CN110783355A - 一种探测面板、其制作方法及检测装置 - Google Patents

一种探测面板、其制作方法及检测装置 Download PDF

Info

Publication number
CN110783355A
CN110783355A CN201911056697.3A CN201911056697A CN110783355A CN 110783355 A CN110783355 A CN 110783355A CN 201911056697 A CN201911056697 A CN 201911056697A CN 110783355 A CN110783355 A CN 110783355A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
bias voltage
detection
photoelectric conversion
detection panel
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201911056697.3A
Other languages
English (en)
Inventor
赵斌
徐帅
徐晓娜
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BOE Technology Group Co Ltd
Beijing BOE Sensor Technology Co Ltd
Original Assignee
BOE Technology Group Co Ltd
Beijing BOE Sensor Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BOE Technology Group Co Ltd, Beijing BOE Sensor Technology Co Ltd filed Critical BOE Technology Group Co Ltd
Priority to CN201911056697.3A priority Critical patent/CN110783355A/zh
Publication of CN110783355A publication Critical patent/CN110783355A/zh
Priority to US16/846,546 priority patent/US20210135020A1/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14609—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
    • H01L27/14612—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements involving a transistor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
    • H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. phototransistors
    • H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
    • H01L31/102—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier or surface barrier
    • H01L31/105—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier or surface barrier the potential barrier being of the PIN type
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/02002—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations
    • H01L31/02005—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14636—Interconnect structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
    • H01L27/14687—Wafer level processing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
    • H01L27/14689—MOS based technologies
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022466—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers
    • H01L31/022475—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers composed of indium tin oxide [ITO]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0352—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions
    • H01L31/035272—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/03529—Shape of the potential jump barrier or surface barrier
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/054—Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means
    • H01L31/055—Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means where light is absorbed and re-emitted at a different wavelength by the optical element directly associated or integrated with the PV cell, e.g. by using luminescent material, fluorescent concentrators or up-conversion arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
    • H01L31/085—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors the device being sensitive to very short wavelength, e.g. X-ray, Gamma-rays
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/1884—Manufacture of transparent electrodes, e.g. TCO, ITO
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/52—PV systems with concentrators

Abstract

本发明公开了一种探测面板、其制作方法及检测装置，该探测面板包括：衬底基板，位于衬底基板之上的检测电路，位于检测电路之上、且与检测电路电连接的光电转换结构，以及位于光电转换结构之上、且与光电转换结构电连接的偏置电压层；偏置电压层具有网格状结构。本发明通过将偏置电压层设置成网格状结构，当由于检测人员触碰探测面板表面或由于探测面板清洗工艺不完全造成静电聚集于探测面板表面时，网格状结构的偏置电压层可以将静电及时疏导出，避免静电聚集于探测面板表面，提升探测面板抵抗ESD的能力及减少静电类Mura不良，进而改善探测面板表面由于静电积累导致接触性不良的问题。

Description

一种探测面板、其制作方法及检测装置
技术领域
本发明涉及探测面板技术领域，特别涉及一种探测面板、其制作方法及检测装置。
背景技术
基于薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)技术制作的平板X射线探测器(Flat X-ray Panel Detector，FPXD)是数字影像技术中至关重要的元件，由于其具有成像速度快，良好的空间及密度分辨率、高信噪比、直接数字输出等优点，广泛应用于医学影像(如X光胸透)、工业检测(如金属探伤)、安保检测、航空运输等领域。
发明内容
本发明实施例提供一种探测面板、其制作方法及检测装置，用以解决现有技术中由于检测人员触碰面板表面或清洗工艺不完全，造成静电聚集于面板表面，从而造成面板表面接触性不良的问题。
本发明实施例提供了一种探测面板，包括：衬底基板，位于所述衬底基板之上的检测电路，位于所述检测电路之上、且与所述检测电路电连接的光电转换结构，以及位于所述光电转换结构之上、且与所述光电转换结构电连接的偏置电压层；
所述偏置电压层具有网格状结构。
可选地，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述探测面板中，所述偏置电压层的材料为透明导电材料。
可选地，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述探测面板中，所述透明导电材料为ITO。
可选地，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述探测面板中，还包括：位于所述偏置电压层与所述光电转换结构之间、且覆盖所述光电转换结构的缓冲层，以及位于所述缓冲层与所述偏置电压层之间、且与所述偏置电压层接触设置的树脂层。
可选地，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述探测面板中，还包括：位于所述偏置电压层之上的闪烁层，所述闪烁层通过所述网格状结构的网孔与所述树脂层直接接触。
可选地，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述探测面板中，所述光电转换结构包括在所述检测电路上依次叠层设置的第一电极、光电二极管和第二电极，所述检测电路包括薄膜晶体管，所述第一电极与所述薄膜晶体管的漏极电连接，所述第二电极与所述偏置电压层电连接。
相应地，本发明实施例还提供了一种检测装置，包括本发明实施例提供的上述任一项所述的探测面板。
相应地，本发明实施例还提供了一种本发明实施例提供的上述探测面板的制作方法，包括：
在衬底基板之上形成检测电路；
在所述检测电路之上形成光电转换结构；
在所述光电转换结构之上形成与所述光电转换结构电连接的偏置电压层；其中，所述偏置电压层具有网格状结构。
可选地，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述制作方法中，在形成所述偏置电压层之前，还包括：
形成覆盖所述光电转换结构的缓冲层：
在所述缓冲层上形成与所述偏置电压层接触设置的树脂层。
可选地，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述制作方法中，在形成所述偏置电压层之后，还包括：
在所述偏置电压层上形成闪烁层；其中，所述闪烁层通过所述网格状结构的网孔与所述树脂层直接接触。
本发明的有益效果如下：
本发明实施例提供的探测面板、其制作方法及检测装置，该探测面板包括：衬底基板，位于衬底基板之上的检测电路，位于检测电路之上、且与检测电路电连接的光电转换结构，以及位于光电转换结构之上、且与光电转换结构电连接的偏置电压层；偏置电压层具有网格状结构。本发明通过将偏置电压层设置成网格状结构，当由于检测人员触碰探测面板表面或由于探测面板清洗工艺不完全造成静电聚集于探测面板表面时，网格状结构的偏置电压层可以将静电及时疏导出，避免静电聚集于探测面板表面，提升探测面板抵抗ESD的能力及减少静电类Mura不良，进而改善探测面板表面由于静电积累导致接触性不良的问题。
附图说明
图1为相关技术中探测面板的结构示意图；
图2为本发明实施例提供的探测面板的结构示意图；
图3为图2所示的探测面板的俯视示意图；
图4为闪烁层脱落的现象示意图；
图5为本发明实施例提供的探测面板的制作方法流程图之一；
图6为本发明实施例提供的探测面板的制作方法流程图之二；
图7为本发明实施例提供的探测面板的制作方法流程图之三；
图8A至图8D分别为本发明实施例提供的探测面板在执行各步骤后的剖面结构示意图。
具体实施方式
为了使本发明的目的，技术方案和优点更加清楚，下面结合附图，对本发明实施例提供的探测面板、其制作方法及检测装置的具体实施方式进行详细地说明。
附图中各层薄膜厚度和形状不反映探测面板的真实比例，目的只是示意说明本发明内容。
相关技术中的探测面板的结构如图1所示，依次包括：衬底基板1、位于衬底基板1上的栅电极2、位于栅电极2上的栅绝缘层3、位于栅绝缘层3上的有源层4、位于有源层4上且位于同一层的漏极5和源极6、位于漏极5和源极6上的第一钝化层7、位于第一钝化层7上的第一树脂层8、位于第一树脂层8上的第二钝化层9、位于第二钝化层9上且与漏极5电连接的第一电极层10、位于第一电极层10上的光电二极管11、位于光电二极管11上的第二电极层12、位于第二电极层12上的缓冲层13、位于缓冲层13上的第二树脂层14、位于第二树脂层14上的第三钝化层15、位于第三钝化层15上且通过贯穿第三钝化层15和第二树脂层14的过孔与光电二极管11电连接的偏置电压层16、位于偏置电压层16上的第四钝化层17、位于绑定区的ITO层18以及位于ITO层18上的闪烁层(图1中未示意出)。
图1所示的探测面板，在检测人员触碰探测面板表面或由于探测面板的清洗工艺不完全时，容易造成静电聚集于探测面板表面，从而探测面板表面由于静电积累导致接触性不良的问题。
有鉴于此，本发明实施例提供了一种探测面板，如图2和图3所示，图2为本发明提供的探测面板的剖面结构示意图，图3为图2所示的部分结构的俯视结构示意图，该探测面板包括：衬底基板10，位于衬底基板10之上的检测电路20，位于检测电路20之上、且与检测电路20电连接的光电转换结构30，以及位于光电转换结构30之上、且与光电转换结构30电连接的偏置电压层40；
偏置电压层40具有网格状结构。
本发明实施例提供的上述探测面板包括：衬底基板10，位于衬底基板10之上的检测电路20，位于检测电路20之上、且与检测电路20电连接的光电转换结构30，以及位于光电转换结构30之上、且与光电转换结构30电连接的偏置电压层40；偏置电压层40具有网格状结构。本发明通过将偏置电压层40设置成网格状结构，当由于检测人员触碰探测面板表面或由于探测面板清洗工艺不完全造成静电聚集于探测面板表面时，网格状结构的偏置电压层40可以将静电及时疏导出，避免静电聚集于探测面板表面某一处，提升探测面板抵抗ESD的能力及减少静电类Mura不良，进而改善探测面板表面由于静电积累导致接触性不良的问题，并且防止静电击伤探测面板。
进一步地，在本发明实施例提供的上述探测面板中，如图2所示，检测电路20包括薄膜晶体管，薄膜晶体管包括位于衬底基板10上依次层叠设置的栅极21、有源层22、源极23和漏极24；有源层22的材料可以是非晶硅、多晶硅、IGZO等半导体材料，源极23和漏极24用于传输数据线与像素极电信号；探测面板还包括：位于栅极21和有源层22之间的栅绝缘层50，位于源漏极(23、24)与光电转换结构30之间的钝化层60，位于钝化层60与光电转换结构30之间的保护层70，保护层70的材料可以为树脂材料，保护层70用于保护有源层22，以防止运输中的水汽影响有源层22的性能。
进一步地，在本发明实施例提供的上述探测面板中，如图2所示，光电转换结构30包括在衬底基板10上依次叠层设置的第一电极31、光电二极管32和第二电极33，第一电极31与薄膜晶体管的漏极24电连接，第二电极33与偏置电压层40电连接。第一电极31用于传导光电二极管32经光照后形成的电信号。工作时，例如向第二电极33施加-5～-10V的电压，使光电二极管32工作在负偏压下，光电二极管32产生不同的电信号，该电信号存储在第一电极31内，第一电极31内存储的电信号通过检测电路20传输至外部IC，以保存图像数据。
进一步地，在本发明实施例提供的上述探测面板中，光电二极管为PIN光电二极管。具体地，PIN光电二极管包括在衬底基板上依次叠层设置的P型区域、N型区域以及介于P型区域和N型区域之间的本征区域。
进一步地，在本发明实施例提供的上述探测面板中，如图3所示，图3示意出了栅极21所在膜层、源漏极(23、24)所在膜层、第一电极31所在膜层和偏置电压层40所在膜层的俯视结构示意图，图3主要是为了示意性说明偏置电压层40具有网格状结构，从而能够将静电及时导出，避免静电聚集于探测面板表面，提升探测面板抵抗ESD的能力及减少静电类Mura不良，进而改善探测面板表面由于静电积累导致接触性不良的问题。
进一步地，在本发明实施例提供的上述探测面板中，如图2所示，为了增大光电二极管32的光转换面积，提升灵敏度，偏置电压层40的材料可以为透明导电材料。
进一步地，在本发明实施例提供的上述探测面板中，如图2所示，第二电极33的材料为透明导电材料。
进一步地，在本发明实施例提供的上述探测面板中，透明导电材料可以为ITO。当然，在具体实施时，透明导电材料不限于ITO，也可以为其它透明导电材料。
进一步地，在本发明实施例提供的上述探测面板中，如图2所示，还包括：位于偏置电压层40与光电转换结构30之间、且覆盖光电转换结构30的缓冲层80，以及位于缓冲层80与偏置电压层40之间、且与偏置电压层40接触设置的树脂层90。具体地，缓冲层80可以增强树脂层90与基底的结合力；另外，由于本发明提供的探测面板中的偏置电压层40的材料为透明导电材料，因此在偏置电压层40与树脂层90之间不需要向相关技术图1那样再设置第三钝化层15和第四钝化层17，这是因为相关技术图1中偏置电压层16的材料为金属，而树脂层90会发生收缩变形，导致金属层断线，所以在金属层两侧需要设置钝化层以隔绝金属层与树脂层接触，因此本发明实施例通过将偏置电压层40的材料设置为透明导电材料，这样可以节省制作偏置电压层40两侧的钝化层，降低制作工艺和成本；并且，由于偏置电压层40的材料为透明导电材料如ITO，因此探测面板绑定区的ITO层和偏置电压层40同层设置，从而进一步减少绑定区的ITO层的设置，进一步降低制作工艺和成本。
进一步地，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述探测面板中，如图2所示，还包括：位于偏置电压层40之上的闪烁层100，闪烁层100通过网格状结构的网孔与树脂层90直接接触。具体地，本发明实施例中由于偏置电压层40与树脂层90直接接触，且树脂层90背向偏置电压层40一侧没有钝化层，因此闪烁层100与树脂层直接接触；而相关技术与1中闪烁层是与钝化层直接接触，由于钝化层与闪烁层之间的结合力较弱，在检测过程中容易发生闪烁层脱落，如图4所示，图4为相关技术中闪烁层发生脱落时检测到的图像数据，图4中黑点位置即为闪烁层脱落现象；而由于树脂层90与闪烁层100之间的附着力强度大于钝化层与闪烁层100之间的附着力强度，因此本发明提供的探测面板能够增强闪烁层100与基底之间的结合力，防止闪烁层100脱落，从而不会产生delami不良的问题。
具体地，闪烁层用于将辐射信号转换成光信号，可以使用任何适当的闪烁材料制备闪烁层。在一些实施例中，闪烁材料为将辐射(例如，X射线)转换成可见光的光波长转换材料。闪烁材料可以包括但不限于铊激活的碘化铯、钠激活的碘化铯，碘化铯是一种对光敏感的材料。
具体地，树脂层的材质光透过率较高，透过率一般大于90％，且树脂层制作工艺简单，可通过曝光显影后直接形成所需图形。
基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种探测面板的制作方法，如图5所示，包括：
S501、在衬底基板之上形成检测电路；
S502、在检测电路之上形成光电转换结构；
S503、在光电转换结构之上形成与光电转换结构电连接的偏置电压层；其中，偏置电压层具有网格状结构。
本发明实施例提供的探测面板的制作方法，通过将偏置电压层设置成网格状结构，当由于检测人员触碰探测面板表面或由于探测面板清洗工艺不完全造成静电聚集于探测面板表面时，网格状结构的偏置电压层可以将静电及时疏导出，避免静电聚集于探测面板表面，提升探测面板抵抗ESD的能力及减少静电类Mura不良，进而改善探测面板表面由于静电积累导致接触性不良的问题。
进一步地，在本发明实施例提供的上述探测面板的制作方法中，如图6所示，在形成偏置电压层之前，还包括：
S502’、形成覆盖光电转换结构的缓冲层：
S502”、在缓冲层上形成与偏置电压层接触设置的树脂层。
进一步地，在本发明实施例提供的上述探测面板的制作方法中，如图7所示，在形成偏置电压层之后，还包括：
S503’、在偏置电压层上形成闪烁层；其中，闪烁层通过网格状结构的网孔与树脂层直接接触。
下面通过具体实施例对图2所示的探测面板的制作方法进行详细阐述。
(1)在衬底基板10上形成检测电路20，具体地，在衬底基板10上依次形成栅极21、栅绝缘层50、有源层22、源极23和漏极24，如图8A所示；
(2)在形成有检测电路20的衬底基板10上形成钝化层60、保护层70，如图8B所示；
(3)在形成保护层70的衬底基板10上形成光电转换结构30，具体地，在形成保护层70的衬底基板10上依次形成第一电极31、光电二极管32、第二电极33，其中第一电极31通过贯穿保护层70、钝化层60的过孔与漏极24电连接，如图8C所示；
(4)在形成有光电转换结构30的衬底基板10上形成缓冲层80、树脂层90和偏置电压层40，偏置电压层40通过贯穿树脂层90和缓冲层80的过孔与第二电极33电连接，且偏置电压层40具有网格状结构，如图8D所示；
(5)在形成有偏置电压层40的衬底基板10上形成闪烁层100，闪烁层100与树脂层90直接接触，如图2所示。
通过上述实施例一的步骤(1)至步骤(5)后可以得到本发明实施例提供的图2所示的探测面板。
基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种检测装置，包括本发明实施例提供的上述任一种探测面板。该检测装置解决问题的原理与前述探测面板相似，因此该检测装置的实施可以参见前述探测面板的实施，重复之处在此不再赘述。
本发明实施例提供的探测面板、其制作方法及检测装置，该探测面板包括：衬底基板，位于衬底基板之上的检测电路，位于检测电路之上、且与检测电路电连接的光电转换结构，以及位于光电转换结构之上、且与光电转换结构电连接的偏置电压层；偏置电压层具有网格状结构。本发明通过将偏置电压层设置成网格状结构，当由于检测人员触碰探测面板表面或由于探测面板清洗工艺不完全造成静电聚集于探测面板表面时，网格状结构的偏置电压层可以将静电及时疏导出，避免静电聚集于探测面板表面，提升探测面板抵抗ESD的能力及减少静电类Mura不良，进而改善探测面板表面由于静电积累导致接触性不良的问题。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (10)

1.一种探测面板，其特征在于，包括：衬底基板，位于所述衬底基板之上的检测电路，位于所述检测电路之上、且与所述检测电路电连接的光电转换结构，以及位于所述光电转换结构之上、且与所述光电转换结构电连接的偏置电压层；
所述偏置电压层具有网格状结构。
2.如权利要求1所述的探测面板，其特征在于，所述偏置电压层的材料为透明导电材料。
3.如权利要求2所述的探测面板，其特征在于，所述透明导电材料为ITO。
4.如权利要求2所述的探测面板，其特征在于，还包括：位于所述偏置电压层与所述光电转换结构之间、且覆盖所述光电转换结构的缓冲层，以及位于所述缓冲层与所述偏置电压层之间、且与所述偏置电压层接触设置的树脂层。
5.如权利要求4所述的探测面板，其特征在于，还包括：位于所述偏置电压层之上的闪烁层，所述闪烁层通过所述网格状结构的网孔与所述树脂层直接接触。
6.如权利要求1所述的探测面板，其特征在于，所述光电转换结构包括在所述检测电路上依次叠层设置的第一电极、光电二极管和第二电极，所述检测电路包括薄膜晶体管，所述第一电极与所述薄膜晶体管的漏极电连接，所述第二电极与所述偏置电压层电连接。
7.一种检测装置，其特征在于，包括如权利要求1-6任一项所述的探测面板。
8.一种如权利要求1-6任一项所述的探测面板的制作方法，其特征在于，包括：
在衬底基板之上形成检测电路；
在所述检测电路之上形成光电转换结构；
在所述光电转换结构之上形成与所述光电转换结构电连接的偏置电压层；其中，所述偏置电压层具有网格状结构。
9.如权利要求8所述的制作方法，其特征在于，在形成所述偏置电压层之前，还包括：
形成覆盖所述光电转换结构的缓冲层：
在所述缓冲层上形成与所述偏置电压层接触设置的树脂层。
10.如权利要求9所述的制作方法，其特征在于，在形成所述偏置电压层之后，还包括：
在所述偏置电压层上形成闪烁层；其中，所述闪烁层通过所述网格状结构的网孔与所述树脂层直接接触。
CN201911056697.3A 2019-10-31 2019-10-31 一种探测面板、其制作方法及检测装置 Pending CN110783355A (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201911056697.3A CN110783355A (zh) 2019-10-31 2019-10-31 一种探测面板、其制作方法及检测装置
US16/846,546 US20210135020A1 (en) 2019-10-31 2020-04-13 Detection panel, manufacturing method thereof and detection device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201911056697.3A CN110783355A (zh) 2019-10-31 2019-10-31 一种探测面板、其制作方法及检测装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN110783355A true CN110783355A (zh) 2020-02-11

Family

ID=69388286

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201911056697.3A Pending CN110783355A (zh) 2019-10-31 2019-10-31 一种探测面板、其制作方法及检测装置

Country Status (2)

Country Link
US (1) US20210135020A1 (zh)
CN (1) CN110783355A (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111883552A (zh) * 2020-08-04 2020-11-03 厦门乾照光电股份有限公司 一种集成式led芯片模组及其制作、测试、切割方法
WO2023023974A1 (zh) * 2021-08-25 2023-03-02 京东方科技集团股份有限公司 一种有源像素图像传感器及显示装置
TWI823522B (zh) * 2022-01-19 2023-11-21 友達光電股份有限公司 光感測裝置以及製造光感測裝置的方法

Citations (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100051819A1 (en) * 2008-08-29 2010-03-04 Kwan-Wook Jung X-Ray Detection Panel and X-Ray Detector
CN101728334A (zh) * 2008-10-14 2010-06-09 Dpix公司 用于薄膜晶体管图像传感器阵列的减少esd诱导的伪影的设计
CN102157533A (zh) * 2011-01-18 2011-08-17 江苏康众数字医疗设备有限公司 具有存储电容结构的非晶硅图像传感器
JP2011159782A (ja) * 2010-02-01 2011-08-18 Epson Imaging Devices Corp 光電変換装置、エックス線撮像装置及び光電変換装置の製造方法
CN102401906A (zh) * 2010-09-19 2012-04-04 同方威视技术股份有限公司 辐射探测器及其成像装置、电极结构和获取图像的方法
US20130207169A1 (en) * 2012-02-13 2013-08-15 Innolux Corporation Active matrix image sensing panel and apparatus
US20130307041A1 (en) * 2012-05-08 2013-11-21 Canon Kabushiki Kaisha Method of manufacturing detection device, detection device, and detection system
CN104681655A (zh) * 2015-01-12 2015-06-03 京东方科技集团股份有限公司 一种探测基板及其制备方法、探测器
US20170154915A1 (en) * 2014-06-30 2017-06-01 Sharp Kabushiki Kaisha Imaging panel and x-ray imaging device
CN107623011A (zh) * 2017-10-12 2018-01-23 友达光电股份有限公司 用于x射线探测器的薄膜晶体管阵列基板和x射线探测器
CN108318907A (zh) * 2018-02-01 2018-07-24 北京京东方光电科技有限公司 X射线探测面板及其制造方法和x射线探测装置
CN108389643A (zh) * 2018-04-24 2018-08-10 京东方科技集团股份有限公司 间接式的平板探测器及制作方法
CN109085635A (zh) * 2017-06-13 2018-12-25 三星电子株式会社 X射线探测器及其制造方法
CN109216391A (zh) * 2018-09-11 2019-01-15 京东方科技集团股份有限公司 一种探测面板、其制作方法及检测装置
CN110164884A (zh) * 2018-02-16 2019-08-23 夏普株式会社 有源矩阵基板、具备其的x射线摄像面板及其制造方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20180239034A1 (en) * 2016-08-31 2018-08-23 Boe Technology Group Co., Ltd. Radiation detector and fabricating method thereof

Patent Citations (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100051819A1 (en) * 2008-08-29 2010-03-04 Kwan-Wook Jung X-Ray Detection Panel and X-Ray Detector
CN101728334A (zh) * 2008-10-14 2010-06-09 Dpix公司 用于薄膜晶体管图像传感器阵列的减少esd诱导的伪影的设计
JP2011159782A (ja) * 2010-02-01 2011-08-18 Epson Imaging Devices Corp 光電変換装置、エックス線撮像装置及び光電変換装置の製造方法
CN102401906A (zh) * 2010-09-19 2012-04-04 同方威视技术股份有限公司 辐射探测器及其成像装置、电极结构和获取图像的方法
CN102157533A (zh) * 2011-01-18 2011-08-17 江苏康众数字医疗设备有限公司 具有存储电容结构的非晶硅图像传感器
US20130207169A1 (en) * 2012-02-13 2013-08-15 Innolux Corporation Active matrix image sensing panel and apparatus
US20130307041A1 (en) * 2012-05-08 2013-11-21 Canon Kabushiki Kaisha Method of manufacturing detection device, detection device, and detection system
US20170154915A1 (en) * 2014-06-30 2017-06-01 Sharp Kabushiki Kaisha Imaging panel and x-ray imaging device
CN104681655A (zh) * 2015-01-12 2015-06-03 京东方科技集团股份有限公司 一种探测基板及其制备方法、探测器
CN109085635A (zh) * 2017-06-13 2018-12-25 三星电子株式会社 X射线探测器及其制造方法
CN107623011A (zh) * 2017-10-12 2018-01-23 友达光电股份有限公司 用于x射线探测器的薄膜晶体管阵列基板和x射线探测器
CN108318907A (zh) * 2018-02-01 2018-07-24 北京京东方光电科技有限公司 X射线探测面板及其制造方法和x射线探测装置
CN110164884A (zh) * 2018-02-16 2019-08-23 夏普株式会社 有源矩阵基板、具备其的x射线摄像面板及其制造方法
CN108389643A (zh) * 2018-04-24 2018-08-10 京东方科技集团股份有限公司 间接式的平板探测器及制作方法
CN109216391A (zh) * 2018-09-11 2019-01-15 京东方科技集团股份有限公司 一种探测面板、其制作方法及检测装置

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111883552A (zh) * 2020-08-04 2020-11-03 厦门乾照光电股份有限公司 一种集成式led芯片模组及其制作、测试、切割方法
CN111883552B (zh) * 2020-08-04 2023-09-05 厦门乾照光电股份有限公司 一种集成式led芯片模组及其制作、测试、切割方法
WO2023023974A1 (zh) * 2021-08-25 2023-03-02 京东方科技集团股份有限公司 一种有源像素图像传感器及显示装置
TWI823522B (zh) * 2022-01-19 2023-11-21 友達光電股份有限公司 光感測裝置以及製造光感測裝置的方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20210135020A1 (en) 2021-05-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7812313B2 (en) Conversion apparatus, radiation detecting apparatus, and radiation detecting system
US7629564B2 (en) Conversion apparatus, radiation detecting apparatus, and radiation detecting system
CN102141630B (zh) 放射线检测器
CN110783355A (zh) 一种探测面板、其制作方法及检测装置
US8916833B2 (en) Imaging device and imaging display system
US9306108B2 (en) Radiation detector
WO2013143295A1 (zh) X射线检测装置的阵列基板及其制造方法
CN104396017B (zh) 制造x射线平板检测器的方法和x射线平板检测器tft阵列基板
KR20090087278A (ko) 엑스레이 검출기 및 이의 제조방법
TW200404368A (en) Photoelectric conversion device, image scanning apparatus, and manufacturing method of the photoelectric conversion device
CN111129045A (zh) 数字x射线检测器和用于其的薄膜晶体管阵列衬底
KR20200043792A (ko) 고해상도 디지털 엑스레이 검출기용 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 이를 포함하는 고해상도 디지털 엑스레이 검출기
JP2009238813A (ja) 電気光学装置、光電変換装置及び放射線検出装置
CN109216391B (zh) 一种探测面板、其制作方法及检测装置
KR20070073755A (ko) 전리 방사선 검출기
CN107068701B (zh) 用于x射线检测器的阵列基板以及包括其的x射线检测器
JP2014122903A (ja) 放射線検出器および放射線画像撮影装置
KR20180044681A (ko) 검출효율이 향상된 디지털 엑스레이 검출장치 및 그 제조방법
CN110797365A (zh) 一种探测面板、其制作方法及光电检测装置
CN111381272A (zh) 数字x射线检测器
KR20200078934A (ko) 디지털 엑스레이 검출장치용 어레이 패널 및 이를 포함하는 디지털 엑스레이 검출장치
US20140198900A1 (en) High resolution x-ray imaging with thin, flexible digital sensors
KR20200043793A (ko) 고해상도 디지털 엑스레이 검출기용 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 이를 포함하는 고해상도 디지털 엑스레이 검출기
KR20180044680A (ko) 디지털 엑스레이 검출장치 및 그 제조방법
KR102631651B1 (ko) 필팩터가 향상된 디지털 엑스레이 검출장치

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination