CN108318907A - X射线探测面板及其制造方法和x射线探测装置 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种X射线探测面板,所述X射线探测面板包括主偏置电压信号线和感光二极管,所述感光二极管的阴极与所述主偏置电压信号线电连接,其中,所述X射线探测面板还包括至少一条辅助偏置电压信号线,所述辅助偏置电压信号线与所述主偏置电压信号线电连接。本发明还提供一种X射线探测装置、一种X射线探测面板的制造方法。所述X射线探测面板具有较高的检测精度。
Description
技术领域
本发明涉及X射线探测设备领域,具体地,涉及一种X射线探测面板、该X射线探测面板的制造方法和一种包括该X射线探测面板的X射线探测装置。
背景技术
随着数字医疗的普及,常用医疗设备中的X光照探测器逐步采用了平板X射线探测仪。目前常用的一种平板X射线探测仪包括多条主偏置电压信号线和多个感光二极管,每个所述探测单元内均设置有感光二极管,同一列中的感光二极管的阴极与同一条偏置电压信号线电连接。通过感光二极管的电流受到X射线的影响,通过检测偏置电压信号线中的电流可以确定X射线的强度。
但是,由于偏置电压信号线存在内阻,从而可以导致检测结果不准确。
因此,如何避免偏置电压信号线的内阻对检测结果造成影响成为本领域亟待解决的技术问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种X射线探测面板、该X射线探测面板的制造方法和一种包括该X射线探测面板的X射线探测装置。所述X射线探测面板的检测结果较为准确。
为了实现上述目的,作为本发明的一个方面,提供一种X射线探测面板,所述X射线探测面板包括主偏置电压信号线和感光二极管,所述感光二极管的阴极与所述主偏置电压信号线电连接,其中,所述X射线探测面板还包括至少一条辅助偏置电压信号线,所述辅助偏置电压信号线与所述主偏置电压信号线电连接。
优选地,所述X射线探测面板包括多个所述感光二极管和多条所述主偏置电压信号线,所述X射线探测面板被划分探测区和环绕所述探测区的周边区,所述探测区被划分为多个探测单元,每个所述探测单元内均设置有所述感光二极管,同一列中的探测单元中的感光二极管的阴极与同一条所述主偏置电压信号线电连接。
优选地,所述辅助偏置电压信号线的延伸方向与所述主偏置电压信号线的延伸方向垂直。
优选地,多条所述主偏置电压信号线同层设置,所述X射线探测面板还包括覆盖所述主偏置电压信号线所在层的第一钝化层,所述辅助偏置电压信号线设置在所述第一钝化层上,且所述辅助偏置电压信号线通过贯穿所述第一钝化层的第一过孔与所述主偏置电压信号线电连接。
优选地,所述X射线探测面板包括设置在所述周边区的至少一组引线和与所述引线对应的绑定盘,所述绑定盘设置在所述第一钝化层上,所述引线设置在所述第一钝化层下方,所述绑定盘通过至少贯穿所述第一钝化层的第二过孔与相应的引线电连接,所述辅助偏置电压信号线与所述透明绑定盘同层设置,且材料相同。
优选地,所述辅助偏置电压信号线由透明电极材料制成。
优选地,所述X射线探测面板还包括多个开关晶体管、多条数据线和多条栅线,多条所述数据线与多条所述栅线交错将所述X射线探测面板划分为多个所述探测单元,每个所述探测单元内设置有一个所述开关晶体管,每列开关晶体管对应同一条数据线,每行开关晶体管对应同一条栅线,所述开关晶体管的第一极与该开关晶体管所在探测单元中的发光二极管的阳极电连接,所述开关晶体管的第二极与该开关晶体管对应的数据线电连接,所述开关晶体管的栅极与该开关晶体管对应的栅线电连接。
优选地,所述主偏置电压信号线由金属材料制成,且覆盖所述开关晶体管。
优选地,所述X射线探测面板包括平坦化层和第二钝化层,所述平坦化层覆盖所述感光二极管所在的层,所述第二钝化层覆盖所述平坦化层,所述主偏置电压信号线形成在所述第二钝化层上,且通过贯穿所述第二钝化层和所述平坦化层的第三过孔与所述感光二极管的阴极电连接。
优选地,所述X射线探测面板还包括闪烁层,所述闪烁层设置在所述X射线探测面的入光面上,且所述闪烁层能够将X射线转换成可见光。
作为本发明的第二个方面,提供一种X射线探测装置,所述X射线探测装置包括X射线探测面板和主偏置电压信号源,其中,所述X射线探测面板为本发明所提供的上述X射线探测面板,所述X射线探测装置还包括辅助偏置电压信号源,所述主偏置电压信号源与所述主偏置电压信号线电连接,所述辅助偏置电压信号源与所述辅助偏置电压信号线电连接。
优选地,所述X射线探测面板被划分探测区和位于所述探测区至少一侧的周边区,所述感光二极管设置在所述探测区,所述辅助偏置电压信号源设置在所述周边区。
作为本发明的第三个方面,提供一种X射线探测面板的制造方法,其中,所述制造方法包括:
提供衬底基板;
形成感光二极管;
形成包括主偏置电压信号线的图形,所述主偏置电压信号线与所述感光二极管的阴极电连接;
形成包括至少一条辅助偏置电压信号线的图形,所述辅助偏置电压信号线与所述主偏置电压信号线电连接。
优选地,所述X射线探测面板包括多个所述感光二极管和多条所述主偏置电压信号线,所述X射线探测面板被划分探测区和环绕所述探测区的周边区,所述探测区被划分为多个探测单元,每个所述探测单元内均设置有所述感光二极管,同一列中的探测单元中的感光二极管的阴极与同一条所述主偏置电压信号线电连接,其中,多条所述主偏置电压信号线同层设置,
所述制造方法还包括在形成包括所述主偏置电压信号线的图形的步骤和形成包括所述辅助偏置电压信号线的图形的步骤之间进行的:
形成第一钝化材料层;
形成贯穿所述第一钝化材料层上形成第一过孔,获得第一钝化层,并使得所述辅助偏置电压信号线通过所述第一过孔与所述主偏置电压信号线电连接。
优选地,所述制造方法包括:
在形成所述第一钝化材料层的步骤之前进行的形成包括至少一组引线的图形的步骤;
形成所述第一钝化材料层的步骤之后进行的形成第二过孔的步骤,所述第二过孔至少贯穿所述第一钝化材料层,以露出所述引线,其中,所述第一过孔与所述第二过孔通过一次构图工艺形成;
在形成第二过孔的步骤之后进行的形成包括绑定盘的图形的步骤,所述绑定盘通过所述第二过孔与所述引线电连接,其中,所述辅助偏置电压信号线的图形与所述绑定盘的图形通过一次构图工艺形成。
在本发明所提供的X射线探测面板中,利用数据信号源向感光二极管的阳极提供数据电压,使得在主偏置电压信号线的作用下,所述感光二极管呈反向偏置的状态(即,形成等效电容)。当照射所述感光二极管的光强度发生变化时,所述感光二极管内存储的电量发生变化,因此,主偏置电压信号线的输出检测电流也发生变化。由于辅助偏置电压信号源可以通过辅助偏置电压信号线向主偏置电压信号线提供辅助偏置电压,从而可以减小甚至消除主偏置电压信号线的内阻所造成的电能消耗,进而使得检测电流不受主偏置电压信号线内阻的影响(或者至少降低偏置电压信号线内阻的影响),仅受照射感光二极管的光信号的强弱的影响,提高X射线探测面板的检测精度。
附图说明
附图是用来提供对本发明的进一步理解,并且构成说明书的一部分,与下面的具体实施方式一起用于解释本发明,但并不构成对本发明的限制。在附图中:
图1是本发明所提供的X射线探测面板的线路示意图;
图2是本发明所提供的X射线探测面板的局部示意图;
图3是本发明所提供的X射线探测面板的单个探测单元的示意图;
图4图3的局部剖视图;
图5是本发明所提供的X射线探测面板的制造方法的流程图。
附图标记说明
100:主偏置电压信号线 110:主偏置电压信号源
120:引线 200:辅助偏置电压信号线
210:辅助偏置电压信号源 220:绑定盘
300:感光二极管 310:阴极
320:阳极 400:第一钝化层
500:开关晶体管 600:数据线
700:栅线 800:平坦化层
900:第二钝化层 1000:闪烁层
具体实施方式
以下结合附图对本发明的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是,此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本发明,并不用于限制本发明。
作为本发明的一个方面,提供一种X射线探测面板,如图1所示,所述X射线探测面板包括主偏置电压信号线100和感光二极管(未示出),所述感光二极管的阴极与主偏置电压信号线100电连接,其中,所述X射线探测面板还包括至少一条辅助偏置电压信号线200,该辅助偏置电压信号线200与主偏置电压信号线100电连接。
当利用所述X射线探测面板探测信号时,利用主偏置电压信号源110向主偏置电压信号线100提供主偏置电压,利用辅助偏置电压信号源210向辅助偏置电压信号线200提供辅助偏置电压。
需要指出的是,利用数据信号源向感光二极管300的阳极320提供数据电压,使得在主偏置电压信号线100的作用下,感光二极管300呈反向偏置的状态(即,形成等效电容)。当照射感光二极管300的光强度发生变化时,感光二极管300内存储的电量发生变化,因此,主偏置电压信号线100的输出检测电流也发生变化。由于辅助偏置电压信号源210可以通过辅助偏置电压信号线200向主偏置电压信号线100提供辅助偏置电压,从而可以减小甚至消除主偏置电压信号线100的内阻所造成的电能消耗,进而使得检测电流不受主偏置电压信号线100的内阻造成的压降(RC loading)的影响(或者至少降低偏置电压信号线内阻造成的压降的影响),仅受照射感光二极管300的光信号的强弱的影响,提高X射线探测面板的检测精度。
在本发明中,对感光二极管300的设置方式以及感光二极管300的数量并不做特殊的要求。作为一种具体实施方式,为了获得X射线检测图像,优选地,所述X射线探测面板包括多个感光二极管300和多条主偏置电压信号线100,所述X射线探测面板被划分探测区和位于所述探测区至少一侧的周边区,所述探测区被划分为多个探测单元,每个所述探测单元内均设置有感光二极管300,同一列中的探测单元中的感光二极管300的阴极310与同一条主偏置电压信号线100电连接。
所述X射线探测面板与相应的信号转换模块以及显示面板配合使用。所述X射线探测面板的检测单元可以与显示面板的像素单元相对应。具体对应方式本发明并不做特殊限定。例如,可以一个检测单元对应一个像素单元,也可以几个检测单元对应一个像素单元,还可以一个检测单元对应几个像素单元。
检测单元可以将各个探测单元内的感光二极管300对应的感应电流转换为灰阶电压,并驱动显示面板上相应的像素单元发光,从而显示探测图像。
如上文中所述,同一列中的感光二极管300对应同一条主偏置电压信号线100,因此,可以通过扫描的方式依次向各行感光二极管300的阳极320提供相应的阳极电压,从而可以实现不同行的感光二极管300依次检测X射线。
如上文中所述,同一列中的感光二极管300对应同一条主偏置电压信号线100,相应地,多条主偏置电压信号线100沿感光二极管300阵列的列方向平行设置。为了便于布置辅助偏置电压信号线200,并且确保各条主偏置电压信号线100得到均匀的补偿,优选地,如图1所示,辅助偏置电压信号线200的延伸方向与主偏置电压信号线100的延伸方向垂直或近似垂直。
在本发明中,对辅助偏置电压信号线200的具体条数并不做特殊的限定,可以根据X射线探测面板的尺寸以及主偏置电压信号线100的长度确定辅助偏置电压信号线200的条数。通常,X射线探测面板的尺寸越大、则辅助偏置电压信号线200的条数越多。在图1中所示的具体实施方式中,所述X射线探测面板包括多条辅助偏置电压信号线200。
图2中所示的是X射线探测面板的一部分的示意图,图2中仅示出了位于同一行中的三个不同的探测单元。图3中所示的图2中三个探测单元中的一个,其中,主偏置电压信号线100、辅助偏置电压信号线200和感光二极管的阴极310分别位于三个不同的层中。
作为一种优选是实施方式,多条主偏置电压信号线100同层设置,如图4所示,所述X射线探测面板还包括覆盖主偏置电压信号线100所在层的第一钝化层400,辅助偏置电压信号线200设置在第一钝化层400上,且通过贯穿第一钝化层400的第一过孔与主偏置电压信号线100电连接。
在这种实施方式中,无需对形成其他层图形的掩膜板进行改进,只需要增加一个用于形成辅助偏置电压信号线200的掩膜板即可,可以提高制造所述X射线探测面板的设备的通用性。
在本发明中,对利用硅的氧化物或者硅的氮化物制成第一钝化层400。
发明人想要指出的是,除了主偏置电压信号线100、辅助偏置电压信号线200、感光二极管300之外,所述X射线探测面板还包括其他的电路结构。
为了给所述X射线探测面板提供信号,所述X射线探测面板还可以包括至少一组引线120和绑定盘220(bonding pad)。在本发明中,对绑定盘的数量并不做特殊限定,每组所述引线都对应至少一个所述绑定盘。
相应地,如图1所示,引线(未示出)和绑定盘220设置在所述X射线探测面板的周边区,从而避免对探测单元造成阻挡。
在本发明中,对引线的具体数量、具体位于那一层并没有特殊的要求。例如,如图4所示,所述X射线探测面板可以包括为主偏置电压信号线100提供主偏置电压信号的引线120,该引线120可以与主偏置电压信号线100同层设置。
与为主偏置电压信号线100提供主偏置电压信号的一组引线对应的绑定盘220将该引线120与主偏置电压信号源110电连接。
当然,所述X射线探测面板还存在其他电路结构,每种电路结构都具有对应的引线以及对应的绑定盘220。
在本发明中,优选地利用透明电极材料制成绑定盘220。并且,绑定盘220设置在第一钝化层400上,引线位于第一钝化层400下方,从而不会将引线暴露在环境中。由于透明电极材料具有良好的耐腐蚀性能,因此,绑定盘220耐环境中的水汽、氧气的腐蚀,也可以防止后续加工过程中受到腐蚀,从而可以延长X射线探测面板的使用寿命。由于辅助偏置电压信号线200与绑定盘220材料相同,因此,当绑定盘220的材料为透明电极材料时,辅助偏置电压信号线200的材料也为透明电极材料。利用透明电极材料制作辅助偏置电压信号线200的优点在于,不会对检测单元造成遮挡,从而不会影响X射线探测面板的开口率,并且提高检测精度。
为了便于制造并减少制造X射线探测面板的方法的步骤,优选地,如图4所示,辅助偏置电压信号线200与透明绑定盘220同层设置,且材料相同。换言之,利用透明电极材料制成辅助偏置电压信号线200,并且通过同一次构图工艺获得绑定盘220和辅助偏置电压信号线200。并且,绑定盘220和辅助偏置电压信号线200共用第一钝化层400,从而可以降低成本。
需要指出的是,“第二过孔至少贯穿所述第一钝化层”是指,第二过孔贯穿该第二过孔对应的绑定盘220与和该绑定盘220对应的引线之间的所有绝缘层。
除了节约工艺、降低成本这一优点之外,利用透明电极材料制成辅助偏置电压信号线200的另一优点在于,可以避免对照射在感光二极管表面的光造成遮挡,提高检测精度。
为了提高检测精度,优选地,感光二极管300的阴极310由透明电极材料制成。
如上文中所述,为了获得不同检测单元中感光二极管300的检测电流,可以依次向不同行的感光二极管300提供数据电压。
相应地,为了依次向不同行的感光二极管300提供数据电压,如图2中所示,所述X射线探测面板还包括多个开关晶体管500、多条数据线600和多条栅线700。多条数据线600与多条栅线700交错将所述X射线探测面板划分为多个所述探测单元。如图2中所示,每个所述探测单元内设置有一个开关晶体管500,每列开关晶体管500对应同一条数据线600,每行开关晶体管500对应同一条栅线700。如图4所示,开关晶体管500的第一极与该开关晶体管500所在探测单元中的感光二极管300的阳极320电连接,如图2所示,开关晶体管500的第二极与该开关晶体管500对应的数据线600电连接。
可以通过栅极驱动电路依次向各行栅线700提供扫描信号,从而控制各行的开关晶体管500开启,从而可以将相应的感光二极管300的阳极与相应的数据线导通,从而可以实现该感光二极管的阳极与该感光二极管的阴极之间形成电容。
在本发明中,对主偏置电压信号线100的材料并不做特殊的限定。为了减小电阻对检测结果造成的影响,优选地,主偏置电压信号线100由金属材料制成。
为了提高X射线探测面板的使用寿命,优选地,金属材料制成的主偏置电压信号线100覆盖开关晶体管500,从而可以尽量减少甚至消除光线直接照射开关晶体管500的沟道区而造成的老化现象。
在本发明中,对感光二极管的具体类型并不做特殊的要求,优选地,所述感光二极管可以为PIN二极管。
容易理解的是,感光二极管具有相对较大的厚度,为了防止主偏置电压信号线100发生断线,优选地,所述X射线探测面板包括平坦化层800和第二钝化层900。如图4中所示,平坦化层800覆盖感光二极管300所在的层,第二钝化层900覆盖平坦化层800,主偏置电压信号线100形成在第二钝化层900上,且通过贯穿第二钝化层900和平坦化层800的第三过孔与感光二极管300的阳极310电连接。
优选地,利用有机树脂材料制成平坦化层800,从而可以获得具有相对较大厚度的平坦化层800,更好地实现平坦化的效果。由于金属材料较难直接沉积在树脂材料制成的平坦化层上,因此,设置第二钝化层900后,可以有利于沉积形成由金属材料制成的主偏置电压信号线100。
在探测X射线时,需要将X射线转化为可见光,然后利用感光二极管检测可见光的强度,并通过可见光的强度确定X射线的强度。
作为一种优选实施方式,可以利用闪烁层将X射线转换为可见光。
本发明所提供的X射线探测面板可以包括所述闪烁层,也可以不包括所述闪烁层。当所述X射线探测面板不包括所述闪烁层时,可以使用闪烁层膜,在使用所述X射线探测面板时,将所述闪烁层膜贴附在所述X射线探测面板的表面上即可。
优选地,如图4所示,所述X射线探测面板还包括闪烁层1000,所述闪烁层设置在所述X射线探测面的入光面上,使用便于使用者进行使用。
作为本发明的另一个方面,提供一种X射线探测装置,所述X射线探测装置包括X射线探测面板和主偏置电压信号源,其中,所述X射线探测面板为本发明所提供的上述X射线探测面板,所述X射线探测装置还包括辅助偏置电压信号源,所述主偏置电压信号源与所述主偏置电压信号线电连接,所述辅助偏置电压信号源与所述辅助偏置电压信号线电连接。
如上文中所述,设置辅助偏置电压信号源后,可以在探测X射线时,通过辅助偏置电压信号线向主偏置电压信号线提供辅助电压,从而可以对主偏置电压信号线的内阻引起的压降进行补偿,从而可以提高X射线的检测精度。
如上文中所述,作为一种实施方式,所述X射线探测面板被划分探测区和位于所述探测区至少一侧周边区,所述感光二极管设置在所述探测区,为了提高探测区的有效面积,优选地,所述辅助偏置电压信号源设置在所述周边区。
作为本发明的第三个方面,提供一种制造X射线探测面板的制造方法,其中,所述制造方法包括:
在步骤S510中,提供衬底基板;
在步骤S520中,形成感光二极管;
在步骤S530中,形成包括主偏置电压信号线的图形,所述主偏置电压信号线与所述感光二极管的阴极电连接;
在步骤S540中,形成包括至少一条辅助偏置电压信号线的图形,所述辅助偏置电压信号线与所述主偏置电压信号线电连接。
本发明所提供的制造方法用于本发明所提供的X射线探测面板,如上文中所述,所述辅助偏置电压信号线用于向所述主偏置电压信号线提供辅助偏置电压,从而对因主偏置电压信号线的内阻造成的压降进行补偿,从而可以使得探测结果更加准确。
在本发明中,对步骤S530和步骤S540的先后顺序并不做特殊的限制。
例如,可以同时执行步骤S530和步骤S540,也可以先执行步骤S530和步骤S540,还可以先执行步骤S540再步骤S530。
在本发明中,对如何执行步骤S530并没有特殊的要求。例如,可以通过光刻构图的方式获得所述包括主偏置电压信号线的图形。相应地,步骤S530可以包括以下步骤:
形成第一导电材料层;
在所述第一导电材料层上形成第一光刻胶层;
对所述第一光刻胶层进行曝光显影,获得第一掩膜;
湿刻获得包括所述主偏置电压信号线的图形。
同样地,在本发明中,对如何执行步骤S540也没有特殊的要求,可以通过光刻构图的方法获得包括辅助偏置电压信号线的图形。相应地,步骤S540可以包括以下步骤:
形成第二导电材料层;
在所述第二导电材料层上形成第二光刻胶层;
对所述第二光刻胶层进行曝光显影,获得第二掩膜;
湿刻获得包括所述辅助偏置电压信号线的图形。
如上文中所述,所述X射线探测面板可以包括多个感光二极管和多条偏置电压信号线,相应地,所述X射线包括多个所述感光二极管和多条所述主偏置电压信号线,所述X射线探测面板被划分探测区和位于所述X射线探测面板至少一侧的周边区,所述探测区被划分为多个探测单元,每个所述探测单元内均设置有所述感光二极管,同一列中的探测单元中的感光二极管的阴极与同一条所述主偏置电压信号线电连接,其中,多条所述主偏置电压信号线同层设置。
为了节约开发工艺,优选地,可以对现有工艺进行改进,获得本发明所提供的制造方法。也就是说,利用原有的工艺制得包括衬底基板、感光二极管和主偏置电压信号线的半成品后,直接在该半成品上形成包括辅助偏置电压信号线的图形。即,所述制造方法还包括在步骤S530和步骤S540之间进行的如下步骤:
形成第一钝化材料层;
形成贯穿所述第一钝化材料层上形成第一过孔。
设置了第一过孔后,在形成包括辅助偏置电压信号线的图形的步骤中获得的辅助偏置电压信号线可以通过所述第一过孔与所述主偏置电压信号线电连接。
并且,所述制造方法还包括在形成所述第一钝化材料层的步骤之后进行的形成第二过孔的步骤,所述第二过孔至少贯穿所述第一钝化材料层,以露出所述引线,其中,所述第一过孔与所述第二过孔通过一次构图工艺形成。
在形成第二过孔的步骤之后进行的形成包括绑定盘的图形的步骤,所述绑定盘通过所述第二过孔与所述引线电连接,其中,所述辅助偏置电压信号线的图形与所述绑定盘的图形通过一次构图工艺形成。
在制造所述X射线探测面板时,辅助偏置电压信号线与绑定盘共用第一钝化层,并且,可以通过同一步构图工艺制成绑定盘和辅助电压信号线,从而可以减少所述制造方法所需的步骤,降低成本。
如上文中所述,可以利用透明电极材料制成所述绑定盘和所述辅助偏置电压信号线。本发明所提供的制造方法用于制造本发明所提供的上述X射线探测面板,利用透明电极材料制成绑定盘和辅助偏置电压信号线的优点已经在上文中进行了描述,这里不再赘述。
在本发明中,对如何通过构图工艺形成包括绑定盘和辅助偏置电压信号线的图形并没有特殊的限定,例如,可以通过湿刻构图的方式形成包括绑定盘和辅助偏置电压信号线的图形,具体地,包括:
形成透明电极材料层;
在透明电极材料层上涂覆光刻胶层;
对所述光刻胶层进行曝光显影,获得第三掩膜图形;
对形成有所述第三掩膜图形的透明电极材料层进行湿刻,以获得包括辅助偏置电压信号线和绑定盘的图形。
在本发明中,对第一钝化层的材料不做特殊的限制,例如,可以利用硅的氧化物和/或硅的氮化物制成所述第一钝化层。
在本发明中,辅助偏置电压信号线的材料为透明电极材料,从而不会遮挡感光二极管,提高检测精度。
如上文中所述,所述衬底基板包括多个开关晶体管、多条数据线和多条栅线,多条所述数据线与多条所述栅线交错将所述X射线探测面板划分为多个所述探测单元,每个所述探测单元内设置有一个所述开关晶体管,每列开关晶体管对应同一条数据线,每行开关晶体管对应同一条栅线,所述开关晶体管的第一极与该开关晶体管所在探测单元中的发光二极管的阳极电连接,所述开关晶体管的第二极与该开关晶体管对应的数据线电连接,所述开关晶体管的栅极与该开关晶体管对应的栅线电连接。
作为一种优选实施方式,所述主偏置电压信号线由金属材料制成,且所述主偏置电压信号线覆盖所述开关晶体管。如上文中所述,金属材料制成的主偏置电压信号线具有较小的内阻,从而可以减小信号传输过程中的电压降。所述主偏置电压信号线覆盖所述开关晶体管,可以防止光线直接照射开关晶体管的沟道区,防止开关晶体管因光照而老化,从而可以提高X射线探测面板的使用寿命。
为了提高检测精度,优选地,所述感光二极管的阴极由透明电极材料制成。
为了提高X射线探测面板的良率,优选地,所述制造方法包括在形成包括在步骤S520和步骤S530之间进行的:
在形成有所述感光二极管的衬底基板上形成平坦化层,所述平坦化层覆盖所述感光二极管所在的层;
形成第二钝化层;
形成贯穿所述第二钝化层和所述平坦化层的第三过孔,所述第三过孔的位置对应于所述感光二极管的阴极,以使得所述主偏置电压信号线通过所述第三过孔与所述感光二极管的阴极电连接。
优选地,所述制造方法还包括:
在所述感光二极管的入光侧形成闪烁层,所述闪烁层能够将X射线转换成可见光。
可以理解的是,以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式,然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言,在不脱离本发明的精神和实质的情况下,可以做出各种变型和改进,这些变型和改进也视为本发明的保护范围。
Claims (15)
1.一种X射线探测面板,所述X射线探测面板包括主偏置电压信号线和感光二极管,所述感光二极管的阴极与所述主偏置电压信号线电连接,其特征在于,所述X射线探测面板还包括至少一条辅助偏置电压信号线,所述辅助偏置电压信号线与所述主偏置电压信号线电连接。
2.根据权利要求1所述的X射线探测面板,其特征在于,所述X射线探测面板包括多个所述感光二极管和多条所述主偏置电压信号线,所述X射线探测面板被划分探测区和位于所述探测区至少一侧的周边区,所述探测区被划分为多个探测单元,每个所述探测单元内均设置有所述感光二极管,同一列中的探测单元中的感光二极管的阴极与同一条所述主偏置电压信号线电连接。
3.根据权利要求2所述的X射线探测面板,其特征在于,所述辅助偏置电压信号线的延伸方向与所述主偏置电压信号线的延伸方向垂直。
4.根据权利要求2所述的X射线探测面板,其特征在于,多条所述主偏置电压信号线同层设置,所述X射线探测面板还包括覆盖所述主偏置电压信号线所在层的第一钝化层,所述辅助偏置电压信号线设置在所述第一钝化层上,且所述辅助偏置电压信号线通过贯穿所述第一钝化层的第一过孔与所述主偏置电压信号线电连接。
5.根据权利要求4所述的X射线探测面板,其特征在于,所述X射线探测面板包括设置在所述周边区的至少一组引线和与所述引线对应的绑定盘,所述绑定盘设置在所述第一钝化层上,所述引线设置在所述第一钝化层下方,所述绑定盘通过至少贯穿所述第一钝化层的第二过孔与相应的引线电连接,所述辅助偏置电压信号线与所述绑定盘同层设置,且材料相同。
6.根据权利要求1至5所述的X射线探测面板,其特征在于,所述辅助偏置电压信号线由透明电极材料制成。
7.根据权利要求2至5中任意一项所述的X射线探测面板,其特征在于,所述X射线探测面板还包括多个开关晶体管、多条数据线和多条栅线,多条所述数据线与多条所述栅线交错将所述X射线探测面板划分为多个所述探测单元,每个所述探测单元内设置有一个所述开关晶体管,每列开关晶体管对应同一条数据线,每行开关晶体管对应同一条栅线,所述开关晶体管的第一极与该开关晶体管所在探测单元中的发光二极管的阳极电连接,所述开关晶体管的第二极与该开关晶体管对应的数据线电连接,所述开关晶体管的栅极与该开关晶体管对应的栅线电连接。
8.根据权利要求7所述的X射线探测面板,其特征在于,所述主偏置电压信号线由金属材料制成,且覆盖所述开关晶体管。
9.根据权利要求1至5中任意一项所述的X射线探测面板,其特征在于,所述X射线探测面板包括平坦化层和第二钝化层,所述平坦化层覆盖所述感光二极管所在的层,所述第二钝化层覆盖所述平坦化层,所述主偏置电压信号线形成在所述第二钝化层上,且通过贯穿所述第二钝化层和所述平坦化层的第三过孔与所述感光二极管的阴极电连接。
10.根据权利要求1至5中任意一项所述的X射线探测面板,其特征在于,所述X射线探测面板还包括闪烁层,所述闪烁层设置在所述X射线探测面的入光面上,且所述闪烁层能够将X射线转换成可见光。
11.一种X射线探测装置,所述X射线探测装置包括X射线探测面板和主偏置电压信号源,其特征在于,所述X射线探测面板为权利要求1至10中任意一项所述的X射线探测面板,所述X射线探测装置还包括辅助偏置电压信号源,所述主偏置电压信号源与所述主偏置电压信号线电连接,所述辅助偏置电压信号源与所述辅助偏置电压信号线电连接。
12.根据权利要求11所述的X射线探测装置,其特征在于,所述X射线探测面板被划分探测区和位于所述探测区至少一侧的周边区,所述感光二极管设置在所述探测区,所述辅助偏置电压信号源设置在所述周边区。
13.一种X射线探测面板的制造方法,其特征在于,所述制造方法包括:
提供衬底基板;
形成感光二极管;
形成包括主偏置电压信号线的图形,所述主偏置电压信号线与所述感光二极管的阴极电连接;
形成包括至少一条辅助偏置电压信号线的图形,所述辅助偏置电压信号线与所述主偏置电压信号线电连接。
14.根据权利要求13所述的制造方法,其特征在于,
所述制造方法还包括在形成包括所述主偏置电压信号线的图形的步骤和形成包括所述辅助偏置电压信号线的图形的步骤之间进行的:
形成第一钝化材料层;
形成贯穿所述第一钝化材料层上形成第一过孔,以使得在形成包括所述辅助偏置电压信号线的图形的步骤中获得的所述辅助偏置电压信号线通过所述第一过孔与所述主偏置电压信号线电连接。
15.根据权利要求14所述的制造方法,其特征在于,所述制造方法包括:
在形成所述第一钝化材料层的步骤之前进行的形成包括至少一组引线的图形的步骤;
形成所述第一钝化材料层的步骤之后进行的形成第二过孔的步骤,所述第二过孔至少贯穿所述第一钝化材料层,以露出所述引线,其中,所述第一过孔与所述第二过孔通过一次构图工艺形成;
在形成第二过孔的步骤之后进行的形成包括绑定盘的图形的步骤,所述绑定盘通过所述第二过孔与所述引线电连接,其中,所述辅助偏置电压信号线的图形与所述绑定盘的图形通过一次构图工艺形成。
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US16/341,247 US11567222B2 (en) | 2018-02-01 | 2018-09-26 | X-ray detecting panel comprising a photodiode, a main bias voltage signal line, and an auxiliary bias voltage signal line, X-ray detecting device, and manufacturing method thereof |
EP18893332.9A EP3748677B1 (en) | 2018-02-01 | 2018-09-26 | X-ray detection panel and manufacturing method therefor and x-ray detection apparatus thereof |
KR1020197018841A KR102361454B1 (ko) | 2018-02-01 | 2018-09-26 | X-선 검출 패널, 이것의 제조 방법, 및 x-선 검출 디바이스 |
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2019148861A1 (zh) * | 2018-02-01 | 2019-08-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | X射线探测面板及其制造方法和x射线探测装置 |
CN110783355A (zh) * | 2019-10-31 | 2020-02-11 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种探测面板、其制作方法及检测装置 |
CN111221025A (zh) * | 2020-01-21 | 2020-06-02 | 中国工程物理研究院流体物理研究所 | 一种用丝阵作为阴极的探测器及使用方法及标定方法 |
CN114284390A (zh) * | 2021-12-23 | 2022-04-05 | 中国电子科技集团公司第四十四研究所 | 垂直入射超宽带集成型光电探测器芯片及其制作方法 |
WO2023011508A1 (zh) * | 2021-08-05 | 2023-02-09 | 京东方科技集团股份有限公司 | 平板探测器和显示装置 |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20230135994A (ko) | 2022-03-17 | 2023-09-26 | 주식회사 이노메트리 | 엑스레이 검출 장치를 이용한 객체 검사 방법 |
KR20230135993A (ko) | 2022-03-17 | 2023-09-26 | 주식회사 이노메트리 | 엑스레이 검출 장치 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002076360A (ja) * | 2000-09-04 | 2002-03-15 | Canon Inc | 半導体装置及びその製造方法、放射線撮像システム |
CN1505389A (zh) * | 2002-11-22 | 2004-06-16 | ������������ʽ���� | 放射线摄像装置 |
US20070045556A1 (en) * | 2005-08-31 | 2007-03-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Radiation detecting apparatus, radiation imaging apparatus and radiation imaging system |
CN102376725A (zh) * | 2010-08-05 | 2012-03-14 | 佳能株式会社 | 检测装置和放射线检测系统 |
CN103839948A (zh) * | 2012-11-27 | 2014-06-04 | 乐金显示有限公司 | 用于数字x射线检测器的薄膜晶体管阵列基板 |
CN104023184A (zh) * | 2013-02-28 | 2014-09-03 | 佳能株式会社 | 放射线成像设备和放射线成像系统 |
KR20150015890A (ko) * | 2013-08-02 | 2015-02-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 엑스레이 검출 패널 및 그 제조방법 |
US9594172B1 (en) * | 2013-09-09 | 2017-03-14 | The United States Of America, As Represented By The Secretary Of The Navy | Solid-state spark chamber for detection of radiation |
Family Cites Families (47)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5677539A (en) * | 1995-10-13 | 1997-10-14 | Digirad | Semiconductor radiation detector with enhanced charge collection |
US6046454A (en) * | 1995-10-13 | 2000-04-04 | Digirad Corporation | Semiconductor radiation detector with enhanced charge collection |
US5920070A (en) * | 1996-11-27 | 1999-07-06 | General Electric Company | Solid state area x-ray detector with adjustable bias |
JP3778844B2 (ja) * | 2001-11-15 | 2006-05-24 | 浜松ホトニクス株式会社 | イメージセンサおよびそのイメージセンサを用いた撮像システム |
US7214945B2 (en) * | 2002-06-11 | 2007-05-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Radiation detecting apparatus, manufacturing method therefor, and radiation image pickup system |
US7557355B2 (en) * | 2004-09-30 | 2009-07-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Image pickup apparatus and radiation image pickup apparatus |
US8067744B2 (en) * | 2005-07-06 | 2011-11-29 | Ge Healthcare Israel | Method and apparatus of detecting ionizing radiation |
US7453068B2 (en) * | 2005-07-06 | 2008-11-18 | Ge Medical Systems Israel, Ltd. | Method and apparatus of detecting ionizing radiation |
JP4908947B2 (ja) * | 2005-07-11 | 2012-04-04 | キヤノン株式会社 | 変換装置、放射線検出装置、及び放射線検出システム |
JP2007067622A (ja) * | 2005-08-30 | 2007-03-15 | Konica Minolta Holdings Inc | 放射線撮像装置 |
JP4847202B2 (ja) * | 2006-04-27 | 2011-12-28 | キヤノン株式会社 | 撮像装置及び放射線撮像システム |
KR101350795B1 (ko) | 2007-06-11 | 2014-01-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 엑스레이 검출기용 박막 트랜지스터 어레이 |
WO2011001705A1 (ja) * | 2009-07-01 | 2011-01-06 | コニカミノルタエムジー株式会社 | 放射線画像撮影装置 |
JP5505416B2 (ja) * | 2009-08-07 | 2014-05-28 | コニカミノルタ株式会社 | 放射線画像撮影装置 |
US8742316B2 (en) | 2009-12-09 | 2014-06-03 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Photo detector having coupling capacitor |
KR101344027B1 (ko) * | 2009-12-09 | 2013-12-24 | 한국전자통신연구원 | 커플링 커패시터를 포함하는 광검출기 |
EP2614772B1 (en) * | 2010-09-09 | 2016-03-02 | Konica Minolta Medical & Graphic, Inc. | Radiographic imaging device and radiographic imaging system |
KR20120027708A (ko) * | 2010-09-13 | 2012-03-22 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | X-선 검출기 패널 |
CN102401906B (zh) * | 2010-09-19 | 2014-03-12 | 同方威视技术股份有限公司 | 辐射探测器及其成像装置、电极结构和获取图像的方法 |
JP5617541B2 (ja) * | 2010-11-04 | 2014-11-05 | コニカミノルタ株式会社 | 放射線画像撮影装置 |
JP5702704B2 (ja) * | 2010-11-26 | 2015-04-15 | 富士フイルム株式会社 | 放射線画像検出装置、及び放射線画像撮影システム |
JP5811653B2 (ja) * | 2011-07-15 | 2015-11-11 | コニカミノルタ株式会社 | 放射線画像撮影装置 |
JP5774114B2 (ja) * | 2011-09-29 | 2015-09-02 | キヤノン株式会社 | 撮像装置、撮像システム、及び撮像装置の制御方法 |
US9035263B2 (en) * | 2011-10-25 | 2015-05-19 | Konica Minolta Medical & Graphic, Inc. | Radiation imaging apparatus having an anti-static function |
JP2013172101A (ja) | 2012-02-22 | 2013-09-02 | Fujifilm Corp | 放射線検出器、放射線画像撮影装置、及び放射線画像撮影システム |
CN102664184B (zh) * | 2012-03-27 | 2014-08-06 | 北京京东方光电科技有限公司 | 一种x射线检测装置的阵列基板的制造方法 |
CN102629610A (zh) | 2012-03-27 | 2012-08-08 | 北京京东方光电科技有限公司 | 一种x射线检测装置的阵列基板及其制造方法 |
KR101971111B1 (ko) * | 2012-09-11 | 2019-04-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 엑스레이 검출장치 |
JP6099035B2 (ja) * | 2012-10-12 | 2017-03-22 | Nltテクノロジー株式会社 | 光電変換装置及びその製造方法並びにx線画像検出装置 |
CN105592797B (zh) | 2013-10-07 | 2019-01-29 | 三星电子株式会社 | X射线装置以及x射线检测器 |
WO2016002562A1 (ja) * | 2014-06-30 | 2016-01-07 | シャープ株式会社 | 撮像パネル及びx線撮像装置 |
WO2016002563A1 (ja) * | 2014-06-30 | 2016-01-07 | シャープ株式会社 | 撮像パネル及びx線撮像装置 |
JP6389685B2 (ja) | 2014-07-30 | 2018-09-12 | キヤノン株式会社 | 撮像装置、および、撮像システム |
JP6491434B2 (ja) * | 2014-08-12 | 2019-03-27 | キヤノン株式会社 | 放射線撮像装置及び放射線検出システム |
JP6251147B2 (ja) * | 2014-09-29 | 2017-12-20 | 富士フイルム株式会社 | 電子カセッテおよび電子カセッテの作動方法 |
WO2016100279A1 (en) * | 2014-12-16 | 2016-06-23 | Carestream Health, Inc. | Detection of x-ray beam start and stop |
CN105824185B (zh) | 2015-01-09 | 2018-01-16 | 群创光电股份有限公司 | X光感测面板 |
EP3284104B1 (en) | 2015-04-13 | 2020-08-12 | Carestream Health, Inc. | Reduction of tft instabiltity in digital x-ray detectors |
JP6535271B2 (ja) * | 2015-11-09 | 2019-06-26 | 浜松ホトニクス株式会社 | 放射線検出器、及び放射線検出器の製造方法 |
JP6650261B2 (ja) * | 2015-12-21 | 2020-02-19 | 浜松ホトニクス株式会社 | 光電変換素子 |
KR102121871B1 (ko) * | 2016-03-31 | 2020-06-11 | 주식회사 뷰웍스 | 판독 동안 비례 전하 이득을 갖는 방사선 촬상 검출기 |
JP6763185B2 (ja) * | 2016-04-08 | 2020-09-30 | コニカミノルタ株式会社 | 放射線画像撮影装置および放射線画像撮影システム |
JP6780291B2 (ja) * | 2016-05-16 | 2020-11-04 | コニカミノルタ株式会社 | X線画像撮影装置 |
US10804314B2 (en) * | 2016-09-21 | 2020-10-13 | Sharp Kabushiki Kaisha | Imaging panel and method for producing same |
JP6796150B2 (ja) * | 2017-02-10 | 2020-12-02 | シャープ株式会社 | 撮像パネル及びその製造方法 |
KR102552845B1 (ko) * | 2017-12-19 | 2023-07-06 | 엘지디스플레이 주식회사 | 엑스레이 영상감지소자 |
CN108318907B (zh) | 2018-02-01 | 2019-10-01 | 北京京东方光电科技有限公司 | X射线探测面板及其制造方法和x射线探测装置 |
-
2018
- 2018-02-01 CN CN201810102744.2A patent/CN108318907B/zh active Active
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Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002076360A (ja) * | 2000-09-04 | 2002-03-15 | Canon Inc | 半導体装置及びその製造方法、放射線撮像システム |
CN1505389A (zh) * | 2002-11-22 | 2004-06-16 | ������������ʽ���� | 放射线摄像装置 |
US20070045556A1 (en) * | 2005-08-31 | 2007-03-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Radiation detecting apparatus, radiation imaging apparatus and radiation imaging system |
CN102376725A (zh) * | 2010-08-05 | 2012-03-14 | 佳能株式会社 | 检测装置和放射线检测系统 |
CN103839948A (zh) * | 2012-11-27 | 2014-06-04 | 乐金显示有限公司 | 用于数字x射线检测器的薄膜晶体管阵列基板 |
CN104023184A (zh) * | 2013-02-28 | 2014-09-03 | 佳能株式会社 | 放射线成像设备和放射线成像系统 |
KR20150015890A (ko) * | 2013-08-02 | 2015-02-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 엑스레이 검출 패널 및 그 제조방법 |
US9594172B1 (en) * | 2013-09-09 | 2017-03-14 | The United States Of America, As Represented By The Secretary Of The Navy | Solid-state spark chamber for detection of radiation |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2019148861A1 (zh) * | 2018-02-01 | 2019-08-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | X射线探测面板及其制造方法和x射线探测装置 |
US11567222B2 (en) | 2018-02-01 | 2023-01-31 | Beijing Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. | X-ray detecting panel comprising a photodiode, a main bias voltage signal line, and an auxiliary bias voltage signal line, X-ray detecting device, and manufacturing method thereof |
CN110783355A (zh) * | 2019-10-31 | 2020-02-11 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种探测面板、其制作方法及检测装置 |
CN111221025A (zh) * | 2020-01-21 | 2020-06-02 | 中国工程物理研究院流体物理研究所 | 一种用丝阵作为阴极的探测器及使用方法及标定方法 |
WO2023011508A1 (zh) * | 2021-08-05 | 2023-02-09 | 京东方科技集团股份有限公司 | 平板探测器和显示装置 |
CN114284390A (zh) * | 2021-12-23 | 2022-04-05 | 中国电子科技集团公司第四十四研究所 | 垂直入射超宽带集成型光电探测器芯片及其制作方法 |
CN114284390B (zh) * | 2021-12-23 | 2024-04-16 | 中国电子科技集团公司第四十四研究所 | 垂直入射超宽带集成型光电探测器芯片及其制作方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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