JP6763185B2 - 放射線画像撮影装置および放射線画像撮影システム - Google Patents

Description

本発明は、放射線画像撮影装置および放射線画像撮影システムに関する。

照射された放射線の線量に応じて放射線検出素子で電荷を発生させ、発生した電荷を画像データとして読み出す放射線画像撮影装置が種々開発されている。このタイプの放射線画像撮影装置はＦＰＤ（Flat Panel Detector）として知られており、従来は支持台等と一体的に形成された、いわゆる専用機型（固定型等ともいう。）として構成されていたが、近年、放射線検出素子等を筐体内に収納し、持ち運び可能とした可搬型（カセッテ型等ともいう。）の放射線画像撮影装置が開発され、実用化されている（例えば特許文献１等参照）。

放射線画像撮影装置では、例えば後述する図３等に示すように、センサーパネルＳＰを構成するセンサー基板４上に放射線検出素子７が二次元状（マトリクス状）に配列されるように構成される場合が多い。そして、センサー基板４上には、さらに、走査線５や信号線６、バイアス線９等の種々の配線が配設されている。そして、走査線５は、放射線検出素子７に信号電荷を保持したり、保持された信号電荷を伝送したりするためのスイッチ素子である薄膜トランジスター（Thin Film Transistor。以下、ＴＦＴという。）８に信号電荷を保持するための電圧（以下、オフ電圧という。）や伝送するための電圧（以下、オン電圧という。）を選択的に印加することができるように構成される。

ところで、例えば可搬型の放射線画像撮影装置を落下させたり放射線画像撮影装置を他の物体にぶつけたりして放射線画像撮影装置に衝撃が加わると、上記の走査線や信号線、バイアス線等の配線が切れる等してセンサーパネルＳＰに異常が生じる場合がある。すなわち、放射線検出素子から画像データが読み出せなくなったり異常な値の画像データが読み出されるようになったりする場合がある。

そのため、例えば特許文献２では、放射線画像撮影装置が衝撃を検知した際に、放射線画像撮影装置に放射線が照射されない状態で撮影を行ってオフセット画像（すなわち未露光の画像）を読み出し、読み出したオフセット画像を解析してセンサーパネル（或いは放射線画像撮影装置）に異常が生じているか否かを自己診断する放射線画像撮影装置の発明が開示されている。

特開２０１２−４９６６５号公報 特開２０１１−６７３３４号公報

しかしながら、特許文献２に記載された方法では、上記のようにオフセット画像、すなわち放射線検出素子内で生じた暗電荷（暗電流等ともいう。）に起因する画像に基づき、例えばそれらの画素値やノイズレベル、点欠陥、線欠陥等を解析することで、異常が発生したか否かの判定を行っているが、上記のように、オフセット画像は、そもそも放射線画像撮影装置に放射線が照射されない状態で撮影された画像であるため画像データの大きさが非常に小さく、ほぼ０に近い値になる。

そのため、オフセット画像を解析しても、例えば信号線６やバイアス線９等の断線を精度良く見出すことは必ずしも容易でない。また、本発明者らの研究では、スイッチ素子であるＴＦＴ８にオン電圧やオフ電圧を印加してＴＦＴ８をオン／オフさせる走査線５が断線した場合、上記の方法ではその断線を見出すことは困難であることが分かっている。

本発明は、上記の問題点を鑑みてなされたものであり、放射線画像撮影装置内の配線が断線してセンサーパネルに異常が生じているか否かを的確にかつ精度良く判定することが可能な放射線画像撮影装置および放射線画像撮影システムを提供することを目的とする。

前記の問題を解決するために、本発明の放射線画像撮影装置は、
複数の走査線および複数の信号線と、二次元状に配列された複数の放射線検出素子と、前記放射線検出素子に逆バイアス電圧を印加するバイアス線と、を備え、前記放射線検出素子の一方の電極には前記バイアス線が接続されており、前記放射線検出素子の他方の電極にはスイッチ素子を介して前記信号線が接続されているセンサーパネルと、
前記センサーパネルが異常であるか否かを判定する判定手段と、を備え、
前記判定手段は、前記信号線の電圧と前記バイアス線の電圧の少なくとも一方を読み出し処理時以外のときの電圧から変化させて読み出した信号値に基づいて、前記センサーパネルが異常であるか否かを判定することを特徴とする。

また、本発明の放射線画像撮影装置は、
複数の走査線および複数の信号線と、二次元状に配列された複数の放射線検出素子と、を備え、前記放射線検出素子がスイッチ素子を介して前記信号線が接続されているセンサーパネルと、
前記センサーパネルが異常であるか否かを判定する判定手段と、を備え、
前記判定手段は、前記各放射線検出素子からの信号値を読み出す読み出し動作の間に、相関二重サンプリング動作中に前記スイッチ素子をオンし前記相関二重サンプリング動作後に前記スイッチ素子をオフして読み出した信号値、または、前記相関二重サンプリング動作中に前記スイッチ素子をオフし、前記相関二重サンプリング動作後に前記スイッチ素子をオンして読み出した信号値に基づいて、前記センサーパネルが異常であるか否かを判定することを特徴とする。

また、本発明の放射線画像撮影システムは、
複数の走査線および複数の信号線と、二次元状に配列された複数の放射線検出素子と、前記放射線検出素子に逆バイアス電圧を印加するバイアス線と、を備え、前記放射線検出素子の一方の電極には前記バイアス線が接続されており、前記放射線検出素子の他方の電極にはスイッチ素子を介して前記信号線が接続されているセンサーパネルを備える放射線画像撮影装置と、
前記放射線画像撮影装置の前記センサーパネルが異常であるか否かを判定する判定装置と、を備え、
前記判定装置は、前記放射線画像撮影装置で、前記信号線の電圧と前記バイアス線の電圧の少なくとも一方を読み出し処理時以外のときの電圧から変化させて読み出した信号値に基づいて、前記放射線画像撮影装置の前記センサーパネルが異常であるか否かを判定することを特徴とする。

また、本発明の放射線画像撮影システムは、
複数の走査線および複数の信号線と、二次元状に配列された複数の放射線検出素子と、を備え、前記放射線検出素子がスイッチ素子を介して前記信号線が接続されているセンサーパネルを備える放射線画像撮影装置と、
前記放射線画像撮影装置の前記センサーパネルが異常であるか否かを判定する判定装置と、を備え、
前記判定装置は、前記放射線画像撮影装置で、前記各放射線検出素子からの信号値を読み出す読み出し動作の間に、相関二重サンプリング動作中に前記スイッチ素子をオンし前記相関二重サンプリング動作後に前記スイッチ素子をオフして読み出した信号値、または、前記相関二重サンプリング動作中に前記スイッチ素子をオフし、前記相関二重サンプリング動作後に前記スイッチ素子をオンして読み出した信号値に基づいて、前記センサーパネルが異常であるか否かを判定することを特徴とする。

本発明のような方式の放射線画像撮影装置および放射線画像撮影システムによれば、放射線画像撮影装置内の配線が断線してセンサーパネルに異常が生じているか否かを的確にかつ精度良く判定することが可能となる。

本実施形態に係る放射線画像撮影装置の外観を示す斜視図である。 図１におけるＸ−Ｘ線に沿う断面図である。 放射線画像撮影装置のセンサー基板の構成を示す平面図である。 放射線画像撮影装置の等価回路を表すブロック図である。 １つの放射線検出素子についての等価回路を表すブロック図である。 判定処理での各処理や状態における放射線検出素子の電極間の電位差を表すグラフである。 走査線にオン電圧を順次印加して放射線検出素子のリセット処理を行う場合に各ＴＦＴにオン電圧を順次印加するタイミングを表すタイミングチャートである。 電荷蓄積状態で放射線検出素子の電極間の電位差が変化するとそれに相当する電荷が各放射線検出素子内に蓄積されることを説明する図である。 画像データの読み出し処理の際のパルス信号の送信タイミングやオペアンプから出力される電圧値の時間的推移等を表す図である。 構成例１におけるパルス信号の送信タイミングやオペアンプから出力される電圧値の時間的推移等を表す図である。 構成例２におけるパルス信号の送信タイミングやオペアンプから出力される電圧値の時間的推移等を表す図である。 センサーパネルに生じている（Ａ）線欠陥や帯状欠陥、（Ｂ）ブロック状欠陥を説明する図である。 本実施形態に係る放射線画像撮影システムの１つの構成例を表す図である。 本実施形態に係る放射線画像撮影システムの別の構成例を表す図である。 携帯端末型のコンソールの構成例を表す図である。 放射線画像撮影装置のセンサーパネルの中央部分および端縁部を表す図である。 放射線画像撮影装置の撮影できない部分以外の部分を使って撮影を行うように通知するための表示例を表す図である。

以下、本発明に係る放射線画像撮影装置および放射線画像撮影システムの実施の形態について、図面を参照して説明する。

なお、以下では、放射線画像撮影装置として、シンチレーター等を備え、放射された放射線を可視光等の他の波長の電磁波に変換して電気信号を得るいわゆる間接型の放射線画像撮影装置について説明するが、本発明は、シンチレーター等を介さずに放射線を検出素子で直接検出する、いわゆる直接型の放射線画像撮影装置に対しても適用することができる。

また、放射線画像撮影装置がいわゆる可搬型である場合について説明するが、支持台等と一体的に形成された専用機型の放射線画像撮影装置に対しても、本発明を適用することが可能である。

［放射線画像撮影装置について］
まず、本実施形態に係る放射線画像撮影装置の構成等について説明する。図１は、本実施形態に係る放射線画像撮影装置の外観を示す斜視図であり、図２は、図１のＸ−Ｘ線に沿う断面図である。なお、以下では、放射線画像撮影装置１における上下方向については、放射線画像撮影装置１を図２の状態に配置した場合に基づいて説明する。すなわち、放射線が入射する側の面である放射線入射面Ｒ側を上側として説明する。

図１に示すように、放射線画像撮影装置１の筐体２の一方の側面には、電源スイッチ３７や切換えスイッチ３８、コネクター３９、インジケーター４０等が配置されている。また、図示を省略するが、筐体２の反対側の側面には、外部と無線方式で通信を行うためのアンテナ４１（後述する図４参照）が設けられている。

図２に示すように、筐体２の内部には、基台３１が配設されており、基台３１の上面側には、図示しない鉛の薄板等を介してセンサー基板４が配置されている。センサー基板４の上面には前述した放射線検出素子７等が設けられているが、この点については後で説明する。そして、センサー基板４の上方には、シンチレーター基板３４に形成されたシンチレーター３とセンサー基板４の放射線検出素子７等とが対向する状態でシンチレーター３やシンチレーター基板３４が配置されている。

基台３１の下面側には、電子部品３２等が配設されたＰＣＢ基板３３や内蔵電源２４等が取り付けられている。本実施形態では、このようにしてセンサーパネルＳＰが形成されている。また、本実施形態では、センサーパネルＳＰと筐体２の側面との間に、それらがぶつかり合うことを防止するための緩衝材３５が設けられている。

図３に示すように、センサー基板４の上面（すなわちシンチレーター３に対向する面）４ａ上には、複数の走査線５と複数の信号線６とが互いに交差するように配設されている。また、複数の走査線５と複数の信号線６により区画された各領域ｒには、放射線検出素子７がそれぞれ設けられている。本実施形態では、このように、各放射線検出素子７が二次元状（マトリクス状）に配列されている。

また、本実施形態では、複数のバイアス線９が各信号線６に平行に配設されており、各バイアス線９は結線１０に接続されている。そして、センサー基板４の周縁部に、複数の入出力端子１１が設けられており、各入出力端子１１はそれぞれ各走査線５や各信号線６、結線１０と接続されている。そして、図示を省略するが、各入出力端子１１は、後述する読み出しＩＣ１６等のチップがフィルム上に組み込まれたフレキシブル回路基板と接続され、フレキシブル回路基板がセンサー基板４の裏面側に引き回されて前述したＰＣＢ基板３３等に接続されるようになっている。

ここで、放射線画像撮影装置１の回路構成について説明する。図４は本実施形態に係る放射線画像撮影装置１の等価回路を表すブロック図であり、図５は１つの放射線検出素子７（すなわち１画素）についての等価回路を表すブロック図である。

各放射線検出素子７では、図示しない被写体を介して照射された放射線の線量（或いはシンチレーター３で変換された電磁波の光量）に応じた電荷が各放射線検出素子７内でそれぞれ発生するようになっている。なお、以下では、放射線検出素子７がフォトダイオードで構成されている場合について説明するが、放射線検出素子７を例えばフォトトランジスターやＣＣＤ（Charge Coupled Device）等を用いることも可能である。

そして、各放射線検出素子７の一方の電極７ａには、バイアス線９が接続されており、バイアス線９や結線１０を介してバイアス電源１４から各放射線検出素子７に逆バイアス電圧Ｖｂが印加されるようになっている。また、各放射線検出素子７の他方の電極７ｂには、スイッチ素子としてＴＦＴ８が接続されており、ＴＦＴ８は信号線６に接続されている。

また、ＴＦＴ８は、後述する走査駆動手段１５から走査線５を介してオン電圧が印加されるとオン状態となり、放射線検出素子７内に蓄積されている電荷を信号線６に放出させる。また、走査線５を介してオフ電圧が印加されるとオフ状態となり、放射線検出素子７から信号線６への電荷の放出を停止して、放射線検出素子７内に電荷を蓄積させるようになっている。

各走査線５は、それぞれ走査駆動手段１５のゲートドライバー１５ｂに接続されている。走査駆動手段１５では、配線１５ｃを介して電源回路１５ａからゲートドライバー１５ｂにオン電圧とオフ電圧が供給されるようになっており、ゲートドライバー１５ｂで走査線５の各ラインＬ１〜Ｌｘに印加する電圧をオン電圧とオフ電圧との間で切り替えるようになっている。

また、各信号線６は、それぞれ読み出しＩＣ１６内に内蔵された各読み出し回路１７に接続されている。本実施形態では、読み出し回路１７は、主に積分（チャージアンプ）回路１８と相関二重サンプリング回路１９等で構成されている。読み出しＩＣ１６内には、さらに、アナログマルチプレクサー２１と、Ａ／Ｄ変換器２０とが設けられている。なお、図４や図５では、相関二重サンプリング回路１９はＣＤＳと表記されている。

本実施形態では、積分回路１８は、オペアンプ１８ａの反転入力端子と出力端子間にコンデンサー１８ｂおよびコンデンサー１８ｂに保持された電荷をリセットする電荷リセット用スイッチ１８ｃが接続され、オペアンプ１８ａ等に電力を供給する電源供給部１８ｄを備えて構成されている。そして、積分回路１８のオペアンプ１８ａの反転入力端子には信号線６が接続されており、オペアンプ１８ａの非反転入力端子には基準電位が印加されるようになっている。

なお、この基準電位がオペアンプ１８ａを介して各信号線６に印加されるため、以下、この基準電位を信号線電圧Ｖｓという。また、積分回路１８の電荷リセット用スイッチ１８ｃは、制御手段２２によりオン／オフが制御されるようになっている。

撮影時に、スイッチ素子である各ＴＦＴ８がオフ状態とされた状態で図示しない放射線照射装置から放射線画像撮影装置１に放射線が照射されると、放射線の照射により各放射線検出素子７内で発生した電荷が放射線検出素子７内に蓄積される。

そして、各放射線検出素子７からの画像データＤの読み出し処理の際には、積分回路１８の電荷リセット用スイッチ１８ｃがオフ状態とされ、積分状態となり、後段の相関二重サンプリング回路１９では１回目のサンプルホールドがされる。その後、その状態で、読出対象となる放射線検出素子７のＴＦＴ８にオン電圧が印加されて、読出対象の放射線検出素子７内から信号線６に電荷がそれぞれ放出される。

そして、その電荷が、各読み出し回路１７の積分回路１８のコンデンサー１８ｂに流れ込んで蓄積され、オペアンプ１８ａから、コンデンサー１８ｂに蓄積された電荷量に応じた電圧値が出力される。相関二重サンプリング回路１９は、読出対象の放射線検出素子７のスイッチ素子であるＴＦＴ８にオン電圧が印加される前と、オン電圧が印加されて放射線検出素子７から電荷の伝送がなされた後にＴＦＴ８にオフ電圧が印加された後にそれぞれ積分回路１８から出力された出力値の差分（増加分）をアナログ値の画像データＤとして出力する。

そして、出力された各画像データＤがアナログマルチプレクサー２１を介してＡ／Ｄ変換器２０に順次送信され、Ａ／Ｄ変換器２０でデジタル値の画像データＤに順次変換されて記憶手段２３に出力されて順次保存される。そして、この動作を各走査で順次繰り返す。このようにして画像データＤの読み出し処理が行われるようになっている。

制御手段２２は、図示しないＣＰＵ（Central Processing Unit）やＲＯＭ（Read Only Memory）、ＲＡＭ（Random Access Memory）、入出力インターフェース等がバスに接続されたコンピューターや、ＦＰＧＡ（Field Programmable Gate Array）等で構成されている。専用の制御回路で構成されていてもよい。

また、制御手段２２には、ＳＲＡＭ（Static ＲＡＭ）やＳＤＲＡＭ（Synchronous ＤＲＡＭ）、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリー等で構成される記憶手段２３や、リチウムイオンキャパシター等で構成される内蔵電源２４が接続されている。また、制御手段２２には、前述したアンテナ４１やコネクター３９を介して外部と無線方式や有線方式で通信を行うための通信部４２が接続されている。

また、制御手段２２は、上記のように、バイアス電源１４から各放射線検出素子７に印加する逆バイアス電圧Ｖｂを制御したり、走査駆動手段１５や読み出し回路１７等の動作を制御して、各放射線検出素子７からの画像データＤの読み出し処理を行わせ、読み出された画像データＤを記憶手段２３に保存したり、或いは、保存された画像データＤを、通信部４２を介して外部に転送する等の制御を行うようになっている。

［第１の実施の形態］
次に、本発明の第１の実施形態に係る放射線画像撮影装置１について説明する。本実施形態では、放射線画像撮影装置１には、センサーパネルＳＰが異常であるか否かを判定する判定手段が設けられており、判定手段は、信号線６とバイアス線９間の電位差ΔＶを変化させて読み出した信号値Ｓに基づいて、センサーパネルＳＰが異常であるか否かの判定処理を行うようになっている。

図６に示すように、処理として、リセット処理、蓄積処理、読み出し処理から構成され、リセット処理（放射線検出素子７のリセット処理）は、信号線電圧Ｖｓと逆バイアス電圧Ｖｂに所定の電位差ΔＶ１を印加した状態で、ＴＦＴ８のゲート電極（走査線５）にオン電圧を印加することで、放射線検出素子７の２つの電極７ａ、７ｂ（図４や図５参照）間に初期電位差ΔＶ１を印加し、放射線検出素子７に、初期電荷を与える。

蓄積処理（電荷蓄積状態）は、ＴＦＴ８のゲート電極（走査線５）にオフ電圧を印加することで、放射線検出素子７に電荷を保持することが可能になる。ここで、放射線を照射すると放射線量に応じた電荷が初期電荷から減る。これを説明が簡単になるようにするため、電荷が蓄積されたと表現する。

読み出し処理（信号値Ｓの読み出し処理）は、信号線電圧Ｖｓと逆バイアス電圧Ｖｂに所定の電位差ΔＶ０を印加した状態で、ＴＦＴ８のゲート電極（走査線５）にオン電圧を印加することで、放射線検出素子７の２つの電極７ａ，７ｂ間に電位差ΔＶ０を印加する。この際に、電荷の移動が生じこの電荷を読み出すことで信号値Ｓが得られる。

以下、この判定処理について具体的に説明する。なお、本実施形態では、放射線画像撮影装置１の制御手段２２が上記の判定手段として機能するようになっており、以下、判定手段２２として説明するが、判定手段を制御手段２２とは別体の回路等として設けるように構成することも可能である。

判定手段２２は、図７に示すように、走査駆動手段１５（図４参照）のゲートドライバー１５ｂから走査線５の各ラインＬ１〜Ｌｘにオン電圧を順次印加して、ＴＦＴ８を順次オン状態にし、各放射線検出素子７から電荷を信号線６に放出させて各放射線検出素子７内から残存する電荷を除去する放射線検出素子７のリセット処理を行う。

なお、走査線５の各ラインＬ１〜Ｌｘにオン電圧を順次印加する代わりに、走査線５の各ラインＬ１〜Ｌｘにオン電圧を一斉に印加するようにして放射線検出素子７のリセット処理を行うように構成することも可能である。また、以下では、放射線検出素子７のリセット処理を行う場合について説明するが、この段階では放射線検出素子７内に残存する電荷を除去できればよいため、放射線検出素子７のリセット処理を行う代わりに、例えば前述した放射線検出素子７からの画像データＤの読み出し処理を行うように構成することも可能である。

また、判定手段２２は、通常の撮影時に行われる各放射線検出素子７からの画像データＤの読み出し処理の際の信号線６とバイアス線９間の電位差ΔＶ０が例えば５［Ｖ］であるとすると、上記の放射線検出素子７のリセット処理を行う際には、図６に示すように、この場合の放射線検出素子７のリセット処理の際の信号線６とバイアス線９間の電位差ΔＶ１を、上記の電位差ΔＶ０よりも絶対値が小さい例えば４．５［Ｖ］に設定して放射線検出素子７のリセット処理を行う。

なお、前述したように放射線検出素子７の一方の電極７ａには逆バイアス電圧Ｖｂが印加されており、放射線検出素子７の他方の電極７ｂにＴＦＴ８を介して接続されている信号線６には信号線電圧Ｖｓが印加されているため、上記の信号線６とバイアス線９間の電位差ΔＶは、
ΔＶ＝Ｖｓ−Ｖｂ …（１）
で算出される。なお、放射線検出素子７の他方の電極７ｂがＴＦＴ８を介して信号線６に接続されていることを、以下、単に、放射線検出素子７の他方の電極７ｂが信号線６に接続されているという場合がある。

そして、本実施形態では、上記の逆バイアス電圧Ｖｂと信号線電圧Ｖｓの少なくとも一方、或いはそれらの両方をリセット処理時と読み出し時とで変化させることで、リセット処理後、または、読み出し処理後の信号線６とバイアス線９間の電位差ΔＶをリセット処理時と読み出し時とで変化させることができる。そして、信号線電圧Ｖｓは、読み出し回路１７の積分回路１８のオペアンプ１８ａ（図５参照）の非反転入力端子に印加される基準電位を変えることで変化させることができる。

また、信号線電圧Ｖｓも同様であるが、逆バイアス電圧Ｖｂを変化させる方法としては、例えば、バイアス電源１４から出力される電圧値を分圧回路で分圧する際の抵抗値を変えるように構成することも可能である。或いは、出力する逆バイアス電圧Ｖｂが異なる少なくとも２つのバイアス電源１４を設けておき、逆バイアス電圧Ｖｂを印加するバイアス電源１４を切り替えるように構成することも可能であり、逆バイアス電圧Ｖｂや信号線電圧Ｖｓを変化させる方法は特定の方法に限定されない。

判定手段２２は、図６に示すように、信号線６とバイアス線９間の電位差がΔＶ１（例えば４．５［Ｖ］）となる状態で放射線検出素子７のリセット処理を行うと、各放射線検出素子７の２つの電極７ａ、７ｂ間の電位差をΔＶ１にすることができる。そして、ゲートドライバー１５ｂから走査線５の各ラインＬ１〜Ｌｘにオフ電圧を印加させて各ＴＦＴ８をオフ状態にして、各放射線検出素子７内に電荷を蓄積させる電荷蓄積状態に移行させる。診断画像を得る場合は、この電荷蓄積状態で放射線を照射するが、本発明の故障診断では、放射線を照射する代わりに、後述の処理をする。

本実施形態では、電荷蓄積状態で、逆バイアス電圧Ｖｂや信号線電圧Ｖｓを変化させて電位差ΔＶ０にした状態で読み出し処理を行う。逆バイアス電圧Ｖｂや信号線電圧Ｖｓはある程度の時定数をもって変化するため、電位差の変化が十分に安定してから読み出し処理を開始することが好ましい。一般的に、時定数の６倍以上とすることが好ましい。

そして、前述したように、読み出し処理のＴＦＴオン動作により、放射線検出素子７の２つの電極７ａ、７ｂ間の電位差がΔＶ０となり、（ΔＶ０−ΔＶ１）×Ｃ（放射線検出素子７に存在する容量Ｃ）＝Ｑの電荷が読み出され、信号値Ｓとなる。

なお、判定手段２２における、センサーパネルＳＰが異常であるか否かの判定の仕方については後で説明する。

［作用］
次に、本実施形態に係る放射線画像撮影装置１の作用について説明する。上記のように構成すると、図６に示したように、電荷蓄積状態の間に、各放射線検出素子７の２つの電極７ａ、７ｂ間の電位差はΔＶ１（例えば４．５［Ｖ］）が維持されている。読み出し処理によって、電位差はΔＶ０となる電荷が読み出されて、放射線検出素子７の２つの電極間の電位差はΔＶ０（例えば５［Ｖ］）となる。その読み出し処理の際に、Ｑ＝Ｃ×（ΔＶ０−ΔＶ１）の電荷が読み出されて、信号値Ｓが出力される。

このように、本実施形態では、上記のように信号線６とバイアス線９間の電位差ΔＶをリセット時のΔＶ１から読み出し時のΔＶ０に変化させることで各放射線検出素子７内に電荷Ｑを発生させて読み出すことが可能となり、放射線画像撮影装置１に放射線が照射されなくても、撮影時等に放射線画像撮影装置１に放射線が照射された場合と同じ状態を形成することが可能となる。

逆の言い方をすれば、本実施形態のように信号線６とバイアス線９間の電位差ΔＶをΔＶ１からΔＶ０に変化させなくても、被写体が介在しない状態で放射線照射装置から放射線画像撮影装置１に放射線を照射すれば、放射線の照射により各放射線検出素子７内で発生した電荷を放射線検出素子７内に蓄積させることができ、本実施形態と同様の状態を形成することができる。

しかし、このように放射線を照射させる方法では、放射線画像撮影装置１の放射線入射面Ｒ（図１等参照）に必ずしも均一に放射線が照射されるわけではなく、照射される放射線の強度にムラが生じる等するため、通常、放射線画像撮影装置１に放射線を照射して各放射線検出素子７で均一の電荷量の電荷Ｑを発生させることは難しく、Ｘ線照射の調整に手間が掛かったり、Ｘ線を照射する煩わしさが生じる。

それに対し、本実施形態のように構成すると、各放射線検出素子７内に、信号線６とバイアス線９間の電位差ΔＶの変化量ΔＶ０−ΔＶ１に相当する電荷量の電荷Ｑを各放射線検出素子７内で発生させて蓄積することが可能となる。そのため、本実施形態では、放射線画像撮影装置１に放射線を照射して得られた画像データＤ等に基づいてセンサーパネルＳＰの異常を判定する場合に比べて、より精度良くセンサーパネルＳＰが異常であるか否かを判定することが可能となる。

また、本実施形態では、このように、放射線を照射して得られる画像データＤと同等、或いはそれ以上に精度が良い信号値Ｓを、放射線を照射せずに得ることができる。そのため、放射線技師等にとっては、センサーパネルＳＰが異常であるか否かの判定を行うためにわざわざ放射線照射装置から放射線を照射させる必要がないため、上記の判定処理にかかる手間を省くことが可能となる。また、判定手段２２にとっては、放射線の照射がなくても判定処理を行うことができるため、判定処理を任意のタイミングで行うことが可能となるといったメリットもある。なお、この点については後で説明する。

一方、前述したように、特許文献２に記載された方法を用い、放射線画像撮影装置１に放射線を照射しないが、信号線６とバイアス線９間の電位差ΔＶを変化させない状態（すなわち上記の例ではΔＶ０のままの状態）で各放射線検出素子７内に蓄積されるのは暗電荷であり、それを読み出した信号値（すなわち特許文献２におけるオフセット画像の画素値）は、例えば放射線画像撮影装置１に放射線を照射して読み出される画像データＤに比べて桁違いに小さい。

そのため、前述したように、オフセット画像を解析しても信号線６やバイアス線９等の断線を精度良く見出すことは必ずしも容易でない。また、走査線５が断線した場合、この方法で断線を見出すことは困難である。

それに対し、本実施形態のように、信号線６とバイアス線９間の電位差ΔＶを変化させ、その変化量ΔＶ０−ΔＶ１に相当する電荷Ｑを各放射線検出素子７内に蓄積させて読み出された信号値Ｓは、変化量ΔＶ０−ΔＶ１の大きさを調整すれば、放射線画像撮影装置１に放射線を照射して読み出される画像データＤと同等の大きさにすることが可能である。すなわち、本実施形態で読み出される信号値Ｓは、特許文献２に記載された方法で読み出されるオフセット画像の画素値に比べて桁違いに大きな値にすることができる。

そのため、例えば信号線６が断線している場合は、断線している部分より読み出しＩＣから遠ざかる側に接続されている放射線検出素子７からは電荷Ｑが読み出されなくなるため、そのような放射線検出素子７から読み出された信号値Ｓは、電荷Ｑに相当する信号値Ｓよりも明確に小さな値になる。そのため、本実施形態では、信号線６が断線していれば、信号値Ｓに基づいてそれを的確に見出すことが可能となり、線状の異常（線欠と呼ぶ）から信号線の断線と判断が可能となる。

また、バイアス線９が断線している場合にも、放射線検出素子７にバイアス電圧が印加できないため、電荷Ｑが得られない。櫛状にバイアス線を形成した場合には、信号線と同様に線状の異常が発生し、信号線かバイアス線の断線と判断できる。また、メッシュ状にバイアス線を形成した場合には、断線箇所にもよるが、他の断線していない箇所からの信号により異常は発生しないか、または、画素部のバイアス線断線により１画素の異常として現れ、ＴＦＴ配線設計に応じて、信号線の断線と切り分けることも可能となる。

そのため、例えば逆バイアス電圧Ｖｂを変化させて信号線６とバイアス線９間の電位差ΔＶを変化させるように構成されている場合には、断線したバイアス線９に接続されている当該放射線検出素子７では逆バイアス電圧Ｖｂが変化しないため上記の電位差ΔＶが変化せず、図８に示したような電荷Ｑは発生しない。

また、例えば信号線電圧Ｖｓを変化させて信号線６とバイアス線９間の電位差ΔＶを変化させるように構成されている場合、バイアス線９が断線していると、信号線電圧Ｖｓを変化させて放射線検出素子７の電極７ｂの電位を変化させた際に、それと同じように放射線検出素子７の他方の電極７ａの電位が変化してしまうため、この場合も、結局、図８に示したような電荷Ｑは発生しない。

そのため、いずれの場合も、当該放射線検出素子７から読み出される信号値Ｓは、結局、特許文献２の場合と同様の暗電荷に起因する信号値Ｓでしかないため、バイアス線９が断線していない放射線検出素子７から読み出される信号値Ｓとは桁違いに小さな値になる。そのため、本実施形態では、バイアス線９が断線していれば、信号値Ｓに基づいてそれを的確に見出すことが可能となる。

また、走査線５が断線した場合には、ＴＦＴ８のオン／オフが制御できなくなるため、ゲートドライバー１５ｂより遠ざかる位置に配置された画素から電荷Ｑが読み出されなくなり、線状の異常となる。そのため、本実施形態では、走査線５が断線していれば、信号値Ｓに基づいてそれを的確に見出すことが可能となる。

［効果］
以上のように、本実施形態に係る放射線画像撮影装置１によれば、判定手段２２は、信号線６とバイアス線９間の電位差ΔＶを変化させて読み出した信号値Ｓに基づいて、センサーパネルＳＰが異常であるか否かを判定する。

そのため、走査線５や信号線６、バイアス線９等の放射線画像撮影装置１内の配線が断線しているか否かを的確にかつ精度良く見出して、センサーパネルＳＰに異常が生じているか否かを的確にかつ精度良く判定することが可能となる。

［第２の実施の形態］
次に、本発明の第２の実施形態に係る放射線画像撮影装置１について説明する。上記のように、第１の実施形態では、信号線６とバイアス線９間の電位差ΔＶを変化させて発生した電荷Ｑを信号値Ｓとして読み出し、読み出した信号値Ｓに基づいて、放射線画像撮影装置１のセンサーパネルＳＰが異常であるか否かを判定する場合について説明した。

しかし、上記のように信号線６とバイアス線９間の電位差ΔＶを変化させて電荷Ｑを発生させる代わりに、例えば以下のように構成しても、放射線画像撮影装置１に放射線を照射せずに信号値として読み出すことが可能であり、読み出した信号値に基づいて、放射線画像撮影装置１のセンサーパネルＳＰが異常であるか否かを判定するように構成することができる。

［構成１］
すなわち、本実施形態では、判定手段２２は、各放射線検出素子７からの信号値Ｓを読み出す読み出し動作の相関二重サンプリング動作前にスイッチ素子であるＴＦＴ８をオンし、相関二重サンプリング動作中にＴＦＴ８をオフして読み出した信号値Ｓ^＊として読み出し、読み出した信号値Ｓ^＊に基づいて、センサーパネルＳＰが異常であるか否かを判定するように構成することが可能である。

［構成２］
また、判定手段２２は、相関二重サンプリング動作中にＴＦＴ８をオンし、相関二重サンプリング動作後にＴＦＴ８をオフして読み出した信号値Ｓ^＊＊に基づいて、センサーパネルＳＰが異常であるか否かを判定するように構成することも可能である。

なお、相関二重サンプリングがある構成で説明したが、相関二重サンプリングがない構成でも実現できる。例えば、積分回路の電荷リセット中にＴＦＴ８をオンし、積分回路の電荷リセットをオフした積分動作中にＴＦＴ８をオフして、その状態でサンプリングしてＡＤＣすることで信号値Ｓ^＊として読み出すことが可能である。

また、サンプリングしないで直接ＡＤＣすることも可能である。また、積分動作中にＴＦＴ８をオンして、その状態でサンプリングしてＡＤＣすることで信号値Ｓ^＊＊として読み出すことが可能である。ＴＦＴ８のオフは例えば、サンプリング後、またはＡＤＣ後にする。

上記の構成１、２について説明する前に、まず、前述した画像データＤの読み出し処理の際に制御手段２２から読み出し回路１７（図４や図５参照）に送信される信号等の切り替えタイミングや積分回路１８からの出力等について図９に基づいて説明する。

なお、以下の図９〜図１１はいずれも１つのＴＦＴ８をオン／オフする際の周期を表す図であり、図９〜図１１において、ＲＳＴは読み出しＩＣ１６の各読み出し回路１７をリセットする際のパルス信号を表し、ＳＨは相関二重サンプリング回路１９でサンプルホールドする際のパルス信号（ＳＨＲは１回目の、ＳＨＳは２回目のサンプルホールドの際のパルス信号を表す。）を表す。なお、本実施形態では、サンプルホールドは、ＳＨ（ＳＨＲ、ＳＨＳ）の立下り時点で行われる。

また、図９〜図１１において、Ｖoutは読み出し回路１７のオペアンプ１８ａから出力される電圧値を表し、ＸＯＥはＴＦＴ８に印加されるオフ電圧およびオン電圧（Ｈがオフ電圧、Ｌがオン電圧）を表す。

画像データＤ（或いは後述する暗画像ｏ）の読み出し処理の際には、図９に示すように、制御手段２２から送信されるパルス信号（ＲＳＴ）に基づいて各読み出し回路１７でリセット処理が行われる。そして、相関二重サンプリング回路１９は、制御手段２２からサンプルホールドを指示する１回目のパルス信号（ＳＨＲ）が送信されてくると、その立下りのタイミングでオペアンプ１８ａから出力されている電圧値Ｖout（なおこの時点での電圧値ＶoutをＶout１とする。）をサンプルホールドする。

そして、制御手段２２は、ゲートドライバー１５ｂから走査線５を介してＴＦＴ８にオン電圧を印加してＴＦＴ８をオンすると（ＸＯＥ：Ｈ→Ｌ）、オペアンプ１８ａから出力される電圧値Ｖoutは一時的に低下する。そして、ゲートドライバー１５ｂから走査線５を介してＴＦＴ８にオフ電圧を印加してＴＦＴ８をオフすると（ＸＯＥ：Ｌ→Ｈ）、オペアンプ１８ａから出力される電圧値Ｖoutは再び上昇する。そして、相関二重サンプリング回路１９は、制御手段２２からサンプルホールドを指示する２回目のパルス信号（ＳＨＳ）が送信されてくると、その立下りのタイミングでオペアンプ１８ａから出力されている電圧値Ｖout（なおこの時点での電圧値ＶoutをＶout２とする。）をサンプルホールドする。

その際、撮影時のように、図９に示した読み出し処理の前に放射線画像撮影装置１に放射線が照射されて各放射線検出素子７内で電荷が発生している場合には、前述したように、相関二重サンプリング回路１９がサンプルホールドした電圧値Ｖout１とＶout２との間に有意な差があり、それが画像データＤとして読み出される。また、後述する暗画像ｏの読み出し処理の際のように、放射線画像撮影装置１に放射線が照射されていないと、電圧値Ｖout１とＶout２との間にほとんど差はなく、差分Ｖout２−Ｖout１はほぼ０になる。

以上が、撮影時における画像データＤの読み出し処理（或いは後述する暗画像ｏの読み出し処理）における制御の仕方である。

［構成１］
それに対し、本実施形態における判定処理における上記の［構成１］の信号値Ｓ^＊の読み出し処理では、図１０に示すように、判定手段２２は、ＴＦＴ８のオン／オフのタイミングを図９の場合に比べて時間的に前側にずらすように構成される。なお、下記の［構成２］の場合も同様であるが、本実施形態では、第１の実施形態の場合のように信号線６とバイアス線９間の電位差ΔＶを変化させることはしない。

具体的には、判定手段２２は、前述した判定処理において信号値Ｓ^＊の読み出し処理では、図１０に示すように、ゲートドライバー１５ｂから走査線５を介してＴＦＴ８にオン電圧を印加してＴＦＴ８をオンする（ＸＯＥ：Ｈ→Ｌ）。オペアンプ１８ａから出力される電圧値Ｖoutは上記と同様に一時的に低下する。

判定手段２２は、その状態でパルス信号（ＲＳＴ）を送信して読み出し回路１７のリセットを行い、相関二重サンプリング回路１９に１回目のパルス信号（ＳＨＲ）を送信して、その時点でオペアンプ１８ａから出力されている電圧値Ｖout１をサンプルホールドさせる。そして、その後、ゲートドライバー１５ｂから走査線５を介してＴＦＴ８にオフ電圧を印加してＴＦＴ８をオフすると（ＸＯＥ：Ｌ→Ｈ）、オペアンプ１８ａから出力される電圧値Ｖoutが再び上昇する。判定手段２２は、その状態で相関二重サンプリング回路１９に２回目のパルス信号（ＳＨＳ）を送信して、その時点でオペアンプ１８ａから出力されている電圧値Ｖout２をサンプルホールドさせるように構成することが可能である（構成１）。

このように構成すると、相関二重サンプリング回路１９がサンプルホールドした電圧値Ｖout１とＶout２との差Ｖout２−Ｖout１が有意な値になり、信号値Ｓ^＊は０とは有意に異なる値になる。すなわち、上記の［構成１］のように構成すると、放射線画像撮影装置１に放射線を照射していないにもかかわらず、読み出される信号値Ｓ^＊は、同じく放射線画像撮影装置１に放射線が照射されない状態で読み出されるほぼ０の値の暗画像ｏとは異なり、放射線画像撮影装置１に放射線が照射された際に読み出される画像データＤと同等の大きな値で読み出される。

そのため、第１の実施形態のように信号線６とバイアス線９間の電位差ΔＶを変化させて読み出した信号値Ｓに基づいて放射線画像撮影装置１のセンサーパネルＳＰが異常であるか否かを判定する代わりに、上記の［構成１］のように構成して、すなわち各放射線検出素子７からの信号値Ｓを読み出す読み出し動作の相関二重サンプリング動作前にスイッチ素子であるＴＦＴ８をオンし、相関二重サンプリング動作中にＴＦＴ８をオフして読み出した信号値Ｓ^＊として読み出し、読み出した信号値Ｓ^＊に基づいて、センサーパネルＳＰが異常であるか否かを判定するように構成しても、第１の実施形態の場合と同様の有益な作用効果を得ることが可能となる。

［構成２］
また、本実施形態における判定処理における上記の［構成２］の信号値Ｓ^＊＊の読み出し処理では、図１１に示すように、判定手段２２は、パルス信号（ＲＳＴ）を送信して読み出し回路１７にリセット処理を行わせ、相関二重サンプリング回路１９に１回目のパルス信号（ＳＨＲ）を送信して、その時点でオペアンプ１８ａから出力されている電圧値Ｖout１をサンプルホールドさせた後で、ゲートドライバー１５ｂから走査線５を介してＴＦＴ８にオン電圧を印加してＴＦＴ８をオンする（ＸＯＥ：Ｈ→Ｌ）。オペアンプ１８ａから出力される電圧値Ｖoutは上記と同様に一時的に低下する。

そして、判定手段２２は、その状態で相関二重サンプリング回路１９に２回目のパルス信号（ＳＨＳ）を送信して、その時点でオペアンプ１８ａから出力されている電圧値Ｖout２をサンプルホールドさせた後で、ゲートドライバー１５ｂから走査線５を介してＴＦＴ８にオフ電圧を印加してＴＦＴ８をオフする（ＸＯＥ：Ｌ→Ｈ）（構成２）。オペアンプ１８ａから出力される電圧値Ｖoutは再び上昇する。

このように構成すると、相関二重サンプリング回路１９がサンプルホールドした電圧値Ｖout１とＶout２との差Ｖout２−Ｖout１が有意な値（この場合は負の値）になり、信号値Ｓ^＊＊は０とは有意に異なる値になる。すなわち、［構成２］のように構成すると、上記の［構成１］の場合とは負は逆であるが、［構成１］の場合と同様に、放射線画像撮影装置１に放射線を照射していないにもかかわらず、読み出される信号値Ｓ^＊＊は、同じく放射線画像撮影装置１に放射線が照射されない状態で読み出されるほぼ０の値の暗画像ｏとは異なり、放射線画像撮影装置１に放射線が照射された際に読み出される画像データＤと同等の絶対値が大きな値として読み出される。

そのため、第１の実施形態のように信号線６とバイアス線９間の電位差ΔＶを変化させて読み出した信号値Ｓに基づいて放射線画像撮影装置１のセンサーパネルＳＰが異常であるか否かを判定する代わりに、この［構成２］のように構成して、すなわち判定手段２２は、相関二重サンプリング動作中にＴＦＴ８をオンし、相関二重サンプリング動作後にＴＦＴ８をオフして読み出した信号値Ｓ^＊＊に基づいて、センサーパネルＳＰが異常であるか否かを判定するように構成しても、第１の実施形態や上記の［構成１］の場合と同様の有益な作用効果を得ることが可能となる。

ＴＦＴ８をオフからオンに切り替えた際に、ＴＦＴ８のオフ電圧とオン電圧の差が、走査線と信号線間の寄生容量（例えばＴＦＴ８のゲート電極とソース電極間の寄生容量）を介して、読み出しＩＣ１６に電荷信号として入力されることに起因して起こる現象で、信号値Ｓ^＊＊が発生する。同様に、ＴＦＴをオンからオフに切り替えた場合に信号値Ｓ^＊＊が発生する。走査線５と信号線６を介して電荷信号が伝わるため、信号線５と信号線６の断線を判断することができる。従って、第１の実施形態と組み合わせることで、第１の実施形態では信号線かバイアス線のどちらが断線しているかセンサパネルＳＰのバイアス線の設計によっては判別できないが、信号線６とバイアス線９のどちらが断線しているか切り分けることも可能となる。

［構成３］
相関二重サンプリングのＳＨＲの後で、ＴＦＴ８をオンし、ここで信号線とバイアス線の電位差ΔＶを変化させ、ＴＦＴ８をオフしてＳＨＳすることで、［構成１］と同様の効果を得ることも可能である。

［センサーパネルＳＰが異常か否かの判定について］
以下、判定手段２２における、センサーパネルＳＰが異常であるか否かの判定の仕方について説明する。

検査対象の画像から基準の暗画像を差分（オフセット補正と呼ぶ）した画像に対して解析する方が、精度が上がる点で好ましい。暗画像は、蓄積状態で信号線電圧とバイアス線電圧の電位差を変化させずに取得した画像を用いても良いし、出荷時に同様にして取得した画像を用いても良いし、蓄積状態において、信号線電圧とバイアス線電圧の電位差を逆方向に変化させて取得した画像を用いても良い。

具体的には、上記の第２の実施形態の場合も同様であるが、例えば第１の実施形態を例に挙げて説明すると、信号線６とバイアス線９間の電位差ΔＶの変化量ΔＶ０−ΔＶ１（或いはそれに対応する電荷Ｑに相当する基準となる信号値Ｓstを設定し、各放射線検出素子７から読み出された信号値Ｓが基準となる信号値Ｓstを含む所定の範囲（例えばＳst−α≦Ｓ≦Ｓst＋αの範囲）内に入っていない場合（或いは基準となる信号値Ｓstより所定値以下の場合でも良い。）に、その信号値Ｓが読み出された放射線検出素子７を、異常（故障）や断線している可能性がある放射線検出素子７Ａと判定するように構成することも可能である。

また、信号値が異常な画素（欠陥画素）等の異常な画素を除いて処理することが好ましい。欠陥画素は、例えば暗画像を取得した際に、ある信号値を超える画素であったり、２枚の暗画像を取得して差分した信号値がある範囲を超えるものを欠陥画素として、通常の診断画像で補正対象の画素として扱うものに対して、異常検査対象外とすることも可能である。

また、各放射線検出素子７から読み出される信号値Ｓは、センサーパネルＳＰの温度等の要因で変化し得る。そのため、上記のように基準となる信号値Ｓstを特定の値（或いは電位差ΔＶの変化量ΔＶ０−ΔＶ１のみの関数）として設定する代わりに、例えば放射線画像撮影装置１内に温度センサーを設け、基準となる信号値Ｓstを温度センサーが計測した温度Ｔも変数とする関数として設定しておき、放射線画像撮影装置１内の温度Ｔに応じて基準となる信号値Ｓstを算出するように構成することも可能である。

さらに、温度センサーを設ける代わりに、各放射線検出素子７から読み出した信号値Ｓをヒストグラムに投票して最頻値や中央値等を抽出したり分散σ^２や標準偏差σ等を算出する等して、信号値Ｓの全体的な値や分布等に基づいて、基準となる信号値Ｓstを算出するように構成することも可能である。

一方、１本の走査線５や信号線６、バイアス線９等が断線している場合には、上記のように異常（故障）や断線している可能性がある放射線検出素子７Ａと判定された放射線検出素子７が、例えば図１２（Ａ）に示すように、センサーパネルＳＰ上で、断線している可能性がある放射線検出素子７Ａが、例えば、読み出し回路から遠ざかる方向に連続して生じている場合には、信号線の断線やバイアス線の断線による線欠異常があると判定したり、ゲートドライバーから遠ざかる方向に連続して生じている場合には、走査線の断線と判断したり、例えば、バイアス線をメッシュ状に配線している場合では、連続しない場合に、放射線検出素子部のバイアス線か素子の異常（故障）と判断し、信号線の断線と切り分けることも可能となる。

また、例えばセンサー基板４（図３参照）が割れたりひびが入る等して複数の走査線５や信号線６、バイアス線９等が断線している場合には、図１２（Ｂ）に示すように、センサーパネルＳＰ上で、隣接した連続断線として、割れたりひびが入っていると判断し、割れが生じているので、交換・修理や衝撃・荷重を加えないように通知することで、迅速な修理や、これ以上のひび割れを大きくせずにしてダウンタイム短縮につなげることも可能となる。特に、ひび割れが生じるとひび割れ箇所を起点に読み出し回路から遠ざかる方向とゲートドライバーから遠ざかる方向のＬ字の様な形状となる特徴を利用して、判断することも可能である。

そこで、本実施形態では、判定手段２２は、このように、断線している可能性がある放射線検出素子７Ａが線状に並ぶように現れたりブロック状に現れた場合に、放射線画像撮影装置１内の配線（すなわち走査線５や信号線６、バイアス線９等）が断線してセンサーパネルＳＰに異常が生じていると判定するようになっている。

［暗画像による信号値の補正について］
また、放射線検出素子７内では放射線検出素子７自身の熱（温度）に起因する熱励起により暗電荷が常時発生しており、上記のようにして読み出される信号値Ｓには暗電荷に起因する暗画像ｏが重畳されている。そのため、下記（２）式に示すように信号値Ｓから暗画像ｏを減算して補正した信号値Ｓａを用いて上記の判定処理を行うように構成することが可能である。
Ｓａ＝Ｓ−ｏ …（２）

この場合、判定手段２２は、上記のようにして信号値Ｓを読み出した後、或いは信号値Ｓを得るための処理を行う前に、或いは工場出荷時等に予め、放射線が照射されず、全てのＴＦＴ８をオフした状態で、しかも、信号線６とバイアス線９間の電位差ΔＶが一定の状態（通常の撮影時に行われる各放射線検出素子７からの画像データＤの読み出し処理の際の電位差ΔＶ０（例えば５［Ｖ］））で、各放射線検出素子７からそれぞれ暗画像ｏを読み出す。

そして、判定手段２２は、上記（２）式に従って、読み出した暗画像ｏで信号値Ｓを補正し、補正した信号値Ｓａに基づいて、上記のようにしてセンサーパネルＳＰが異常であるか否かを判定するように構成することが可能である。このように構成すれば、判定処理をより精度良く行うことが可能となる。

［第３の実施の形態］
次に、本発明に係る放射線画像撮影システムの実施形態について説明する。上記の第１の実施形態では、放射線画像撮影装置１の制御手段２２等の判定手段２２が、センサーパネルＳＰが異常であるか否かの判定処理を行う場合について説明したが、例えばコンソールで行うように構成することも可能である。以下、このように構成されている場合について説明する。

なお、以下では、判定処理をコンソール（画像を演算処理して表示する装置）で行う場合について説明するが、その代わり、例えばＰＣ（パーソナルコンピュータ）やＷＳ（ワークステーション）で判定処理を行うように構成することも可能である。すなわち、判定処理を行う判定装置を、コンソールで構成してもよく、ＰＣやＷＳ等で構成することも可能である。

まず、本実施形態に係る放射線画像撮影システム１００の構成例について簡単に説明する。放射線画像撮影システム１００は、例えば図１３に示すように撮影室Ｒａ内や前室Ｒｂ内に構成することも可能であり、また、図１４に示すように、回診車７０に搭載する等して構成することも可能である。

放射線画像撮影システム１００が撮影室Ｒａ内等に構成される場合、例えば図１３に示すように、放射線画像撮影装置１を撮影台５１（立位撮影用の撮影台５１Ａや臥位撮影用の撮影台５１Ｂ）のカセッテホルダー５１ａに装填して用いるように構成することが可能である。また、例えば、放射線画像撮影装置１を臥位撮影用の撮影台５１Ｂの天板上に横臥した図示しない被写体と天板との間に差し込む等して配置することも可能である。

撮影室Ｒａには、放射線を照射する放射線発生装置５２が少なくとも１つ設けられている。また、撮影室Ｒａには、撮影室Ｒａ内の各装置等や撮影室Ｒａ外の各装置等の間の無線方式や有線方式での通信等を中継するためのアクセスポイント５３を備えた中継器５４が設けられている。また、中継器５４には、放射線発生装置５２のジェネレーター５５やコンソール５８等も接続されており、中継器５４は、放射線画像撮影装置１やコンソール５８、放射線発生装置５２のジェネレーター５５等との間の通信を中継するようになっている。

また、放射線発生装置５２のジェネレーター５５は、放射線技師等の操作者により管電圧や管電流、照射時間（或いはｍＡｓ値）等が設定されると、放射線発生装置５２から、設定された管電圧等に応じた線量の放射線を照射させるなど、放射線発生装置５２に対して種々の制御を行うようになっている。

前室（操作室等ともいう。）Ｒｂには、放射線発生装置５２の操作卓５７が設けられており、操作卓５７には、放射線技師等の操作者が操作してジェネレーター５５に対して放射線の照射開始等を指示するための曝射スイッチ５６が設けられている。また、前室Ｒｂには、コンピューター等で構成されたコンソール５８が設置されている。なお、コンソール５８を撮影室Ｒａや前室Ｒｂの外側や別室等に設けるように構成することも可能である。

コンソール５８には、ＣＲＴ（Cathode Ray Tube）やＬＣＤ（Liquid Crystal Display）等で構成される表示部５８ａが設けられており、マウスやキーボード等の入力手段５８ｂが接続されている。また、コンソール５８には、ＨＤＤ（Hard Disk Drive）等で構成された記憶手段５８ｃが接続され、或いは内蔵されている。

一方、前述したように、図１４に示すように、放射線発生装置５２やコンソール５８等を回診車７０に搭載する等して放射線画像撮影システム１００を構成し、回診車７０を病室Ｒ１等に持ち込んで撮影を行うように構成することも可能である。なお、図示を省略するが、この場合、放射線発生装置５２のジェネレーター５５や中継器５４等は、回診車７０の本体部内に収納されている。

そして、この場合、放射線画像撮影装置１は、図１４に示すようにベッドＢｅと被写体Ｈである患者との間に差し込まれたり、或いは患者の身体にあてがわれるようにして撮影に用いられる。そして、この場合も、放射線技師等の操作者Ｔが曝射スイッチ５６を操作することで放射線発生装置５２から放射線が照射されて撮影が行われる。

なお、コンソール５８を、図１３や図１４に示したようなデスクトップ型やノート型のコンピューターで構成することも可能であるが、例えば図１５に示すように、放射線技師等の操作者Ｔに携帯端末型のコンソール５８を携帯させるように構成することも可能である。

本実施形態に係る放射線画像撮影システム１００では、放射線画像撮影装置１の制御手段２２は、図６に示したようにして各放射線検出素子７から信号値Ｓを読み出すと、読み出した各信号値Ｓをコンソール５８に送信する。また、放射線画像撮影装置１で、信号値Ｓを読み出した後、或いは信号値Ｓを得るための処理を行う前に、上記のようにしてオフセット値ｏを読み出すように構成されている場合には、放射線画像撮影装置１の制御手段２２は、各放射線検出素子７から読み出したオフセット値ｏをコンソール５８に送信する。

そして、コンソール５８は、送信されてきた信号値Ｓに基づいて、第１の実施形態で説明したようにして放射線画像撮影装置１のセンサーパネルＳＰが異常であるか否かを判定するように構成される。

なお、信号値Ｓをオフセット値ｏで補正する場合には、コンソール５８は、放射線画像撮影装置１から送信されてきた信号値Ｓと暗画像ｏに基づき上記（２）式に従って補正した信号値Ｓａを算出して判定処理を行う。或いは、工場出荷時等に予め、当該放射線画像撮影装置１について得られている各暗画像ｏを予め記憶手段５８ｃ等に有しておき、放射線画像撮影装置１から各信号値Ｓが送信されてくると、記憶手段５８ｃ等から当該放射線画像撮影装置１に関する各暗画像ｏを読み出し、上記（２）式に従ってそれらの暗画像ｏを送信されてきた信号値Ｓから減算して補正した信号値Ｓａを算出して判定処理を行うように構成される。

このように、上記の判定処理をコンソール５８で行うように構成しても、走査線５や信号線６、バイアス線９等の放射線画像撮影装置１内の配線が断線しているか否かを的確にかつ精度良く見出して、放射線画像撮影装置１のセンサーパネルＳＰに異常が生じているか否かを的確にかつ精度良く判定することが可能となり、第１の実施形態や第２の実施形態の場合と同様の有益な効果を得ることが可能となる。

［判定処理を行うタイミングについて］
なお、前述したように、本実施形態では、放射線画像撮影装置１に放射線を照射せずに上記の判定処理を行うことができるため、上記の第１〜第３の実施形態において、放射線画像撮影装置１で任意のタイミングで上記のようにして（図６参照）信号値Ｓを読み出すことが可能であり、放射線画像撮影装置１の判定手段２２（第１、第２の実施形態）やコンソール５８（第３の実施形態）は、上記の判定処理を任意のタイミングで行うことができる。

そのため、上記の判定処理を、例えば、定期的に行ったり、放射線画像撮影装置１の電源がオンされた時点で行ったり、放射線画像撮影装置１の内蔵電源２４（図４参照）の充電を行っている時点や、放射線画像撮影装置１のメンテナンス時等に行うように構成することが可能である。

また、例えば、加速度センサーや歪みセンサーをパネル内に配置し、所定の加速度（落下、衝撃）やパネル内の歪みを検知して、本発明の処理を開始しても良い。放射線画像撮影装置１における走査線５や信号線６、バイアス線９等の断線は、前述したように、放射線画像撮影装置１を落下させたり他の物体にぶつける等して放射線画像撮影装置１に衝撃が加わった際に発生し易い。そのため、図示を省略するが、例えば放射線画像撮影装置１の歪みを検知する歪みセンサーや、放射線画像撮影装置１に加わった衝撃を検知する衝撃検知手段、放射線画像撮影装置１の落下を検知する加速度センサー等の落下検知手段を放射線画像撮影装置１に設けておき、放射線画像撮影装置１の判定手段２２やコンソール５８は、歪みセンサーが放射線画像撮影装置１の歪みを検知した場合や衝撃検知手段が衝撃を検知した場合、或いは落下検知手段が放射線画像撮影装置１の落下を検知した場合に、放射線画像撮影装置１のセンサーパネルＳＰが異常であるか否かを判定するように構成することも可能である。

このように構成すれば、放射線画像撮影装置１に歪みが生じたり放射線画像撮影装置１に衝撃が加わったり放射線画像撮影装置１が落下して断線が生じた可能性がある場合に的確に判定処理を行うことが可能となり、仮に断線が生じていて放射線画像撮影装置１のセンサーパネルＳＰが異常である場合に、それを速やかに判定することが可能となる。

［各種処理について］
以下、放射線画像撮影装置１の判定手段２２（第１、第２の実施形態）やコンソール５８（第３の実施形態）における各種の処理についてまとめて説明する。

［センサーパネルが異常であることの通知について］
放射線画像撮影装置１の判定手段２２やコンソール５８は、上記のようにして放射線画像撮影装置１のセンサーパネルＳＰが異常であると判定した場合には、例えば放射線画像撮影装置１のインジケーター４０を所定の色で発光させたり明滅させたり、文字や記号を表示させたり、音・音声を出す等し、或いはコンソール５８の表示部５８ａ上に表示する等して、放射線画像撮影装置１のセンサーパネルＳＰが異常である旨を通知するように構成することが可能である。音声や振動等で通知するように構成することも可能である。

このように構成すれば、放射線技師等のユーザーに、放射線画像撮影装置１を修理に出す等の適切な措置をとるように促すことが可能となる。また、異常が生じていて使用することができない可能性がある放射線画像撮影装置１を使って撮影を行ってしまい、再撮影が必要になり、被写体である患者の被曝線量が増大するなど患者にかかる負担が増大することを防止することが可能となる。

［放射線画像の画像補正等について］
一方、図１２（Ａ）、（Ｂ）に示した断線している可能性がある放射線検出素子７Ａ（以下、断線素子７Ａという。）では、上記のように判定処理の際に異常な値の信号値Ｓが読み出される。そして、そのような断線素子７Ａでは、通常の撮影時にも、前述した画像データＤの読み出し処理の際に読み出される画像データＤが異常な値になる。

そのため、放射線画像撮影装置１やコンソール５８で、放射線画像撮影装置１の各放射線検出素子７から読み出された画像データＤに基づいて放射線画像を生成する際、放射線画像のうち、断線が生じた部分に対応する画像領域（すなわち上記の断線素子７Ａに対応する線状或いはブロック状の画像領域）については、当該断線素子７Ａから読み出された異常な値の画像データＤを破棄し、その周囲の正常な値の画像データＤが読み出された放射線検出素子７の画像データＤを用いて補間する等して画像補正する（すなわち断線素子７Ａの部分の画像データＤを新たに作り出す）ように構成することが考えられる。

その際、上記の断線素子７Ａのうち、例えば図１２（Ａ）に示す１本の線状に並ぶ断線素子７Ａａのように、１本の走査線５、１本の信号線６、或いは１本のバイアス線９等に断線が生じた場合（以下、線欠陥という。）には、断線が生じた走査線５等に隣接する走査線５に接続されている各放射線検出素子７（すなわち図１２（Ａ）で断線素子７Ａａの上下や左右に隣接する各放射線検出素子７）から読み出された画像データＤを用いて画像補正することができる。

しかし、例えば図１２（Ａ）に示す断線素子７Ａｂのように、走査線５等が２本以上連続して断線していたり（以下、帯状欠陥という。）、或いは図１２（Ｂ）に示すように、断線素子７Ａｃがブロック状に発生した場合（以下、ブロック状欠陥という。）に、上記と同様に周囲の正常な値の画像データＤを用いて画像補正すると、以下のような問題が生じ得る。

すなわち、仮にセンサーパネルＳＰのうち、上記の帯状欠陥（断線素子７Ａｂ参照）やブロック状欠陥（断線素子７Ａｃ参照）が発生している部分で患者の病変部等が撮影される場合、上記のようにして画像補正を行うと、帯状欠陥やブロック状欠陥の部分に対応する画像領域の画像データＤが破棄され、その周囲の正常な画像データＤによって補間される等して画像補正される。

しかし、周囲の正常な画像データＤに患者の病変部等が撮影されていない場合、帯状欠陥やブロック状欠陥の部分に対応する画像領域の画像データＤがそれらの正常な画像データＤを用いて画像補正されると、当該画像領域に撮影されるはずの患者の病変部等が放射線画像中からなくなってしまい、結局、病変部等を放射線画像中に撮影できなくなってしまうといった問題が生じ得る。

そこで、放射線画像撮影装置１の判定手段２２やコンソール５８は、例えば断線素子７Ａが、図１２（Ａ）の断線素子７Ａａのように、断線素子７Ａａが１本の線状に並ぶ場合（すなわち線欠陥が生じている場合）には画像補正が可能であるとして、当該画像領域について上記のようにして画像補正を行うように構成することが可能である。

このように構成すれば、線欠陥が生じた場合（すなわち断線した配線が１本の走査線５や１本の信号線６、１本のバイアス線９等である場合）には、上記の判定処理でセンサーパネルＳＰが異常であると判定された場合であっても、画像補正を適切に行うことで、放射線画像撮影装置１を使用し続けることが可能となる。なお、この場合、線欠陥が生じていることを放射線技師等のユーザーに通知し、当該放射線画像撮影装置１を修理に出すように促すように構成することも可能である。

一方、放射線画像撮影装置１の判定手段２２やコンソール５８は、断線素子７Ａが、２本以上連続して線状に並ぶ場合（すなわち帯状欠陥が生じている場合）やブロック状に発生した場合（すなわちブロック状欠陥が生じている場合）には、画像補正は可能でないとして、当該画像領域については画像補正を行わないように構成することが可能である。

そして、その場合、すなわち放射線画像撮影装置１の判定手段２２やコンソール５８が画像補正が可能でない画像領域（例えば図１２（Ａ）の帯状欠陥（断線素子７Ａｂ）の部分や図１２（Ｂ）のブロック状欠陥（断線素子７Ａｃ）の部分に対応する画像領域）がある場合、放射線画像撮影装置１の判定手段２２やコンソール５８は、放射線画像撮影装置１が使用できない旨を通知するように構成することが好ましい。

このように構成すれば、放射線技師等のユーザーが撮影に使えない放射線画像撮影装置１を使って撮影してしまうことを的確に防止することが可能となるとともに、ユーザーに当該放射線画像撮影装置１を修理に出す等の適切な措置をとるように促すことが可能となる。１画素の異常の場合は、点欠陥として、その画素を異常と扱い、周囲の画素から補正する処理を行っても良い。

ところで、放射線画像撮影装置１を用いて被写体である患者の病変部等を撮影する場合、例えば図１６に示すように、センサーパネルＳＰの中央部分Ａに病変部等が位置するように患者と放射線画像撮影装置１との位置合わせが行われて撮影が行われる場合が多い。そのため、患者の病変部等は、通常、撮影された放射線画像の中央部分に撮影される。

そのため、上記の画像補正が可能でない画像領域が放射線画像の端縁部に存在する場合、すなわち、図１２（Ａ）の帯状欠陥（断線素子７Ａｂ）や図１２（Ｂ）のブロック状欠陥（断線素子７Ａｃ）がセンサーパネルＳＰの端縁部Ｂに存在する場合、患者の病変部等と帯状欠陥やブロック状欠陥とが位置的に重ならないようにして撮影すれば、患者の病変部等を放射線画像中に撮影することができる。なお、図１６は、センサーパネルＳＰの端縁部Ｂがどのような部分であるかを、ハッチを付して示したものであり、センサーパネルＳＰの端縁部Ｂの全域に帯状欠陥やブロック状欠陥が存在することを表すものではない。

そのため、放射線画像撮影装置１の判定手段２２やコンソール５８は、画像補正が可能でない画像領域が放射線画像の端縁部に存在する場合、すなわち上記の帯状欠陥やブロック状欠陥が放射線画像撮影装置１のセンサーパネルＳＰの端部縁Ｂに存在する場合には、センサーパネルＳＰの、当該画像領域に対応する、帯状欠陥やブロック状欠陥が発生している部分以外の部分を用いれば撮影を行うことが可能であることを通知するように構成することが可能である。

また、その際、例えば図１７に示すように、例えばコンソール５８の表示部５８ａ等に文字で表示したり、或いは、模式的に表示した放射線画像撮影装置１のうち帯状欠陥やブロック状欠陥が生じている部分すなわち撮影できない部分（上記の画像補正が可能でない画像領域）に×を付して示したり赤色等の所定の色で着色して示す等して、それ以外の部分を使って撮影を行うように通知するように構成することも可能である。

このように構成すれば、放射線技師等のユーザーが、当該放射線画像撮影装置１は修理が必要であることを的確に認識することが可能となるとともに、当該放射線画像撮影装置１を修理に出す等の措置をとるまでの間、放射線画像撮影装置１のセンサーパネルＳＰのうち撮影を適切に行うことが可能な部分を使って撮影を継続することが可能となる。

［サービス拠点への通知について］
なお、放射線画像撮影装置１の判定手段２２やコンソール５８は、上記の判定処理の結果、放射線画像撮影装置１のセンサーパネルＳＰが異常であることを通知する場合や、センサーパネルＳＰに線欠陥が生じていることを通知する場合、或いはセンサーパネルＳＰに帯状欠陥やブロック状欠陥が生じており当該放射線画像撮影装置１が使用できない旨を通知する場合に、上記のように放射線技師等のユーザーに通知するだけでなく、サービス拠点や病院等の施設の機器管理者にも通知するように構成することが可能である。

このように構成すれば、放射線画像撮影装置１のセンサーパネルＳＰが異常であると判定された場合にサービス拠点や施設の機器管理者がそれを速やかに把握することが可能となるとともに、速やかにユーザーに連絡したり、放射線画像撮影装置１の修理等を準備したり、交換するための新たなセンサーパネルＳＰを用意する等して、異常が発生した際に素早く対応することが可能となる。

また、その際に、例えば放射線画像撮影装置１の判定手段２２やコンソール５８は、画像領域について画像補正が可能である場合（すなわち線欠陥が発生した場合）には軽度の異常としてサービス拠点に通知し、画像領域について画像補正が可能でない場合（すなわち帯状欠陥やブロック状欠陥が発生した場合）には重篤な異常（すなわち故障）としてサービス拠点や施設の機器管理者に通知するように構成することが可能である。

放射線画像撮影装置１のセンサーパネルＳＰの異常が重篤である場合には、異常が軽度であり画像補正が可能である場合よりも迅速に対応しなければならないが、上記のように構成すれば、サービス拠点や施設の機器管理者は、センサーパネルＳＰの異常が重篤である場合に素早く対応することが可能となり、例えば速やかに替わりの放射線画像撮影装置１を用意する等の措置を講ずることで、ユーザーが撮影を行うことができなくなるような事態が生じることを的確に防止することが可能となる。

なお、本発明が上記の各実施形態等に限定されず、本発明の趣旨を逸脱しない限り、適宜変更可能であることは言うまでもない。

１ 放射線画像撮影装置
５ 走査線
６ 信号線
７ 放射線検出素子
７ａ 一方の電極
７ｂ 他方の電極
８ ＴＦＴ（スイッチ素子）
９ バイアス線
２２ 制御手段（判定手段）
５８ コンソール（判定装置）
１００ 放射線画像撮影システム
Ｂ 端縁部
Ｄ 画像データ
ｏ 暗画像
Ｓ 信号値
Ｓａ 補正した信号値
ＳＰ センサーパネル
Ｖｂ 逆バイアス電圧
Ｖｓ 信号線電圧（信号線の電圧）
ΔＶ 信号線とバイアス線間の電位差

Claims (13)

1. 複数の走査線および複数の信号線と、二次元状に配列された複数の放射線検出素子と、前記放射線検出素子に逆バイアス電圧を印加するバイアス線と、を備え、前記放射線検出素子の一方の電極には前記バイアス線が接続されており、前記放射線検出素子の他方の電極にはスイッチ素子を介して前記信号線が接続されているセンサーパネルと、
   前記センサーパネルが異常であるか否かを判定する判定手段と、を備え、
   前記判定手段は、前記信号線の電圧と前記バイアス線の電圧の少なくとも一方を読み出し処理時以外のときの電圧から変化させて読み出した信号値に基づいて、前記センサーパネルが異常であるか否かを判定することを特徴とする放射線画像撮影装置。
2. 前記判定手段は、前記放射線検出素子のリセット処理と前記信号値の読み出し処理との間で、前記逆バイアス電圧または前記信号線の電圧の少なくとも一方を変化させて、前記信号線と前記バイアス線間の電位差を変化させることを特徴とする請求項１に記載の放射線画像撮影装置。
3. 前記判定手段は、前記信号線の電圧と前記バイアス線の電圧の少なくとも一方を前記信号線と前記バイアス線間の電位差が大きくなるように変化させることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の放射線画像撮影装置。
4. 前記判定手段は、暗画像で前記信号値をオフセット補正し、前記オフセット補正した前記信号値に基づいて、前記センサーパネルが異常であるか否かを判定することを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の放射線画像撮影装置。
5. 複数の走査線および複数の信号線と、二次元状に配列された複数の放射線検出素子と、を備え、前記放射線検出素子がスイッチ素子を介して前記信号線が接続されているセンサーパネルと、
   前記センサーパネルが異常であるか否かを判定する判定手段と、を備え、
   前記判定手段は、前記各放射線検出素子からの信号値を読み出す読み出し動作の間に、相関二重サンプリング動作中に前記スイッチ素子をオンし前記相関二重サンプリング動作後に前記スイッチ素子をオフして読み出した信号値、または、前記相関二重サンプリング動作中に前記スイッチ素子をオフし、前記相関二重サンプリング動作後に前記スイッチ素子をオンして読み出した信号値に基づいて、前記センサーパネルが異常であるか否かを判定することを特徴とする放射線画像撮影装置。
6. 前記放射線画像撮影装置の歪みを検知する歪みセンサー、前記放射線画像撮影装置に加わった衝撃を検知する衝撃検知手段、または前記放射線画像撮影装置の落下を検知する落下検知手段の少なくとも１つを備え、
   前記判定手段は、前記歪みセンサーが前記放射線画像撮影装置の歪みを検知した場合、または前記衝撃検知手段が衝撃を検知した場合、または前記落下検知手段が前記放射線画像撮影装置の落下を検知した場合に、前記センサーパネルが異常であるか否かを判定することを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の放射線画像撮影装置。
7. 前記判定手段は、前記センサーパネルが異常であると判定した場合に、その旨を通知することを特徴とする請求項１から請求項６のいずれか一項に記載の放射線画像撮影装置。
8. 前記判定手段は、
   前記走査線、前記信号線、または前記バイアス線に断線が生じたか否かを判定し、
   断線が生じたと判定した場合に、各放射線検出素子から読み出した画像データに基づいて生成された放射線画像中の、断線が生じた部分に対応する画像領域のうち、断線が生じていない部分に対応する画像領域の信号値に基づく補正が可能である前記画像領域について前記補正を行うことを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の放射線画像撮影装置。
9. 前記判定手段は、前記補正が可能でない前記画像領域がある場合には、前記放射線画像撮影装置が使用できない旨を通知することを特徴とする請求項８に記載の放射線画像撮影装置。
10. 前記判定手段は、前記補正が可能でない前記画像領域が、前記放射線画像の端縁部に存在する場合には、前記センサーパネルの、当該画像領域に対応する部分以外の部分を用いれば撮影を行うことが可能であることを通知することを特徴とする請求項９に記載の放射線画像撮影装置。
11. 前記判定手段は、前記画像領域について前記補正が可能である場合には軽度の異常として、前記画像領域について前記補正が可能でない場合には重篤な異常としてサービス拠点および施設の機器管理者に通知することを特徴とする請求項８から請求項１０のいずれか一項に記載の放射線画像撮影装置。
12. 複数の走査線および複数の信号線と、二次元状に配列された複数の放射線検出素子と、前記放射線検出素子に逆バイアス電圧を印加するバイアス線と、を備え、前記放射線検出素子の一方の電極には前記バイアス線が接続されており、前記放射線検出素子の他方の電極にはスイッチ素子を介して前記信号線が接続されているセンサーパネルを備える放射線画像撮影装置と、
    前記放射線画像撮影装置の前記センサーパネルが異常であるか否かを判定する判定装置と、を備え、
    前記判定装置は、前記放射線画像撮影装置で、前記信号線の電圧と前記バイアス線の電圧の少なくとも一方を読み出し処理時以外のときの電圧から変化させて読み出した信号値に基づいて、前記放射線画像撮影装置の前記センサーパネルが異常であるか否かを判定することを特徴とする放射線画像撮影システム。
13. 複数の走査線および複数の信号線と、二次元状に配列された複数の放射線検出素子と、を備え、前記放射線検出素子がスイッチ素子を介して前記信号線が接続されているセンサーパネルを備える放射線画像撮影装置と、
    前記放射線画像撮影装置の前記センサーパネルが異常であるか否かを判定する判定装置と、を備え、
    前記判定装置は、前記放射線画像撮影装置で、前記各放射線検出素子からの信号値を読み出す読み出し動作の間に、相関二重サンプリング動作中に前記スイッチ素子をオンし前記相関二重サンプリング動作後に前記スイッチ素子をオフして読み出した信号値、または、前記相関二重サンプリング動作中に前記スイッチ素子をオフし、前記相関二重サンプリング動作後に前記スイッチ素子をオンして読み出した信号値に基づいて、前記センサーパネルが異常であるか否かを判定することを特徴とする放射線画像撮影システム。

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