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  1. スイッチ部またはバッファ部と、論理回路部と、画素部と、を有し、
    前記画素部は、第１の逆スタガ型薄膜トランジスタと、前記第１の逆スタガ型薄膜トランジスタに電気的に接続された画素電極と、を有し、
    前記スイッチ部またはバッファ部は、第１のゲート電極と第２のゲート電極との間に第１の絶縁層、半導体層、及び第２の絶縁層を有する第２の逆スタガ型薄膜トランジスタを有し、
    前記論理回路部は、第３の逆スタガ型薄膜トランジスタ及び第４の逆スタガ型薄膜トランジスタを有するインバータ回路を有し、
    前記第１の逆スタガ型薄膜トランジスタ乃至第４の逆スタガ型薄膜トランジスタは、同じ極性であることを特徴とする表示装置。
  2. スイッチ部またはバッファ部と、論理回路部と、画素部と、を有し、
    前記画素部は、第１の逆スタガ型薄膜トランジスタと、前記第１の逆スタガ型薄膜トランジスタに電気的に接続された画素電極と、を有し、
    前記スイッチ部またはバッファ部は、チャネル形成領域として、ドナーとなる不純物元素を含む微結晶半導体層を具備する第２の逆スタガ型薄膜トランジスタを有し、
    前記論理回路部は、第３の逆スタガ型薄膜トランジスタ及び第４の逆スタガ型薄膜トランジスタを有するＥＤＭＯＳ回路を有し、
    前記第１の逆スタガ型薄膜トランジスタ乃至第４の逆スタガ型薄膜トランジスタは、同じ極性であることを特徴とする表示装置。
  3. 請求項１または請求項２において、前記第３の逆スタガ型薄膜トランジスタは、第１のゲート電極と第２のゲート電極との間に第１の絶縁層、半導体層、及び第２の絶縁層を有することを特徴とする表示装置。
  4. 請求項１または請求項２において、前記第３の逆スタガ型薄膜トランジスタは、デプレッション型の薄膜トランジスタであることを特徴とする表示装置。
  5. 請求項４において、前記第３の逆スタガ型薄膜トランジスタは、チャネル形成領域として、ドナーとなる不純物元素を有する微結晶半導体層を有することを特徴とする表示装置。
  6. 請求項１または請求項２において、前記第３の逆スタガ型薄膜トランジスタは、エンハンスメント型の薄膜トランジスタであることを特徴とする表示装置。
  7. 請求項６において、前記第３の逆スタガ型薄膜トランジスタは、チャネル形成領域として、アクセプターとなる不純物元素を有する微結晶半導体層を有することを特徴とする表示装置。
  8. 請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
    前記第１の逆スタガ型薄膜トランジスタ乃至第４の逆スタガ型薄膜トランジスタは、第１の半導体層と、前記第１の半導体層に接する第２の半導体層とを有し、
    前記第１の半導体層は、微結晶半導体層により形成され、
    前記第２の半導体層は、微結晶半導体領域及び非晶質半導体領域を有することを特徴とする表示装置。
  9. 請求項８において、
    前記微結晶半導体領域は、断面形状が錐形であることを特徴とする表示装置。
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