JP2008171871A5 - - Google Patents
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Claims (18)
- 絶縁性基板上に形成された光センサ素子であって、少なくとも第一の半導体層で作製された第一の電極と第二の電極との間に、第二の半導体層で作製された受光層があり、第一の半導体層と第二の半導体層は、相（phase）状態が異なる、または、半導体材料が異なることを特徴とする光センサ素子。
- 請求項１に記載の光センサ素子において、第一の電極と第二の電極とが第一の半導体層で作製され、第一の半導体層の上部に第二の半導体層で作製された受光層があることを特徴とする光センサ素子。
- 請求項１に記載の光センサ素子において、第一の電極と第二の電極とで多数キャリアの種類が異なる、または、同じであることを特徴とする光センサ素子。
- 請求項１に記載の光センサ素子において、第一電極と第二の電極は、複数の絶縁層を開口したコンタクトホールに形成した受光層に接続されていることを特徴とする光センサ素子。
- 請求項１に記載の光センサ素子において、第一電極と第二の電極の各々は、複数の絶縁層を開口した各々のコンタクトホールに形成した受光層で接続されていることを特徴とする光センサ素子。
- 請求項１に記載の光センサ素子において、第一の半導体層が多結晶シリコン薄膜、多結晶シリコンゲルマニウム薄膜のいずれかであり、第二の半導体層が非晶質シリコン薄膜、微結晶シリコン薄膜、非晶質シリコンゲルマニウム薄膜、微結晶シリコンゲルマニウム薄膜のいずれかであることを特徴とする光センサ素子。
- 請求項１に記載の光センサ素子において、光非照射、電圧非印加条件下において、第一の半導体層中の多数キャリアの濃度が１×１０19個／ｃｍ3以上、第二の半導体層中の多数キャリアの濃度が１×１０17個／ｃｍ3以下であることを特徴とする光センサ素子。
- 請求項１に記載の光センサ素子において、第一の電極と第二の電極とが第一の半導体層で作製され、第一の半導体層の上部に第二の半導体層で作製された受光層と、受光層の上部に絶縁膜を介して第三の電極が形成されていることを特徴とする光センサ素子。
- 請求項１に記載の光センサ素子において、第一の電極が第一の半導体層で作製され、第一の半導体層の上部に第二の半導体層で作製された受光層と、第二の半導体層の上部に第二の電極が金属層で形成されていることを特徴とする光センサ素子。
- 絶縁性基板上に形成された光センサ素子と、光センサ素子からの出力を処理する光センサ出力処理回路とで構成される光センサ装置であって、
光センサ素子は、少なくとも第一の半導体層で作製された第一の電極と第二の電極との間に、第二の半導体層で作製された受光層があり、第一の半導体層と第二の半導体層は、相（phase）状態が異なる、または、半導体材料が異なり、
光センサ出力処理回路は、薄膜トランジスタで構成され、薄膜トランジスタのチャネル、ソース及びドレインは、第一の半導体層で形成されていることを特徴とする光センサ装置。 - 請求項１０に記載の光センサ装置において、光センサ素子は、第一の電極と第二の電極とが第一の半導体層で作製され、第一の半導体層の上部に第二の半導体層で作製された受光層があることを特徴とする光センサ装置。
- 請求項１０に記載の光センサ装置において、光センサ素子は、第一の電極と第二の電極とが第一の半導体層で作製され、第一の半導体層の上部に第二の半導体層で作製された受光層と、受光層の上部に絶縁膜を介して第三の電極が形成されていることを特徴とする光センサ装置。
- 請求項１０に記載の光センサ装置において、光センサ素子は、第一の電極が第一の半導体層で作製され、第一の半導体層の上部に第二の半導体層で作製された受光層と、第二の半導体層の上部に第二の電極が金属層で形成されていることを特徴とする光センサ装置。
- 請求項１０に記載の光センサ装置において、第一の半導体層が多結晶シリコン薄膜、多結晶シリコンゲルマニウム薄膜のいずれかであり、第二の半導体層が非晶質シリコン薄膜、微結晶シリコン薄膜、非晶質シリコンゲルマニウム薄膜、微結晶シリコンゲルマニウム薄膜のいずれかであることを特徴とする光センサ装置。
- 絶縁性基板上に形成された光センサと、光センサからのセンサ信号を処理する光センサ出力処理回路と、センサ信号に応じて複数の画素を駆動する周辺回路で構成される画像表示装置であって、
光センサは、少なくとも第一の半導体層で作製された第一の電極と第二の電極との間に、第二の半導体層で作製された受光層があり、第一の半導体層と第二の半導体層は、相（phase）状態が異なる、または、半導体材料が異なり、
光センサ出力処理回路は、薄膜トランジスタで構成され、薄膜トランジスタのチャネル、ソース及びドレインは、第一の半導体層で形成されていることを特徴とする画像表示装置。 - 請求項１５に記載の画像表示装置において、光センサは、第一の電極と第二の電極とが第一の半導体層で作製され、第一の半導体層の上部に第二の半導体層で作製された受光層があることを特徴とする画像表示装置。
- 請求項１５に記載の画像表示装置において、光センサは、第一の電極と第二の電極とが第一の半導体層で作製され、第一の半導体層の上部に第二の半導体層で作製された受光層と、受光層の上部に絶縁膜を介して第三の電極が形成されていることを特徴とする画像表示装置。
- 請求項１５に記載の画像表示装置において、光センサは、第一の電極が第一の半導体層で作製され、第一の半導体層の上部に第二の半導体層で作製された受光層と、第二の半導体層の上部に第二の電極が金属層で形成されていることを特徴とする画像表示装置。
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