JP2011145669A5 - - Google Patents

Claims (8)

1. 互いに向かい合って配置された第１の基板と第２の基板と、を有する表示装置であって、
   前記第１の基板上に、
   端子部と、
   酸化物半導体を有するスイッチングトランジスタと、
   第１の光センサと、
   第２の光センサと、
   複数の画素を有する画素回路と、
   前記画素回路と基板端部との間に駆動回路と、を有し、
   前記第１の光センサは、非晶質半導体を有する第１の光電変換素子と、第１の増幅回路と、を有し、
   前記第２の光センサは、多結晶半導体を有する第２の光電変換素子と、第２の増幅回路と、を有し、
   前記第２の基板は、対向電極を有し、
   前記対向電極は、前記スイッチングトランジスタを介して前記端子部と電気的に接続されていることを特徴とする表示装置。
2. 請求項１において、
   前記第１の光電変換素子は、非晶質シリコンを有していることを特徴とする表示装置。
3. 請求項１または請求項２において、
   前記第２の光電変換素子は、多結晶シリコンまたは微結晶シリコンを有していることを特徴とする表示装置。
4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
   前記酸化物半導体のキャリア濃度は、１×１０^１４／ｃｍ^３未満であることを特徴とする表示装置。
5. 請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
   前記駆動回路は、単結晶半導体で作製されていることを特徴とする表示装置。
6. 請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
   前記駆動回路は、ＣＯＧ法、ワイヤボンディング法、またはＴＡＢ法で接続されていることを特徴とする表示装置。
7. 請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
   前記対向電極は、前記スイッチングトランジスタが非導通状態の時に、浮遊状態となることを特徴とする表示装置。
8. 請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、
   前記表示装置は液晶表示装置であることを特徴とする表示装置。