
ＴＦＴのゲート配線２、ゲート電極４および光電変換素
子の下部電極３としてＣｒ薄膜を１０００Åスパッター
等により成膜して、パターン形成する。 （２）図６（Ｂ）に示す様に、プラズマＣＶＤ法等によ
り絶縁膜５としてＳｉＮ膜３００ｎｍ、活性層６として
ノンドープ非晶質シリコン膜６００ｎｍ、オーミックコ
ンタクト層７としてのｎ+型オーミックコンタクト層１
００ｎｍを連続形成する。その後、スイッチＴＦＴのソ
ース・ドレイン電極９と光電変換素子の下部電極３とを
電気接続するためのコンタクトホール１２をＲＩＥ法等
により絶縁膜５、活性層６、オーミックコンタクト層７
に形成する。 （３）図７（Ａ）に示す様に、光電変換素子のバイアス
配線８及びスイッチＴＦＴのソース・ドレイン電極９と
なるＡｌ薄膜を１μｍスパッター等により成膜し、それ
をエッチングして、バイアス配線８及びソース・ドレイ
ン電極９のパターンを形成する。 （４）図７（Ｂ）に示す様に、絶縁膜５、活性層６、オ
ーミックコンタクト層７の一部をエッチング除去して，
画素毎を独立化し且つ光電変換素子のセンサー部５０と
スイッチＴＦＴが独立化するように分離する。 （５）図８（Ａ）に示す様に、絶縁層１１として、ジビ
ニルシロキサンビスベンゾシクロブテン（ダウケミカル
社製ＢＣＢ）を、２．５μｍスピン塗布し、硬化薄膜化
させ比誘電率が２．６〜２．７の絶縁層１１を形成した
後、スイッチＴＦＴのソース・ドレイン電極４との電気
接合のためのコンタクトホール１３をＲＩＥ法等により
絶縁層１１に形成する。 （６）図８（Ｂ）に示す様に、信号線１０となる、Ａｌ
薄膜を１μｍスパッター等により成膜し、エッチングし
て信号線１０のパターンを形成する。
【００３４】その後、必要に応じて保護膜としてＳｉＮ
膜及びポリイミド膜を積層する。更にその上に、放射線
を可視光に変換する光変換体としてのＧＯＳ蛍光体シー
トを接着剤などにより貼り合せれば、放射線検出装置が
製造できる。
膜及びポリイミド膜を積層する。更にその上に、放射線
を可視光に変換する光変換体としてのＧＯＳ蛍光体シー
トを接着剤などにより貼り合せれば、放射線検出装置が
製造できる。
【００３５】［第２実施形態］以下、本発明にかかる光
検出装置の一実施形態である第２の実施形態について説
明する。第２の実施形態は、第１の実施形態と同様に、
ＭＩＳ型光電変換素子を用いた光検出装置が適用されて
いる。図４は本実施形態の図１と同様に光電変換素子お
よびスイッチＴＦＴ等で構成される画素を信号線が配置
される側から見た模式的平面図である。また、図４のＡ
−Ａ’部の模式的断面図を図５に示す。符号は第１の実
施形態と同様である。
検出装置の一実施形態である第２の実施形態について説
明する。第２の実施形態は、第１の実施形態と同様に、
ＭＩＳ型光電変換素子を用いた光検出装置が適用されて
いる。図４は本実施形態の図１と同様に光電変換素子お
よびスイッチＴＦＴ等で構成される画素を信号線が配置
される側から見た模式的平面図である。また、図４のＡ
−Ａ’部の模式的断面図を図５に示す。符号は第１の実
施形態と同様である。
【００３６】図２と異なる点は隣接する光電変換素子の
間隔が、信号線の幅より狭い点である。本構成によれ
ば、信号線１０と光電変換素子のセンサー部５０及び下
部電極３とが絶縁層１１を介して、オーバーラップする
構造であるため、完全にＬｓ＝０となり、開口率Ａｐの
更なる向上が可能となる。
間隔が、信号線の幅より狭い点である。本構成によれ
ば、信号線１０と光電変換素子のセンサー部５０及び下
部電極３とが絶縁層１１を介して、オーバーラップする
構造であるため、完全にＬｓ＝０となり、開口率Ａｐの
更なる向上が可能となる。
【００３７】この時、信号線と光電変換素子との寄生容
量を影響無い程度とするため、光電変換素子とを覆うよ
う絶縁層１１として比誘電率が３．５以下の有機低誘電
率絶縁層を用い、更には層間絶縁層１１を実施形態１よ
り厚膜化し寄生容量をより一層低減している。一方、光
電変換素子のＭＩＳ型半導体積層部を隣接間で連続とす
る事が考えられるが、夫々の光電変換素子の下部電極へ
の段差乗り越え部分が大きくなり、微小リークなど特性
上の問題となり、望ましい構成ではない。
量を影響無い程度とするため、光電変換素子とを覆うよ
う絶縁層１１として比誘電率が３．５以下の有機低誘電
率絶縁層を用い、更には層間絶縁層１１を実施形態１よ
り厚膜化し寄生容量をより一層低減している。一方、光
電変換素子のＭＩＳ型半導体積層部を隣接間で連続とす
る事が考えられるが、夫々の光電変換素子の下部電極へ
の段差乗り越え部分が大きくなり、微小リークなど特性
上の問題となり、望ましい構成ではない。
【００３８】［第３実施形態］次に、本発明にかかる光
検出装置に蛍光体が接着されて、Ｘ線等の放射線を検出
する放射線検出装置の実装例及びそれを具備する放射線
撮像システムについて説明する。放射線撮像システムの
一例としてＸ線診断システムが適用されている。
検出装置に蛍光体が接着されて、Ｘ線等の放射線を検出
する放射線検出装置の実装例及びそれを具備する放射線
撮像システムについて説明する。放射線撮像システムの
一例としてＸ線診断システムが適用されている。
【００３９】図１０（ａ）、図１０（ｂ）は本発明に係
る光検出装置に蛍光体が接着されて、Ｘ線等の放射線を
検出する放射線検出装置の実装例の模式的構成図及び模
式的断面図である。
る光検出装置に蛍光体が接着されて、Ｘ線等の放射線を
検出する放射線検出装置の実装例の模式的構成図及び模
式的断面図である。
【００４０】光電変換素子とＴＦＴはａ−Ｓｉ（アモル
ファスシリコン）センサ基板６０１１内に複数個形成さ
れ、シフトレジスタＳＲ１と検出用集積回路ＩＣが実装
されたフレキシブル回路基板６０１０が接続されてい
る。フレキシブル回路基板６０１０のａ−Ｓｉと反対側
は回路基板ＰＣＢ１、ＰＣＢ２に接続されている。前記
ａ−Ｓｉセンサ基板６０１１の複数枚が基台６０１２の
上に接着され大型の光検出装置を構成する基台６０１２
の下には処理回路６０１８内のメモリ６０１４をＸ線か
ら保護するため鉛板６０１３が実装されている。ａ−Ｓ
ｉセンサ基板６０１１上には入射放射線を可視光に変換
するための蛍光体６０３０たとえばＣｓＩが、蒸着され
ている。図１０（ｂ）に示されるように全体をカーボン
ファイバー製のケース６０２０に収納している。
ファスシリコン）センサ基板６０１１内に複数個形成さ
れ、シフトレジスタＳＲ１と検出用集積回路ＩＣが実装
されたフレキシブル回路基板６０１０が接続されてい
る。フレキシブル回路基板６０１０のａ−Ｓｉと反対側
は回路基板ＰＣＢ１、ＰＣＢ２に接続されている。前記
ａ−Ｓｉセンサ基板６０１１の複数枚が基台６０１２の
上に接着され大型の光検出装置を構成する基台６０１２
の下には処理回路６０１８内のメモリ６０１４をＸ線か
ら保護するため鉛板６０１３が実装されている。ａ−Ｓ
ｉセンサ基板６０１１上には入射放射線を可視光に変換
するための蛍光体６０３０たとえばＣｓＩが、蒸着され
ている。図１０（ｂ）に示されるように全体をカーボン
ファイバー製のケース６０２０に収納している。
【００４１】図１１は上記の放射線検出装置のＸ線診断
システムへの応用例を示したものである。
システムへの応用例を示したものである。
【００４２】Ｘ線チューブ６０５０で発生したＸ線６０
６０は患者あるいは被験者６０６１の胸部６０６２を透
過し、蛍光体を上部に実装した光検出装置６０４０に入
射する。この入射したＸ線には患者６０６１の体内部の
情報が含まれている。Ｘ線の入射に対応して蛍光体は発
光し、これを光電変換して、電気的情報を得る。この情
報はディジタルに変換されイメージプロセッサ６０７０
により画像処理され制御室のディスプレイ６０８０で観
察できる。
６０は患者あるいは被験者６０６１の胸部６０６２を透
過し、蛍光体を上部に実装した光検出装置６０４０に入
射する。この入射したＸ線には患者６０６１の体内部の
情報が含まれている。Ｘ線の入射に対応して蛍光体は発
光し、これを光電変換して、電気的情報を得る。この情
報はディジタルに変換されイメージプロセッサ６０７０
により画像処理され制御室のディスプレイ６０８０で観
察できる。
【００４３】また、この情報は電話回線６０９０等の伝
送手段により遠隔地へ転送でき、別の場所のドクタール
ームなどディスプレイ６０８１に表示もしくは光ディス
ク等の保存手段に保存することができ、遠隔地の医師が
診断することも可能である。またフィルムプロセッサ６
１００によりフィルム６１１０に記録することもでき
る。
送手段により遠隔地へ転送でき、別の場所のドクタール
ームなどディスプレイ６０８１に表示もしくは光ディス
ク等の保存手段に保存することができ、遠隔地の医師が
診断することも可能である。またフィルムプロセッサ６
１００によりフィルム６１１０に記録することもでき
る。
【００４４】なお、放射線とはＸ線やα，β，γ線等を
いい、光は光電変換素子により検出可能な波長領域の電
磁波であり、可視光を含む。
いい、光は光電変換素子により検出可能な波長領域の電
磁波であり、可視光を含む。
【００４５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
光電変換素子のスイッチＴＦＴに接続された信号線との
クリアランスが実質上不要となり、その結果、開口率を
向上させ、高感度化、或いは、高精細化が達成できる。
光電変換素子のスイッチＴＦＴに接続された信号線との
クリアランスが実質上不要となり、その結果、開口率を
向上させ、高感度化、或いは、高精細化が達成できる。
【００４６】また、放射線変換光が信号線と光電変換素
子の間を透過し、基板表面と裏面間で反射、透過を繰り
返す事による分解能の低下を低減する事も可能となる。
子の間を透過し、基板表面と裏面間で反射、透過を繰り
返す事による分解能の低下を低減する事も可能となる。
【図１】第１の実施形態の模式的平面図である。
【図２】図１におけるＡ−Ａ’部の模式的断面図であ
る。
る。
【図３】第１の実施形態の画素ピッチに対する開口率を
示すグラフである。
示すグラフである。
【図４】第２の実施形態の模式的平面図である。
【図５】図４におけるＡ−Ａ’部の模式的断面図であ
る。
る。
【図６】第１の実施形態の製造方法を説明するための図
である。
である。
【図７】第１の実施形態の製造方法を説明するための図
である。
である。
【図８】第１の実施形態の製造方法を説明するための図
である。
である。
【図９】画素ピッチに対する第１の実施形態の開口率と
従来の実施形態の開口率と比較した開口率比を示す図で
ある。
従来の実施形態の開口率と比較した開口率比を示す図で
ある。
【図１０】本発明にかかる光検出装置の実装例の模式的
構成図及び模式的断面図である。
構成図及び模式的断面図である。
【図１１】本発明にかかる光検出装置を具備する放射線
撮像システムの一例としてのＸ線診断システムを示した
ものである。
撮像システムの一例としてのＸ線診断システムを示した
ものである。
【図１２】１画素の開口率を説明するための模式的平面
図である。
図である。
【図１３】従来の実施形態の画素ピッチに対する開口率
を示すグラフである。
を示すグラフである。
【図１４】光センサーアレーの模式的な等価回路であ
る。
る。
【図１５】従来のＭＩＳ−ＴＦＴ構造の１画素の模式的
平面図である。
平面図である。
【図１６】ＭＩＳ−ＴＦＴ構造の層構成を説明するため
の模式的断面図である。
の模式的断面図である。
１ ガラス基板 ２ スイッチＴＦＴのゲート配線 ３ 光電変換素子の下部電極 ４ スイッチＴＦＴのゲート電極 ５ 絶縁膜 ６ 活性層 ７ オーミックコンタクト層 ８ 光電変換素子のバイアス配線 ９ スイッチＴＦＴのソース・ドレイン電極 １０ 信号線 １１ 絶縁層 １２ 下部電極３とソース・ドレイン電極９とを電気接
続するためのコンタクトホール １３ ソース・ドレイン電極９と信号線１０とを電気接
続するためのコンタクトホール ５０ 光電変換素子のセンサー部 ６０ スイッチＴＦＴの絶縁膜５、活性層６およびオー
ミックコンタクト層７ １００ 保護膜 １０１ 接着層 １０２ 蛍光体層 ６０１０ フレキシブル回路基板 ６０１１ ａ−Ｓｉセンサ基板 ６０１２ 基台 ６０１３ 鉛板 ６０１４ メモリ ６０２０ ケース ６０３０ 蛍光体 ６０４０ 光検出装置 ６０５０ Ｘ線チューブ ６０６０ Ｘ線 ６０６１ 被験者 ６０６２ 胸部 ６０７０ イメージプロセッサ ６０８０ 制御室のディスプレイ ６０９０ 電話回線 ６０８１ ドクタールームのディスプレイ ６１００ フィルムプロセッサ ６１１０ フィルム
続するためのコンタクトホール １３ ソース・ドレイン電極９と信号線１０とを電気接
続するためのコンタクトホール ５０ 光電変換素子のセンサー部 ６０ スイッチＴＦＴの絶縁膜５、活性層６およびオー
ミックコンタクト層７ １００ 保護膜 １０１ 接着層 １０２ 蛍光体層 ６０１０ フレキシブル回路基板 ６０１１ ａ−Ｓｉセンサ基板 ６０１２ 基台 ６０１３ 鉛板 ６０１４ メモリ ６０２０ ケース ６０３０ 蛍光体 ６０４０ 光検出装置 ６０５０ Ｘ線チューブ ６０６０ Ｘ線 ６０６１ 被験者 ６０６２ 胸部 ６０７０ イメージプロセッサ ６０８０ 制御室のディスプレイ ６０９０ 電話回線 ６０８１ ドクタールームのディスプレイ ６１００ フィルムプロセッサ ６１１０ フィルム
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 31/09 Ｈ０１Ｌ 27/14 Ｋ ５Ｆ０８８ 31/10 31/00 Ａ Ｈ０４Ｎ 5/32 31/10 Ａ Ｆターム(参考） 2G088 EE01 EE27 FF02 FF04 GG19 GG20 JJ05 JJ09 JJ33 JJ37 KK32 LL12 LL15 2H013 AC01 AC06 4M118 AA10 AB01 CA05 CB06 CB11 FB03 FB09 FB13 FB24 5C024 AX12 CX41 DX04 5F049 MA01 MB05 NA01 NB05 QA01 RA08 SS01 WA07 5F088 AA01 AB05 BA01 BB03 BB07 DA01 EA04 EA08 GA02 LA07 LA08
Claims (7)
- 【請求項１】 入射光を電気信号に変換する光電変換素
子を含む画素が基板上に複数形成された光検出装置にお
いて、 前記基板と前記光電変換素子とを覆って形成された絶縁
層上であって、且つ隣接する前記少なくとも２つの光電
変換素子の間隙の上に、前記光電変換素子を含む画素に
接続された配線が配置されていることを特徴とする光検
出装置。 - 【請求項２】 前記隣接する光電変換素子の間隔は、前
記配線の幅と同一または実質的に同一であることを特徴
とする請求項１記載の光検出装置。 - 【請求項３】 前記隣接する光電変換素子の間隔は、前
記配線の幅より狭いことを特徴とする請求項１記載の光
検出装置。 - 【請求項４】 前記絶縁層は、ベンゾシクロブテンを含
むことを特徴とした請求項１から３のいずれか１項に記
載の光検出装置。 - 【請求項５】 入射光を電気信号に変換する光電変換素
子を含む画素が基板上に複数形成された光検出装置にお
いて、 前記基板と前記光電変換素子とを覆うように有機低誘電
率絶縁層を形成し、その上に、前記光電変換素子を含む
画素に接続された配線が配置されていることを特徴とす
る光検出装置。 - 【請求項６】 放射線を光に変換する蛍光体が、請求項
１から５のいずれか１項に記載の光検出装置の前記絶縁
層および前記信号線を覆って設けられている放射線検出
装置。 - 【請求項７】 請求項６に記載の放射線検出装置と、 前記放射線検出装置からの信号を処理する信号処理手段
と、 前記信号処理手段からの信号を記録するための記録手段
と、 前記信号処理手段からの信号を表示するための表示手段
と、 前記信号処理手段からの信号を伝送するための伝送処理
手段と、 前記放射線を発生させるための放射線源とを具備するこ
とを特徴とする放射線撮像システム。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001093002A JP2002289824A (ja) | 2001-03-28 | 2001-03-28 | 光検出装置、放射線検出装置および放射線撮像システム |
| US10/102,647 US6847039B2 (en) | 2001-03-28 | 2002-03-22 | Photodetecting device, radiation detecting device, and radiation imaging system |
| EP09156255A EP2081230B1 (en) | 2001-03-28 | 2002-03-27 | Photodetecting device, radiation detecting device, and radiation imaging system |
| EP02007020A EP1246250B1 (en) | 2001-03-28 | 2002-03-27 | Photodetecting device, radiation detecting device, and radiation imaging system |
| DE60237414T DE60237414D1 (de) | 2001-03-28 | 2002-03-27 | Fotoempfangende Vorrichtung, Strahlungsdetektor, und Strahlungsabbildungssystem |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001093002A JP2002289824A (ja) | 2001-03-28 | 2001-03-28 | 光検出装置、放射線検出装置および放射線撮像システム |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002289824A true JP2002289824A (ja) | 2002-10-04 |
| JP2002289824A5 JP2002289824A5 (ja) | 2005-04-28 |
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ID=18947387
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001093002A Pending JP2002289824A (ja) | 2001-03-28 | 2001-03-28 | 光検出装置、放射線検出装置および放射線撮像システム |
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| Country | Link |
|---|---|
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Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004265932A (ja) * | 2003-02-14 | 2004-09-24 | Canon Inc | 放射線撮像装置 |
| JP2004265933A (ja) * | 2003-02-14 | 2004-09-24 | Canon Inc | 放射線検出装置 |
| US7541617B2 (en) | 2003-02-14 | 2009-06-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Radiation image pickup device |
| JP2013214758A (ja) * | 2006-12-20 | 2013-10-17 | Fujifilm Corp | 画像検出器 |
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- 2001-03-28 JP JP2001093002A patent/JP2002289824A/ja active Pending
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