JP4924393B2 - ディスプレイ装置 - Google Patents
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Description
ディスプレイ装置の薄型化に伴って、映像や文字情報等の表示という本来の機能に加えて、ユーザの指示等を入力する入力装置等の機能を併せ持つ多機能化が要求されている。この要求に応えるものとして、ユーザの指やスタイラスペン(いわゆるタッチペン等)が表示画面に接触または接近したことを検出するディスプレイ装置が知られている。
しかしながら、タッチパネルの付加が表示パネルの薄型化に不利であり、コスト増の要因になる。特に抵抗膜方式のタッチパネルは、ある程度の強さで画面を押さないと抵抗値変化が検出できず、そのために表示面を歪ませることになる。また抵抗膜方式のタッチパネルは1点検出が原則であり、用途が限られる。
これに対し、特許文献2に記載された表示装置は、液晶(または有機EL)表示パネル内に非可視光に感度をもつ受光素子(以下、光センサという)を有している。液晶表示パネルの場合、液晶表示パネルの一方の主面(背面)側にバックライトが配置されている。バックライトからの光は、可視光成分と非可視光成分を含んでおり、液晶表示パネルを透過する際に液晶層で、入力される映像信号に応じた変調を受けて、他の主面(前面または表示面)から出射される。この出射される光(出射光)の可視光成分に対する変調によって、所定の画像表示が行われる。
特許文献1に記載された表示装置は、人の指やスタイラスペン等の被検出物で反射された光を、可視光と非可視光の両方で検出できる構成となっている。
ところが、照明電源のオフが真っ暗な環境下でなされると、表示面の位置に触れる動作を手探りで行わなければならないため、使い勝手が悪い。
例えば、情報を表示する表示部の表示面側に被検出物が接触または近接すると、蓄光部からの出力光が、表示部内の光センサに入力される。光センサに入射された出力光は非可視光成分を含んでおり、光センサは、この非可視光成分に基づいて被検出物を検出する。
また、蓄光部からの残光によって、照明電源がオフされた後など、光エネルギーの供給が途絶えた後でも暫くは、蓄光部が目で見えるように光っており、この光を表示部の照明光として利用可能である。
フロントライト配置では、光変調部の背面側に反射面、フロント側に蓄光部と表示面を位置させることができるため、外光が蓄光部へ容易に入射される。また、表示面のすぐ近くに蓄光部と光センサを配置できる。よって、出力される非可視光の光量が弱い場合でも、被検出物が光センサによって確実に検出される。
本実施形態は、バックライトを有する透過型液晶表示装置に関する。
図1に、透過型液晶表示装置の概略的な全体構成図を示す。
蓄光部60は、例えば紫外から可視光を含む光を入射し、入射光の一部を吸収して可視光および非可視光を含む「残光」を出力可能に構成されている。蓄光部60は、液晶パネル200内に分散して配置される場合があるが、図1では、例えばシート状に他の構成と別構成で形成されている。図1の例では、蓄光部60が、液晶パネル200とバックライト300の間に形成されている。蓄光部60は液晶パネル200に形成される場合と、バックライト300に形成される場合がある。
蓄光部60が入射光から「残光」を発生する蓄光のための材質と、より詳細な作用や効果は後述する。
CF基板202の液晶層203側の面に、カラーフィルタ204が形成されている。
図1に、有効表示領域PAに光センサ部1がマトリクス状に配置されている液晶パネル200の一断面を示している。図1において、複数(ここでは5個のみ表示)の光センサ部1が等間隔に配置されている。光センサ部1は、位置検出のためには一方向で5個より十分多い数が必要であり、図1は図示の便宜上、光センサ部1の表示数を5個と少なくしている。位置検出の機能を有効表示領域PAの一部に限定する場合は、その限定された表示領域に光センサ部1が規則的に配置される。
画素領域(PA1)は、例えば赤(R),緑(G),青(B)などの複数色が画素ごとに割り当てられた画素の配置領域である。色の割り当ては、画素が対向するカラーフィルタの透過波長特性によって決められる。
画素の配置領域には、図1で図示していないが、画素構成に応じて、画素電極と対向電極間の液晶容量を補助する補助容量、画素電極への印加電位を、入力される映像信号の電位に応じて制御するスイッチング素子等も形成される。
図1に例示するバックライト300は、光源301と、光源301から照射された光を拡散することよって面状の光に変換する導光板302とを有している。バックライト300は、導光板302に対する光源301の配置位置に応じて、サイドライト型、直下型などがあるが、ここではサイドライト型を例示する。
光源301は、例えば、冷陰極管ランプにより構成されている。具体的には、光源301は、ガラス管内の低圧水銀蒸気中のアーク放電により発生する紫外線を蛍光体で可視光線に変換して放射する。なお、光源301は、冷陰極管ランプに限定されず、例えば、LEDやEL素子によって構成されてもよい。
図2に、図1に示す構成の分解斜視図を示す。
液晶パネル200は、TFTアレイ基板201に画素回路やセンサ読み出し回路等を他方面側に形成した後、配向膜とスペーサ(不図示)を同じ面に形成する。CF基板202の一方面に、カラーフィルタ204(図1参照)と配向膜(不図示)を形成し、この形成面側が、TFTアレイ基板201の他方面に対面するように、2つの基板を張り合わせる。その後、液晶をスペーサにより形成された基板の対向空間に封入してシールする。TFTアレイ基板201の一方面に第1の偏光板206を配置し、CF基板202の他方面に第2の偏光板207を配置する。
図3は、液晶パネル内の駆動回路の構成例を示すブロック図である。
図1にも示すが、有効表示領域PAの周囲に周辺領域CAが存在する。周辺領域CAは、TFTアレイ基板201の有効表示領域PA以外の領域をいう。周辺領域CAには、図3に示すように、有効表示領域PA内のTFTと一括して形成されるTFTを含んで構成された幾つかの機能ブロックにより示される駆動回路が形成されている。
ディスプレイドライバ12は、映像信号のデータ電位をサンプリングしてデータ信号振幅を発生し、列方向の画素で共通な信号線にデータ信号振幅を排出する等の機能を有する回路である。
センサドライバ13は、所定の密度で画素の配置領域内に分散配置された光センサ部1に対し、垂直ドライバ11と同様な制御線の走査と、制御線の走査に同期してセンサ出力(検出データ)の収集を行う回路である。
スイッチアレイ14は、複数のTFTスイッチから構成され、ディスプレイドライバ12によるデータ信号振幅の排出制御と、表示部10からのセンサ出力の制御を行う回路である。
DC/DCコンバータ15は、入力される電源電圧から、液晶パネル200の駆動に必要な電位の各種直流電圧を発生する回路である。
既に述べたように、画素と光センサ部とは有効表示領域PA内で規則的に配置される。その配置の規則は任意であるが、複数の画素と1つの光センサ部を組として、この組を有効表示領域PA内にマトリックス状に配置するとよい。
ここでは、R,G,Bの3画素と1つの光センサ部1を1組とする配置例を説明する。
図4に図解するブラックマトリックス21Kは、そのパターンによって4つの開口部を形成している。このうち、3つの画素開口部XAに、3色のフィルタが配置されている。
より詳細に、赤フィルタ21Rと、緑フィルタ21Gと、青フィルタ21Bとが一方向にこの順で配置されている。赤フィルタ21Rと緑フィルタ21Gとの間、緑フィルタ21Gと青フィルタ21Bとの間は、それぞれ、一定幅のブラックマトリックス21Kを介して互いに離れている。3色のフィルタは、同じ画素ラインに配置されるため、その高さ(縦方向のサイズ)を一定としている。
また、センサ開口部SAには、可視光を遮断し非可視光(IR光)を通す「ブラックのフィルタ」を設けてもよい。
図5(A)に光センサ部1の平面図の一例を、図5(B)に、図5(A)のパターンに対応する光センサ部1の等価回路の一例を示す。
図5(B)に図解する光センサ部1は、3つのトランジスタ(ここではNチャネル型TFT)とフォトダイオードPDとを有する。
3つのトランジスタは、リセットトランジスタTS、アンプトランジスタTA、読み出しトランジスタTRである。
読み出しトランジスタTRは、ドレインがアンプトランジスタTAのソースに接続され、ソースが検出線35に接続され、ゲートがリード制御信号(READ)の供給線(以下、リード制御線)34に接続されている。
図5(A)に示すパターン図において図5(B)に示す素子やノードには同一符号を付しているため、素子間の電気的接続は明らかである。
VDD線31、VSS線32および検出線35は、例えばアルミニウム(AL)の配線層から形成され、リセット線33とリード制御線34はゲートメタル(GM)、例えばモリブデンMoから形成されている。ゲートメタル(GM)はアルミニウム(AL)の配線層より下層に形成される。ゲートメタル(GM)より上層で、アルミニウム(AL)より下層の階層に、ポリシリコン(PS)層が4つ孤立して配置されている。リセットトランジスタTS、読み出しトランジスタTR、アンプトランジスタTAおよびフォトダイオードPDは、それぞれPS層を有している。
これに対し、フォトダイオードPDでは、PS層からなる薄膜半導体層36の一方と他方にP型とN型の逆導電型の不純物が導入されているためダイオード構造となっている。P型の不純物領域が、フォトダイオードPDのアノード(A)領域あるいはストレージノードSNを構成する。N型の不純物領域が、フォトダイオードPDのカソード(K)領域を構成し、コンタクトを介して上層のVDD線31と接続されている。
同様な理由から、画素(PIX)のスイッチング素子SWの前面側も遮光されている。
図5には、TFTアレイ基板201を基体として形成された画素電極40と、各種配線と、スイッチング素子SWと、それらの接続が示されている。
画素電極40は、コンタクト41を介して下層のアルミニウム(AL)等からなる内部配線42と接続されている。内部配線42が、ポリシリコン(PS)からなるスイッチング素子SWの薄膜半導体層43に形成されたソースとドレインの一方に接続されている。薄膜半導体層43のソースとドレインの他方に、アルミニウム(AL)からなる信号線45が接続されている。薄膜半導体層43の下層に交差する垂直走査線44が、モリブデン(Mo)等のゲートメタル(GM)から形成され、信号線45と直交する向きに配置されている。
ここで液晶層203は、ネマチック液晶で構成される。TFTアレイ基板201およびCF基板202の外側面に接着剤を介して密着状態で設けられている第1の偏光板206と第2の偏光板207は、クロスニコル状態で設けられる。
信号線45および垂直走査線44(ゲートメタル(GM))の材料としては、アルミニウム(Al)、モリブデン(Mo)、クロム(Cr)、タングステン(W)、チタン(Ti)、鉛(Pb)、これらの複合層(例えば、Ti/Al)、または、これらの合金層を用いることが可能である。
図7(A)にPIN構造のフォトダイオードPDを、図7(B)にPDN構造のフォトダイオードPDを、それぞれ示す。
フォトダイオードPDの薄膜半導体層36において、受光感度を有する領域が、PIN構造(図7(A))では不純物が導入されていないI領域であり、PDN構造(図7(B))ではN型不純物が低濃度に導入されたD領域(N−領域)である。
本実施形態では、PIN構造、PDN構造のいずれも採用可能である。
図8は、位置検出に利用されるIR光の発生手段を説明するための、模式的な液晶表示装置100の断面図である。
図8および図1に示すように、フォトルミネッセンス部材(蓄光部60)が、例えば、バックライト300と液晶パネルの間に形成されている。
残光の持続時間は、蓄光部60を構成する蓄光材料にもよるが、マイクロ秒オーダから、長いものでは数十時間(1日程度)にもなる。「残光」のこの持続時間が長い成分は「燐光」とも呼ばれ、持続時間がナノオーダの「蛍光」と異なる。なお、「残光」は「燐光」を含んでいればよく、さらに「蛍光」を含んでもよい。
蓄光部60の蓄光作用により、図1に示すIR光源301bの数を減らし、場合によってはIR光源301bを全く不要にでき、その結果、コストダウンが可能である。
また、残光に可視光成分(VL)を含むことから、暗闇の中でバックライト300を消しても、蓄光材料から可視光成分(VL)が出力することによって、画像や文字の表示に用いる被変調光の供給ができる。また、被検出物の検出時に、手元を照らす照明光として可視光成分(VL)を用いることができる。
(1)蓄光材料を板状にしたもの、複数のシートを層状に重ねたものとして蓄光部60を形成する。
(2)上記赤外フォトルミネッセンス材料を、蛍光管バックライトの中に分散させる。
(3)IR光源301b自体は白色LEDから形成し、そのガラス等で封止されたパッケージ内部に蛍光体として赤外フォトルミネセンス材料を入れる。
(4)導光板302の材料内に赤外フォトルミネセンス材料を分散させる。
(5)導光板302に対し拡散材料として赤外フォトルミネセンス材料をパターニングする、あるいは、赤外フォトルミネセンス材料を拡散シートに塗布して、当該シートを導光板302に張り付ける。パターニングやシート張り合わせを行なう箇所は、導光板302の光出射面、あるいは、出射面と対向する面の反射面より導光板302寄りの位置が採用できる。
(6)赤外フォトルミネッセンス材料を、駆動用の薄膜トランジスタの平坦化膜中にサブミクロンオーダーの微粒子として分散させる。
次に、図1〜図7ならびに図8を参照して、液晶表示装置100の動作の一例を説明する。
液晶パネル200の背面側に設置されたバックライト300からの照明光は、蓄光部60から液晶パネル200内に入射され、第1の偏光板206、TFTアレイ基板201、液晶層203、カラーフィルタ204、CF基板202、および、第2の偏光板207を、この順で透過して、前面から外部に出射される。
この透過の最中に照明光は偏光や変調を受けて偏波面や光強度等が変化する。また、蓄光部の実現形態に応じて、照明光の一部が蓄光部で吸収され、照明オフ後にも残光発生は可能となる。
図8に示すように、TFTアレイ基板201にはフォトダイオードPDが形成されているが、そのバックライト側は電極によって覆われ、照明光が入射され難い。このため、例えば図5(A)に破線で示す光センサ部1内の開口部、および、図6に示す画素(PIX)内の配線間の開口部を通って光がTFTアレイ基板201から出力される。
光センサ部1を通過する光は、画素を透過する光のような、電気信号による変調を受けることなく、そのまま液晶パネル200の表示面200Aから出射される。
指またはスタイラスペン等の被検出物が表示画面に接触または近接すると、液晶パネル200から出射される光が、被検出物で反射され液晶パネル200内に戻される。この戻された光(反射光(RL))は、液晶パネル200内の層界面や配線等の反射物で屈折や反射を繰り返すため、一般に、反射光は液晶パネル200で広がって進む。よって、被検出物の大きさにもよるが、反射光は、複数のフォトダイオードPDの少なくとも1つに到達する。
本実施形態は、反射型液晶表示装置に関する。
一般的な反射型液晶パネルは、図1において、バックライト300がなく、代わりに、液晶層203と表示面200Aとの間に、照明部(フロントライト)が配置される。
図9に図解する液晶表示装置100Aは、反射型液晶パネルの表示面200A側に、フロントライト機能を有するフォトルミネッセンス部材(蓄光部60A)が配置されている。また、表示面200Aと反対の側に反射面200Bが設けられている。
蓄光部60Aは、第1実施形態で例示した、可視光、赤外光の両方に発光を持つ蓄光材料を用いて形成される。
この照明光の可視光成分(VL)は、このような経路の途中で入力信号に応じた変調を受けて、情報が付加されて表示に供せられる。
これに対し、第2実施形態では、図9に示すように、蓄光部60Aが表示面200Aの近くに配置され、赤外光成分(IR)の利用効率が高く、位置検出のS/N比が大きい。
フロントライト光量が不足する場合は、蓄光部60Aとは別に照明部(フロントライト)を設け、蓄光部60Aからの光はその補助照明光としてもよい。
図10は、本実施形態において、位置検出のためのIR光を発生する手段を説明するための、模式的な液晶表示装置の断面図である。
図10に図解する液晶表示装置100Bは、液晶パネルのCF基板202に、カラーフィルタ基板側に、互いに分離した複数の蓄光部60Bがパターニングされている。蓄光部60Bが形成されるCF基板202の面は、図示のように液晶層203側の面でもよいし、表示面200A側の面でもよい。
また、例えば、カラーフィルタとの組み合わせにより、IR光検出精度向上のための設計が可能となる。
なお、第3〜第5実施形態においては照明部は必要であるが、照明オフ時には蓄光部が簡易的な補助照明として機能する。
図11は、第4実施形態において、位置検出のためのIR光を発生する手段を説明するための、液晶表示装置の断面図である。図12は、本発明が適用されていない液晶表示装置において、図11とほぼ同じ断面を示す比較例の断面図である。
本実施形態における蓄光部60Cは、可視光成分(VL)をフォトダイオードPD側に透過させるとS/N比を悪くすることから、可視光成分(VL)を遮断する、図12のIR透過フィルタ(IRPF)と同様なフィルタ機能を備えることが必要である。具体的には、蓄光部60Cを2層構造として、そのフォトダイオードPD側の層にIR透過フィルタ(IRPF)と同様な可視光遮断の機能を持たせ、他の層に蓄光の機能を持たせるとよい。
また、赤外フォトルミネッセンス材料(赤外蓄光材料)の多くは可視光に吸収を持つため色が付くが、可視光を遮光する領域に選択的に配設するために、パネルの透過率の低下率を回避することが可能となる。
図13は、第5実施形態において、位置検出のためのIR光を発生する手段を説明するための、液晶表示装置の断面図である。
図解する液晶表示装置100Dは、図12における構造において、赤フィルタ21Rの位置に、これと置き換えて、赤フィルタ21Rの機能と蓄光機能を併せ持つフィルタ蓄光部60Dを配置している。具体的には、従来の赤フィルタ21Rの中に、赤外フォトルミネッセンス材料を分散することにより、蓄光の機能を持たせることができる。
なお、IR透過フィルタ(IRPF)はセンサ領域(PA2)において形成されているため、可視光遮断の機能は十分に高い。
図14は、第6実施形態において、位置検出のためのIR光を発生する手段を説明するための、液晶表示装置の断面図である。
図14に図解する液晶表示装置100Dは、検出対象物としてのスタイラスペン101を備品として有する。
スタイラスペン101において、先端を含む領域に設けられている蓄光部60Eは、第1実施形態の蓄光部60と同様な蓄光材料(フォトルミネッセンス材料)から形成されている。スタイラスペン101は、ユーザが液晶パネル200に表示されたアプリケーションの表示コンテンツに応じて指示を与え、あるいは、情報を入力するときに、蓄光部60Eが形成されたペン先を液晶パネル200の表示面200Aに接触または近接させて用いる。
変形例1では、非可視光を受光する受光素子としてのフォトダイオードPDの他に、可視光を主成分とする外光を検出し、その検出結果に応じて図1に示すバックライト300から出力される光の強度を制御する例を示す。ここでは図1〜図8に示す第1実施形態の変形例を説明するが、バックライト等の照明部を有する限り、変形例1は他の実施形態にも適用できる。
外光センサを有効表示領域PA内に配置する場合、外光センサを、非可視光を受光する光センサ(フォトダイオードPD)と同様にマトリクス状に配置することができる。この場合、各外光センサを、周囲に存在する複数の光センサから等距離の位置に配置する。例えばフォトダイオードPDと外光センサとが、有効表示領域PAの平面視で市松模様を形成するようにするとよい。
市松模様でなくとも、外光センサを等間隔で配置してよい。このほか、外光センサを、有効表示領域PAの四隅付近に配置する、有効表示領域PAの外側辺のうち、少なくとも1辺に近い位置に並べて配置するなど、配置と数に制限はない。
なお、非可視センサのフォトダイオードPDにおいてもアモルファスシリコンまたは微結晶シリコンを薄膜半導体層の材料に用い得ることは既に述べたが、この場合の薄膜半導体層と、外光センサの薄膜半導体層とは、エネルギーバンドギャップが違うため赤外の吸収特性が異なるように形成されたものを使用する。ただし、可視光センサおよび光センサとして、エネルギーバンドギャップが異なり感度が多少低いが、ポリシリコンまたは結晶シリコンを薄膜半導体層の材料に用いることは可能である。このような場合、フィルタ側に波長選択性を持たせるとよい。
これにより、外光センサによって得られた受光データにおいて、受光した光の強度が大きい場合には、バックライト300が、より大きな強度の照明光を照射するように制御される。受光した光の強度が小さい場合には、バックライト300が、より小さな強度の照明光を照射するように制御される。
また、暗闇等の外光の強度が極めて低い状態においては、表示パネルの表面での反射光による画質低下(コントラスト低下)は発生せず、バックライト300の発光強度を落とす必要がある。変形例1では、表示装置の表面輝度を下げることが可能となり、これにより、バックライト300の消費電力を削減することができる。
本変形例1では、このような画質低下(コントラスト低下)と消費電力の削減を、外光量の変化に応じて適応的に制御できる利点がある。
よって図15からは、外光センサを有効表示領域PA内に配置するほうが望ましいことが分かる。
図16に示す画面は、マトリックス状に細かく配置された複数の光センサ部の各出力を、検出(白)と非検出(黒)のドット表示として、それを画面上でマッピングしたものである。
図16からも、外光センサを有効表示領域PA内に配置したほうが、検出精度が高いことが分かる。
本実施形態およびその変形例1において、非可視光として赤外線(IR光)を主として説明に用いたが、紫外線であってもよい。
本実施形態およびその変形例1,2は、液晶表示装置に限らず、有機EL表示装置などの自発光型表示装置、電子ペーパーに応用可能な電子遊動を用いた表示装置などに広く適用できる。
電子遊動を用いた表示装置は、画素電極と対向基板(透明基板)に備えられる共通電極との間に、電子インクを備える。電子インクは、図1における液晶層203に代わるもので、液体中に懸濁する、正に帯電した白の粒子と負に帯電した黒の粒子とを有する複数のマイクロカプセルを備える。電子遊動は、画素電極と共通電極間に印加される電界が正の場合と負の場合で、画素電極側と共通電極側に移動する粒子が白と黒で反転し、透明基板側に移動する白の粒子の割合が多いときに画素が明るく観測者から見えることを利用して、入力データに応じた画素の階調表示を可能とする。このため、液晶層203の光変調の仕方以外は、上記の実施形態の説明がほぼ同様に適用できる。
一方、有機EL表示装置は、バックライト300が不要で、表示パネル内で画素ごとに積層された有機材料膜自体が、印加する電界の大きさに応じた輝度で発光する現象を利用している。したがって、集光レンズは、例えば層内レンズ層により形成することが望ましい。それ以外は、上記の実施形態の説明がほぼ同様に適用できる。
実施形態およびその変形例1〜3は、以下の各種製品の文字や画像の表示部品と適用できる。
具体的には、テレビジョン受像装置、パーソナルコンピュータ等のモニタ装置、携帯電話、ゲーム機、PDAなどの映像再生機能を持つモバイル機器、スチルカメラやビデオカメラ等の撮影装置、カーナビゲーション装置などの車載機器などに、上記実施形態およびその変形例1〜3が適用可能である。
表示パネルの前面側に配置する、2層導電性フィルムもしくは薄型ガラスを有する抵抗式や静電容量式のタッチパネルが必要でなくなる。つまり、タッチパネルの機能を表示パネル内に具備する「インセルタッチパネル」が実現できる。このため、表示装置のコンパクト化、特に薄型化が達成できる。
残光による補助照明が可能なため、照明部のコストダウンが可能である。暗い環境での使用に限れば、照明部自身が不要となる。
Claims (9)
- 表示面を備え、前記表示面に情報を表示することが可能な表示部を有し、
前記表示部は、
可視光を含む光を入射し、入射光の一部を吸収して非可視光を含む残光として出力可能な蓄光部と、
前記蓄光部からの出力光の非可視光成分に基づいて、前記表示面側の被検出物を検出する光センサと、
を内部に含む
ディスプレイ装置。 - 前記表示部は、
可視光を含む照明光を発生する照明部と、
蓄光材料から形成され、前記照明光の一部を吸収し、吸収された以外の残りの前記照明光を出力し、吸収した前記一部の照明光を、非可視光を含む残光として出力可能な前記蓄光部と、
前記蓄光部からの出力光を入射し、当該入射した出力光を入力信号に応じて変調して出射する光変調部と、
前記光変調部で変調されることにより前記情報が付加された前記出力光を外部に出射する前記表示面と、
前記出力光が前記表示面側の被検出物で反射することにより生じた反射光の非可視光成分を受光する前記光センサと、
を有する請求項1に記載のディスプレイ装置。 - 前記照明部が
光源と、
前記光源からの光を面状の前記照明光に変換する導光板と、
を備えて前記表示部の反表示面側に配置され、
前記蓄光部が、前記照明部の側から前記光変調部までの間に形成されている
請求項2に記載のディスプレイ装置。 - 前記表示部が、
前記表示面と、
蓄光材料から形成され、前記表示面から入射する外光の一部を吸収し、残りの前記外光を出力し、吸収した前記一部の外光を、非可視光を含む残光として出力可能な前記蓄光部と、
前記蓄光部からの出力光を反射して、前記表示面から外部に出射させる反射面と、
前記蓄光部からの前記出力光が前記反射面で反射して前記表示面から出射される途中の光路で、前記出力光を入力信号に応じて変調する光変調部と、
前記蓄光部からの出力光が前記表示面側の被検出物で反射することにより生じた反射光の非可視光成分を受光する前記光センサと、
を有する請求項1に記載のディスプレイ装置。 - 前記表示部は、画素を配置するための複数の画素領域と、前記光センサを配置するための複数のセンサ領域とが前記表示面から見て規則的に決められており、
前記蓄光部が前記画素領域ごとに形成されている
請求項1に記載のディスプレイ装置。 - 前記非可視光が赤外光であり、
前記光センサが赤外光に感度をもつ赤外光センサであり、
前記蓄光部が、赤色光の透過フィルタに蓄光材料を含有させることにより形成されている
請求項5に記載のディスプレイ装置。 - 前記表示部は、画素を配置するための複数の画素領域と、前記光センサを配置するための複数のセンサ領域とが前記表示面から見て規則的に決められており、
前記蓄光部が前記センサ領域ごとに形成されている
請求項1に記載のディスプレイ装置。 - 表示面を備え、前記表示面に情報を表示することが可能な表示部と、
可視光を含む光を入射し、入射光の一部を吸収して非可視光を含む残光として出力可能な蓄光部が、先端を含む領域に形成されているスタイラスペンと、
を有し、
前記蓄光部からの出力光の非可視光成分に基づいて、前記表示面側の被検出物を検出する光センサが、前記表示部内に設けられている
ディスプレイ装置。 - 前記表示部は、
可視光を含む照明光を発生する照明部と、
前記照明光を入射し、当該入射した照明光を入力信号に応じて変調して出射する光変調部と、
前記光変調部で変調された前記照明光を外部に出射する前記表示面と、
をさらに有する請求項8に記載のディスプレイ装置。
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