JPH06236997A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH06236997A JPH06236997A JP5006032A JP603293A JPH06236997A JP H06236997 A JPH06236997 A JP H06236997A JP 5006032 A JP5006032 A JP 5006032A JP 603293 A JP603293 A JP 603293A JP H06236997 A JPH06236997 A JP H06236997A
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- photoelectric conversion
- thin film
- layer
- semiconductor
- semiconductor device
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 蓄積手段への電荷の転送や蓄積手段からの電
荷の転送のロスをなくし、ビット間の電気的特性のバラ
ツキや装置間の電気的特性のバラツキをなくす。 【構成】 薄膜トランジスタと蓄積手段とを電気的に接
続した半導体装置であって、前記薄膜トランジスタを半
導体薄膜４０４と該半導体薄膜に絶縁層４０２を介して
設けられたゲート電極４０３と該半導体薄膜にｎ+層４
０５を介して設けられたソース・ドレイン電極４０６，
４０７とを有する構成にする。
荷の転送のロスをなくし、ビット間の電気的特性のバラ
ツキや装置間の電気的特性のバラツキをなくす。 【構成】 薄膜トランジスタと蓄積手段とを電気的に接
続した半導体装置であって、前記薄膜トランジスタを半
導体薄膜４０４と該半導体薄膜に絶縁層４０２を介して
設けられたゲート電極４０３と該半導体薄膜にｎ+層４
０５を介して設けられたソース・ドレイン電極４０６，
４０７とを有する構成にする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置、殊にファ
クシミリ、デジタルコピア、レーザ記録装置等の光情報
入力部、バーコード読取装置やその他の文字や画像等の
読取装置等々に適用される固体化された半導体装置に関
する。
クシミリ、デジタルコピア、レーザ記録装置等の光情報
入力部、バーコード読取装置やその他の文字や画像等の
読取装置等々に適用される固体化された半導体装置に関
する。
【０００２】
【従来の技術】最近、装置全体の小型指向から、ファク
シミリやデジタルコピア、レーザ記録装置等の光情報入
力部、或いはその他の、原稿に書かれた文字や像を読取
る装置に適用される光電変換装置として再生される原画
像のサイズに相等しいか若しくはそれに近いサイズの受
光面を有し、且つ解像性に優れ、原画像を忠実に読取り
得、然もコンパクトな所謂長尺化された受光面を有する
光電変換装置の開発の進展が著しい。
シミリやデジタルコピア、レーザ記録装置等の光情報入
力部、或いはその他の、原稿に書かれた文字や像を読取
る装置に適用される光電変換装置として再生される原画
像のサイズに相等しいか若しくはそれに近いサイズの受
光面を有し、且つ解像性に優れ、原画像を忠実に読取り
得、然もコンパクトな所謂長尺化された受光面を有する
光電変換装置の開発の進展が著しい。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】而乍ら、上記の様な長
尺化された受光面を有する光電変換装置は、具備される
光電変換部に附随する半導体装置である信号処理回路部
に大きな問題がある。
尺化された受光面を有する光電変換装置は、具備される
光電変換部に附随する半導体装置である信号処理回路部
に大きな問題がある。
【０００４】即ち、前記信号処理回路部が光電変換部に
較べて非常に大きなスペースを占め、光電変換部を長尺
化することで光路長を非常に短くすることが出来ること
により生じた小型化の利点を生かし切れないという点で
ある。
較べて非常に大きなスペースを占め、光電変換部を長尺
化することで光路長を非常に短くすることが出来ること
により生じた小型化の利点を生かし切れないという点で
ある。
【０００５】通常この問題点を解決するための一手段と
して光電変換部の画素（光電変換要素）群を複数個にブ
ロック化して各ブロックをマトリクス配線し、１ブロッ
ク毎にこの信号処理回路部を動作させる方式が取られ
る。
して光電変換部の画素（光電変換要素）群を複数個にブ
ロック化して各ブロックをマトリクス配線し、１ブロッ
ク毎にこの信号処理回路部を動作させる方式が取られ
る。
【０００６】ここで、このマトリクス配線において問題
となるのは光電変換要素と信号処理部を接続し外部に信
号を取り出すために、ボンディング工程が必要である
が、光電変換要素と信号処理部を一体化しなければ、こ
のボンディング工程が極端に多くなることである。
となるのは光電変換要素と信号処理部を接続し外部に信
号を取り出すために、ボンディング工程が必要である
が、光電変換要素と信号処理部を一体化しなければ、こ
のボンディング工程が極端に多くなることである。
【０００７】通常この問題点を解決するために、結晶Ｓ
ｉ基板上に信号処理部を設け、その上に光電変換部を作
製し一体化を計っている。
ｉ基板上に信号処理部を設け、その上に光電変換部を作
製し一体化を計っている。
【０００８】しかしながら、長尺化された受光面をもた
せるため長尺な光電変換部に隣接した信号処理部を設け
る必要があり、この要求に対して結晶基板を用いること
は充分答えるものではない。
せるため長尺な光電変換部に隣接した信号処理部を設け
る必要があり、この要求に対して結晶基板を用いること
は充分答えるものではない。
【０００９】又、長尺化するに伴って当然光電変換素子
の数も増加するため、半導体装置である信号処理部の特
性のばらつきを無くすのは非常に難しい。
の数も増加するため、半導体装置である信号処理部の特
性のばらつきを無くすのは非常に難しい。
【００１０】更に、各光電変換要素が高密度化すると配
線や信号処理部も微細化するため、光情報を光電変換し
た後に電気信号として光情報に対応させて出力すること
も難しい。
線や信号処理部も微細化するため、光情報を光電変換し
た後に電気信号として光情報に対応させて出力すること
も難しい。
【００１１】本発明は上記の点に鑑みて成されたもので
あって、従来の半導体装置の改良を計ることを目的と
し、又無欠陥で長尺な半導体装置を提供することを目的
とする。
あって、従来の半導体装置の改良を計ることを目的と
し、又無欠陥で長尺な半導体装置を提供することを目的
とする。
【００１２】又、本発明は、長尺化によるビット間や装
置間の電気的特性のばらつきがなく、安定した信号出力
を行なうことができ、また情報に応じた出力を得ること
ができる半導体装置を提供することを目的とする。
置間の電気的特性のばらつきがなく、安定した信号出力
を行なうことができ、また情報に応じた出力を得ること
ができる半導体装置を提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明は基板と、該基板
上に設けられた半導体薄膜と該半導体薄膜に絶縁層を介
して設けられたゲート電極と前記半導体薄膜にｎ+層を
介して設けられたソース及びドレイン電極とを有する薄
膜トランジスタと、前記ソース及びドレイン電極の少な
くともいずれか一方と電気的に接続された蓄積手段と、
を有することを特徴とする半導体装置である。
上に設けられた半導体薄膜と該半導体薄膜に絶縁層を介
して設けられたゲート電極と前記半導体薄膜にｎ+層を
介して設けられたソース及びドレイン電極とを有する薄
膜トランジスタと、前記ソース及びドレイン電極の少な
くともいずれか一方と電気的に接続された蓄積手段と、
を有することを特徴とする半導体装置である。
【００１４】薄膜トランジスタのソース及びドレイン電
極をｎ+層を介して半導体薄膜を設けることによって蓄
積手段への電荷の転送や蓄積手段からの電荷の転送がロ
スなく行なえる。又、薄膜トランジスタの特性のばらつ
きも無くなる又は実質的になくなるので、ビット間や装
置間の電気的特性のばらつきが無くなる。
極をｎ+層を介して半導体薄膜を設けることによって蓄
積手段への電荷の転送や蓄積手段からの電荷の転送がロ
スなく行なえる。又、薄膜トランジスタの特性のばらつ
きも無くなる又は実質的になくなるので、ビット間や装
置間の電気的特性のばらつきが無くなる。
【００１５】
【実施例】以下、本発明を図面に従って説明する。
【００１６】図１には、本発明の半導体装置を適用した
光電変換装置の等価回路が示される。この光電変換装置
はＮ個の光電変換要素ＰＥ１，ＰＥ２，・・・，ＰＥ
Ｎ、各光電変換要素ＰＥの出力信号を蓄積する蓄積手段
としてのコンデンサーＣＥ１，ＣＥ２，・・・，ＣＥ
Ｎ、クロストーク防止用ダイオードＤ１，Ｄ２，・・
・，ＤＮ及び蓄積コンデンサーに貯えられた電荷を出力
端子ＯＵＴに順次転送するための転送用トランジスター
ＳＷ１，・・・，ＳＷＮにより構成される。
光電変換装置の等価回路が示される。この光電変換装置
はＮ個の光電変換要素ＰＥ１，ＰＥ２，・・・，ＰＥ
Ｎ、各光電変換要素ＰＥの出力信号を蓄積する蓄積手段
としてのコンデンサーＣＥ１，ＣＥ２，・・・，ＣＥ
Ｎ、クロストーク防止用ダイオードＤ１，Ｄ２，・・
・，ＤＮ及び蓄積コンデンサーに貯えられた電荷を出力
端子ＯＵＴに順次転送するための転送用トランジスター
ＳＷ１，・・・，ＳＷＮにより構成される。
【００１７】Ｎ個の光電変換要素の一方の電極は、それ
ぞれ蓄積コンデンサーと、クロストーク防止用ダイオー
ドのアノード電極に接続される。蓄積コンデンサーの対
極はすべて接地され、クロストーク防止用ダイオードの
カソード電極は、それぞれ転送用トランジスターのドレ
イン電極に接地される。
ぞれ蓄積コンデンサーと、クロストーク防止用ダイオー
ドのアノード電極に接続される。蓄積コンデンサーの対
極はすべて接地され、クロストーク防止用ダイオードの
カソード電極は、それぞれ転送用トランジスターのドレ
イン電極に接地される。
【００１８】光電変換要素のもう一方の電極はＭ個おき
に接続され、Ｍ本の信号線にまとめられる。この信号線
をブロック選択線と呼ぶ。
に接続され、Ｍ本の信号線にまとめられる。この信号線
をブロック選択線と呼ぶ。
【００１９】転送用トランジスターＳＷのソース電極は
すべて出力端子ＯＵＴに接続される。転送用トランジス
ターＳＷのゲート電極はそれぞれＭ個のゲート電極に共
通に接続されたＬ本の信号線にまとめられる。この信号
線をゲート選択線と呼ぶ。
すべて出力端子ＯＵＴに接続される。転送用トランジス
ターＳＷのゲート電極はそれぞれＭ個のゲート電極に共
通に接続されたＬ本の信号線にまとめられる。この信号
線をゲート選択線と呼ぶ。
【００２０】光電変換部に入射された光情報は、ブロッ
ク選択線により駆動される光電変換要素の出力がゲート
選択線により選択された転送用トランジスターＳＷを通
って出力端子ＯＵＴに出力される。
ク選択線により駆動される光電変換要素の出力がゲート
選択線により選択された転送用トランジスターＳＷを通
って出力端子ＯＵＴに出力される。
【００２１】図２には図１に示す本発明の半導体装置を
適用した光電変換装置の駆動のタイミングチャートが示
される。
適用した光電変換装置の駆動のタイミングチャートが示
される。
【００２２】ブロック選択信号Ｄ１，Ｄ２，・・・，Ｄ
Ｍの駆動周波数はゲート選択信号Ｇ１，Ｇ２，・・・，
ＧＬの駆動周波数に対し、通常Ｍ倍とされる。
Ｍの駆動周波数はゲート選択信号Ｇ１，Ｇ２，・・・，
ＧＬの駆動周波数に対し、通常Ｍ倍とされる。
【００２３】光電変換部に入射した光情報は光電変換要
素の抵抗を変化させ、ブロック選択信号Ｄのクロックに
よりそれぞれの蓄積コンデンサーＣＥに充電される。蓄
積コンデンサーＣＥに貯えられた電荷はゲート選択信号
Ｇにより導通状態となった転送用トランジスターにより
選択信号クロックに従って順次出力される。
素の抵抗を変化させ、ブロック選択信号Ｄのクロックに
よりそれぞれの蓄積コンデンサーＣＥに充電される。蓄
積コンデンサーＣＥに貯えられた電荷はゲート選択信号
Ｇにより導通状態となった転送用トランジスターにより
選択信号クロックに従って順次出力される。
【００２４】この光電変換装置における、光電変換要
素、転送用トランジスター、及びクロストーク防止用ダ
イオードはすべて半導体薄膜を有しており同一基板上に
構成される。
素、転送用トランジスター、及びクロストーク防止用ダ
イオードはすべて半導体薄膜を有しており同一基板上に
構成される。
【００２５】光電変換要素ＰＥを構成する光受容体層
は、例えば、アモルファス水素化シリコン（ａ−Ｓｉ：
Ｈと以後略記する），ＰｂＯ，ＣｄＳｅ，Ｓｂ2Ｓ3，Ｓ
ｅ，Ｓｅ−Ｔｅ，Ｓｅ−Ｔｅ−Ａｓ，Ｓｅ−Ｂｉ，Ｚｎ
ＣｄＴｅ，ＣｄＳ，Ｃｕ2Ｓアモルファス水素化ゲルマ
ニウム，アモルファス水素化ＧｅｘＳｉ（１−ｘ）等の
高感度の光導電材料で構成される。
は、例えば、アモルファス水素化シリコン（ａ−Ｓｉ：
Ｈと以後略記する），ＰｂＯ，ＣｄＳｅ，Ｓｂ2Ｓ3，Ｓ
ｅ，Ｓｅ−Ｔｅ，Ｓｅ−Ｔｅ−Ａｓ，Ｓｅ−Ｂｉ，Ｚｎ
ＣｄＴｅ，ＣｄＳ，Ｃｕ2Ｓアモルファス水素化ゲルマ
ニウム，アモルファス水素化ＧｅｘＳｉ（１−ｘ）等の
高感度の光導電材料で構成される。
【００２６】薄膜トランジスターＳＷ，Ｓを構成する半
導体薄膜は、例えばＣｄＳｅ，ａ−Ｓｉ：Ｈ（アモルフ
ァス水素化シリコン），ａ−Ｇｅ：Ｈ（アモルファス水
素化ゲルマニウム），アモルファス水素化ＧｅｘＳｉ
(1-x)，多結晶或いは結晶シリコン等で構成される。
導体薄膜は、例えばＣｄＳｅ，ａ−Ｓｉ：Ｈ（アモルフ
ァス水素化シリコン），ａ−Ｇｅ：Ｈ（アモルファス水
素化ゲルマニウム），アモルファス水素化ＧｅｘＳｉ
(1-x)，多結晶或いは結晶シリコン等で構成される。
【００２７】本発明においては、Ｎ，Ｐ，Ａｓ，Ｓｂ，
Ｂｉ等の周期律表第Ｖ族Ａの元素或いは、Ｂ，Ａｌ，Ｇ
ａ，Ｉｎ，Ｔｌ等の周期律表第ＩＩＩ族Ａの元素を不純
物としてドーピングする事によってｎ型あるいはｐ型に
することが出来ることの利点から、光受容体層及び薄膜
トランジスターをａ−Ｓｉ：Ｈで形成するのが好適とさ
れる。
Ｂｉ等の周期律表第Ｖ族Ａの元素或いは、Ｂ，Ａｌ，Ｇ
ａ，Ｉｎ，Ｔｌ等の周期律表第ＩＩＩ族Ａの元素を不純
物としてドーピングする事によってｎ型あるいはｐ型に
することが出来ることの利点から、光受容体層及び薄膜
トランジスターをａ−Ｓｉ：Ｈで形成するのが好適とさ
れる。
【００２８】本発明においては、光受容体層の層厚は、
光情報の入射によって生ずるホトキャリアの拡散の度合
により決定されるが通常４０００Å〜２μｍ、好適には
６０００Å〜１．５μｍとされるのが望ましい。又、薄
膜トランジスターの半導体層の層厚は、絶縁層を介して
設けられるゲート電極に印加される電圧により生じる空
乏層領域の層厚よりも薄いことが望ましく、通常１００
０Å〜１μｍが好適とされる。
光情報の入射によって生ずるホトキャリアの拡散の度合
により決定されるが通常４０００Å〜２μｍ、好適には
６０００Å〜１．５μｍとされるのが望ましい。又、薄
膜トランジスターの半導体層の層厚は、絶縁層を介して
設けられるゲート電極に印加される電圧により生じる空
乏層領域の層厚よりも薄いことが望ましく、通常１００
０Å〜１μｍが好適とされる。
【００２９】光電変換要素及び薄膜トランジスターが形
成される基板は、例えば基板側より光電変換素子の受光
面に光情報が入射される場合には、透光性の材質のもの
が採用されるが、基板とは反対面上に形成された光電変
換要素側よりその受光面に光情報が入射される場合に
は、このような制限は除くことが出来る。
成される基板は、例えば基板側より光電変換素子の受光
面に光情報が入射される場合には、透光性の材質のもの
が採用されるが、基板とは反対面上に形成された光電変
換要素側よりその受光面に光情報が入射される場合に
は、このような制限は除くことが出来る。
【００３０】本発明において基板として使用される好適
な材料としては、平面性、平面平滑性、耐熱性、製造時
の諸薬品に対しての耐性に優れたものであれば通常市販
されている或いは入手し得るものの多くが挙げられる。
その様な基板形成材料としては、具体的に例えば、ガラ
ス、７０５９番ガラス（ダウコーニング社製）、マグネ
シア，ベリリア，スピネル，酸化イットリウム等の透光
性材料、アルミニウムモリブデン，特殊ステンレス鋼
（ＪＩＳ規格ＳｕＳ），タンタル等の非透光性金属材料
が挙げられる。
な材料としては、平面性、平面平滑性、耐熱性、製造時
の諸薬品に対しての耐性に優れたものであれば通常市販
されている或いは入手し得るものの多くが挙げられる。
その様な基板形成材料としては、具体的に例えば、ガラ
ス、７０５９番ガラス（ダウコーニング社製）、マグネ
シア，ベリリア，スピネル，酸化イットリウム等の透光
性材料、アルミニウムモリブデン，特殊ステンレス鋼
（ＪＩＳ規格ＳｕＳ），タンタル等の非透光性金属材料
が挙げられる。
【００３１】図３には、光電変換要素の構造を説明する
模式的斜視図が示される。この実施例では基板材料とし
てガラスを用い受光面は基板の光電変換要素が作られて
いる側に対し、反対側とする。このため基板側受光面電
極３０２はＮ個の光受容体層に対し、共通に接続され透
光性の材質のものが採用される。例えばＳｎＯ2，ＩＴ
Ｏ（インジウム錫酸化物），Ｉｎ2Ｏ3等の透光性導電膜
が使用される。
模式的斜視図が示される。この実施例では基板材料とし
てガラスを用い受光面は基板の光電変換要素が作られて
いる側に対し、反対側とする。このため基板側受光面電
極３０２はＮ個の光受容体層に対し、共通に接続され透
光性の材質のものが採用される。例えばＳｎＯ2，ＩＴ
Ｏ（インジウム錫酸化物），Ｉｎ2Ｏ3等の透光性導電膜
が使用される。
【００３２】光受光体層３０３はｎｏｎ ｄｏｐｅ，ｎ
型或いはｉ型のａ−Ｓｉ：Ｈで形成され、受光面側電極
３０２、及び上部画素電極３０５の接合面３０４におい
てｎ+型にｄｏｐｅされる。このｎ+層３０４は受光面及
び上部画素電極と光受光体層との間にオーミックな接合
をとるために設けられる。
型或いはｉ型のａ−Ｓｉ：Ｈで形成され、受光面側電極
３０２、及び上部画素電極３０５の接合面３０４におい
てｎ+型にｄｏｐｅされる。このｎ+層３０４は受光面及
び上部画素電極と光受光体層との間にオーミックな接合
をとるために設けられる。
【００３３】上部上画素電極はＡｌ等の材料が用いら
れ、蓄積コンデンサーＣＥ、転送用トランジスターＳＷ
に接続される。
れ、蓄積コンデンサーＣＥ、転送用トランジスターＳＷ
に接続される。
【００３４】蓄積コンデンサーＣＥは絶縁層３０６の対
極する電極３０７，３０８により作製される。絶縁層３
０６の材料としては、例えばグロー放電法によるＳｉ3
Ｎ4，スパッター法によるＳｉＯ2，ＣＶＤ法によるＳｉ
Ｏ2等が挙げられ、本発明では半導体膜のａ−Ｓｉ：Ｈ
がグロー放電法で作製しうることからグロー放電法によ
るＳｉ3Ｎ4が好適とされる。
極する電極３０７，３０８により作製される。絶縁層３
０６の材料としては、例えばグロー放電法によるＳｉ3
Ｎ4，スパッター法によるＳｉＯ2，ＣＶＤ法によるＳｉ
Ｏ2等が挙げられ、本発明では半導体膜のａ−Ｓｉ：Ｈ
がグロー放電法で作製しうることからグロー放電法によ
るＳｉ3Ｎ4が好適とされる。
【００３５】図４には本発明の半導体装置の薄膜トラン
ジスターの構造を説明する為の模式的斜視図が示され
る。
ジスターの構造を説明する為の模式的斜視図が示され
る。
【００３６】ｎｏｎ−ｄｏｐｅ ｎ型、或いはｉ型ａ−
Ｓｉ：Ｈから成る半導体薄膜層４０４に対し、絶縁層４
０２をはさんでゲート電極４０３を形成し、半導体薄膜
層４０４の上部にはｎ+層４０５をはさんでソース電極
（又はドレイン電極）４０６が形成される。これによっ
て、薄膜トランジスターはトランジスターとして優れた
特性を示し、又、入出力される電気的信号をロスなく処
理することができる。ドレイン電極（又はソース電極）
４０７と半導体層４０４の接合層４０８はクロストーク
防止用ダイオード形成のため半導体層４０４とその接合
面においてショットキー接合となる材料が用いられても
良い。もちろん、クロストーク防止用ダイオードを別に
形成する場合にはｎ+層として良いものである。半導体
層がａ−Ｓｉ：Ｈの場合ショットキー接合を形成する材
料としては、Ａｕ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ｒｈ，Ｐｂ等が挙げら
れ、本発明ではＰｔが好適とされる。ドレイン電極４０
７はＡｌが好適とされる。
Ｓｉ：Ｈから成る半導体薄膜層４０４に対し、絶縁層４
０２をはさんでゲート電極４０３を形成し、半導体薄膜
層４０４の上部にはｎ+層４０５をはさんでソース電極
（又はドレイン電極）４０６が形成される。これによっ
て、薄膜トランジスターはトランジスターとして優れた
特性を示し、又、入出力される電気的信号をロスなく処
理することができる。ドレイン電極（又はソース電極）
４０７と半導体層４０４の接合層４０８はクロストーク
防止用ダイオード形成のため半導体層４０４とその接合
面においてショットキー接合となる材料が用いられても
良い。もちろん、クロストーク防止用ダイオードを別に
形成する場合にはｎ+層として良いものである。半導体
層がａ−Ｓｉ：Ｈの場合ショットキー接合を形成する材
料としては、Ａｕ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ｒｈ，Ｐｂ等が挙げら
れ、本発明ではＰｔが好適とされる。ドレイン電極４０
７はＡｌが好適とされる。
【００３７】本発明の半導体装置を適用した光電変換装
置は、図５に示されるように、長尺な基板５０４の上に
横一列に並んだＮ個の光電変換要素５０１、Ｎ個の蓄積
コンデンサー５０２、Ｎ個のクロストーク防止用ダイオ
ードを含む構造を持つ薄膜トランジスター５０３、光電
変換要素側の配線部５０５及びトランジスタ側配線部５
０６により構成される。
置は、図５に示されるように、長尺な基板５０４の上に
横一列に並んだＮ個の光電変換要素５０１、Ｎ個の蓄積
コンデンサー５０２、Ｎ個のクロストーク防止用ダイオ
ードを含む構造を持つ薄膜トランジスター５０３、光電
変換要素側の配線部５０５及びトランジスタ側配線部５
０６により構成される。
【００３８】図６には、本発明の装置の構造を説明する
為の模式的斜視図が示される。光電変換要素６０２の上
部電極より、蓄積コンデンサー６０３及び蓄積トランジ
スター６０４のドレイン電極に接続される。この薄膜ト
ランジスター６０４のドレイン電極にてクロストーク防
止用のショットキー・ダイオードが形成される。薄膜ト
ランジスター６０４のゲート電極６０５及びソース電極
６０６は絶縁層６０７を介した２層構成によりマトリク
ス配線される。
為の模式的斜視図が示される。光電変換要素６０２の上
部電極より、蓄積コンデンサー６０３及び蓄積トランジ
スター６０４のドレイン電極に接続される。この薄膜ト
ランジスター６０４のドレイン電極にてクロストーク防
止用のショットキー・ダイオードが形成される。薄膜ト
ランジスター６０４のゲート電極６０５及びソース電極
６０６は絶縁層６０７を介した２層構成によりマトリク
ス配線される。
【００３９】光電変換要旨の受光面側電極６０８はＩＴ
Ｏで形成され、薄膜トランジスター６０４とは光電変換
要素６０２について反対側の基板上で配像される。
Ｏで形成され、薄膜トランジスター６０４とは光電変換
要素６０２について反対側の基板上で配像される。
【００４０】基板６０１には透光性のガラスが用いられ
基板裏面より光情報が入射される。
基板裏面より光情報が入射される。
【００４１】上記したような構成の薄膜トランジスター
６０４と蓄積手段である蓄積コンデンサー６０３を有す
ることで、光電変換要素６０２によって光電変換された
光情報に対応した電気信号に応じて電荷の蓄積がなされ
た蓄積コンデンサー６０３からロスなく転送され出力さ
れる。
６０４と蓄積手段である蓄積コンデンサー６０３を有す
ることで、光電変換要素６０２によって光電変換された
光情報に対応した電気信号に応じて電荷の蓄積がなされ
た蓄積コンデンサー６０３からロスなく転送され出力さ
れる。
【００４２】又、薄膜トランジスター６０４は各トラン
ジスター間においても、半導体装置間においても電気的
特性のばらつきがないか実質的にないため各ビット間及
び装置間の特性のばらつきの問題も生じない。
ジスター間においても、半導体装置間においても電気的
特性のばらつきがないか実質的にないため各ビット間及
び装置間の特性のばらつきの問題も生じない。
【００４３】
【発明の効果】以上説明したように本発明は無欠陥で長
尺な半導体装置を提供することができる。
尺な半導体装置を提供することができる。
【００４４】又、本発明は、長尺化によるビット間や装
置間の電気的特性のばらつきがなく、安定した信号出力
を行なうことができ、また情報に応じた出力を得ること
ができる半導体装置を提供することができる。
置間の電気的特性のばらつきがなく、安定した信号出力
を行なうことができ、また情報に応じた出力を得ること
ができる半導体装置を提供することができる。
【図１】本発明の半導体装置を適用した光電変換装置の
等価回路を示す回路図である。
等価回路を示す回路図である。
【図２】本発明の半導体装置を適用した光電変換装置の
動作のタイミングチャート図である。
動作のタイミングチャート図である。
【図３】本発明における半導体装置を適用した光電変換
装置の光電変換要素の構造を示す模式的斜視図である。
装置の光電変換要素の構造を示す模式的斜視図である。
【図４】本発明における半導体装置の薄膜トランジスタ
ーの構造を示す模式的斜視図である。
ーの構造を示す模式的斜視図である。
【図５】本発明の装置を適用した光電変換装置の構成を
示す概略図である。
示す概略図である。
【図６】本発明に係わる配線パターンの一例を示す模式
的斜視図である。
的斜視図である。
４０２ 絶縁層 ４０３ ゲート電極 ４０４ 半導体薄膜 ４０５ ｎ+層 ４０６ ソース電極又はドレイン電極 ４０７ ドレイン電極 ４０８ 接合層
フロントページの続き (72)発明者 鵜沢 俊一 東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノ ン株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】 基板と、該基板上に設けられた半導体薄
膜と該半導体薄膜に絶縁層を介して設けられたゲート電
極と前記半導体薄膜にｎ+層を介して設けられたソース
及びドレイン電極とを有する薄膜トランジスタと、前記
ソース及びドレイン電極の少なくともいずれか一方と電
気的に接続された蓄積手段と、を有することを特徴とす
る半導体装置。 - 【請求項２】 前記基板は透光性材料である請求項１の
半導体装置。 - 【請求項３】 前記蓄積手段は対極する少なくとも１組
の電極と該電極間に設けられた絶縁層を有し、該絶縁層
は前記薄膜トランジスタの絶縁層と共有されている請求
項１の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5006032A JPH06236997A (ja) | 1993-01-18 | 1993-01-18 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5006032A JPH06236997A (ja) | 1993-01-18 | 1993-01-18 | 半導体装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1343680A Division JPH0612812B2 (ja) | 1989-12-29 | 1989-12-29 | 光電変換装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06236997A true JPH06236997A (ja) | 1994-08-23 |
Family
ID=11627320
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5006032A Pending JPH06236997A (ja) | 1993-01-18 | 1993-01-18 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06236997A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017034262A (ja) * | 2007-12-21 | 2017-02-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置及び半導体装置の作製方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54108595A (en) * | 1978-02-13 | 1979-08-25 | Sharp Corp | Driving method of matrix type liquid-crystal display unit |
-
1993
- 1993-01-18 JP JP5006032A patent/JPH06236997A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54108595A (en) * | 1978-02-13 | 1979-08-25 | Sharp Corp | Driving method of matrix type liquid-crystal display unit |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017034262A (ja) * | 2007-12-21 | 2017-02-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置及び半導体装置の作製方法 |
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