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  1. ゲート電極と、
    前記ゲート電極上のゲート絶縁膜と、
    前記ゲート絶縁膜上の微結晶半導体膜と、
    前記微結晶半導体膜上のバッファ層と、
    前記バッファ層上のソース領域及びドレイン領域と、
    前記ソース領域上のソース電極及び前記ドレイン領域上のドレイン電極とを有する薄膜トランジスタを有し、
    前記ソース領域及び前記ドレイン領域の上面の一部は、それぞれ前記ソース電極及びドレイン電極に接し、
    前記ソース領域及び前記ドレイン領域の上面の他部は、それぞれ前記ソース電極及びドレイン電極に接しないことを特徴とする液晶表示装置。
  2. ゲート電極と、
    前記ゲート電極上のゲート絶縁膜と、
    前記ゲート絶縁膜上の微結晶半導体膜と、
    前記微結晶半導体膜上のバッファ層と、
    前記バッファ層上のソース領域及びドレイン領域と、
    前記ソース領域上のソース電極及び前記ドレイン領域上のドレイン電極とを有する薄膜トランジスタを有し、
    前記薄膜トランジスタのチャネル長方向における前記ソース領域と前記ドレイン領域との間の距離は、前記チャネル長方向における前記ソース電極と前記ドレイン電極との間の距離よりも短いことを特徴とする液晶表示装置。
  3. ゲート電極と、
    前記ゲート電極上のゲート絶縁膜と、
    前記ゲート絶縁膜上の微結晶半導体膜と、
    前記微結晶半導体膜上のバッファ層と、
    前記バッファ層上のソース領域及びドレイン領域と、
    前記ソース領域上のソース電極及び前記ドレイン領域上のドレイン電極とを有する薄膜トランジスタを有し、
    前記薄膜トランジスタのチャネル長方向における一断面において、前記ソース領域及び前記ドレイン領域の互いに対向する側の端部と、前記ソース電極及び前記ドレイン電極の互いに対向する側の端部とは、一致せずずれており、
    前記薄膜トランジスタの前記チャネル長方向における一断面において、前記ソース領域及び前記ドレイン領域の互いに対向する側の端部は、前記ソース電極及び前記ドレイン電極の互いに対向する側の端部よりも、長く延びていることを特徴とする液晶表示装置。
  4. 請求項１乃至３のいずれか一項において、前記バッファ層は、窒素を含むことを特徴とする液晶表示装置。
  5. 請求項１乃至４のいずれか一項において、前記バッファ層は、非晶質半導体膜で形成されることを特徴とする液晶表示装置。
  6. 請求項１乃至５のいずれか一項において、前記薄膜トランジスタ上の絶縁膜と、前記絶縁膜上の画素電極とを有し、
    前記画素電極は、前記絶縁膜に形成されるコンタクトホールを介して前記ソース電極または前記ドレイン電極に電気的に接続することを特徴とする液晶表示装置。
  7. 請求項１乃至６のいずれか一項において、前記微結晶半導体膜の一部と前記ソース領域及び前記ドレイン領域とは、前記バッファ層を介して重なっており、
    前記微結晶半導体膜は、ｐ型を付与する不純物元素を含み、前記ソース領域及び前記ドレイン領域は、ｎ型を付与する不純物元素を含むことを特徴とする液晶表示装置。
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Families Citing this family (67)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1963647A (zh) * 2005-11-10 2007-05-16 群康科技(深圳)有限公司 液晶显示面板
US8921858B2 (en) * 2007-06-29 2014-12-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device
US8334537B2 (en) * 2007-07-06 2012-12-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device
US7738050B2 (en) 2007-07-06 2010-06-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd Liquid crystal display device
JP2009049384A (ja) 2007-07-20 2009-03-05 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置
TWI456663B (zh) 2007-07-20 2014-10-11 Semiconductor Energy Lab 顯示裝置之製造方法
TWI464510B (zh) 2007-07-20 2014-12-11 Semiconductor Energy Lab 液晶顯示裝置
US8330887B2 (en) * 2007-07-27 2012-12-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and electronic device
US8101444B2 (en) 2007-08-17 2012-01-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
JP5205012B2 (ja) * 2007-08-29 2013-06-05 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置及び当該表示装置を具備する電子機器
JP5395384B2 (ja) * 2007-09-07 2014-01-22 株式会社半導体エネルギー研究所 薄膜トランジスタの作製方法
JP5371341B2 (ja) * 2007-09-21 2013-12-18 株式会社半導体エネルギー研究所 電気泳動方式の表示装置
TWI521712B (zh) * 2007-12-03 2016-02-11 半導體能源研究所股份有限公司 薄膜電晶體，包括該薄膜電晶體的顯示裝置，和其製造方法
US8030655B2 (en) * 2007-12-03 2011-10-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistor, display device having thin film transistor
JP5137798B2 (ja) * 2007-12-03 2013-02-06 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP5527966B2 (ja) 2007-12-28 2014-06-25 株式会社半導体エネルギー研究所 薄膜トランジスタ
US8314765B2 (en) 2008-06-17 2012-11-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driver circuit, display device, and electronic device
JP5627071B2 (ja) 2008-09-01 2014-11-19 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
KR101999970B1 (ko) 2008-09-19 2019-07-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
JP5361651B2 (ja) 2008-10-22 2013-12-04 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP5384088B2 (ja) * 2008-11-28 2014-01-08 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
US8530897B2 (en) * 2008-12-11 2013-09-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device including an inverter circuit having a microcrystalline layer
KR20100067612A (ko) * 2008-12-11 2010-06-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 박막 트랜지스터 및 표시 장치
CN102246310B (zh) * 2008-12-11 2013-11-06 株式会社半导体能源研究所 薄膜晶体管及显示装置
KR101034686B1 (ko) * 2009-01-12 2011-05-16 삼성모바일디스플레이주식회사 유기전계발광 표시 장치 및 그의 제조 방법
US9018109B2 (en) * 2009-03-10 2015-04-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistor including silicon nitride layer and manufacturing method thereof
US9312156B2 (en) * 2009-03-27 2016-04-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistor
JP5888802B2 (ja) 2009-05-28 2016-03-22 株式会社半導体エネルギー研究所 トランジスタを有する装置
US8344378B2 (en) 2009-06-26 2013-01-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistor and method for manufacturing the same
US8557687B2 (en) * 2009-07-23 2013-10-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for forming microcrystalline semiconductor film and method for manufacturing thin film transistor
US8258025B2 (en) 2009-08-07 2012-09-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing microcrystalline semiconductor film and thin film transistor
US9177761B2 (en) * 2009-08-25 2015-11-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Plasma CVD apparatus, method for forming microcrystalline semiconductor film and method for manufacturing semiconductor device
KR101812683B1 (ko) 2009-10-21 2017-12-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 제작방법
JP5698950B2 (ja) 2009-10-23 2015-04-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
KR101840622B1 (ko) * 2009-12-21 2018-05-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 박막 트랜지스터와 그 제작 방법
TWI535028B (zh) * 2009-12-21 2016-05-21 半導體能源研究所股份有限公司 薄膜電晶體
KR101836067B1 (ko) * 2009-12-21 2018-03-08 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 박막 트랜지스터와 그 제작 방법
US8476744B2 (en) 2009-12-28 2013-07-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistor with channel including microcrystalline and amorphous semiconductor regions
JP5709579B2 (ja) * 2010-03-02 2015-04-30 株式会社半導体エネルギー研究所 微結晶半導体膜の作製方法
US8431496B2 (en) * 2010-03-05 2013-04-30 Semiconductor Energy Labortory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
WO2011142443A1 (en) 2010-05-14 2011-11-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Microcrystalline silicon film, manufacturing method thereof, semiconductor device, and manufacturing method thereof
JP5785770B2 (ja) 2010-05-14 2015-09-30 株式会社半導体エネルギー研究所 微結晶半導体膜の作製方法、及び半導体装置の作製方法
JP5852793B2 (ja) * 2010-05-21 2016-02-03 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置の作製方法
US8778745B2 (en) 2010-06-29 2014-07-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
CN102386072B (zh) 2010-08-25 2016-05-04 株式会社半导体能源研究所 微晶半导体膜的制造方法及半导体装置的制造方法
US9230826B2 (en) 2010-08-26 2016-01-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Etching method using mixed gas and method for manufacturing semiconductor device
US8704230B2 (en) 2010-08-26 2014-04-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US9178071B2 (en) 2010-09-13 2015-11-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
JP2012089708A (ja) 2010-10-20 2012-05-10 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 微結晶シリコン膜の作製方法、半導体装置の作製方法
US8450158B2 (en) 2010-11-04 2013-05-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for forming microcrystalline semiconductor film and method for manufacturing semiconductor device
US8394685B2 (en) 2010-12-06 2013-03-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Etching method and manufacturing method of thin film transistor
US9048327B2 (en) 2011-01-25 2015-06-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Microcrystalline semiconductor film, method for manufacturing the same, and method for manufacturing semiconductor device
US8828859B2 (en) 2011-02-11 2014-09-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for forming semiconductor film and method for manufacturing semiconductor device
US8629445B2 (en) 2011-02-21 2014-01-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, manufacturing method thereof, and electronic appliance
JP6019329B2 (ja) * 2011-03-31 2016-11-02 株式会社Ｊｏｌｅｄ 表示装置および電子機器
US9660092B2 (en) 2011-08-31 2017-05-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor thin film transistor including oxygen release layer
KR20150085035A (ko) * 2012-11-15 2015-07-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 디스플레이 장치
KR102151752B1 (ko) * 2013-08-05 2020-09-04 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법
TWI511303B (zh) * 2013-08-30 2015-12-01 Ye Xin Technology Consulting Co Ltd 液晶顯示器的陣列基板
KR20170003674A (ko) * 2014-05-27 2017-01-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
CN111830758B (zh) 2015-02-12 2021-07-13 株式会社半导体能源研究所 显示装置
CN113419386A (zh) * 2015-04-13 2021-09-21 株式会社半导体能源研究所 显示面板、数据处理器及显示面板的制造方法
CN206020891U (zh) * 2016-08-31 2017-03-15 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及显示面板、显示装置
KR102349592B1 (ko) * 2017-07-31 2022-01-10 엘지디스플레이 주식회사 박막트랜지스터, 어레이 기판 및 이를 포함하는 반사형 표시장치
KR20220096489A (ko) * 2020-12-31 2022-07-07 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치
CN112925137B (zh) * 2021-03-29 2023-03-10 绵阳惠科光电科技有限公司 一种驱动电路的控制开关、阵列基板和显示面板
CN112925136B (zh) * 2021-03-29 2023-03-10 绵阳惠科光电科技有限公司 一种驱动电路的控制开关、阵列基板和显示面板

Family Cites Families (63)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS56122123A (en) * 1980-03-03 1981-09-25 Shunpei Yamazaki Semiamorphous semiconductor
JPS6098680A (ja) 1983-11-04 1985-06-01 Seiko Instr & Electronics Ltd 電界効果型薄膜トランジスタ
JPS6187371A (ja) 1984-10-05 1986-05-02 Hitachi Ltd 薄膜半導体装置
JPS61138285A (ja) * 1984-12-10 1986-06-25 ホシデン株式会社 液晶表示素子
US5847412A (en) * 1987-09-18 1998-12-08 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device and a method for manufacturing the same
JPH01309378A (ja) 1988-06-07 1989-12-13 Sumitomo Metal Ind Ltd 薄膜半導体素子
US5084777A (en) * 1989-11-14 1992-01-28 Greyhawk Systems, Inc. Light addressed liquid crystal light valve incorporating electrically insulating light blocking material of a-SiGe:H
EP0473988A1 (en) 1990-08-29 1992-03-11 International Business Machines Corporation Method of fabricating a thin film transistor having amorphous/polycrystalline semiconductor channel region
JP2791422B2 (ja) 1990-12-25 1998-08-27 株式会社 半導体エネルギー研究所 電気光学装置およびその作製方法
US7115902B1 (en) * 1990-11-20 2006-10-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electro-optical device and method for manufacturing the same
US5849601A (en) * 1990-12-25 1998-12-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electro-optical device and method for manufacturing the same
US7098479B1 (en) * 1990-12-25 2006-08-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electro-optical device and method for manufacturing the same
US7576360B2 (en) * 1990-12-25 2009-08-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electro-optical device which comprises thin film transistors and method for manufacturing the same
EP0499979A3 (en) * 1991-02-16 1993-06-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electro-optical device
JP3255942B2 (ja) * 1991-06-19 2002-02-12 株式会社半導体エネルギー研究所 逆スタガ薄膜トランジスタの作製方法
JPH05175503A (ja) 1991-10-23 1993-07-13 Kyocera Corp 薄膜トランジスタおよびその製造方法
TW222345B (en) * 1992-02-25 1994-04-11 Semicondustor Energy Res Co Ltd Semiconductor and its manufacturing method
KR100268007B1 (ko) * 1992-12-22 2000-10-16 구본준 액정표시소자 제조방법
TW303526B (ja) * 1994-12-27 1997-04-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd
JPH08195492A (ja) 1995-01-13 1996-07-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd 多結晶薄膜の形成方法および薄膜トランジスタの製造方法
JP2661594B2 (ja) * 1995-05-25 1997-10-08 日本電気株式会社 薄膜トランジスタおよびその製造方法
US7298447B1 (en) * 1996-06-25 2007-11-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display panel
JP3640224B2 (ja) 1996-06-25 2005-04-20 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示パネル
JPH1116835A (ja) 1997-06-25 1999-01-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd 多結晶シリコン薄膜及び薄膜トランジスタの製造方法
KR100257158B1 (ko) 1997-06-30 2000-05-15 김영환 박막 트랜지스터 및 그의 제조 방법
JP2001077366A (ja) * 1999-08-20 2001-03-23 Internatl Business Mach Corp <Ibm> 薄膜トランジスタ、液晶表示装置、及び薄膜トランジスタの製造方法
JP3538088B2 (ja) 1999-10-25 2004-06-14 Ｎｅｃ液晶テクノロジー株式会社 薄膜トランジスタおよびその製造方法
JP2001311963A (ja) * 2000-04-27 2001-11-09 Toshiba Corp 液晶表示装置および液晶表示装置の製造方法
JP2001318369A (ja) 2000-05-11 2001-11-16 Toshiba Corp 液晶表示装置
JP2002246605A (ja) 2001-02-20 2002-08-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd 液晶表示用薄膜トランジスタの製造方法
TW541584B (en) * 2001-06-01 2003-07-11 Semiconductor Energy Lab Semiconductor film, semiconductor device and method for manufacturing same
JP5072157B2 (ja) * 2001-09-27 2012-11-14 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP4004835B2 (ja) 2002-04-02 2007-11-07 株式会社アドバンスト・ディスプレイ 薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法
TW577176B (en) * 2003-03-31 2004-02-21 Ind Tech Res Inst Structure of thin-film transistor, and the manufacturing method thereof
TWI399580B (zh) * 2003-07-14 2013-06-21 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置及顯示裝置
JP4748954B2 (ja) 2003-07-14 2011-08-17 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
JP4393812B2 (ja) * 2003-07-18 2010-01-06 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置及び電子機器
JP2005167051A (ja) 2003-12-04 2005-06-23 Sony Corp 薄膜トランジスタおよび薄膜トランジスタの製造方法
US7223641B2 (en) * 2004-03-26 2007-05-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, method for manufacturing the same, liquid crystal television and EL television
JP4562021B2 (ja) 2004-03-31 2010-10-13 シャープ株式会社 カラーフィルタ基板およびその製造方法、表示装置
JP2005322845A (ja) 2004-05-11 2005-11-17 Sekisui Chem Co Ltd 半導体デバイスと、その製造装置、および製造方法
JP2006154682A (ja) 2004-12-01 2006-06-15 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 液晶表示装置及びその製造方法
JP4577114B2 (ja) 2005-06-23 2010-11-10 ソニー株式会社 薄膜トランジスタの製造方法および表示装置の製造方法
KR101152528B1 (ko) 2005-06-27 2012-06-01 엘지디스플레이 주식회사 누설전류를 줄일 수 있는 액정표시소자 및 그 제조방법
JP2007025005A (ja) 2005-07-12 2007-02-01 Fujifilm Holdings Corp セル内構造の製造方法及びセル内構造並びに表示装置
JP5087542B2 (ja) * 2005-07-27 2012-12-05 インフィネオン テクノロジーズ オーストリア アクチエンゲゼルシャフト ドリフト領域とドリフト制御領域とを有する半導体素子
US8461648B2 (en) * 2005-07-27 2013-06-11 Infineon Technologies Austria Ag Semiconductor component with a drift region and a drift control region
JP2007035964A (ja) 2005-07-27 2007-02-08 Sony Corp 薄膜トランジスタとその製造方法、及び表示装置
KR101298940B1 (ko) * 2005-08-23 2013-08-22 주식회사 동진쎄미켐 포토레지스트 조성물 및 이를 이용한 박막 트랜지스터기판의 제조방법
US8212953B2 (en) * 2005-12-26 2012-07-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US8022466B2 (en) * 2006-10-27 2011-09-20 Macronix International Co., Ltd. Non-volatile memory cells having a polysilicon-containing, multi-layer insulating structure, memory arrays including the same and methods of operating the same
JP4420032B2 (ja) * 2007-01-31 2010-02-24 ソニー株式会社 薄膜半導体装置の製造方法
JP5364293B2 (ja) * 2007-06-01 2013-12-11 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置の作製方法およびプラズマｃｖｄ装置
JP5331389B2 (ja) * 2007-06-15 2013-10-30 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置の作製方法
US8921858B2 (en) * 2007-06-29 2014-12-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device
US8334537B2 (en) * 2007-07-06 2012-12-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device
US7998800B2 (en) 2007-07-06 2011-08-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US7738050B2 (en) * 2007-07-06 2010-06-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd Liquid crystal display device
TWI464510B (zh) * 2007-07-20 2014-12-11 Semiconductor Energy Lab 液晶顯示裝置
TWI456663B (zh) * 2007-07-20 2014-10-11 Semiconductor Energy Lab 顯示裝置之製造方法
JP2009049384A (ja) * 2007-07-20 2009-03-05 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置
US7897971B2 (en) * 2007-07-26 2011-03-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US20090278121A1 (en) * 2008-05-08 2009-11-12 Tpo Displays Corp. System for displaying images and fabrication method thereof

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