CN111427202A - 一种窄边框显示面板及显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种窄边框显示面板及显示装置，所述窄边框显示面板包括显示区以及环绕所述显示区的非显示区；所述窄边框显示面板还包括彩膜基板、阵列基板、框胶、第一导电层以及给电电路。本发明通过在彩膜基板侧增加两条金属走线，一方面，使得公共电极的信号从COF接入彩膜基板内，以去除了现有阵列基板给电时所需的阵列基板侧公共电极的外围走线和导通上下基板所需的转换端子及金球；另一方面，这两条金属走线设于非显示区，且与ITO走线连接，增加了金属走线与ITO走线的接触面积，从而有效地降低接触阻抗，减小信号压降的目的。

Description

一种窄边框显示面板及显示装置

技术领域

本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种窄边框显示面板及显示装置。

背景技术

常规LCD cell(LCD光学膜片)设计是由阵列基板侧(Thin Film Ttransistor，TFT)输入信号，其中彩膜基板(color filter，CF)上的公共电极CF-Com信号经由转换端子(Transfer pad)的金球(Au ball)由TFT板传入CF板以实现对公共电极CF-Com给电。

对于普通(normal)边框的LCD产品来说，LCD有足够的border(边框)空间来保证Transfer pad的导通面积，满足TFT板与CF板上下板低接触阻抗的要求。

然而，对于超窄边框LCD产品来说，其边框的间隙一般小于1毫米，border区空间较窄，限制了Transfer pad的导通面积，尤其是栅极和源极侧还需要避开扇出走线(Fanout)。因此，可供放置Transfer pad的空间更加有限，致使Transfer pad的导通面积过小。其中，Transfer pad的导通面积过小会导致公共电极CF-Com给电不足的现象。

如图1-3所示，图1为现有显示面板的结构示意图；图2为图1中沿A-A’的方向bonding pad(绑定端子)的截面图；图3为图1中B-B’的方向transfer pad(转换端子)的截面图。

现有显示面板包括显示区301和环绕显示区的非显示区302，该非显示区302为显示面板的边框区域，该边框区域包括转换端子200、绑定端子201以及覆晶薄膜等部件。

如图1-3所示，现有显示面板包括：阵列基板401、导电层402、有机阻挡层403、第一ITO走线404、第一PI层405、框胶406、第二PI层407、第二ITO走线408以及彩膜基板409。现有显示面板还包括给电电路500，设于阵列基板401与彩膜基板409的边侧面。其中，有机阻挡层403设有一过孔601，第一ITO走线404通过该过孔601与导电层402实现电连接。框胶406内设有金球601(Au ball)，用以实现第一ITO走线404与第二ITO走线408的信号连接。给电电路500包括银浆层501、导电胶502以及覆晶薄膜202。现有显示面板由覆晶薄膜上的芯片发出信号，该信号依次经过导电胶、银浆层、导电层、第一ITO走线、金球以及第二ITO走线，从而实现彩膜基板的信号给入。但该显示面板的边框设计，除了信号传输的路径较长，还会造成公共电极CF-Com给电不足的问题。

发明内容

本发明的目的在于，提供一种窄边框显示面板及显示装置，以解决现有技术存在的在实现超窄边框显示面板的同时，公共电极CF-Com给电不足的技术问题。

为实现上述目的，本发明提供一种窄边框显示面板，包括显示区以及环绕所述显示区的非显示区；还包括彩膜基板、阵列基板、框胶、第一导电层以及给电电路；所述阵列基板与所述彩膜基板相对设置；所述框胶设于所述彩膜基板与所述阵列基板之间，且位于所述非显示区；所述第一导电层设置于所述彩膜基板朝向所述阵列基板的一面，位于所述非显示区，且裸露于所述彩膜基板的边侧面；所述给电电路设置于所述彩膜基板与所述阵列基板的边侧面，位于所述非显示区，且电连接所述第一导电层。

进一步地，所述的窄边框显示面板还包括遮光层以及第一PI层；所述遮光层设于所述彩膜基板朝向所述阵列基板的一面，且从所述框胶对应的区域延伸至所述彩膜基板的边侧面，所述第一导电层设于所述非显示区的彩膜基板上且覆盖所述遮光层；所述第一PI层设于所述第一导电层朝向所述阵列基板的一面，且从所述显示区延伸至所述非显示区。

进一步地，所述第一导电层包括第一金属走线、第二金属走线以及ITO走线；所述第一金属走线设于所述非显示区的彩膜基板上且覆盖所述遮光层；所述第二金属走线设于所述第一金属走线上且对应于所述遮光层；所述ITO走线设于所述第二金属走线朝向所述阵列基板的一面，且从所述显示区延伸至所述彩膜基板的边侧面。

进一步地，所述第一金属走线或所述ITO走线形成阶梯结构。

进一步地，所述的窄边框显示面板还包括第二导电层，设于所述阵列基板朝向所述彩膜基板的一面，且所述显示区延伸至所述非显示区。

进一步地，所述第二导电层包括第三走线以及第四走线；所述第三走线设于所述阵列基板朝向所述彩膜基板的一面，且从所述显示区延伸至所述非显示区；所述第四走线设于所述第三走线朝向所述彩膜基板的一面，位于所述非显示区，且对应于所述第二走线。

进一步地，所述的窄边框显示面板还包括有机阻挡层以及第二PI层；所述有机阻挡层设于所述第二导电层朝向所述彩膜基板的一面，且所述显示区延伸至所述非显示区；所述第二PI层设于所述有机阻挡层朝向所述彩膜基板的一面，且所述显示区延伸至所述非显示区。

进一步地，所述给电电路包括银浆层，设置于所述彩膜基板与所述阵列基板的边侧面，其一端电连接所述第一导电层，其另一端连接至所述第二导电层。

进一步地，所述给电电路还包括导电胶以及覆晶薄膜；所述导电胶设置于所述银浆层的边侧面远离所述彩膜基板与所述阵列基板；所述覆晶薄膜设于所述导电胶的边侧表面远离所述银浆层。

为实现上述目的，本发明提供还一种显示装置，包括前文所述的窄边框显示面板。

本发明的技术效果在于，提供一种窄边框显示面板及显示装置，通过在彩膜基板侧增加两条金属走线，一方面，使得公共电极的信号从COF接入彩膜基板内，以去除了现有阵列基板给电时所需的阵列基板侧公共电极的外围走线和导通上下基板所需的转换端子及金球；另一方面，这两条金属走线设于非显示区，且与ITO走线连接，增加了金属走线与ITO走线的接触面积，从而有效地降低接触阻抗，减小信号压降的目的，并解决了公共电极给电不足的问题。

附图说明

下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。

图1为现有显示面板的平面图。

图2为图1中所述非显示区沿A-A’绑定端子的截面图。

图3为图1中所述非显示区沿B-B’转换端子的截面图。

图4为本实施例所述窄边框显示面板的平面图。

图5为图4中所述非显示区沿C-C’的截面图。

附图部件标识如下：

200转换端子；201绑定端子；202覆晶薄膜；

301显示区；302非显示区；

401阵列基板；402导电层；403有机阻挡层；404第一ITO走线；

405第一PI层；406框胶；407第二PI层；408第二ITO走线；

409彩膜基板；4021第一走线；4022第二走线；

500给电电路；501银浆层；502导电胶；600过孔；601金球；

100窄边框显示面板；101显示区；102非显示区；

1彩膜基板；2遮光层；3第一导电层；4第一PI层；5框胶；6阵列基板；

7第二导电层；8有机阻挡层；9第二PI层；10给电电路；

11银浆层；12导电胶；13覆晶薄膜；

31第一金属走线；32第二金属走线；33ITO走线；

71第三走线；72第四走线。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。

下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本申请的不同结构。为了简化本申请的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本申请。此外，本申请可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本申请提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。

如图4所示，本实施例提供一种窄边框显示面板100，包括显示区101以及环绕所示显示区的非显示区102。

如图5所示，窄边框显示面板100包括彩膜基板1、遮光层2、第一导电层3、第一PI层4、框胶5、阵列基板6、第二导电层7、有机阻挡层8、第二PI层9以及给电电路10。

遮光层2设于彩膜基板1朝向阵列基板6的一面。遮光层2用以遮挡彩膜基板1侧芯片(chip)边缘bonding pad(绑定端子)处的漏光，其材质优选为黑矩阵，具有良好的遮光效果。

第一导电层3设置于彩膜基板1朝向阵列基板6的一面，位于非显示区102，且裸露于彩膜基板1的边侧面。第一导电层3设于非显示区102的彩膜基板上且覆盖遮光层2。

第一导电层3包括第一金属走线31、第二金属走线32以及ITO走线33。具体地，第一金属走线31设于非显示区102的彩膜基板上且覆盖遮光层2。第二金属走线32设于第一金属走线31下且对应于遮光层2。ITO走线33设于第二金属走线32朝向阵列基板6的一面，且从所述显示区延伸至所述彩膜基板的边侧面。本实施例中，彩膜基板1从所述显示区延伸至所述非显示区。彩膜基板1具有一芯片(chip)(图未示)且设于非显示区102，该芯片的边框区域可以将未与第二金属走线32连接的第一金属走线31覆盖，ITO走线33与被芯片的边框区域覆盖的第一金属走线31导通,确保ITO走线33与第一金属走线31具有足够的接触面积，达到降低接触阻抗，减小信号压降的目的。通过在芯片的边缘设置遮光层2，以防止芯片边缘处的绑定端子出现漏光现象。

进一步地，第二金属走线32的长度小于第一金属走线31的长度，第二金属走线32的长度与第一金属走线31的长度比值为0.3-0.5，以确保第一金属走线31与ITO走线33具有足够的接触面积，第一金属走线31与第二金属走线32也具有足够的接触面积，进一步地达到降低接触阻抗，减小信号压降的目的。本实施例中，将第一金属走线31形成阶梯结构及ITO走线33形成阶梯结构，使得ITO走线33的路径基本一致，进一步地提高第一金属走线31与ITO走线33的接触面积，达到降低接触阻抗，减小信号传输压降的目的。

第一PI层4设于第一导电层3朝向阵列基板6的一面，且从所述显示区延伸至所述非显示区。换句话来说，第一PI层4设于第一导电层3的下表面。

框胶5设于彩膜基板1与阵列基板6之间，且位于非显示区102。具体地，框胶5设于第一PI层4与第二PI层9之间，具有良好的密封效果，用以粘合彩膜基板1和阵列基板6，使彩膜基板1与阵列基板6的中部形成一空腔，并向该空腔注入液晶，形成液晶层，从而使显示面板可以实现显像等。本实施例中，遮光层2从框胶3对应的区域延伸至彩膜基板1的边侧面。

阵列基板6与彩膜基板1相对设置。

第二导电层7设于阵列基板6朝向彩膜基板1的一面，且所述显示区延伸至所述非显示区。换句话来说，第二导电层7设于阵列基板6上表面。

第二导电层7包括第三走线71以及第四走线72。具体地，第三走线71设于阵列基板6上表面，且从所述显示区延伸至所述非显示区。第四走线72设于第三走线71上表面，位于非显示区102，且对应于第二走线32。有机阻挡层8设于第二导电层7朝向彩膜基板1的一面，且所述显示区延伸至所述非显示区。

有机阻挡层8设于第二导电层7朝向彩膜基板1的一面，即有机阻挡层8设于第二导电层7的上表面，且所述显示区延伸至所述非显示区。有机阻挡层8的材质为有机材料用以防止第二导电层7与其他金属层接触发生短路。

第二PI层9设于有机阻挡层8朝向彩膜基板1的一面，即第二PI层9设于有机阻挡层的上表面，且所述显示区延伸至所述非显示区。

给电电路10设置于彩膜基板1与阵列基板6的边侧面，位于非显示区102，且电连接第一导电层3。本实施例中，给电电路10设于彩膜基板1与阵列基板6的左边侧面。

给电电路10包括银浆层11、导电胶12以及覆晶薄膜13。具体地，银浆层11设置于彩膜基板1与阵列基板6的边侧面，其上端电连接第一导电层3，其下端连接至第二导电层7。导电胶12为ACF导电粒子，呈圆形，设置于银浆层11的左边侧面远离彩膜基板1与阵列基板6。覆晶薄膜13(COF)设于导电胶12的左边侧表面远离银浆层11。

本实施例提供一种窄边框显示面板，其为超窄边框显示面板，该显示面板结合现有的窄边框侧面绑定技术(side bonding technology)，side_bonding技术通过玻璃截面(彩膜基板及阵列基板的侧面)印刷电路，实现玻璃面内线路(即彩膜基板与阵列基板的内部线路)和给电电路(主要是COF线路)之间的联通。本申请在彩膜基板侧增加第一金属走线、第二金属走线，使得彩膜基板具有金属绑定端子(Metal bonding pad)，这两条金属走线与ITO走线构成一导电层，该导电层为公共电极层，因此，本申请可以直接将公共电极的信号由给电电路接入彩膜基板内，即给电电路直接连接至彩膜基板侧的导电层，使得COF(chip on film，覆晶薄膜)将信号传递至ITO走线。与现有的显示面板相比，本申请提供的窄边框显示面板去除了现有阵列基板与公共电极层(即彩膜基板侧的导电层)连接的外围走线和导通上下基板(彩膜基板与阵列基板)所需的转换端子(transfer pad)及金球(Auball)，从而大大地缩短了彩膜基板信号给入的路径，更有利于边框区域的压缩，以实现超窄边框的显示面板。

本实施例还提供还一种显示装置，包括前文所述的窄边框显示面板。通过在彩膜基板侧增加两条金属走线，一方面，使得公共电极的信号从COF接入彩膜基板内，以去除了现有阵列基板给电时所需的阵列基板侧公共电极的外围走线和导通上下基板所需的转换端子及金球；另一方面，这两条金属走线设于非显示区，且与ITO走线连接，增加了金属走线与ITO走线的接触面积，从而有效地降低接触阻抗，减小信号压降的目的，并解决了公共电极给电不足的问题。

在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。

以上对本申请实施例所提供的一种窄边框显示面板及显示装置进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。

Claims (10)

1.一种窄边框显示面板，包括显示区以及环绕所述显示区的非显示区；其特征在于，包括：

彩膜基板；

阵列基板，与所述彩膜基板相对设置；

框胶，设于所述彩膜基板与所述阵列基板之间，且位于所述非显示区；

第一导电层，设置于所述彩膜基板朝向所述阵列基板的一面，位于所述非显示区，且裸露于所述彩膜基板的边侧面；以及

给电电路，设置于所述彩膜基板与所述阵列基板的边侧面，位于所述非显示区，且电连接所述第一导电层。

2.根据权利要求1所述的窄边框显示面板，其特征在于，还包括：

遮光层，设于所述彩膜基板朝向所述阵列基板的一面，且从所述框胶对应的区域延伸至所述彩膜基板的边侧面，所述第一导电层设于所述非显示区的彩膜基板上且覆盖所述遮光层；

第一PI层，设于所述第一导电层朝向所述阵列基板的一面，且从所述显示区延伸至所述非显示区。

3.根据权利要求2所述的窄边框显示面板，其特征在于，所述第一导电层包括：

第一金属走线，设于所述非显示区的彩膜基板上且覆盖所述遮光层；

第二金属走线，设于所述第一金属走线上且对应于所述遮光层；以及

ITO走线，设于所述第二金属走线朝向所述阵列基板的一面，且从所述显示区延伸至所述彩膜基板的边侧面。

4.根据权利要求3所述的窄边框显示面板，其特征在于，所述第一金属走线或所述ITO走线形成阶梯结构。

5.根据权利要求2所述的窄边框显示面板，其特征在于，还包括：

第二导电层，设于所述阵列基板朝向所述彩膜基板的一面，且所述显示区延伸至所述非显示区。

6.根据权利要求5所述的窄边框显示面板，其特征在于，所述第二导电层包括：

第三走线，设于所述阵列基板朝向所述彩膜基板的一面，且从所述显示区延伸至所述非显示区；以及

第四走线，设于所述第三走线朝向所述彩膜基板的一面，位于所述非显示区，且对应于所述第二走线。

7.权利要求5所述的窄边框显示面板，其特征在于，还包括：

有机阻挡层，设于所述第二导电层朝向所述彩膜基板的一面，且所述显示区延伸至所述非显示区；以及

第二PI层，设于所述有机阻挡层朝向所述彩膜基板的一面，且所述显示区延伸至所述非显示区。

8.根据权利要求5所述的窄边框显示面板，其特征在于，所述给电电路包括：

银浆层，设置于所述彩膜基板与所述阵列基板的边侧面，其一端电连接所述第一导电层，其另一端连接至所述第二导电层。

9.根据权利要求8所述的窄边框显示面板，其特征在于，所述给电电路还包括：

导电胶，设置于所述银浆层的边侧面远离所述彩膜基板与所述阵列基板；以及

覆晶薄膜，设于所述导电胶的边侧表面远离所述银浆层。

10.一种显示装置，包括权利要求1-9任一项所述的窄边框显示面板。

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