CN103091912B - 阵列基板与具有该阵列基板的液晶面板及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种阵列基板与具有阵列基板的液晶面板及其制造方法，阵列基板包括基板、多个扫描线、多个数据线、多个下接触垫、保护层以及透明导电层。基板具有第一显示区域、第二显示区域以及第一非显示区域。多个下接触垫设置于第一非显示区域。透明导电层设置于保护层上，具有第一像素电极、第二像素电极以及多个上接触垫，第一像素电极与第二像素电极分别位于第一显示区域与第二显示区域，其中第一像素电极的宽度等于或是近似第二像素电极的宽度，上接触垫位于第一非显示区域且电性连接下接触垫。

Description

阵列基板与具有该阵列基板的液晶面板及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种阵列结构及其方法，具体而言是一种阵列基板与具有该阵列基板的液晶面板及其制造方法。
背景技术
液晶显示器通常分为穿透式液晶显示器、反射液晶显示器以及半穿透/半反射液晶显示器，穿透式液晶显示器设有背光模块(Backlight Module)。背光模块使用的发光源大致可分为冷阴极荧光灯(Cold Cathode Fluorescent Lamp, CCFL)、热阴极荧光灯、发光二极管或其他电激发光组件(Electro Luminescent Device, EL device)。
由于面板内的液晶转向均匀性攸关液晶显示器的画面显示质量。换言之，液晶转向一致时画面显示质量越佳，液晶转向不足时其透光不足，使得画面较暗，形成画面亮暗不均的波纹(mura)。具体来说，液晶转向程度与施加于像素电极(pixel electrode)的电压所产生的电场有关，亦即电场足够大，液晶扭转程度越佳；电场不足时，液晶扭转程度越差。进一步地，电场的大小与像素电极的线宽成正比例。然而在现有技术的液晶面板制程中是进行薄膜沉积、黄光曝光、显影以及蚀刻图案化等步骤来形成面板内的像素电极，而且在液晶面板的外围需要设置面积较大的电性量测的金属结构，以作为电性量测的扎针点，所以需要以较大的光阻区域来定义所述金属结构。
然而，由于显影步骤使用的显影液的流动具有方向性，面积较大的光阻会使显影液集中流向面内某些区域的像素电极图案，使得像素电极图案上的光阻过度显影或是显影不足。当过度显影时，在后续的蚀刻步骤会使像素电极的线宽缩小，当显影不足时，在后续的蚀刻步骤会使像素电极的线宽变大。因而造成像素电极的线宽尺寸大小不同而产生不均匀的电场，导致液晶扭转程度不平均，使得液晶面板的显示质量不良。因此需要发展一种新式的缓冲结构及其方法，以解决上述之问题。
发明内容
本发明的第一目的在于提供一种阵列基板与具有阵列基板的液晶面板及其制造方法，在液晶面板的微影制程中，使显影液在曝光图案上均匀地流动，避免显影液集中流向较大光阻区域，使像素电极的线宽趋于一致，解决液晶面板产生亮暗不均的波纹(mura)。
为达成上述地目的，在一实施例中，本发明提出一种阵列基板的制造方法，包括下列步骤：
形成多个扫描线、多个数据线、多个晶体管以及多个下接触垫于一基板上，基板定义第一显示区域、第二显示区域以及一第一非显示区域，扫描线、数据线、晶体管位于第一显示区域以及第二显示区域，晶体管分别位于数据线与扫描线的交错处，下接触垫位于第一非显示区域；
形成透明导电层于基板上；
涂布光阻层于透明导电层上；
对光阻层进行曝光步骤，使第一显示区域以及第二显示区域分别定义第一曝光图案与第二曝光图案，并且使第一非显示区域定义相对应于下接触垫的多个第三曝光图案；
当显影液在光阻层上开始流动以进行显影步骤时，第一曝光图案的第一线宽等于或是近似第二曝光图案的第二线宽；
当在显影液的流动过程中，每一第三曝光图案形成多个梳状图案，在一第三曝光图案的梳状图案与邻近的另一第三曝光图案的梳状图案互相叉合，梳状图案略微阻挡一部份显影液，使部分显影液经由第三曝光图案上表面与梳状图案上表面到达第一显示区域的第一曝光图案，第一曝光图案的第一线宽变成一第三线宽，并且使另一部份显影液直接到达第二显示区域的第二曝光图案，第二曝光图案的第二线宽变成第四线宽，其中第三线宽等于或是近似第四线宽；以及，
在第一显示区域与第二显示区域分别形成相对应第一曝光图案的第一像素电极与相对应第二曝光图案的第二像素电极，并且在第一非显示区域形成相对应第一曝光图案的多个上接触垫。
在另一实施例中，本发明提出一种阵列基板，适用于液晶面板，阵列基板包括：基板，具有第一显示区域、第二显示区域以及一第一非显示区域；多个扫描线，设置于第一显示区域与第二显示区域的基板上；多个数据线，位于第一显示区域与第二显示区域，每一数据线与每一扫描线形成一交错处，交错处设有一晶体管；多个下接触垫，设置于第一非显示区域的基板上；保护层用以覆盖数据线、晶体管以及下接触垫；透明导电层设置于保护层上，具有第一像素电极、第二像素电极以及多个上接触垫，第一像素电极与第二像素电极分别位于第一显示区域与第二显示区域，其中第一像素电极的宽度等于或是近似第二像素电极的宽度，上接触垫位于第一非显示区域且电性连接下接触垫。
在又一实施例中，本发明提出一种具有阵列基板的液晶面板，包括：上述阵列基板；下配向层设置于透明导电层上；彩色滤光基板设置于基板上方；下配向层设置于彩色滤光基板；以及液晶设置于下配向层与上配向层之间。
本发明的阵列基板与具有阵列基板的液晶面板及其制造方法，可使显影液以均匀速度在曝光图案上流动，使得像素电极的线宽一致，产生均匀的电场，以解决液晶面板产生亮暗不均的波纹之问题。
附图说明
下面结合附图和具体实施方式来详细说明本发明；
图1A是本发明第一实施例中形成阵列基板的下接触垫的电路布局俯视图；
图1B是图1A中沿着A-A’线段的制造流程步骤的剖示图；
图2是本发明第一实施例中形成阵列基板的信道结构的电路布局俯视图；
图3是本发明第一实施例中形成阵列基板的源极与汲极的电路布局俯视图；
图4A是本发明第一实施例中形成阵列基板的接触孔的电路布局俯视图；
图4B是图4A中沿着B-B’线段的制造流程步骤的剖示图；
图5A是本发明第一实施例中形成阵列基板的光阻层与透明导电层的电路布局俯视图；
图5B是图5A中沿着C-C’线段的制造流程步骤的剖示图；
图6A是本发明第一实施例中对阵列基板的光阻层进行曝光的电路布局俯视图；
图6B是图6A中沿着D-D’线段的制造流程步骤的剖示图；
图7A是本发明第一实施例中阵列基板的显影过程的电路布局俯视图；
图7B是图7A中沿着E1-E1’线段的制造流程步骤的剖示图；
图7C是图7A中沿着E2-E2’线段的制造流程步骤的剖示图；
图8A是本发明第一实施例中阵列基板已经显影完成之电路布局俯视图；
图8B是图8A中沿着F-F’线段的制造流程步骤的剖示图；
图9A是本发明第一实施例中蚀刻阵列基板的透明导电层的电路布局俯视图；
图9B是图9A中沿着G-G’线段的制造流程步骤的剖示图；
图10A是本发明第一实施例中移除阵列基板的曝光光阻层的电路布局俯视图；
图10B是图10A中沿着H-H’线段的制造流程步骤的剖示图；
图11A是本发明第二实施例中阵列基板的电路布局俯视图；
图11B是图11A中沿着I-I’线段的剖示图；
图12是本发明第三实施例中阵列基板的电路布局俯视图；
图13是本发明实施例中具有阵列基板的液晶显示面板的剖示图。
其中：
200a、200b、200c 阵列基板 202 基板
204s 扫描线 204d 数据线
206 下接触垫 208a 第一显示区域
208b 第二显示区域 210a 第一非显示区域
210b 第二非显示区域 212 信道结构
214 晶体管 216 保护层
218 接触孔 220 透明导电层
221 紫外线 222 光阻层
223 光罩 224a 第一曝光图案
224b 第二曝光图案 224c 第三曝光图案
224a1 第一共享电极曝光图案 224b1 第二共享电极曝光图案
224a2 第一像素电极曝光图案 224b2 第二像素电极曝光图案
226 流动方向 224a1’ 第一共享电极
224b1’ 第二共享电极 224a2’ 第一像素电极
224b2’ 第二像素电极 228 梳状图案
228’、228” 上接触垫 228a 本体部
228b 梳状部 230 上表面
300a 第一防波墙 300b 第二防波墙
300c 第三防波墙 301 液晶显示面板
302a 下配向层 302b 上配向层
303 电场 304 基板
306 彩色滤光层 308 液晶
G 闸极 S 源极
D 汲极 PW1、CW1 第一线宽
PW2、CW2 第二线宽 PW3、CW3 第三线宽
PW4、CW4 第四线宽 PW5、CW5 第五线宽
PW6、CW6 第六线宽。
具体实施方式
本发明的较佳实施例借由附图与下列说明作详细描述，在不同的附图中，相同的组件符号表示相同或相似的组件。
参考图1A-1B，图1A是本发明第一实施例中形成阵列基板200a的下接触垫206的电路布局俯视图；图1B是图1A中沿着A-A’线段的制造流程步骤的剖示图。在基板202上形成多个扫描线204s、连接扫描线204s的多个闸极G以及多个下接触垫(lower contact pad)206，基板202定义第一显示区域208a、第二显示区域208b以及第一非显示区域(non-displayregion)210a，扫描线204s位于第一显示区域208a以及第二显示区域208b，下接触垫206位于第一非显示区域210a。
在一实施例中，以微影蚀刻法沉积并形成金属或导电材质的扫描线204s、闸极G以及下接触垫206。第一显示区域208a与第二显示区域208b为液晶面板的显示区域中任意两区域的位置，此处是以两个像素区域表示第一显示区域208a与第二显示区域208b，但不限于此，亦可以是两个以上的像素区域。下接触垫206彼此之间为电性绝缘，但也可选择性地电性连接这些扫描线204s，以经由扫描线204s输入扫描测试讯号至第一显示区域208a与第二显示区域208b，以作为电性检测用的电测扎针点。第一非显示区域210a的邻近区域为第二非显示区域210b，亦即表示未设置下接触垫206的区域，其中第一非显示区域210a对应于第一显示区域208a，第二非显示区域210b对应于第二显示区域208b。第一非显示区域210a与第二非显示区域210b皆为位于阵列基板200a的周围的周边区域。
参考第2图，是本发明第一实施例中形成阵列基板200a的信道结构212的电路布局俯视图。在第一显示区域208a以及第二显示区域208b上形成闸极绝缘层(未图标)，以覆盖扫描线204s以与门极G。接着在闸极绝缘层上形成多个信道结构212，每一信道结构212相对应一闸极G。在图2中沿着A-A’线段的剖面示意图如图1B所示。
参考图3，是本发明第一实施例中形成阵列基板200a的源极S与汲极D的电路布局俯视图。在闸极绝缘层(未图示)上形成多个数据线204d、连接数据线204d的多个源极S以及多个汲极D，这些闸极G、信道结构212、源极S以及汲极D形成多个晶体管214，晶体管214分别位于数据线204d与扫描线204s的交错处，数据线204d以及晶体管214位于第一显示区域208a以及第二显示区域208b。例如是以微影蚀刻法沉积并形成金属或导电材质的数据线204d、源极S以及汲极D。
在另一实施例中，在形成数据线204d、源极S以及汲极D时，同时沉积并形成另一相同几何尺寸形状的下接触垫至下接触垫206上，使所述另一下接触垫(未图示)重叠于下接触垫206上，以增加下接触垫206的厚度，有助于执行显示区域208a、208b的扎针检测。在又一实施例中，可以只沉积并形成另一下接触垫(未图示)以完全取代下接触垫206。另一下接触垫及/或下接触垫206也可选择性电性连接所述扫描线204s或数据线204d，以经由所述扫描线204s或数据线204d输入扫描测试讯号或数据讯号至第一显示区域208a与第二显示区域208b，以作为电性检测用的电测扎针点。在图3中沿着A-A’线段的剖面图如图1B所示。
参考图4A-4B，图4A是本发明第一实施例中形成阵列基板200a的接触孔218的电路布局俯视图；图4B是本发明图4A中沿着B-B’线段的制造流程步骤的剖示图。在闸极绝缘层(未图标)、第一非显示区域210a与第二非显示区域210b上形成保护层(passivationlayer)216，使保护层216覆盖数据线204d、晶体管214以及下接触垫206，例如以沉积法形成氧化硅或是氮化硅的保护层216。然后在保护层216中形成多个接触孔(via hole)218，使接触孔218分别暴露一部份汲极D以及一部份下接触垫206。例如以微影蚀刻法蚀刻形成接触孔218。
参考图5A-5B，图5A是本发明第一实施例中形成阵列基板200a的光阻层222与透明导电层220的电路布局俯视图；图5B是图5A中沿着C-C’线段的制造流程步骤的剖示图。在保护层216上形成透明导电层220，以覆盖第一显示区域208a、第二显示区域208b、第一非显示区域210a以及第二非显示区域210b，使透明导电层220填满或填入接触孔218并且电性连接所述下接触垫206与汲极D(未图示)。接着在透明导电层220上涂布光阻层222，以覆盖第一显示区域208a、第二显示区域208b、第一非显示区域210a以及第二非显示区域210b。透明导电层220的材质例如是氧化铟锡层(Indium Tin Oxide, ITO)或是氧化铟锌层(IndiumZinc Oxide, IZO)。
参考图6A-6B，图6A是本发明第一实施例中对阵列基板200a的光阻层220进行曝光的电路布局俯视图；图6B是图6A中沿着D-D’线段的制造流程步骤的剖示图。利用紫外线221以及具有第一曝光图案224a、第二曝光图案224b及第三曝光图案224c的光罩223对光阻层220进行曝光步骤，使第一显示区域208a以及第二显示区域208b分别定义第一曝光图案224a与第二曝光图案224b，并且使第一非显示区域210a定义相对应于下接触垫206的多个第三曝光图案224c。其中在第一显示区域208a的第一曝光图案224a包括第一共享电极曝光图案224a1与第一像素电极曝光图案224a2，在第二显示区域208b的第二曝光图案224b包括第二共享电极曝光图案224b1与第二像素电极曝光图案224b2。第一像素电极曝光图案224a2与第二像素电极曝光图案224b2分别对应于晶体管214的汲极D。
当显影液在光阻层222上沿着流动方向226开始流动以进行显影步骤时，第一曝光图案224a的第一线宽等于或是近似第二曝光图案224b的第二线宽，例如第一显示区域208a中第一像素电极曝光图案224a2的第一线宽PW1等于或是近似第二显示区域208b中第二像素电极曝光图案224b2的第二线宽PW2；同样地，第一显示区域208a中的第一共享电极曝光图案224a1的第一线宽CW1等于或是近似第二显示区域208b中的第二共享电极曝光图案224b1的第二线宽CW2。
参考图7A-7C，图7A是本发明第一实施例中阵列基板200a的显影过程的电路布局俯视图；图7B是图7A中沿着E1-E1’线段的制造流程步骤的剖示图；图7C是图7A中沿着E2-E2’线段的制造流程步骤的剖示图。当在显影液沿着流动方向226的流动过程中，每一第三曝光图案224c逐渐形成多个梳状图案228，在一第三曝光图案224c的梳状图案228与邻近的另一第三曝光图案224c的梳状图案228互相叉合，梳状图案228可以略微阻挡一部份显影液，使该部分显影液经由第三曝光图案224c上表面230(如图7B与图7C所示)与所述梳状图案208上表面230到达第一显示区域208a的第一曝光图案224a，第一曝光图案224a的第一线宽PW1、CW1变成第三线宽PW3、CW3，并且使另一部份显影液直接到达第二显示区域208b的第二曝光图案224b，第二曝光图案224b的第二线宽PW2、CW2变成第四线宽PW4、CW4，其中第三线宽PW3、CW3等于或是近似第四线宽PW4、CW4。
换言之，在显影液沿着流动方向226的流动过程中，由于梳状图案228略微阻挡两个第三曝光图案224c之间的显影液流动，使得显影液可以较均匀速度从第三曝光图案224c上表面230与梳状图案上表面230流过，故可使显影液对第一曝光图案224a的第一线宽PW1、CW1逐渐地产生作用而变成第三线宽PW3、CW3，同时也对第二曝光图案224b的第二线宽PW2、CW2逐渐地产生作用而变成第四线宽PW4、CW4。应注意的是，在图7B中，显影液的流动方向226是表示显影液流入页面以及流出页面的方向；在图7C中，显影液的流动方向226是表示显影液沿着页面左、右往复流动的方向。
参考图8A-8B，图8A是本发明第一实施例中阵列基板200a已经显影完成的电路布局俯视图；第8B图是图8A中沿着F-F’线段的制造流程步骤的剖示图。当完成显影步骤之后，第一曝光图案224a的第三线宽PW3、CW3变成第五线宽PW5、CW5，第二曝光图案224b的第四线宽PW4、CW4 变成第六线宽PW6、CW6，其中第五线宽PW5、CW5等于或是近似第六线宽PW6、CW6，并且暴露一部分透明导电层220。亦即，当显影完成之后，第一曝光图案224a的第五线宽PW5、CW5等于或是近似第一线宽PW1、CW1，且第二曝光图案224b的第六线宽PW6、CW6等于或是近似第二线宽PW2、CW2，使得第一曝光图案224a与第二曝光图案224b借由梳状图案228对显影的阻挡造成显影之前与显影完成之后，其线宽等于或是趋近于相等。
参考图9A-9B，图9A是本发明第一实施例中蚀刻阵列基板200a的透明导电层220的电路布局俯视图；图9B是图9A中沿着G-G’线段的制造流程步骤的剖示图。利用第一曝光图案224a、第二曝光图案224b以及第三曝光图案224c作为蚀刻罩幕，以蚀刻透明导电层220，直至曝露出一部份保护层216。
参考图10A-10B，图10A是本发明第一实施例中移除阵列基板200a的曝光光阻层222的电路布局俯视图；图10B是图10A中沿着H-H’线段的制造流程步骤的剖示图。移除第一曝光图案224a、第二曝光图案224b以及第三曝光图案224c，以在第一显示区域208a与第二显示区域208b分别形成第一像素电极224a2’、第二像素电极224b2’、第一共享电极224a1’以及第二共享电极224b1’，并且在第一非显示区域210a形成多个上接触垫228’，其中第一像素电极224a2’、第一共享电极224a1’的宽度PWI、CWI等于或是近似第五宽度PW5、CW5，第二像素电极224b2’、第二共享电极224b1’的宽度PWII、CWII等于或是近似第六宽度PW6、CW6。在一实施例中，第一像素电极224a2’与第二像素电极224b2’的宽度差值小于0.1 μm以下或是任一预设宽度差值，第一共享电极224a1’与第二共享电极224b1’的宽度差值小于0.1 μm以下或是任一预设宽度差值，而可改善液晶面板产生亮暗不均的波纹。具体来说，第一像素电极224a2’的宽度等于或是近似显影已完成之后的第一曝光图案224a所定义的宽度；第二像素电极224b2’的宽度等于或是近似显影已完成之后的第二曝光图案224b所定义的宽度。
具体来说，如图10A-10B所示，本发明的阵列基板200a包括基板202、多个扫描线204s、多个数据线204d、多个下接触垫206、保护层216以及透明导电层220。基板202具有第一显示区域208a、第二显示区域208b以及第一非显示区域210a。多个扫描线204s设置于第一显示区域208a与第二显示区域208b的基板202上。多个数据线204d位于第一显示区域208a与第二显示区域208b，每一数据线204d与每一扫描线204s形成一交错处，交错处设有一晶体管214。多个下接触垫206设置于第一非显示区域210a的基板202上。保护层216用以覆盖数据线204d、晶体管214以及下接触垫206。透明导电层220设置于保护层216上，具有第一像素电极224a2’、第二像素电极224b2’以及多个上接触垫228’，第一像素电极224a2’与第二像素电极224b2’分别位于第一显示区域208a与第二显示区域208b，其中第一像素电极224a2’的宽度等于或是近似第二像素电极224b2’的宽度，上接触垫228’位于第一非显示区域210a且电性连接下接触垫206。上接触垫228’彼此之间电性绝缘，且第一显示区域208a的第一像素电极224a2’相对应于第一非显示区域210a的上接触垫228’。
在一实施例中，保护层216更包括相对于每一下接触垫206的多个接触孔218(标示于图5B)，借由透明导电层220填满或填入接触孔218，使每一上接触垫228’电性连接每一下接触垫206。进一步来说，每一上接触垫228’包括本体部228a以及多个梳状部228b。本体部228a电性连接一下接触垫206。多个梳状部228b分别自本体部228a延伸，其中一上接触垫228’的梳状部228b与另一上接触垫228’的梳状部228b互相绝缘叉合。
参考图11A-11B，图11A是本发明第二实施例中阵列基板200b的电路布局俯视图；图11B是图11A中沿着I-I’线段的剖面示意图。阵列基板200b类似于图10A的阵列基板200a，其差异在于阵列基板200b是蚀刻第一非显示区域210a的透明导电层220形成第一防波墙300a，蚀刻步骤是使用一部分的第三曝光图案224c作为罩幕，并且第一防波墙300a设置于第一像素电极224a2’与上接触垫228”之间，亦即设置于第一显示区域208a与第一非显示区域210a之间或上接触垫228”的内侧，例如是垂直于显影液流动方向226的上接触垫228”之间。所述第一防波墙300a上方的一部分第三曝光图案224c用于略微阻挡显影液在显影过程中使显影液不会流动方向226在上接触垫228”之间快速流动，而是使显影液以均匀流动速度由第一防波墙300a的曝光图案224c上方由第一非显示区域210a流向第一显示区域208a。在一实施例中，上接触垫228”的形状与本体部228a的形状相同。
同样地，透明导电层220更包括第二防波墙300b以及第三防波墙300c同样属于第三曝光图案224c的一部分，第二防波墙300b设置于所述上接触垫228”的外围且靠近基板202的侧边。第三防波墙300c设置于所述上接触垫228”之间，第二防波墙300b以及第三防波墙300c的作用与所述第一防波墙300a相同，用以使流向第一显示区域208a的显影液的流速更均匀。本发明的阵列基板200b亦可设置第一防波墙300a、第二防波墙300b、第三防波墙300c或是前述任一或任两者，防波墙300a、300b、300c与上接触垫228’交错排列。阵列基板200b的制程方法类似于阵列基板200a。
参考图12，是本发明第三实施例中阵列基板200c的电路布局俯视图。阵列基板200c具有阵列基板200a与阵列基板200b的部分特征，包括上接触垫228’、第一防波墙300a、第二防波墙300b以及第三防波墙300c。阵列基板200c的制程方法类似于阵列基板200a。第一防波墙300a设置于第一像素电极224a2’与上接触垫228’之间。第二防波墙300b设置于所述上接触垫228’的外围且靠近基板202的侧边。第三防波墙300c设置于所述上接触垫228’之间。阵列基板200c的制程方法类似于阵列基板200a。
图13是本发明实施例中具有阵列基板200a、200b、200c中任一者的液晶显示面板301的剖面示意图，在此仅以图10A中沿着J-J’线段的阵列基板200a为例说明。液晶显示面板301包括上述阵列基板200a、下配向层302a、基板304、彩色滤光层306、上配向层302b以及液晶308。下配向层302a设置于透明导电层220的第一共享电极224a1’、第二共享电极224b1’、第一像素电极224a2’与第二像素电极224b2’上，第一共享电极224a1’、第二共享电极224b1’、第一像素电极224a2’与第二像素电极224b2’用以产生均匀电场303。彩色滤光层306设置于所述基板304上。上配向层302b设置于彩色滤光层306上；以及液晶308设置于所述下配向层302a与上配向层302b之间。本发明的阵列基板200a适用于平面切换式液晶面板(in-plane switching mode LCD)，或是不同型式的液晶面板。
综上所述，本发明的阵列基板与具有该阵列基板的液晶面板及其制造方法，在液晶面板的微影制程中，使显影液在曝光图案上均匀地流动，避免显影液集中流向较大光阻区域，使像素电极的线宽趋于一致，产生均匀的电场，解决液晶面板产生亮暗不均的波纹(mura)之问题。
虽然本发明已用较佳实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明，本发明所属技术领域中具有通常知识者，在不脱离本发明地精神和范围内，当可作各种的更动与润饰，因此本发明的保护范围当视后附的申请专利范围所界定者为准。

Claims (10)

1.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括下列步骤：
形成多个下接触垫于一基板上；
形成一透明导电层于所述基板上；
涂布一光阻层于所述透明导电层上；
对所述光阻层进行一曝光步骤，定义相对应于所述下接触垫的多个曝光图案；
在进行所述曝光步骤后进行显影步骤，使显影液在所述光阻层上开始流动；
当在所述显影液的流动过程中，每一所述曝光图案形成多个梳状图案和多个防波墙图案；以及
蚀刻所述透明导电层而形成相应多个上接触垫并形成多个防波墙，所述上接触垫电性连接所述下接触垫；
其中所述防波墙与所述上接触垫交错排列。
2.如权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，当形成所述上接触垫时，更包括下列步骤：
同时形成一本体部以及多个梳状部；
其中，所述本体部电性连接所述下接触垫其中之一；以及
所述多个梳状部自所述本体部延伸，使一上接触垫的梳状部与另一上接触垫的梳状部互相绝缘叉合。
3.一种阵列基板，其特征在于，包括：
一基板；
多个下接触垫，设置于所述基板上；
一保护层，用以覆盖所述下接触垫；
一透明导电层，设置于所述保护层上，具有多个上接触垫电性连接所述下接触垫；
其中，每一所述上接触垫包括：
一本体部，电性连接所述下接触垫其中之一；以及
多个梳状部，自所述本体部延伸，
其中，一上接触垫的所述梳状部与另一上接触垫的梳状部互相绝缘叉合，或者所述上接触垫与多个防波墙交错排列。
4.如权利要求3项所述的阵列基板，其特征在于，所述保护层更包括相对于每一所述下接触垫的多个接触孔，借由所述透明导电层填满或填入所述接触孔，使每一所述上接触垫电性连接每一所述下接触垫。
5.如权利要求3项所述的阵列基板，其特征在于，所述防波墙更包括一第一防波墙，设置于上接触垫的内侧。
6.如权利要求5项所述的阵列基板，其特征在于，所述防波墙更包括一第二防波墙，设置于所述上接触垫的外围且靠近所述基板的侧边。
7.如权利要求3项所述的阵列基板，其特征在于，所述防波墙更包括一第三防波墙，设置于所述上接触垫之间。
8.一种阵列基板，其特征在于，包括：
一基板；
多个下接触垫，设置于所述基板上；
一保护层，用以覆盖下接触垫；
一透明导电层，设置于所述保护层上，具有多个上接触垫电性连接所述下接触垫；
其中，所述透明导电层更包括多个防波墙，所述防波墙与所述上接触垫交错排列。
9.如权利要求8项所述的阵列基板，其特征在于，每一所述上接触垫包括：
一本体部，电性连接所述下接触垫其中之一；以及
多个梳状部，自所述本体部延伸，一上接触垫的所述梳状部与另一上接触垫的梳状部互相绝缘叉合。
10.一种液晶面板，其特征在于，所述液晶面板包括：
一如权利要求3-9中任一所述的阵列基板；
一下配向层，设置于所述透明导电层上；
一彩色滤光基板，设置于所述基板上方；
一上配向层，设置于彩色滤光基板；以及
一液晶，设置于所述下配向层与所述上配向层之间。
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