JP2009231821A5 - - Google Patents

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  1. 基板上に形成されたゲート電極と、
    前記ゲート電極上に形成されたゲート絶縁層と、
    前記ゲート絶縁層上に選択的に形成された、アクセプターとなる不純物元素が添加された半導体層と、
    前記ゲート絶縁層及び前記アクセプターとなる不純物元素が添加された半導体層上に形成された、チャネル形成領域を有する非晶質半導体層と、
    前記非晶質半導体層上に形成されたソース領域及びドレイン領域を有する一導電型を付与する不純物元素が添加された一対の不純物半導体層と、を有する薄膜トランジスタであって、
    前記アクセプターとなる不純物元素が添加された領域と、前記一対の不純物半導体層は重なることを特徴とする薄膜トランジスタ。
  2. 基板上に形成されたゲート電極と、
    前記ゲート電極上に形成されたゲート絶縁層と、
    前記ゲート絶縁層上に選択的に形成された、アクセプターとなる不純物元素が添加された半導体層と、
    前記アクセプターとなる不純物元素が添加された半導体層上に形成された非晶質半導体層を有するバッファ層と、
    前記ゲート絶縁層及び前記バッファ層上に形成された、チャネル形成領域を有する非晶質半導体層と、
    前記非晶質半導体層上に形成されたソース領域及びドレイン領域を有する一導電型を付与する不純物元素が添加された一対の不純物半導体層と、を有する薄膜トランジスタであって、
    前記アクセプターとなる不純物元素が添加された領域と、前記一対の不純物半導体層は重なることを特徴とする薄膜トランジスタ。
  3. 基板上に形成されたゲート電極と、
    前記ゲート電極上に形成されたゲート絶縁層と、
    前記ゲート絶縁層上に選択的に形成された、アクセプターとなる不純物元素が添加された半導体層と、
    前記アクセプターとなる不純物元素が添加された半導体層上に形成された絶縁層と、
    前記ゲート絶縁層及び前記絶縁層上に形成された、チャネル形成領域を有する非晶質半導体層と、
    前記非晶質半導体層上に形成されたソース領域及びドレイン領域を有する一導電型を付与する不純物元素が添加された一対の不純物半導体層と、を有する薄膜トランジスタであって、
    前記アクセプターとなる不純物元素が添加された領域と、前記一対の不純物半導体層は重なることを特徴とする薄膜トランジスタ。
  4. 請求項１乃至３のいずれか一項において、
    前記アクセプターとなる不純物元素が添加された半導体層の電気伝導度が７×１０−７Ｓ／ｃｍ乃至０．０１Ｓ／ｃｍであることを特徴とする薄膜トランジスタ。
  5. 請求項１乃至４のいずれか一項において、
    前記アクセプターとなる不純物元素が添加された半導体層のアクセプター濃度は、１×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上２×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であることを特徴とする薄膜トランジスタ。
  6. 請求項１乃至５のいずれか一項において、
    前記アクセプターとなる不純物元素が添加された半導体層は微結晶シリコン層であることを特徴とする薄膜トランジスタ。
  7. 請求項１乃至６のいずれか一項において、
    前記チャネル形成領域を有する非晶質半導体層が非晶質シリコン層であることを特徴とする薄膜トランジスタ。
  8. 請求項１乃至７のいずれか一項に記載の薄膜トランジスタが画素部の各画素に設けられていることを特徴とする表示装置。
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