JP2009170900A5 - 半導体装置、及びそれを有する表示装置 - Google Patents

Claims (13)

1. 電極と
   前記電極上に設けられた絶縁膜と、
   前記絶縁膜上に設けられ、且つドナーとなる不純物元素が添加された微結晶半導体膜と、
   前記微結晶半導体膜上に設けられた非晶質半導体膜と、
   前記非晶質半導体膜上に設けられた不純物半導体膜と、
   前記不純物半導体膜に接する配線と、
   前記ゲート電極及び前記配線を接続する導電膜と、を有することを特徴とする半導体装置。
2. ゲート電極上に、ゲート絶縁膜を介して該ゲート電極の端部に至らない内側領域に設けられ、且つドナーとなる不純物元素が添加された微結晶半導体膜と、
   前記微結晶半導体膜の上面及び側面を被覆する非晶質半導体膜と、
   前記非晶質半導体膜上に設けられ、且つソース領域またはドレイン領域を形成する一導電型の不純物元素が添加された不純物半導体膜と、
   前記不純物半導体膜に接する配線と、を有し、
   前記ゲート電極及び前記配線は導電膜で接続されることを特徴とする半導体装置。
3. ゲート電極上に、ゲート絶縁膜を介して該ゲート電極の端部に至らない内側領域に設けられ、且つドナーとなる不純物元素が添加された微結晶半導体膜と、
   前記微結晶半導体膜の上面及び側面を被覆する非晶質半導体膜と、
   前記非晶質半導体膜上に設けられ、且つソース領域またはドレイン領域を形成する一導電型の不純物元素が添加された不純物半導体膜と、
   前記不純物半導体膜に接する配線と、
   コモン線と、を有し、
   前記ゲート電極及び前記配線は第１の導電膜で接続され、前記非晶質半導体膜または前記微結晶半導体膜と前記コモン線とが第２の導電膜で接続されることを特徴とする半導体装置。
4. 請求項１乃至３のいずれか一項において、
   前記微結晶半導体膜のソース領域またはドレイン領域側の端部は、前記非晶質半導体膜、前記不純物半導体膜と重なることを特徴とする半導体装置。
5. 請求項１乃至４のいずれか一項において、
   前記非晶質半導体膜の端部の一部が前記ソース電極またはドレイン電極に覆われることを特徴とする半導体装置。
6. 請求項１乃至３のいずれか一項において、
   前記非晶質半導体膜の端部は、前記ソース電極及びドレイン電極の外側に露出していることを特徴とする半導体装置。
7. 請求項１乃至６のいずれか一項において、
   前記微結晶半導体膜に重ねて非晶質半導体膜が設けられていることを特徴とする半導体装置。
8. 請求項１乃至７のいずれか一項において、
   前記微結半導体膜は、微結晶シリコン膜、微結晶ゲルマニウム膜、または微結晶シリコンゲルマニウム膜であることを特徴とする半導体装置。
9. 請求項１乃至７のいずれか一項において、
   前記微結晶半導体膜は、微結晶シリコン膜及び微結晶ゲルマニウム膜の積層構造であることを特徴とする半導体装置。
10. 請求項１乃至７のいずれか一項において、
    前記微結晶半導体膜は、ドナーとなる不純物元素が添加された結晶粒と、前記結晶粒を覆うゲルマニウム膜とであることを特徴とする半導体装置。
11. 請求項１乃至７のいずれか一項において、
    前記微結晶半導体膜の代わりに、非晶質ゲルマニウム膜、または非晶質シリコンゲルマニウム膜を用いることを特徴とする半導体装置。
12. 請求項１乃至１０のいずれか一項において、
    ドナーとなる不純物元素は、リン、砒素、またはアンチモンであることを特徴とする半導体装置。
13. 請求項１乃至１２のいずれかの半導体装置を有することを特徴とする表示装置。