CN106444183B - 一种超窄边框端子区结构及制作方法、显示面板 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种超窄边框端子区结构及制作方法、显示面板，该端子区结构包括：金属层，设置于基底上；绝缘层，设置于所述金属层与裸露的基底上；绝缘保护层，设置于所述绝缘层上；有机绝缘层，设置于所述绝缘保护层上，其中，对应所述金属层的金属走线区，设置有贯通所述绝缘层、所述绝缘保护层与所述有机绝缘层的凹槽结构，并在所述凹槽结构中填充有导电材料。本发明可以增大端子区结构的断面面积，降低端子区结构与COF的绑定电阻，提高面板显示质量。

Description

一种超窄边框端子区结构及制作方法、显示面板

技术领域

本发明属于显示面板制作技术领域，具体地说，尤其涉及一种超窄边框端子区结构及制作方法、显示面板。

背景技术

随着显示技术的发展，超窄边框以及拼接屏技术已应用成熟。目前的超窄边框液晶显示屏边框已经做到5mm，甚至有些边框已做到3mm，这样的边框宽度对于普通的手机、平板、电脑与电视机来说已经完全满足美观的需求。

普通的平板显示面板结构如图1所示，包括显示区域11和边框区域12，显示区域11是用来显示画面的区域，边框区域12包括外围走线区域和dummy区(空白区)。外围走线区域又包括OLB121(外部引线连接区)，主要是指阵列基板比彩膜基板多出来用于绑定COF 13(膜上芯片，用于连接显示区域11和PCB板14)的区域。该OLB121设置有端子区结构1211来与COF 13电性连接。如图2a所示为该端子区结构1211的平面结构示意图，图2b为图2a所示端子区结构的剖面结构示意图，绑定端子区结构1211的第一层金属22设置于下衬底基板21上，绝缘层包括第一绝缘层231和第二绝缘层232，第一绝缘层231设置于第一层金属22上，第二绝缘层232设置于第一绝缘层231上，第二金属层24设置于第二绝缘层232上，第一层金属22和第二层金属24通过贯通绝缘层的过孔连接。

但对于大面积拼接显示屏来说，对于边框的需求却远不止于3mm。目前最小的拼接显示屏的四边的边框已做到1mm。这种技术主要是将OLB 121的距离压缩至0mm，如图3所示。其四边采用阵列基板与彩膜基板平齐切割，使端子区结构1211的金属在面板的侧边裸露出，将COF 13绑定在侧边裸露出的金属端子上。图4为对应图3的剖面结构示意图，其中，绑定端子区结构包括设置于下衬底基板41上的第一层金属441，设置于第一层金属441和裸露的下衬底基板41上的栅极绝缘层42，设置于栅极绝缘层42上的绝缘保护层43，设置于绝缘保护层43上的的第二层金属442，第一层金属441和第二层金属442构成端子区结构44，端子区结构44与COF 13金手指连接。上衬底基板45上设置有黑矩阵46，黑矩阵48和绝缘保护层43之间设置有隔垫物47，COF 13金手指贯通上衬底基板45和黑矩阵46以与端子区结构连接。

但是，由于端子区的金属厚度只有3000～7000埃，宽度不超过10μm，ACF(各向异性导电薄膜)胶难以将如此小面积的端子区断面结构与COF金手指均匀地、电性连接绑定在一起。

发明内容

为解决以上问题，本发明提供了一种超窄边框端子区结构及制作方法、显示面板，用以增大端子区结构的断面面积，降低端子区结构与COF的绑定电阻，提高面板显示质量。

根据本发明的一个方面，提供了一种超窄边框端子区结构，包括：

金属层，设置于基底上；

绝缘层，设置于所述金属层与裸露的基底上；

绝缘保护层，设置于所述绝缘层上；

有机绝缘层，设置于所述绝缘保护层上，

其中，对应所述金属层的金属走线区，设置有贯通所述绝缘层、所述绝缘保护层与所述有机绝缘层的凹槽结构，并在所述凹槽结构中填充有导电材料。

根据本发明的一个实施例，所述导电材料包括有机导电胶。

根据本发明的一个实施例，所述导电材料包括导电颗粒。

根据本发明的一个实施例，所述凹槽结构的深度为2μm-4μm。

根据本发明的另一个方面，还提供了一种用于制作超窄边框端子区结构的方法，包括：

在基底上沉积金属材料并进行处理以形成金属层；

在所述金属层与裸露的基底上沉积绝缘材料以形成绝缘层；

在所述绝缘层上沉积绝缘保护材料以形成绝缘保护层；

在所述绝缘保护层上沉积有机绝缘材料以形成有机绝缘层；

对应所述金属层的金属走线区，蚀刻所述绝缘层、所述绝缘保护层与所述有机绝缘层以形成凹槽结构；

用导电材料填充所述凹槽结构。

根据本发明的一个实施例，所述导电材料包括有机导电胶。

根据本发明的一个实施例，用导电材料填充所述凹槽结构进一步包括以下步骤：

通过喷墨打印方式将所述有机导电胶打印至所述凹槽结构中；

对所述有机导电胶进行紫外或红外固化处理。

根据本发明的一个实施例，所述导电材料包括导电颗粒。

根据本发明的一个实施例，用导电材料填充所述凹槽结构进一步包括以下步骤：

通过喷墨3D打印的方式将导电颗粒打印至所述凹槽结构内；

对所述导电颗粒进行激光退火处理以使所述导电颗粒熔融固化。

根据本发明的再一个方面，还提供了一种显示面板，包括以上所述的端子区结构。

本发明的有益效果：

本发明通过设置贯通绝缘层、绝缘保护层与有机绝缘层的凹槽结构，并在凹槽结构中填充导电材料，可以增大端子区结构的断面面积，降低端子区结构与COF的绑定电阻，提高面板显示质量。

本发明的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要的附图做简单的介绍：

图1是现有技术中一种平板显示面板结构示意图；

图2a是现有技术中的端子区结构平面示意图；

图2b是图2a的端子区结构剖面结构示意图；

图3是现有技术中一种窄边框平板显示面板结构示意图；

图4是对应图3的端子区结构剖面结构示意图；

图5是根据本发明的一个实施例的端子区结构剖面结构示意图；

图6是根据本发明的一个实施例的用于制作端子区结构的工艺流程图；

图7是根据本发明的一个实施例的导电材料填充凹槽结构的工艺流程图；

图8是根据本发明的另一个实施例的导电材料填充凹槽结构的工艺流程图。

具体实施方式

以下将结合附图及实施例来详细说明本发明的实施方式，借此对本发明如何应用技术手段来解决技术问题，并达成技术效果的实现过程能充分理解并据以实施。需要说明的是，只要不构成冲突，本发明中的各个实施例以及各实施例中的各个特征可以相互结合，所形成的技术方案均在本发明的保护范围之内。

为解决现有技术中端子区结构断面结构与COF金手指的电性连接问题，本发明提供了一种应用于超窄边框的绑定端子区结构。具体的，在端子区结构的上方制作有机绝缘膜凹槽，并将端子区结构的金属上方的绝缘层蚀刻掉，在凹槽中填充导电材料以增大端子区结构的断面面积，降低端子区结构与COF的绑定电阻。如图5所示为根据本发明的一个实施例的端子区结构示意图，以下参考图5来对本发明进行详细说明。

如图5所示，该超窄边框端子区结构包括金属层541、绝缘层52、绝缘保护层53和有机绝缘层55。具体的，金属层541设置于下衬底基板51上；绝缘层52设置于金属层541与裸露的下衬底基板51上；绝缘保护层53设置于绝缘层52上；有机绝缘层55设置于绝缘保护层53上。其中，对应金属层541的金属走线区，设置有贯通绝缘层52、绝缘保护层53与有机绝缘层55的凹槽结构542，并在该凹槽结构542中填充有导电材料。该凹槽结构542的深度通常设置为2μm-4μm。

本发明通过设置贯通绝缘层52、绝缘保护层53与有机绝缘层55的凹槽结构，并在凹槽结构542中填充导电材料，可以增大端子区结构的断面面积，降低端子区结构与COF 13的绑定电阻，提高面板显示质量。

在本发明的一个实施例中，该导电材料包括有机导电胶。有机导电胶，即各向异性导电胶，其中含有可以导电的颗粒，常用于一些电子硅胶产品上开关接通的作用，其必须要受到一定的压缩力才能够形成导电通路，进而通过该导电通路进行导电。优选的，该导电材料可为混有金球或银球的紫外或红外固化胶。

在本发明的一个实施例中，该导电材料包括导电颗粒。例如，可以将金粉或银粉作为导电材料填充至凹槽结构中，当然也可以采用其他金属导电颗粒，本发明不限于此。由于导电颗粒不是连续的，其也具有各向导电异性。

根据本发明的另一个方面，还提供了一种用于制作超窄边框端子区结构的方法，具体包括如图6所示的几个步骤。

首先，在步骤S110中，在基底上沉积金属材料并进行处理以形成金属层。具体的，在下衬底基板51上沉积一层金属材料(如Al、Ta、MoW合金等)，并对该层金属材料进行蚀刻处理，从而形成具有金属走线区的金属层541。

接着，在步骤S120中，在金属层与裸露的基底上沉积绝缘材料以形成绝缘层。具体的，在金属层与裸露的下衬底基板51上沉积一层绝缘材料(如SiNx或SiOx等)，以形成绝缘层52。通常对于TFT结构，在步骤S120形成的金属层为栅极时，其后还要形成半导体层和源漏极金属层层，蚀刻这两层时不是在所有的区域都保留。

接着，在步骤S130中，在绝缘层上沉积绝缘保护材料以形成绝缘保护层。具体的，在绝缘层52上沉积一层绝缘保护材料(如SiNx等)来形成绝缘保护层53，以对绝缘层52进行保护。

接着，在步骤S140中，在绝缘保护层53上沉积有机绝缘材料以形成有机绝缘层55。具体的，在绝缘保护层上沉积有机绝缘材料(如4-乙烯基苯酚等，即PVP)来形成有机绝缘层。

接着，在步骤S150中，对应金属层的金属走线区，蚀刻绝缘层、绝缘保护层与有机绝缘层以形成凹槽结构。具体的，对应金属走线区上部的各膜层，进行蚀刻处理来形成凹槽结构542。

最后，在步骤S160中，用导电材料填充该凹槽结构542，形成如图5所示的端子区结构。该凹槽结构中的导电材料填充满该凹槽结构542，其一端与金属层的金属走线区连接，另一端与有机绝缘层保持在同一平面。

在本发明的一个实施例中，该导电材料包括有机导电胶，即采用有机导电胶来填充该凹槽结构。优选的，该有机导电胶可采用混有金球或银球的紫外或红外固化胶，当然也可以采用混有其他。在采用该有机导电胶来填充该凹槽结构时，具体包括如图7所示的两个步骤。首先，在步骤S1611中，通过喷墨打印方式将有机导电胶打印至凹槽结构中；然后，在步骤S1612中，对有机导电胶进行紫外或红外固化处理。

在本发明的一个实施例中，该导电材料包括导电颗粒，即采用导电颗粒填充该凹槽结构。优选的，可将金粉或银粉作为导电材料，当然也可以采用其他的金属导电颗粒。在采用金粉或银粉作为导电材料来填充该凹槽结构时，具体包括如图8所示的两个步骤。首先，在步骤S1621中，通过喷墨3D打印的方式将导电颗粒打印至凹槽结构内；然后，在步骤S1622中，对导电颗粒进行激光退火处理以使导电颗粒熔融固化。

根据本发明的另一个方面，还提供了一种显示面板，该显示面板包括以上所述的端子区结构。通过在该显示面板上设置以上所述的端子区结构，可以增大端子区结构的断面面积，降低端子区结构与COF的绑定电阻，提升面板显示质量。

虽然本发明所公开的实施方式如上，但所述的内容只是为了便于理解本发明而采用的实施方式，并非用以限定本发明。任何本发明所属技术领域内的技术人员，在不脱离本发明所公开的精神和范围的前提下，可以在实施的形式上及细节上作任何的修改与变化，但本发明的专利保护范围，仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。

Claims (10)

1.一种超窄边框端子区结构，包括：

金属层，设置于基底上；

绝缘层，设置于所述金属层与裸露的基底上；

绝缘保护层，设置于所述绝缘层上；

有机绝缘层，设置于所述绝缘保护层上，

其中，对应所述金属层的金属走线区，设置有贯通所述绝缘层、所述绝缘保护层与所述有机绝缘层的凹槽结构，并在所述凹槽结构中填充有导电材料；所述凹槽结构的断面用于接触COF的金手指，且所述导电材料用于与所述COF的金手指电接触；所述凹槽的一端与所述金属层的金属走线区连接，所述凹槽的另一端与所述有机绝缘层保持在同一平面。

2.根据权利要求1所述的端子区结构，其特征在于，所述导电材料包括有机导电胶。

3.根据权利要求1所述的端子区结构，其特征在于，所述导电材料包括导电颗粒。

4.根据权利要求1所述的端子区结构，其特征在于，所述凹槽结构的深度为2μm-4μm。

5.一种用于制作超窄边框端子区结构的方法，包括：

在基底上沉积金属材料并进行处理以形成金属层；

在所述金属层与裸露的基底上沉积绝缘材料以形成绝缘层；

在所述绝缘层上沉积绝缘保护材料以形成绝缘保护层；

在所述绝缘保护层上沉积有机绝缘材料以形成有机绝缘层；

对应所述金属层的金属走线区，蚀刻所述绝缘层、所述绝缘保护层与所述有机绝缘层以形成凹槽结构；

用导电材料填充所述凹槽结构；所述凹槽结构的断面用于接触COF的金手指，且所述导电材料用于与所述COF的金手指电接触；所述凹槽的一端与所述金属层的金属走线区连接，所述凹槽的另一端与所述有机绝缘层保持在同一平面。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述导电材料包括有机导电胶。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，用导电材料填充所述凹槽结构进一步包括以下步骤：

通过喷墨打印方式将所述有机导电胶打印至所述凹槽结构中；

对所述有机导电胶进行紫外或红外固化处理。

8.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述导电材料包括导电颗粒。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，用导电材料填充所述凹槽结构进一步包括以下步骤：

通过喷墨3D打印的方式将导电颗粒打印至所述凹槽结构内；

对所述导电颗粒进行激光退火处理以使所述导电颗粒熔融固化。

10.一种显示面板，包括权利要求1-4中任一项所述的端子区结构。