KR102361454B1 - X-선 검출 패널, 이것의 제조 방법, 및 x-선 검출 디바이스 - Google Patents

X-선 검출 패널, 이것의 제조 방법, 및 x-선 검출 디바이스 Download PDF

Info

Publication number
KR102361454B1
KR102361454B1 KR1020197018841A KR20197018841A KR102361454B1 KR 102361454 B1 KR102361454 B1 KR 102361454B1 KR 1020197018841 A KR1020197018841 A KR 1020197018841A KR 20197018841 A KR20197018841 A KR 20197018841A KR 102361454 B1 KR102361454 B1 KR 102361454B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
bias voltage
voltage signal
signal line
auxiliary
main
Prior art date
Application number
KR1020197018841A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20190094387A (ko
Inventor
강 화
레이 미
옌나 쉐
즈잉 바오
융 장
루 바이
징펑 왕
하오보 팡
젠 린
Original Assignee
보에 테크놀로지 그룹 컴퍼니 리미티드
베이징 비오이 옵토일렉트로닉스 테크놀로지 컴퍼니 리미티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 보에 테크놀로지 그룹 컴퍼니 리미티드, 베이징 비오이 옵토일렉트로닉스 테크놀로지 컴퍼니 리미티드 filed Critical 보에 테크놀로지 그룹 컴퍼니 리미티드
Publication of KR20190094387A publication Critical patent/KR20190094387A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102361454B1 publication Critical patent/KR102361454B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
    • G01T1/16—Measuring radiation intensity
    • G01T1/17—Circuit arrangements not adapted to a particular type of detector
    • G01T1/175—Power supply circuits
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
    • G01T1/16—Measuring radiation intensity
    • G01T1/24—Measuring radiation intensity with semiconductor detectors
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
    • G01T1/16—Measuring radiation intensity
    • G01T1/24—Measuring radiation intensity with semiconductor detectors
    • G01T1/247—Detector read-out circuitry
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
    • G01T1/16—Measuring radiation intensity
    • G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
    • G01T1/2018—Scintillation-photodiode combinations
    • G01T1/20184—Detector read-out circuitry, e.g. for clearing of traps, compensating for traps or compensating for direct hits
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
    • G01T1/16—Measuring radiation intensity
    • G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
    • G01T1/16—Measuring radiation intensity
    • G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
    • G01T1/2006—Measuring radiation intensity with scintillation detectors using a combination of a scintillator and photodetector which measures the means radiation intensity
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
    • G01T1/16—Measuring radiation intensity
    • G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
    • G01T1/2018—Scintillation-photodiode combinations
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
    • G01T1/16—Measuring radiation intensity
    • G01T1/24—Measuring radiation intensity with semiconductor detectors
    • G01T1/241—Electrode arrangements, e.g. continuous or parallel strips or the like

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Molecular Biology (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Measurement Of Radiation (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Apparatus For Radiation Diagnosis (AREA)

Abstract

본 개시내용은 X-선 검출 디바이스, 및 X-선 검출 패널의 제조 방법을 제공한다. 본 개시내용은 또한 주 바이어스 전압 신호 라인 및 포토다이오드를 포함하는 X-선 검출 패널을 제공한다. 포토다이오드의 캐소드는 주 바이어스 전압 신호 라인에 전기적으로 연결된다. X-선 검출 패널은 주 바이어스 전압 신호 라인에 전기적으로 연결되는 적어도 하나의 보조 바이어스 전압 신호 라인을 추가로 포함한다.

Description

X-선 검출 패널, 이것의 제조 방법, 및 X-선 검출 디바이스
본 출원은 2018년 2월 1일에 중국 특허청에 출원된 중국 특허 출원 제201810102744.2호에 대한 우선권의 이익을 주장하고, 이 출원의 내용은 그 전체가 참조에 의해 본 명세서에 통합된다.
본 개시내용은 X-선 검출 디바이스 분야에 관한 것인데, 특히 X-선 검출 패널, X-선 검출 패널의 제조 방법, 및 X-선 검출 패널을 포함하는 X-선 검출 디바이스에 관한 것이다.
디지털 의료 치료의 인기에 따라, 평판 X-선 검출기가 통상적으로 사용되는 의료 디바이스에서 X-선 검출기로서 기능하도록 자리잡고 있다. 통상의 평판 X-선 검출기에서, 포토다이오드를 통과하는 전류는 X-선에 의해 영향을 받고, X-선의 강도는 바이어스 전압 신호 라인에서 전류를 검출함으로써 결정될 수 있다.
본 개시내용의 한 양태에 따르면, 포토다이오드; 주 바이어스 전압이 주 바이어스 전압 신호 라인을 통해 포토다이오드에 제공되도록 구성된 주 바이어스 전압 신호 라인; 및 보조 바이어스 전압이 보조 바이어스 전압 신호 라인을 통해 포토다이오드에 제공되도록 구성된 보조 바이어스 전압 신호 라인을 포함하는 X-선 검출 패널이 제공되는데; 보조 바이어스 전압 신호 라인은 주 바이어스 전압 신호 라인에 전기적으로 연결된다.
한 실시예에서, 보조 바이어스 전압 신호 라인의 연장 방향은 주 바이어스 전압 신호 라인의 연장 방향에 직교한다.
한 실시예에서, 제1 패시베이션층은 주 바이어스 전압 신호 라인이 위치되는 층을 커버한다. 보조 바이어스 전압 신호 라인은 제1 패시베이션층 상에 배치된다. 보조 바이어스 전압 신호 라인은 제1 패시베이션층을 관통하는 제1 비아 홀을 통해 주 바이어스 전압 신호 라인에 전기적으로 연결된다.
한 실시예에서, 본딩 패드가 제1 패시베이션층 상에 배치된다. 리드선(lead wire)이 제1 패시베이션층 아래에 배치된다. 본딩 패드는 적어도 제1 패시베이션층을 통해 관통하는 제2 비아를 통해 리드선에 전기적으로 연결된다. 보조 바이어스 전압 신호 라인은 본딩 패드와 동일한 층에 배치된다. 보조 바이어스 전압 신호 라인 및 본딩 패드는 투명 전극 재료로 만들어진다.
한 실시예에서, 스위칭 트랜지스터의 제1 전극은 포토다이오드의 애노드에 전기적으로 연결된다.
한 실시예에서, 주 바이어스 전압 신호 라인은 금속 재료로 만들어지고 스위칭 트랜지스터를 커버한다.
한 실시예에서, 평탄화층이 포토다이오드가 위치되는 층을 커버한다. 제2 패시베이션층이 평탄화층을 커버한다. 주 바이어스 전압 신호 라인은 제2 패시베이션층 상에 형성되고, 제2 패시베이션층 및 평탄화층을 통해 관통하는 제3 비아 홀을 통해 포토다이오드의 캐소드에 전기적으로 연결된다.
한 실시예에서, 신틸레이션층(scintillation layer)이 X-선 검출 패널의 광 입사 표면 상에 배치되고, 신틸레이션층은 X-선을 가시광으로 변환할 수 있다.
본 개시내용의 한 양태에 따르면, X-선 검출 패널이 제공되는데, 이 패널은: 복수의 포토다이오드; 주 바이어스 전압들이 제각기 복수의 주 바이어스 전압 신호 라인을 통해 복수의 포토다이오드에 제공되도록 구성된 복수의 주 바이어스 전압 신호 라인; 및 보조 바이어스 전압이 적어도 하나의 보조 바이어스 전압 신호 라인을 통해 복수의 포토다이오드의 일부에 제공되도록 구성된 적어도 하나의 보조 바이어스 전압 신호 라인을 포함하고; 적어도 하나의 보조 바이어스 전압 신호 라인은 상기 복수의 주 바이어스 전압 신호 라인 모두에 전기적으로 연결된다.
한 실시예에서, 제1 패시베이션층은 복수의 주 바이어스 전압 신호 라인이 위치되는 층을 커버한다. 적어도 하나의 보조 바이어스 전압 신호 라인은 제1 패시베이션층 상에 배치된다. 적어도 하나의 보조 바이어스 전압 신호 라인은 제1 패시베이션층을 통해 관통하는 제1 비아 홀들을 통해 복수의 주 바이어스 전압 신호 라인 모두에 전기적으로 연결된다.
한 실시예에서, X-선 검출 패널은 검출 영역 및 검출 영역의 적어도 하나의 측면 상에 위치된 주변 영역으로 분할된다. 검출 영역은 복수의 검출 유닛으로 분할되고, 복수의 검출 유닛 각각은 그 안에 복수의 포토다이오드 중 하나를 제공받는다. 동일한 열에서의 검출 유닛들 내의 포토다이오드들의 캐소드들은 동일한 주 바이어스 전압 신호 라인에 전기적으로 연결된다.
한 실시예에서, 적어도 하나의 세트의 리드선들이 주변 영역에 배치된다. 복수의 본딩 패드가 제2 비아 홀들을 통해 리드선들의 세트에 전기적으로 연결된다. 복수의 주 바이어스 전압 신호 라인이 동일한 층에 배치된다. 적어도 하나의 보조 바이어스 전압 신호 라인이 복수의 본딩 패드와 동일한 층에 배치된다. 적어도 하나의 보조 바이어스 전압 신호 라인 및 복수의 본딩 패드가 투명 전극 재료로 만들어진다.
본 개시내용의 한 양태에 따르면, X-선 검출 디바이스가 제공되는데, 이 디바이스는 상기 설명한 X-선 검출 패널, 복수의 주 바이어스 전압 신호 라인을 통해 주 바이어스 전압을 복수의 포토다이오드에 공급하도록 구성된 주 바이어스 전압 신호 소스; 및 적어도 하나의 보조 바이어스 전압 신호 라인을 통해 복수의 포토다이오드의 일부에 보조 바이어스 전압을 공급하도록 구성된 보조 바이어스 전압 신호 소스를 포함한다.
한 실시예에서, X-선 검출 디바이스는 복수의 데이터 라인 및 복수의 게이트 라인을 추가로 포함한다. 복수의 데이터 라인은 복수의 게이트 라인과 교차하도록 배치되어, X-선 검출 패널이 복수의 행 및 복수의 열로 배열된 검출 유닛들이 되도록 분할되고, 복수의 행 및 복수의 열로 배열된 검출 유닛들 각각이 하나의 포토다이오드 및 하나의 스위칭 트랜지스터를 제공받도록 한다. 동일한 열에서의 스위칭 트랜지스터들은 동일한 데이터 라인에 연결된다. 동일한 행에서의 스위칭 트랜지스터들은 동일한 게이트 라인에 연결된다. 하나의 스위칭 트랜지스터의 제1 전극은 검출 유닛에서의 포토다이오드의 애노드에 전기적으로 연결된다. 하나의 스위칭 트랜지스터의 제2 전극은 복수의 데이터 라인 중 하나에 전기적으로 연결된다. 하나의 스위칭 트랜지스터의 게이트 전극은 복수의 게이트 라인 중 하나에 전기적으로 연결된다.
한 실시예에서, X-선 검출 패널은 검출 영역 및 검출 영역의 적어도 하나의 측면 상에 위치된 주변 영역으로 분할된다. 복수의 행 및 복수의 열로 배열된 검출 유닛들 검출 영역에 배치된다. 보조 바이어스 전압 신호 소스 및 주 바이어스 전압 신호 소스가 주변 영역에 배치된다.
본 개시내용의 한 양태에 따르면, X-선 검출 패널의 제조 방법이 제공되는데, 이 방법은: 기판을 제공하는 단계; 기판 상에 포토다이오드를 형성하는 단계; 포토다이오드상에 주 바이어스 전압 신호 라인을 포함하는 패턴을 형성하는 단계 - 주 바이어스 전압 신호 라인은 포토다이오드의 캐소드에 전기적으로 연결됨 -; 주 바이어스 전압 신호 라인을 포함하는 패턴상에 보조 바이어스 전압 신호 라인을 포함하는 패턴을 형성하는 단계 - 보조 바이어스 전압 신호 라인은 주 바이어스 전압 신호 라인에 전기적으로 연결됨 - 를 포함한다.
한 실시예에서, 주 바이어스 전압 신호 라인을 포함하는 패턴을 형성하는 단계 및 보조 바이어스 전압 신호 라인을 포함하는 패턴을 형성하는 단계 사이에 상기 방법은: 주 바이어스 전압 신호 라인이 위치되는 층 상에 제1 패시베이션 재료층을 형성하는 단계; 및 제1 패시베이션 재료층을 통해 관통하는 제1 비아 홀을 형성하여 보조 바이어스 전압 신호 라인을 포함하는 패턴을 형성하는 단계에서 획득된 보조 바이어스 전압 신호 라인이 제1 비아를 통해 주 바이어스 전압 신호 라인에 전기적으로 연결되도록 하는 단계를 추가로 포함한다.
한 실시예에서, 제조 방법은: 제1 패시베이션 재료층을 형성하는 단계 전에 적어도 하나의 세트의 리드선들을 포함하는 패턴을 형성하는 단계; 제1 패시베이션 재료층을 형성한 후에, 리드선을 노출시키도록 적어도 제1 패시베이션 재료층을 통해 관통하는 제2 비아 홀을 형성하는 단계 - 제1 비아 홀 및 제2 비아 홀은 하나의 패터닝 공정에 의해 형성됨 -; 및 제2 비아 구멍을 형성한 후에 본딩 패드를 포함하는 패턴을 형성하는 단계 - 본딩 패드는 제2 비아를 통해 리드선에 전기적으로 연결되고, 보조 바이어스 전압 신호 라인을 포함하는 패턴 및 본딩 패드를 포함하는 패턴은 하나의 패터닝 공정에 의해 형성됨 - 를 추가로 포함한다.
본 개시내용의 추가의 이해를 제공하고 본 명세서의 일부를 구성하는 첨부 도면은 본 개시내용을 제한하기보다는 하기의 특정 구현들과 함께 본 개시내용을 설명하기 위해 사용된다.
도 1은 본 개시내용의 실시예의 X-선 검출 패널의 개략적인 배선도이다.
도 2는 본 개시내용의 실시예의 X-선 검출 패널에서의 복수의 검출 유닛의 개략적인 부분도이다.
도 3은 본 개시내용의 일 실시예의 X-선 검출 패널의 단일 검출 유닛의 개략도이다.
도 4는 도 3의 단일 검출 유닛의 부분 단면도이다.
도 5는 본 개시내용의 실시예의 X-선 검출 패널의 제조 방법의 흐름도이다.
본 개시내용의 특정 구현들은 첨부 도면들을 참조하여 이하에서 상세하게 설명될 것이다. 본 명세서에서 설명되는 구체적인 구현들은 본 개시내용을 기술하고 설명하기 위해서만 사용되는 것이고, 본 개시내용을 제한하도록 의도되지 않았다는 것을 이해하여야 한다.
도 1은 본 개시내용에 의해 제공되는 X-선 검출 패널의 개략적인 배선도이다. 도 1에 도시된 바와 같이, X-선 검출 패널은 주 바이어스 전압 신호 라인(100) 및 포토다이오드(도시되지 않음)를 포함하고, 포토다이오드의 캐소드는 주 바이어스 전압 신호 라인(100)에 전기적으로 연결된다. X-선 검출 패널은 주 바이어스 전압 신호 라인(100)에 전기적으로 연결된 적어도 하나의 보조 바이어스 전압 신호 라인(200)을 추가로 포함한다.
X-선 검출 패널을 사용하는 신호의 검출 동안, 주 바이어스 전압 신호 소스(110)가 주 바이어스 전압을 주 바이어스 전압 신호 라인(100)에 공급하는데 사용되고, 보조 바이어스 전압 신호 소스(210)가 보조 바이어스 전압을 보조 바이어스 전압 신호 라인(200)에 공급하는데 사용된다.
도 1은 4개의 보조 바이어스 전압 신호 라인(200) 및 14개의 주 바이어스 전압 신호 라인(100)을 도시하지만, 본 개시내용은 이것에만 제한되지는 않는다. 4개의 보조 바이어스 전압 신호 라인(200)의 제1 보조 바이어스 전압 신호 라인(200-1)은 14개의 주 바이어스 전압 신호 라인(100) 각각에 전기적으로 연결되고, 4개의 보조 바이어스 전압 신호 라인의 제2 보조 바이어스 전압 신호 라인(200-2) 은 14개의 주 바이어스 전압 신호 라인(100) 각각에 전기적으로 연결되고, 4개의 보조 바이어스 전압 신호 라인(200)의 제3 보조 바이어스 전압 신호 라인(200-3)은 14개의 주 바이어스 전압 신호 라인(100) 각각에 전기적으로 연결되고, 4개의 보조 바이어스 전압 신호 라인(200)의 제4 보조 바이어스 전압 신호 라인(200-4)은 14개의 주 바이어스 전압 신호 라인(100) 각각에 전기적으로 연결된다.
주 바이어스 전압 신호 소스(110)가 주 바이어스 전압을 주 바이어스 전압 신호 라인(100)에 공급하는 경우, X-선 검출 패널의 상부에서의 주 바이어스 전압은 비교적 높다. 제1 보조 바이어스 전압 신호 라인(200-1)에서의 주 바이어스 전압은 라인상의 부하로 인해 감소되고, 제1 보조 바이어스 전압 신호 라인(200-1)에 의해 제공되는 보조 바이어스 전압 덕분에, 제1 보조 바이어스 전압 신호 라인(200-1)에서의 주 바이어스 전압은 보상된다. 제2 보조 바이어스 전압 신호 라인(200-2)에서의 주 바이어스 전압은 라인상의 부하로 인해 감소되고, 제2 보조 바이어스 전압 신호 라인(200-2)에 의해 제공되는 보조 바이어스 전압 덕분에, 제2 보조 바이어스 전압 신호 라인(200-2)에서의 주 바이어스 전압은 보상된다. 제3 보조 바이어스 전압 신호 라인(200-3)에서의 주 바이어스 전압은 라인상의 부하로 인해 감소되고, 제3 보조 바이어스 전압 신호 라인(200-3)에 의해 제공되는 보조 바이어스 전압 덕분에, 제3 보조 바이어스 전압 신호 라인(200-3)에서의 주 바이어스 전압은 보상된다. 제4 보조 바이어스 전압 신호 라인(200-4)에서의 주 바이어스 전압은 라인상의 부하로 인해 감소되고, 제4 보조 바이어스 전압 신호 라인(200-4)에 의해 제공되는 보조 바이어스 전압 덕분에, 제4 보조 바이어스 전압 신호 라인(200-4)에서의 주 바이어스 전압이 보상된다.
보조 바이어스 전압 신호 소스(210)가 보조 바이어스 전압 신호 라인(200)을 통해 주 바이어스 전압 신호 라인(100)에 보조 바이어스 전압을 공급할 수 있기 때문에, 주 바이어스 전압 신호 라인(100)의 내부 저항에 의해 야기되는 전력 소비는 감소되거나 심지어 제거될 수 있어서, 검출 전류가 주 바이어스 전압 신호 라인(100)의 내부 저항에 의해 야기되는 전압 강하(RC 랜딩)에 의해 영향받는 것을 방지하도록, 또는 바이어스 전압 신호 라인의 내부 저항에 의해 야기되는 전압 강하의 영향을 적어도 감소시키도록 된다. 그 결과, 검출 전류는 오직 포토다이오드(300) 상으로 조사되는 광학 신호의 강도에 의해 영향을 받아서, X-선 검출 패널의 검출 정확도를 개선한다.
보조 바이어스 전압 신호 라인(들)의 수는 필요에 따라 하나 이상일 수 있음을 주목해야 한다. 복수의 보조 바이어스 전압 신호 라인의 경우에, 보조 바이어스 전압 신호 라인들 중 하나가 연결해제되면, 주 바이어스 전압은 나머지 보조 바이어스 전압 신호 라인(들)에 의해 보상될 수 있고, 이에 의해 신뢰성을 개선한다.
데이터 전압이 데이터 신호 소스를 사용하여 포토다이오드(300)의 애노드(320)에 인가되고, 주 바이어스 전압 신호 라인(100)이 포토다이오드의 캐소드(310)에 전기적으로 연결되어, 포토다이오드(300)가 주 바이어스 전압 신호 라인(100)의 작용 하에서 (즉, 동등한 커패시터를 형성하기 위해) 역바이어스되도록 한다. 포토다이오드(300) 상에 조사되는 광의 강도가 변화함에 따라 포토다이오드(300)에 저장된 전기의 양은 변화하고, 따라서, 주 바이어스 전압 신호 라인(100)으로부터의 검출 전류 출력도 변화하고, X-선의 강도는 주 바이어스 전압 신호 라인(100)에서의 전류를 검출함으로써 결정될 수 있다.
본 개시내용에서, 포토다이오드(300)의 배열 및 포토다이오드(300)의 수에 대한 특별한 요건은 없다. 구체적인 구현으로서, X-선 검출 이미지를 획득하기 위해, X-선 검출 패널은 복수의 포토다이오드(300) 및 복수의 주 바이어스 전압 신호 라인(100)을 포함한다. X-선 검출 패널은 검출 영역 R1 및 검출 영역의 적어도 하나의 측면에 위치되는 주변 영역 R2로 분할되고, 검출 영역 R1은 복수의 검출 유닛(130), 예를 들어 복수의 행 및 복수의 열로 된 검출 유닛들(130)의 어레이로 분할된다. 각각의 검출 유닛은 그 안에 포토다이오드(300)를 제공받고, 동일한 열에서의 검출 유닛들에서의 포토다이오드들(300)의 캐소드들(310)은 동일한 주 바이어스 전압 신호 라인(100)에 전기적으로 연결된다.
보조 바이어스 전압 신호 소스(210)는 패널 외부의 외부 신호 소스일 수 있다. 대안적으로, 추가의 외부 신호 소스의 부재 하에서, 보조 바이어스 전압 신호 라인(20)은 주변 영역 R2에서 주 바이어스 전압 신호 라인(100)의 일부분에 직접 연결되어, 주 바이어스 전압 신호 소스(110)에 의해 신호 보상을 달성할 수 있도록 한다.
X-선 검출 패널은 대응하는 신호 변환 모듈 및 디스플레이 패널과 조합하여 사용된다. X-선 검출 패널의 검출 유닛들은 디스플레이 패널의 픽셀 유닛들에 대응할 수 있다. 예를 들어, 하나의 검출 유닛은 하나의 픽셀 유닛에 대응하거나, 여러 개의 검출 유닛은 하나의 픽셀 유닛에 대응하거나, 또는 하나의 검출 유닛은 여러 개의 픽셀 유닛에 대응한다.
검출 유닛은 검출 유닛에서의 포토다이오드(300)에 대응하는 유도 전류를 그레이스케일 전압으로 변환하고, 디스플레이 패널상의 대응하는 픽셀 유닛을 구동하여 광을 방출함으로써, 검출 이미지를 디스플레이할 수 있다.
앞서 설명한 대로, 동일한 열에서의 포토다이오드(300)는 동일한 주 바이어스 전압 신호 라인(100)에 연결되고, 따라서, 데이터 신호 소스는 스캐닝에 의해 포토다이오드들(300)의 제각기 행들의 애노드들(320)에 대응하는 애노드 전압들(즉, 데이터 전압들)을 순차적으로 공급할 수 있다. 주 바이어스 전압 신호 라인(100)은 포토다이오드의 캐소드(310)에 전기적으로 연결되어 포토다이오드(300)가 주 바이어스 전압 신호 라인(100)의 작용 하에서 역 바이어싱되도록 한다. 포토다이오드(300)에 저장된 전기의 양은 포토다이오드(300) 상에 조사되는 광의 강도가 변화함에 따라 변화하고, 따라서 주 바이어스 전압 신호 라인(100)으로부터의 검출 전류 출력도 또한 변화하고, X-선의 강도는 바이어스 전압 신호 라인에서의 전류를 검출함으로써 결정될 수 있고, 이에 의해 X-선의 검출을 달성한다.
앞서 설명한 바와 같이, 동일한 열에서의 포토다이오드들(300)은 동일한 주 바이어스 전압 신호 라인(100)에 연결되고, 그에 대응하여, 복수의 주 바이어스 전압 신호 라인(100)은 포토다이오드들(300)의 어레이의 열 방향으로 평행하게 배열된다. 한 실시예에서, 보조 바이어스 전압 신호 라인(200)의 배열을 용이하게 하고 또한 각각의 주 바이어스 전압 신호 라인(100)에 대한 균일한 보상을 보장하기 위해, 도 1에 도시된 바와 같이, 보조 바이어스 전압 신호 라인(200)의 연장 방향은 주 바이어스 전압 신호 라인(100)의 연장 방향에 대해 직교하거나 또는 대략 직교한다.
본 개시내용에서, 보조 바이어스 전압 신호 라인(들)(200)의 수는 특별히 제한되지 않고, X-선 검출 패널의 크기 및 주 바이어스 전압 신호 라인(100)의 길이에 따라 결정될 수 있다. 일반적으로, X-선 검출 패널의 크기가 클수록, 보조 바이어스 전압 신호 라인들(200)의 수가 커진다. 도 1에 도시된 실시예에서, X-선 검출 패널은 복수의 보조 바이어스 전압 신호 라인(200)을 포함한다.
도 2는 X-선 검출 패널의 일부분의 개략도이고, 복수의 검출 유닛의 어레이의 동일한 행에서의 오직 3개의 상이한 검출 유닛(130)만이 도 2에 도시되어 있다. 도 3은 도 2의 3개의 검출 유닛 중 하나를 나타내고, 주 바이어스 전압 신호 라인(100), 보조 바이어스 전압 신호 라인(200), 및 포토다이오드의 캐소드(310)는 제각기 3개의 상이한 층에 위치된다.
도 4는 도 3의 단일 검출 유닛(130)의 부분 단면도이다. 도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이, 복수의 주 바이어스 전압 신호 라인(100)은 동일한 층에 배치되고, X-선 검출 패널은 주 바이어스 전압 신호 라인(100)을 커버하는 제1 패시베이션층(400)을 더 포함한다. 보조 바이어스 전압 신호 라인(200)은 제1 패시베이션층(400) 상에 배치되고, 제1 패시베이션층(400)을 관통하는 제1 비아 홀(H1)을 통해 주 바이어스 전압 신호 라인(100)에 전기적으로 연결된다.
다시 도 1 및 도 2를 참조하면, 하나 이상의 보조 바이어스 전압 신호 라인(200-1, 200-2, 200-3 및 220-4) 각각은 제1 비아 홀(H1)을 통해 복수의 주 바이어스 전압 신호 라인(100)에 전기적으로 연결된다.
이러한 구현에서, 다른 층의 패턴 형성을 위한 마스크를 변화시키는 것은 필요하지 않고, 보조 바이어스 전압 신호 라인(들)(200)을 형성하기 위한 하나의 마스크만이 요구되고, 이는 X-선 검출 패널을 제조하기 위한 장치의 다능성(versatility)을 개선할 수 있다.
실시예에서, 제1 패시베이션층(400)은 실리콘 산화물 또는 실리콘 질화물로 제조된다.
주 바이어스 전압 신호 라인(100), 보조 바이어스 전압 신호 라인(200) 및 포토다이오드(300)에 추가하여, X-선 검출 패널은 다른 회로 구조들을 또한 포함하고, 다른 회로 구조들의 설명은 본 명세서에서 생략된다는 것을 주목해야 한다.
X-선 검출 패널에 신호를 공급하기 위해, X-선 검출 패널은 적어도 하나의 세트의 리드선(120) 및 본딩 패드(220)를 추가로 포함할 수 있다. 본 개시내용에서, 본딩 패드(들)의 수는 특별히 제한되지 않고, 리드선들의 각각의 세트는 적어도 하나의 본딩 패드에 대응한다. 또한, 리드선들의 수 및 특정 위치들에 대한 특별한 요건은 없다.
따라서, 도 1에 도시된 바와 같이, 리드선들(도시되지 않음) 및 본딩 패드(220)가 X-선 검출 패널의 적어도 하나의 측면상의 주변 영역 R2에 배치된다. 예를 들어, 리드선들(도시되지 않음) 및 본딩 패드(220)는 검출 유닛을 차단하지 않도록 X-선 검출 패널의 좌측 측면상의 주변 영역 R2에 배치된다.
예를 들어, 도 4에 도시된 바와 같이, X-선 검출 패널은 주 바이어스 전압 신호를 주 바이어스 전압 신호 라인(100)에 공급하는 리드선(120)을 포함할 수 있고, 리드선(120)은 주 바이어스 전압 신호 라인(100)과 동일한 층에 배치될 수 있다. 제2 비아 홀(H2)은 적어도 부분적으로 제1 패시베이션층을 관통하여 리드선(120)을 노출시킨다.
"제2 비아 홀이 적어도 제1 패시베이션층을 통해 관통하는"이라는 표현은 제2 비아 홀이 제2 비아 홀에 대응하는 본딩 패드(220)와 본딩 패드(220)에 대응하는 리드선 사이의 모든 절연층(들)을 관통하는 것을 의미함을 주목해야 한다.
주 바이어스 전압 신호 라인(100)에 주 바이어스 전압 신호를 제공하는 리드선들의 세트에 대응하는 본딩 패드(220)는 리드선들(120)을 주 바이어스 전압 신호 소스(110)에 전기적으로 연결한다.
X-선 검출 패널은 또한 그 각각이 리드선 및 그에 대응하는 본딩 패드(220)를 갖는 다른 회로 구조들을 갖는다는 것을 주목해야 한다.
본 개시내용에서, 본딩 패드(220)는 투명 전극 재료로 제조된다. 더욱이, 본딩 패드(220)는 제1 패시베이션층(400) 상에 배치되고, 리드선(120)은 환경에 노출되지 않도록 제1 패시베이션층(400) 아래에 위치된다. 투명 전극 재료가 양호한 내부식성을 갖기 때문에, 본딩 패드(220)는 환경에서 수증기 및 산소에 의한 부식에 대해 내성을 갖고, 또한 후속 공정 동안 부식을 방지하고, 그에 의해 X-선 검출 패널의 서비스 수명을 연장시킬 수 있다.
보조 바이어스 전압 신호 라인(200) 및 본딩 패드(220)는 동일한 재료로 제조될 수 있다. 본딩 패드(220)의 재료가 투명 전극 재료인 경우, 보조 바이어스 전압 신호 라인(200)의 재료는 또한 투명 전극 재료이다. 투명 전극 재료로 제조된 보조 바이어스 전압 신호 라인(200)은 검출 유닛을 차단하지 않고, 따라서 X-선 검출 패널의 개구 비가 영향을 받지 않고, 검출 정확도가 개선된다.
도 4에 도시된 바와 같이, 보조 바이어스 전압 신호 라인(200) 및 본딩 패드(220)는 동일한 층에 있고 동일한 재료로 만들어진다. 한 예에서, 보조 바이어스 전압 신호 라인(200) 및 본딩 패드(220)는 투명 전극 재료로 만들어지고, 본딩 패드(220) 및 보조 바이어스 전압 신호 라인(200)은 하나의 패터닝 공정에 의해 형성된다. 또한, 본딩 패드(220) 및 보조 바이어스 전압 신호 라인(200)이 제1 패시베이션층(400)을 공유하고, 그에 의해 X-선 검출 패널의 제조 방법을 단순화하고 비용을 감소시킨다.
공정을 절감하고 비용을 절약하는 이점 이외에, 보조 바이어스 전압 신호 라인(200)을 제조하기 위해 투명 전극 재료를 사용하는 또 다른 이점은 포토다이오드의 표면을 향하여 방출되는 빛의 차단을 피하고 검출 정확도를 개선하는 것이다.
검출 정확도를 개선하기 위해, 포토다이오드(300)의 캐소드(310)는 투명 전극 재료로 만들어진다.
전술한 바와 같이, 상이한 검출 유닛들에서 포토다이오드들(300)의 검출 전류들을 획득하기 위해, 데이터 전압들이 상이한 행들에서 포토다이오드들(300)에 순차적으로 공급될 수 있다.
한 실시예에서, 상이한 행들에서 포토다이오드들(300)에 데이터 전압들을 순차적으로 공급하기 위해, 도 2에 도시된 것처럼, X-선 검출 패널이 복수의 스위칭 트랜지스터(500), 복수의 데이터 라인(600), 및 복수의 게이트 라인(700)을 추가로 포함한다. 복수의 데이터 라인(600)은 복수의 게이트 라인(700)과 교차하여 X-선 검출 패널을 복수의 검출 유닛, 예를 들어 복수의 행 및 복수의 열로 된 검출 유닛들의 어레이로 분할한다. 도 2에 도시된 바와 같이, 각각의 검출 유닛은 그 안에 하나의 스위칭 트랜지스터(500)를 제공받으며, 스위칭 트랜지스터들(500)의 각각의 열은 동일한 데이터 라인(600)에 대응하고, 스위칭 트랜지스터들(500)의 각각의 행은 동일한 게이트 라인(700)에 대응한다. 도 4에 도시된 바와 같이, 스위칭 트랜지스터(500)의 제1 전극은 도 2 및 도 3 에 도시된 바와 같이 스위칭 트랜지스터(500)가 위치되는 검출 유닛에서 포토다이오드(300)의 애노드(320)에 전기적으로 연결되고, 스위칭 트랜지스터(500)의 제2 전극은 스위칭 트랜지스터(500)에 대응하는 데이터 라인(600)에 전기적으로 연결되고, 스위칭 트랜지스터(500)의 게이트 전극은 게이트 라인(700)에 연결된다.
스캔 신호들은 게이트 구동 회로로부터 복수의 게이트 라인(700)에 순차적으로 공급되어 턴 온되는 제각기 행에서 스위칭 트랜지스터들(500)을 제어할 수 있다. 스위칭 트랜지스터(500)의 제2 전극은 스위칭 트랜지스터(500)에 대응하는 데이터 라인(600)에 전기적으로 연결되고, 스위칭 트랜지스터(500)의 제1 전극은 스위칭 트랜지스터(500)가 위치되는 검출 유닛에서의 포토다이오드(300)의 애노드(320)에 전기적으로 연결되기 때문에, 대응하는 포토다이오드(300)의 애노드는 스위칭 트랜지스터(500)가 턴 온된 후에 대응하는 데이터 라인(600)에 연결될 수 있어서, 포토다이오드의 애노드와 포토다이오드의 캐소드 사이에 커패시터가 형성될 수 있도록 한다.
본 개시내용에서, 주 바이어스 전압 신호 라인(100)의 재료는 특별히 제한되지 않는다. 검출 결과에 대한 저항의 영향을 감소시키기 위해, 주 바이어스 전압 신호 라인(100)은 금속 재료로 만들어진다.
X-선 검출 패널의 서비스 수명을 연장하기 위해, 금속 재료로 만들어진 주 바이어스 전압 신호 라인(100)이 스위칭 트랜지스터(500)를 커버하고, 따라서 스위칭 트랜지스터(500)의 채널 영역상의 광의 직접 조사에 의해 야기되는 노화 현상이 최소화되거나 심지어는 제거될 수 있다.
본 개시내용에서, 포토다이오드의 특정 유형은 특별히 제한되지 않고, 포토다이오드는 PIN 다이오드일 수 있다.
포토다이오드는 비교적 큰 두께를 갖는다. 한 실시예에서, 주 바이어스 전압 신호 라인(100)이 연결해제되는 것을 방지하기 위해, X-선 검출 패널은 평탄화층(800) 및 제2 패시베이션층(900)을 포함한다. 도 4에 도시된 바와 같이, 평탄화층(800)은 포토다이오드(300)를 커버하고, 제2 패시베이션층(900)은 평탄화층(800)을 커버하고, 주 바이어스 전압 신호 라인(100)은 제2 패시베이션층(900) 상에 형성되고 그리고 제2 패시베이션층(900) 및 평탄화층(800)을 통해 관통하는 제3 비아 홀(H3)을 통해 포토다이오드(300)의 캐소드(310)에 전기적으로 연결된다.
평탄화층(800)은 유기 수지 재료로 만들어져서 비교적 큰 두께를 갖는 평탄화층(800)이 획득될 수 있도록 하고, 그에 의해 평탄화의 효과를 더 잘 달성할 수 있다. 수지 재료로 만들어진 평탄화층 상에 금속 재료를 직접 퇴적하기가 어렵기 때문에, 제2 패시베이션층(900)의 존재는 퇴적에 의해 금속 재료로 만들어진 주 바이어스 전압 신호 라인(100)의 형성을 용이하게 할 수 있다.
X-선의 검출 동안, X-선은 가시광으로 변환될 필요가 있고, 이후 포토다이오드는 가시광의 강도를 검출하기 위해 사용되고, X-선의 강도는 가시광의 강도에 따라 결정된다.
한 실시예에서, 신틸레이션층을 활용하여 X-선을 가시광으로 변환할 수 있다.
본 개시내용에 의해 제공되는 X-선 검출 패널은 신틸레이션층을 포함하거나 포함하지 않을 수 있다. X-선 검출 패널이 신틸레이션층을 포함하지 않는 경우, 신틸레이션 필름이 신틸레이션층을 대체하기 위해 사용될 수 있고, X-선 검출 패널을 사용하는 경우, X-선 검출을 수행하기 위한 X-선 검출 패널의 표면 상으로 신틸레이션 필름이 부착한다.
도 4에 도시된 바와 같이, X-선 검출 패널은 X-선 검출 패널의 광 입사 표면 상에 배치된 신틸레이션층(1000)을 추가로 포함한다.
본 개시내용의 또 다른 양태로서, X-선 검출 패널 및 주 바이어스 전압 신호 소스를 포함하는 X-선 검출 디바이스가 제공된다. X-선 검출 패널은 본 개시내용에 제공된 상기 X-선 검출 패널이고, 보조 바이어스 전압 신호 소스를 추가로 포함한다. 주 바이어스 전압 신호 소스는 주 바이어스 전압 신호 라인에 전기적으로 연결되고, 보조 바이어스 전압 신호 소스는 보조 바이어스 전압 신호 라인에 전기적으로 연결된다.
전술한 바와 같이, 보조 바이어스 전압 신호 소스의 존재 하에서, X-선을 검출할 때 보조 바이어스 전압 신호 라인을 통해 주 바이어스 전압 신호 라인에 보조 전압이 공급될 수 있고, 따라서 주 바이어스 전압 신호 라인의 내부 저항에 의해 야기되는 전압 강하가 보상될 수 있고, X-선의 검출 정확도가 개선될 수 있다.
전술한 바와 같이, 구현으로서, X-선 검출 패널은 검출 영역 및 검출 영역의 적어도 하나의 측면상에 위치되는 주변 영역으로 분할되고, 포토다이오드는 검출 영역에 배치된다. 검출 영역의 유효 영역을 개선하기 위해서, 보조 바이어스 전압 신호 소스 및 주 바이어스 전압 신호 소스가 주변 영역에 배치된다.
본 개시내용의 제3 양태로서, 다음의 단계들을 포함하는, X-선 검출 패널의 제조 방법이 제공된다:
S510: 기판을 제공하는 단계;
S520: 포토다이오드를 형성하는 단계;
S530: 주 바이어스 전압 신호 라인을 포함하는 패턴을 형성하는 단계 - 주 바이어스 전압 신호 라인은 포토다이오드의 캐소드에 전기적으로 연결됨 -; 및
S540: 적어도 하나의 보조 바이어스 전압 신호 라인을 포함하는 패턴을 형성하는 단계 - 보조 바이어스 전압 신호 라인은 주 바이어스 전압 신호 라인에 전기적으로 연결됨 -.
본 개시내용에서 제공되는 제조 방법은 본 개시내용에 제공되는 X-선 검출 패널의 제조에 사용되고, 전술한 대로, 보조 바이어스 전압 신호 라인은 주 바이어스 전압 신호 라인에 보조 바이어스 전압을 공급하기 위해 사용되어, 주 바이어스 전압 신호 라인의 내부 저항에 의해 야기되는 전압 강하를 보상함으로써, X-선의 검출 정확도를 개선한다.
본 개시내용에서, 단계들 S530 및 S540이 수행되는 순서는 특별히 제한되지 않는다.
예를 들어, 단계 S530 및 단계 S540은 동시에 수행될 수 있거나, 또는 단계 S530은 단계 S540 이전에 수행될 수 있거나, 또는 단계 S540은 단계 S530 전에 수행될 수 있다.
본 개시내용에서, 단계 S530을 수행하는 방법에 대한 특별한 요구사항은 없다. 예를 들어, 주 바이어스 전압 신호 라인을 포함하는 패턴은 포토리소그래피 패터닝에 의해 형성될 수 있다. 그에 대응하여, 단계 S530은 다음 단계들을 포함할 수 있다:
제1 전도성 재료층을 형성하는 단계;
제1 전도성 재료층 상에 제1 포토레지스트층을 형성하는 단계;
제1 포토레지스트층을 노광 및 현상하여 제1 마스크를 획득하는 단계; 및
습식 에칭을 수행하여 주 바이어스 전압 신호 라인을 포함하는 패턴을 획득하는 단계.
유사하게, 본 개시내용에서는, 단계 S540을 수행하는 방법에 대한 특별한 요구사항은 없고, 보조 바이어스 전압 신호 라인을 포함하는 패턴은 포토리소그래피 패터닝에 의해 형성될 수 있다. 그에 대응하여, 단계 S540은 다음 단계들을 포함할 수 있다:
제2 전도성 재료층을 형성하는 단계;
제2 전도성 재료층 상에 제2 포토레지스트층을 형성하는 단계;
제2 포토레지스트층을 노광 및 현상하여 제2 마스크를 획득하는 단계; 및
습식 에칭을 수행하여 보조 바이어스 전압 신호 라인을 포함하는 패턴을 획득하는 단계.
전술한 바와 같이, X-선 검출 패널은 복수의 포토다이오드 및 복수의 바이어스 전압 신호 라인을 포함할 수 있고, 그에 대응하여, 복수의 바이어스 전압 신호 라인은 복수의 보조 바이어스 전압 신호 라인 및 복수의 주 바이어스 전압 신호 라인을 포함한다. X-선 검출 패널은 검출 영역 및 X-선 검출 패널의 적어도 한 측면상에 위치된 주변 영역으로 분할된다. 검출 영역은 그 각각이 포토다이오드를 제공받는 복수의 검출 유닛으로 분할되고, 동일한 열에서의 검출 유닛에서의 포토다이오드들의 캐소드들은 동일한 주 바이어스 전압 신호 라인에 전기적으로 연결된다. 복수의 주 바이어스 전압 신호 라인이 동일한 층에 배치된다.
현상 공정을 절약하기 위하여, 통상의 공정을 수정하여 본 개시내용에 의해 제공되는 제조 방법을 얻을 수 있다. 즉, 기존의 공정을 이용하여 기판, 포토다이오드 및 주 바이어스 전압 신호 라인을 포함하는 반제품을 제작한 후에, 하나 이상의 보조 바이어스 전압 신호 라인을 포함하는 패턴이 반제품 상에 직접 형성된다.
더욱이, 제조 방법은 단계 S530과 단계 S540 사이에, 다음 단계들을 추가로 포함한다:
제1 패시베이션(400) 층을 형성하는 단계; 및
제1 패시베이션층(400)을 통해 관통하는 제1 비아 홀(H1)을 형성하는 단계.
제1 비아 홀(H1)이 형성된 후, 보조 바이어스 전압 신호 라인을 포함하는 패턴을 형성하는 단계에서 형성된 보조 바이어스 전압 신호 라인(200)은 제1 비아 홀(H1)을 통해 주 바이어스 전압 신호 라인(100)에 전기적으로 연결될 수 있다.
더욱이, 제조 방법은 제1 패시베이션층을 형성하는 단계 후에 제2 비아 홀(H2)을 형성하는 단계를 추가로 포함하고, 제2 비아 홀(H2)은 적어도 제1 패시베이션층(400)을 통해 관통하여 리드선(120)을 노출시킨다. 하나의 패터닝 공정에 의해 제1 비아(H1) 및 제2 비아(H2)가 형성된다.
제조 방법은, 제2 비아 홀(H2)을 형성한 후에, 본딩 패드(220)를 포함하는 패턴을 형성하는 단계를 추가로 포함하고, 본딩 패드(220)는 제2 비아 홀(H2)을 통해 리드선(120)에 전기적으로 연결된다. 보조 바이어스 전압 신호 라인(200)의 패턴 및 본딩 패드(220)의 패턴은 하나의 패터닝 공정에 의해 형성되며, 이는 제조 공정을 단순화한다.
X-선 검출 패널의 제조에서, 보조 바이어스 전압 신호 라인(200) 및 본딩 패드(220)는 제1 패시베이션층(400)을 공유하고, 하나의 패터닝 공정에 의해 제조될 수 있고, 따라서 제조 방법에 필요한 단계들이 감소될 수 있고, 비용이 감소될 수 있다.
전술한 바와 같이, 본딩 패드(220) 및 보조 바이어스 전압 신호 라인(200)은 투명 전극 재료로 만들어질 수 있다. 본 개시내용에 의해 제공되는 제조 방법은 본 개시내용에 의해 제공되는 상기 X-선 검출 패널의 제조에 사용되고, 투명 전극 재료를 사용하여 본딩 패드 및 보조 바이어스 전압 신호 라인을 제조하는 이점이 전술되었고, 여기서 반복적으로 설명되지 않는다.
본 개시내용에서, 패터닝 공정에 의해 본딩 패드(220) 및 보조 바이어스 전압 신호 라인(200)을 포함하는 패턴을 형성하는 방법은 특별히 제한되지 않고, 예를 들어, 본딩 패드 및 보조 바이어스 전압 신호 라인을 포함하는 패턴은 습식 에칭에 의해 형성될 수 있고, 이 경우에 방법은 다음을 포함할 수 있다:
투명 전극 재료층을 형성하는 단계;
투명 전극 재료층 상에 포토레지스트층을 코팅하는 단계;
포토레지스트층을 노출시키고 현상하여 제3 마스크의 패턴을 획득하는 단계; 및
제3 마스크의 패턴이 그 상에 형성된 투명 전극 재료층을 습식 에칭하여 보조 바이어스 전압 신호 라인(200) 및 본딩 패드(220)를 포함하는 패턴을 획득하는 단계.
본 개시내용에서, 제1 패시베이션층(400)의 재료는 특별히 제한되지 않고, 예를 들어 제1 패시베이션층은 실리콘 산화물 및/또는 실리콘 질화물로 형성될 수 있다.
본 개시내용에서, 보조 바이어스 전압 신호 라인(200)의 재료는 포토다이오드를 차단하지 않고 검출 정확도를 개선하기 위해서 투명 전극 재료이다.
전술한 바와 같이, 기판은 복수의 스위칭 트랜지스터, 복수의 데이터 라인, 및 복수의 게이트 라인을 포함하고, 복수의 데이터 라인은 복수의 게이트 라인과 교차하여 X-선 검출 패널을 복수의 검출 유닛, 예를 들어, 복수의 열 및 복수의 행으로 된 검출 유닛들의 어레이로 분할되고, 각각의 검출 유닛은 그 안에 스위칭 트랜지스터가 제공되고, 스위칭 트랜지스터들의 각각의 열은 동일한 데이터 라인에 대응하고, 스위칭 트랜지스터들의 각각의 행은 동일한 게이트 라인에 대응하고, 스위칭 트랜지스터의 제1 전극은 스위칭 트랜지스터가 위치되는 검출 유닛에서의 포토다이오드의 애노드에 전기적으로 연결되고, 스위칭 트랜지스터의 제2 전극은 스위칭 트랜지스터에 대응하는 데이터 라인에 전기적으로 연결되고, 스위칭 트랜지스터의 게이트 전극은 스위칭 트랜지스터에 대응하는 게이트 라인에 전기적으로 연결된다.
한 실시예에서, 주 바이어스 전압 신호 라인은 금속 재료로 만들어지고, 스위칭 트랜지스터를 커버한다. 전술한 바와 같이, 금속 재료로 만들어진 주 바이어스 전압 신호 라인은 작은 내부 저항을 가지므로, 신호 전송 동안의 전압 강하가 감소될 수 있도록 한다. 주 바이어스 전압 신호 라인은 스위칭 트랜지스터를 커버하고, 이는 광이 스위칭 트랜지스터의 채널 영역 상에 직접 조사되는 것을 방지하고 그리고 조명으로 인한 스위칭 트랜지스터의 노화를 방지하고, 그에 의해 X-선 검출 패널의 서비스 수명을 연장시킬 수 있다.
검출 정확도를 개선하기 위하여, 포토다이오드의 캐소드는 투명 전극 재료로 만들어진다.
X-선 검출 패널들의 수율을 개선하기 위해, 제조 방법은, 단계 S520과 단계 S530 사이에 하기 단계들을 포함한다:
포토다이오드가 그 상에 형성된 기판 상에 평탄화층(800)을 형성하는 단계 - 평탄화층(800)은 포토다이오드(300)가 위치되는 층을 커버함 -;
제2 패시베이션층(900)을 형성하는 단계; 및
제2 패시베이션층(900) 및 평탄화층(800)을 통해 관통하는 제3 비아 홀(H3)을 형성하여 - 제3 비아 홀(H3)은 위치에 있어서 포토다이오드의 캐소드(310)에 대응함 -, 주 바이어스 전압 신호 라인(100)이 제3 비아 홀(H3)을 통해 포토다이오드(300)의 캐소드(310)에 전기적으로 연결되도록 하는 단계.
제조 방법은 다음을 추가로 포함한다:
포토다이오드의 광 입사 측면 상에 신틸레이션층(1000)을 형성하는 단계 - 신틸레이션층(1000)은 X-선을 가시광으로 변환할 수 있음 -.
상기 구현들은 본 개시내용의 원리를 설명하기 위해 채택되는 예시적 실시예들에 불과할 뿐이고, 본 개시내용은 그것에만 제한되지는 않는다는 점이 이해될 수 있다. 본 개시내용의 사상 및 범위로부터 벗어나지 않으면서 본 기술분야의 통상의 기술자에 의해 다양한 수정 및 개선이 이루어질 수 있고, 이러한 수정 및 개선은 또한 본 개시내용의 보호 범위 내에 있는 것으로 간주된다.

Claims (19)

  1. X-선 검출 패널로서:
    포토다이오드;
    주 바이어스 전압 신호 라인을 통해 상기 포토다이오드에 주 바이어스 전압이 제공되도록 구성된 상기 주 바이어스 전압 신호 라인; 및
    보조 바이어스 전압 신호 라인을 통해 상기 포토다이오드에 보조 바이어스 전압이 제공되도록 구성된 상기 보조 바이어스 전압 신호 라인을 포함하고;
    상기 보조 바이어스 전압 신호 라인은 상기 주 바이어스 전압 신호 라인에 전기적으로 연결되고, 상기 보조 바이어스 전압은 상기 주 바이어스 전압 신호 라인의 내부 저항으로 인해 상기 보조 바이어스 전압 신호 라인에 전기적으로 연결된 상기 주 바이어스 전압 신호 라인의 위치에서 상기 주 바이어스 전압의 감소를 보상하기 위해 사용되는, X-선 검출 패널.
  2. 제1항에 있어서, 상기 보조 바이어스 전압 신호 라인의 연장 방향은 상기 주 바이어스 전압 신호 라인의 연장 방향에 직교하는 X-선 검출 패널.
  3. 제1항에 있어서, 상기 주 바이어스 전압 신호 라인이 위치되는 층을 커버하는 제1 패시베이션층을 추가로 포함하고,
    상기 보조 바이어스 전압 신호 라인은 상기 제1 패시베이션층 상에 있고,
    상기 보조 바이어스 전압 신호 라인은 상기 제1 패시베이션층을 통해 관통하는 제1 비아 홀을 통해 상기 주 바이어스 전압 신호 라인에 전기적으로 연결되는 X-선 검출 패널.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 제1 패시베이션층 상의 본딩 패드; 및
    상기 제1 패시베이션층 아래의 리드선을 추가로 포함하고,
    상기 본딩 패드는 적어도 상기 제1 패시베이션층을 통해 관통하는 제2 비아를 통해 상기 리드선에 전기적으로 연결되고,
    상기 보조 바이어스 전압 신호 라인은 상기 본딩 패드와 동일한 층에 있고,
    상기 보조 바이어스 전압 신호 라인 및 상기 본딩 패드는 투명 전극 재료로 만들어지는 X-선 검출 패널.
  5. 제2항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 스위칭 트랜지스터를 추가로 포함하고,
    상기 스위칭 트랜지스터의 제1 전극은 상기 포토다이오드의 애노드에 전기적으로 연결되는 X-선 검출 패널.
  6. 제5항에 있어서, 상기 주 바이어스 전압 신호 라인은 금속 재료로 만들어지고 상기 스위칭 트랜지스터를 커버하는 X-선 검출 패널.
  7. 제3항 또는 제4항에 있어서,
    상기 포토다이오드가 위치되는 층을 커버하는 평탄화층, 및
    상기 평탄화층을 커버하는 제2 패시베이션층을 추가로 포함하고,
    상기 주 바이어스 전압 신호 라인은 상기 제2 패시베이션층 상에 있고, 및 상기 제2 패시베이션층 및 상기 평탄화층을 통해 관통하는 제3 비아 홀을 통해 상기 포토다이오드의 캐소드에 전기적으로 연결되는 X-선 검출 패널.
  8. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 X-선 검출 패널의 광 입사 표면 상에 있고 X-선을 가시광으로 변환할 수 있는 신틸레이션층을 추가로 포함하는 X-선 검출 패널.
  9. X-선 검출 패널로서:
    복수의 포토다이오드;
    제각기 복수의 주 바이어스 전압 신호 라인을 통해 상기 복수의 포토다이오드에 주 바이어스 전압들이 제공되도록 구성된 상기 복수의 주 바이어스 전압 신호 라인; 및
    제각기 적어도 하나의 보조 바이어스 전압 신호 라인을 통해 상기 복수의 포토다이오드의 일부에 보조 바이어스 전압이 제공되도록 구성된 상기 적어도 하나의 보조 바이어스 전압 신호 라인을 포함하고;
    상기 적어도 하나의 보조 바이어스 전압 신호 라인은 상기 복수의 주 바이어스 전압 신호 라인 모두에 전기적으로 연결되고, 상기 보조 바이어스 전압은 상기 복수의 주 바이어스 전압 신호 라인의 내부 저항으로 인해 상기 적어도 하나의 보조 바이어스 전압 신호 라인에 전기적으로 연결된 상기 복수의 주 바이어스 전압 신호 라인의 위치에서 상기 주 바이어스 전압들의 감소를 보상하기 위해 사용되는, X-선 검출 패널.
  10. 제9항에 있어서, 상기 복수의 주 바이어스 전압 신호 라인이 위치되는 층을 커버하는 제1 패시베이션층을 추가로 포함하고,
    상기 적어도 하나의 보조 바이어스 전압 신호 라인은 상기 제1 패시베이션층 상에 있고,
    상기 적어도 하나의 보조 바이어스 전압 신호 라인은 상기 제1 패시베이션층을 통해 관통하는 제1 비아 홀들을 통해 상기 복수의 주 바이어스 전압 신호 라인 모두에 전기적으로 연결되는 X-선 검출 패널.
  11. 제9항에 있어서,
    상기 X-선 검출 패널은 검출 영역 및 상기 검출 영역의 적어도 하나의 측면상의 주변 영역으로 분할되고,
    상기 검출 영역은 복수의 검출 유닛으로 분할되고, 상기 복수의 검출 유닛 각각은 그 안에 상기 복수의 포토다이오드 중 하나를 제공받고,
    동일한 열에서의 상기 검출 유닛들의 상기 포토다이오드들의 캐소드들이 동일한 주 바이어스 전압 신호 라인에 전기적으로 연결되는 X-선 검출 패널.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 주변 영역에서의 적어도 하나의 세트의 리드선들, 및
    제2 비아 홀들을 통해 상기 적어도 하나의 세트의 리드선들에 전기적으로 연결되는 복수의 본딩 패드를 추가로 포함하고,
    상기 복수의 주 바이어스 전압 신호 라인은 동일한 층에 있고,
    상기 적어도 하나의 보조 바이어스 전압 신호 라인은 상기 복수의 본딩 패드와 동일한 층에 있고,
    상기 적어도 하나의 보조 바이어스 전압 신호 라인 및 상기 복수의 본딩 패드는 투명 전극 재료로 만들어지는 X-선 검출 패널.
  13. X-선 검출 디바이스로서:
    제9항의 상기 X-선 검출 패널;
    상기 복수의 주 바이어스 전압 신호 라인을 통해 상기 복수의 포토다이오드에 주 바이어스 전압들을 공급하도록 구성된 주 바이어스 전압 신호 소스; 및
    상기 적어도 하나의 보조 바이어스 전압 신호 라인을 통해 상기 복수의 포토다이오드의 일부에 보조 바이어스 전압을 공급하도록 구성된 보조 바이어스 전압 신호 소스를 포함하는 X-선 검출 디바이스.
  14. X-선 검출 디바이스로서:
    제9항의 상기 X-선 검출 패널; 및
    상기 복수의 주 바이어스 전압 신호 라인 및 상기 적어도 하나의 보조 바이어스 전압 신호 라인을 통해 상기 복수의 포토다이오드에 주 바이어스 전압들을 공급하도록 구성된 주 바이어스 전압 신호 소스를 포함하는 X-선 검출 디바이스.
  15. 제13항 또는 제14항에 있어서,
    복수의 데이터 라인; 및
    복수의 게이트 라인을 추가로 포함하고,
    상기 복수의 데이터 라인은 상기 복수의 게이트 라인과 교차하여 상기 X-선 검출 패널이 복수의 행 및 복수의 열로 배열된 검출 유닛들로 분할되고, 및 상기 복수의 행 및 상기 복수의 열로 배열된 상기 검출 유닛들 각각은 그 안에 하나의 포토다이오드 및 하나의 스위칭 트랜지스터를 제공받고,
    스위칭 트랜지스터들의 각각의 열은 동일한 데이터 라인에 연결되고,
    스위칭 트랜지스터들의 각각의 행은 동일한 게이트 라인에 연결되고,
    상기 하나의 스위칭 트랜지스터의 제1 전극이 상기 검출 유닛에서의 상기 포토다이오드의 애노드에 전기적으로 연결되고,
    상기 하나의 스위칭 트랜지스터의 제2 전극은 상기 복수의 데이터 라인 중 하나에 전기적으로 연결되고,
    상기 하나의 스위칭 트랜지스터의 게이트 전극은 상기 복수의 게이트 라인 중 하나에 전기적으로 연결되는 X-선 검출 디바이스.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 X-선 검출 패널은 검출 영역 및 상기 검출 영역의 적어도 하나의 측면상의 주변 영역으로 분할되고,
    상기 복수의 행 및 상기 복수의 열로 배열된 상기 검출 유닛들이 상기 검출 영역에 있고,
    상기 보조 바이어스 전압 신호 소스 및 상기 주 바이어스 전압 신호 소스는 상기 주변 영역에 있는 X-선 검출 디바이스.
  17. X-선 검출 패널의 제조 방법으로서:
    기판을 제공하는 단계;
    상기 기판 상에 포토다이오드를 형성하는 단계;
    상기 포토다이오드 상에 주 바이어스 전압 신호 라인을 포함하는 패턴을 형성하는 단계 - 상기 주 바이어스 전압 신호 라인은 상기 포토다이오드의 캐소드에 전기적으로 연결됨 -; 및
    상기 주 바이어스 전압 신호 라인을 포함하는 패턴 상에 보조 바이어스 전압 신호 라인을 포함하는 패턴을 형성하는 단계 - 상기 보조 바이어스 전압 신호 라인은 상기 주 바이어스 전압 신호 라인에 전기적으로 연결됨 -
    를 포함하고,
    상기 주 바이어스 전압 신호 라인은 상기 포토다이오드에 주 바이어스 전압을 제공하도록 구성되고, 상기 보조 바이어스 전압 신호 라인은 보조 바이어스 전압을 제공하도록 구성되며, 상기 보조 바이어스 전압은 상기 주 바이어스 전압 신호 라인의 내부 저항으로 인해 상기 보조 바이어스 전압 신호 라인에 전기적으로 연결된 상기 주 바이어스 전압 신호 라인의 위치에서 상기 주 바이어스 전압의 감소를 보상하기 위해 사용되는, 제조 방법.
  18. 제17항에 있어서, 상기 주 바이어스 전압 신호 라인을 포함하는 패턴을 형성하는 단계와 상기 보조 바이어스 전압 신호 라인을 포함하는 패턴을 형성하는 단계 사이에:
    상기 주 바이어스 전압 신호 라인이 위치되는 층 상에 제1 패시베이션 재료층을 형성하는 단계; 및
    상기 제1 패시베이션 재료층을 통해 관통하는 제1 비아 홀을 형성하여, 상기 보조 바이어스 전압 신호 라인을 포함하는 패턴을 형성하는 단계에서 획득된 상기 보조 바이어스 전압 신호 라인이 상기 제1 비아를 통해 상기 주 바이어스 전압 신호 라인에 전기적으로 연결되게 하는 단계를 포함하는 제조 방법.
  19. 제18항에 있어서,
    상기 제1 패시베이션 재료층을 형성하는 단계 전에 적어도 하나의 세트의 리드선들을 포함하는 패턴을 형성하는 단계;
    상기 제1 패시베이션 재료층을 형성한 후에 제2 비아 홀을 형성하는 단계 - 상기 제2 비아 홀은 적어도 상기 제1 패시베이션 재료층을 통해 관통하여 상기 리드선을 노출시키고, 상기 제1 비아 홀 및 상기 제2 비아 홀은 하나의 패터닝 공정에 의해 형성됨 -; 및
    상기 제2 비아 홀을 형성한 후에 본딩 패드를 포함하는 패턴을 형성하는 단계 - 상기 본딩 패드는 상기 제2 비아를 통해 상기 리드선에 전기적으로 연결되고, 상기 보조 바이어스 전압 신호 라인을 포함하는 패턴 및 상기 본딩 패드를 포함하는 패턴은 하나의 패터닝 공정에 의해 형성됨 - 를 추가로 포함하는 제조 방법.
KR1020197018841A 2018-02-01 2018-09-26 X-선 검출 패널, 이것의 제조 방법, 및 x-선 검출 디바이스 KR102361454B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810102744.2 2018-02-01
CN201810102744.2A CN108318907B (zh) 2018-02-01 2018-02-01 X射线探测面板及其制造方法和x射线探测装置
PCT/CN2018/107600 WO2019148861A1 (zh) 2018-02-01 2018-09-26 X射线探测面板及其制造方法和x射线探测装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20190094387A KR20190094387A (ko) 2019-08-13
KR102361454B1 true KR102361454B1 (ko) 2022-02-10

Family

ID=62890185

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020197018841A KR102361454B1 (ko) 2018-02-01 2018-09-26 X-선 검출 패널, 이것의 제조 방법, 및 x-선 검출 디바이스

Country Status (6)

Country Link
US (1) US11567222B2 (ko)
EP (1) EP3748677B1 (ko)
JP (1) JP7191027B2 (ko)
KR (1) KR102361454B1 (ko)
CN (1) CN108318907B (ko)
WO (1) WO2019148861A1 (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20230135993A (ko) 2022-03-17 2023-09-26 주식회사 이노메트리 엑스레이 검출 장치
KR20230135994A (ko) 2022-03-17 2023-09-26 주식회사 이노메트리 엑스레이 검출 장치를 이용한 객체 검사 방법

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108318907B (zh) 2018-02-01 2019-10-01 北京京东方光电科技有限公司 X射线探测面板及其制造方法和x射线探测装置
CN110783355B (zh) * 2019-10-31 2024-06-04 京东方科技集团股份有限公司 一种探测面板、其制作方法及检测装置
CN111221025B (zh) * 2020-01-21 2021-08-24 中国工程物理研究院流体物理研究所 一种用丝阵作为阴极的探测器及使用方法及标定方法
CN115704784A (zh) * 2021-08-05 2023-02-17 北京京东方传感技术有限公司 平板探测器和检测装置
CN114284390B (zh) * 2021-12-23 2024-04-16 中国电子科技集团公司第四十四研究所 垂直入射超宽带集成型光电探测器芯片及其制作方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014078651A (ja) * 2012-10-12 2014-05-01 Nlt Technologies Ltd 光電変換装置及びその製造方法並びにｘ線画像検出装置

Family Cites Families (54)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5677539A (en) * 1995-10-13 1997-10-14 Digirad Semiconductor radiation detector with enhanced charge collection
US6046454A (en) * 1995-10-13 2000-04-04 Digirad Corporation Semiconductor radiation detector with enhanced charge collection
US5920070A (en) * 1996-11-27 1999-07-06 General Electric Company Solid state area x-ray detector with adjustable bias
JP2002076360A (ja) * 2000-09-04 2002-03-15 Canon Inc 半導体装置及びその製造方法、放射線撮像システム
JP3778844B2 (ja) * 2001-11-15 2006-05-24 浜松ホトニクス株式会社 イメージセンサおよびそのイメージセンサを用いた撮像システム
US7214945B2 (en) * 2002-06-11 2007-05-08 Canon Kabushiki Kaisha Radiation detecting apparatus, manufacturing method therefor, and radiation image pickup system
JP4147094B2 (ja) 2002-11-22 2008-09-10 キヤノン株式会社 放射線撮像装置及び放射線撮像システム
US7557355B2 (en) * 2004-09-30 2009-07-07 Canon Kabushiki Kaisha Image pickup apparatus and radiation image pickup apparatus
US7453068B2 (en) * 2005-07-06 2008-11-18 Ge Medical Systems Israel, Ltd. Method and apparatus of detecting ionizing radiation
US8067744B2 (en) * 2005-07-06 2011-11-29 Ge Healthcare Israel Method and apparatus of detecting ionizing radiation
JP4908947B2 (ja) * 2005-07-11 2012-04-04 キヤノン株式会社 変換装置、放射線検出装置、及び放射線検出システム
JP2007067622A (ja) * 2005-08-30 2007-03-15 Konica Minolta Holdings Inc 放射線撮像装置
JP5159065B2 (ja) * 2005-08-31 2013-03-06 キヤノン株式会社 放射線検出装置、放射線撮像装置および放射線撮像システム
JP4847202B2 (ja) * 2006-04-27 2011-12-28 キヤノン株式会社 撮像装置及び放射線撮像システム
KR101350795B1 (ko) 2007-06-11 2014-01-10 삼성디스플레이 주식회사 엑스레이 검출기용 박막 트랜지스터 어레이
JP5447519B2 (ja) * 2009-07-01 2014-03-19 コニカミノルタ株式会社 放射線画像撮影装置
JP5505416B2 (ja) * 2009-08-07 2014-05-28 コニカミノルタ株式会社 放射線画像撮影装置
KR101344027B1 (ko) * 2009-12-09 2013-12-24 한국전자통신연구원 커플링 커패시터를 포함하는 광검출기
US8742316B2 (en) * 2009-12-09 2014-06-03 Electronics And Telecommunications Research Institute Photo detector having coupling capacitor
JP5700973B2 (ja) * 2010-08-05 2015-04-15 キヤノン株式会社 検出装置及び放射線検出システム
CN103096799B (zh) * 2010-09-09 2015-05-13 柯尼卡美能达医疗印刷器材株式会社 放射线图像摄像装置以及放射线图像摄像系统
KR20120027708A (ko) * 2010-09-13 2012-03-22 삼성모바일디스플레이주식회사 Ｘ-선 검출기 패널
CN102401906B (zh) * 2010-09-19 2014-03-12 同方威视技术股份有限公司 辐射探测器及其成像装置、电极结构和获取图像的方法
JP5617541B2 (ja) * 2010-11-04 2014-11-05 コニカミノルタ株式会社 放射線画像撮影装置
JP5702704B2 (ja) * 2010-11-26 2015-04-15 富士フイルム株式会社 放射線画像検出装置、及び放射線画像撮影システム
JP5811653B2 (ja) * 2011-07-15 2015-11-11 コニカミノルタ株式会社 放射線画像撮影装置
JP5774114B2 (ja) * 2011-09-29 2015-09-02 キヤノン株式会社 撮像装置、撮像システム、及び撮像装置の制御方法
US9035263B2 (en) * 2011-10-25 2015-05-19 Konica Minolta Medical & Graphic, Inc. Radiation imaging apparatus having an anti-static function
JP2013172101A (ja) 2012-02-22 2013-09-02 Fujifilm Corp 放射線検出器、放射線画像撮影装置、及び放射線画像撮影システム
CN102664184B (zh) * 2012-03-27 2014-08-06 北京京东方光电科技有限公司 一种x射线检测装置的阵列基板的制造方法
CN102629610A (zh) * 2012-03-27 2012-08-08 北京京东方光电科技有限公司 一种x射线检测装置的阵列基板及其制造方法
KR101971111B1 (ko) * 2012-09-11 2019-04-23 삼성디스플레이 주식회사 엑스레이 검출장치
KR102009801B1 (ko) 2012-11-27 2019-08-12 엘지디스플레이 주식회사 디지털 엑스레이 검출기용 박막트랜지스터 어레이 기판
JP5986524B2 (ja) 2013-02-28 2016-09-06 キヤノン株式会社 放射線撮像装置および放射線撮像システム
KR102128379B1 (ko) 2013-08-02 2020-07-01 삼성디스플레이 주식회사 엑스레이 검출 패널 및 그 제조방법
US9594172B1 (en) * 2013-09-09 2017-03-14 The United States Of America, As Represented By The Secretary Of The Navy Solid-state spark chamber for detection of radiation
KR20150040768A (ko) 2013-10-07 2015-04-15 삼성전자주식회사 엑스선 장치 및 엑스선 디텍터
US10381396B2 (en) * 2014-06-30 2019-08-13 Sharp Kabushiki Kaisha Imaging panel and X-ray imaging device
US10353082B2 (en) * 2014-06-30 2019-07-16 Sharp Kabushiki Kaisha Imaging panel and X-ray imaging device
JP6389685B2 (ja) 2014-07-30 2018-09-12 キヤノン株式会社 撮像装置、および、撮像システム
JP6491434B2 (ja) * 2014-08-12 2019-03-27 キヤノン株式会社 放射線撮像装置及び放射線検出システム
JP6251147B2 (ja) * 2014-09-29 2017-12-20 富士フイルム株式会社 電子カセッテおよび電子カセッテの作動方法
WO2016100279A1 (en) * 2014-12-16 2016-06-23 Carestream Health, Inc. Detection of x-ray beam start and stop
CN105824185B (zh) * 2015-01-09 2018-01-16 群创光电股份有限公司 X光感测面板
US10147749B2 (en) * 2015-04-13 2018-12-04 Carestream Health, Inc. Reduction of TFT instability in digital x-ray detectors
JP6535271B2 (ja) * 2015-11-09 2019-06-26 浜松ホトニクス株式会社 放射線検出器、及び放射線検出器の製造方法
JP6650261B2 (ja) * 2015-12-21 2020-02-19 浜松ホトニクス株式会社 光電変換素子
JP6715947B2 (ja) * 2016-03-31 2020-07-01 ビューワークス カンパニー リミテッド 読出しの間比例電荷利得を有する放射線撮像検出器
JP6763185B2 (ja) * 2016-04-08 2020-09-30 コニカミノルタ株式会社 放射線画像撮影装置および放射線画像撮影システム
JP6780291B2 (ja) * 2016-05-16 2020-11-04 コニカミノルタ株式会社 Ｘ線画像撮影装置
US10804314B2 (en) * 2016-09-21 2020-10-13 Sharp Kabushiki Kaisha Imaging panel and method for producing same
US10580818B2 (en) * 2017-02-10 2020-03-03 Sharp Kabushiki Kaisha Imaging panel and method for producing same
KR102552845B1 (ko) * 2017-12-19 2023-07-06 엘지디스플레이 주식회사 엑스레이 영상감지소자
CN108318907B (zh) * 2018-02-01 2019-10-01 北京京东方光电科技有限公司 X射线探测面板及其制造方法和x射线探测装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014078651A (ja) * 2012-10-12 2014-05-01 Nlt Technologies Ltd 光電変換装置及びその製造方法並びにｘ線画像検出装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20230135993A (ko) 2022-03-17 2023-09-26 주식회사 이노메트리 엑스레이 검출 장치
KR20230135994A (ko) 2022-03-17 2023-09-26 주식회사 이노메트리 엑스레이 검출 장치를 이용한 객체 검사 방법

Also Published As

Publication number Publication date
EP3748677A4 (en) 2021-11-17
EP3748677B1 (en) 2024-04-24
US20210364662A1 (en) 2021-11-25
US11567222B2 (en) 2023-01-31
EP3748677A1 (en) 2020-12-09
JP7191027B2 (ja) 2022-12-16
CN108318907B (zh) 2019-10-01
CN108318907A (zh) 2018-07-24
KR20190094387A (ko) 2019-08-13
WO2019148861A1 (zh) 2019-08-08
JP2021512276A (ja) 2021-05-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102361454B1 (ko) X-선 검출 패널, 이것의 제조 방법, 및 x-선 검출 디바이스
US11730035B2 (en) Display substrate, manufacturing method thereof, and display device
CN110808272B (zh) 一种显示面板及其制备方法、显示装置
US7902512B1 (en) Coplanar high fill factor pixel architecture
CN111599825B (zh) 显示基板、显示面板及显示基板的制作方法
US10115777B2 (en) Display Device
KR101468511B1 (ko) Esd 보호 시스템 및 x-레이 플랫 패널 디텍터
CN110071164B (zh) 一种显示基板及其亮度调节方法、显示装置
KR20090057385A (ko) 광센서 어레이
US20210210567A1 (en) Display panel and display device
US11094737B2 (en) Flat panel detector
KR20180047607A (ko) 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
US11011665B2 (en) Thin film transistor array substrate for high-resolution digital X-ray detector and high-resolution digital X-ray detector including the same
US6777685B2 (en) Imaging array and methods for fabricating same
WO2020001145A1 (zh) 平板探测器及其制备方法
US10923080B2 (en) Detection substrate, display panel and display apparatus
US7307301B2 (en) Imaging array
US20240107855A1 (en) Display panel
US10871582B2 (en) Detection panel, manufacturing method thereof and detection device
CN110164946B (zh) 显示基板及制造方法、显示装置
US10872914B2 (en) Detection substrate, ray imaging device and method for driving detection substrate
US7972190B2 (en) Organic electroluminescent device, method for producing organic electroluminescent device, and electronic apparatus
CN111261683A (zh) 显示基板、显示面板和显示装置
CN109166943B (zh) 探测基板及其制造方法、探测器
WO2021072604A1 (zh) 一种探测基板、其制作方法及平板探测器

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant