JPH022299B2 - - Google Patents
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- JPH022299B2 JPH022299B2 JP55042203A JP4220380A JPH022299B2 JP H022299 B2 JPH022299 B2 JP H022299B2 JP 55042203 A JP55042203 A JP 55042203A JP 4220380 A JP4220380 A JP 4220380A JP H022299 B2 JPH022299 B2 JP H022299B2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N1/00—Scanning, transmission or reproduction of documents or the like, e.g. facsimile transmission; Details thereof
- H04N1/04—Scanning arrangements, i.e. arrangements for the displacement of active reading or reproducing elements relative to the original or reproducing medium, or vice versa
- H04N1/12—Scanning arrangements, i.e. arrangements for the displacement of active reading or reproducing elements relative to the original or reproducing medium, or vice versa using the sheet-feed movement or the medium-advance or the drum-rotation movement as the slow scanning component, e.g. arrangements for the main-scanning
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は光電変換装置、殊にフアクシミリ、デ
ジタル複写機、レーザ記録装置等の光情報入力
部、バーコード読取装置やその他の文字や画像等
の読取装置等に適用される固体化された光電変換
装置に関する。
ジタル複写機、レーザ記録装置等の光情報入力
部、バーコード読取装置やその他の文字や画像等
の読取装置等に適用される固体化された光電変換
装置に関する。
最近、装置全体の小型化指向から、フアクシミ
リやデジタル複写機、レーザ記録装置等の光情報
入力部、或いはその他の、原稿に書かれた文字や
像を読取る装置に適用される光電変換装置として
再生される原画像のサイズに相等しいか若しくは
それに近いサイズの受光面を有し、且つ解像性に
優れ、原画像を忠実に読取り得、然もコンパクト
な所謂長尺化された受光面を有する固体化された
光電変換装置の開発の進展が著しい。
リやデジタル複写機、レーザ記録装置等の光情報
入力部、或いはその他の、原稿に書かれた文字や
像を読取る装置に適用される光電変換装置として
再生される原画像のサイズに相等しいか若しくは
それに近いサイズの受光面を有し、且つ解像性に
優れ、原画像を忠実に読取り得、然もコンパクト
な所謂長尺化された受光面を有する固体化された
光電変換装置の開発の進展が著しい。
しかしながら、上記の様な長尺化された受光面
を有する光電変換装置は、具備される光電変換部
に附随する信号処理回路部に大きな問題がある。
を有する光電変換装置は、具備される光電変換部
に附随する信号処理回路部に大きな問題がある。
即ち、前記信号処理回路部が光電変換部に較べ
て非常に大きな面積的なスペースを占め、光電変
換部を長尺化することで受光面に入力される光情
報信号の光路長を非常に短かくすることが出来る
ことにより生じた小型化の利点を生かし切れてい
ないという点である。
て非常に大きな面積的なスペースを占め、光電変
換部を長尺化することで受光面に入力される光情
報信号の光路長を非常に短かくすることが出来る
ことにより生じた小型化の利点を生かし切れてい
ないという点である。
通常この問題点を解決するための一手段として
光電変換部の光電変換要素（画素）群を複数個に
ブロツク化して各ブロツクをマトリツクス配線
し、各ブロツクに共通の信号処理回路部を設ける
ことで、１ブロツク単位でこの信号処理回路部を
動作させる方式が取られる。
光電変換部の光電変換要素（画素）群を複数個に
ブロツク化して各ブロツクをマトリツクス配線
し、各ブロツクに共通の信号処理回路部を設ける
ことで、１ブロツク単位でこの信号処理回路部を
動作させる方式が取られる。
ここで、このマトリツクス配線において問題と
なるのは、各光電変換要素と信号処理部を接続
し、外部に信号をとり出すためにボンデイング工
程が必要であるが、若し光電変換要素群と信号処
理部を一体化しなければ、このボンデイング工程
が極端に多くなることである。
なるのは、各光電変換要素と信号処理部を接続
し、外部に信号をとり出すためにボンデイング工
程が必要であるが、若し光電変換要素群と信号処
理部を一体化しなければ、このボンデイング工程
が極端に多くなることである。
通常この問題点を解決するために、結晶Si基板
上に信号処理回路部を設け、その上に光電変換部
を作製し、一体化を計つている。
上に信号処理回路部を設け、その上に光電変換部
を作製し、一体化を計つている。
しかしながら、光電変換部の受光面は長尺化さ
れているため、光電変換部に隣接して信号処理部
を設ける必要があり、この要求に対して結晶Si基
板を用いることは充分答えるものではない。
れているため、光電変換部に隣接して信号処理部
を設ける必要があり、この要求に対して結晶Si基
板を用いることは充分答えるものではない。
本発明の目的とするところは、従来の光電変換
装置の改良を計り、小型で長尺化された生産性と
信頼性に優れた光電変換装置を提供することであ
る。
装置の改良を計り、小型で長尺化された生産性と
信頼性に優れた光電変換装置を提供することであ
る。
本発明の別の目的は、光電変換部を構成する多
数の光電変換要素の中に、欠陥を有するものが存
在しない。長尺化され固体化された光電変換装置
を提供することである。
数の光電変換要素の中に、欠陥を有するものが存
在しない。長尺化され固体化された光電変換装置
を提供することである。
本発明の更に別の目的は、長尺の受光面を有す
る光電変換部と該光電変換部により光電変換され
た信号を処理して時系列的に出力する信号処理回
路部とが同一の基板上に並列的に配設されてい
る、固体化された光電変換装置を提供することで
ある。
る光電変換部と該光電変換部により光電変換され
た信号を処理して時系列的に出力する信号処理回
路部とが同一の基板上に並列的に配設されてい
る、固体化された光電変換装置を提供することで
ある。
上記目的を達成する本発明は、光情報が入力さ
れる受光面を有し、半導体薄膜を具えた光電変換
要素の多数がアレー状に配列されて成る光電変換
部；前記光電変換要素毎に設けられ、対応する光
電変換要素によつて光電変換された信号電荷を蓄
積する蓄積手段の多数で構成される電荷蓄積部；
各蓄積手段毎に設けられ、対応する蓄積手段に蓄
積されている信号を転送する為のスイツチング動
作を行ない、半導体薄膜を具えた転送用トランジ
スタの多数を備えた転送用トランジスタ部；半導
体層と絶縁層とを有するトランジスタの多数と、
絶縁層を有するコンデンサの多数を具備し、各蓄
積手段より転送されて来る信号を時系列的に配列
して出力するBBD転送部；とが同一基板上に平
置的に一体化されて設けられ、前記BBD転送部
の前記トランジスタと前記コンデンサとに共有さ
れている絶縁層を有する事を特徴とする。
れる受光面を有し、半導体薄膜を具えた光電変換
要素の多数がアレー状に配列されて成る光電変換
部；前記光電変換要素毎に設けられ、対応する光
電変換要素によつて光電変換された信号電荷を蓄
積する蓄積手段の多数で構成される電荷蓄積部；
各蓄積手段毎に設けられ、対応する蓄積手段に蓄
積されている信号を転送する為のスイツチング動
作を行ない、半導体薄膜を具えた転送用トランジ
スタの多数を備えた転送用トランジスタ部；半導
体層と絶縁層とを有するトランジスタの多数と、
絶縁層を有するコンデンサの多数を具備し、各蓄
積手段より転送されて来る信号を時系列的に配列
して出力するBBD転送部；とが同一基板上に平
置的に一体化されて設けられ、前記BBD転送部
の前記トランジスタと前記コンデンサとに共有さ
れている絶縁層を有する事を特徴とする。
上記の様に構成されることにより、小型長尺化
を計ることが出来、信頼性と生産性が著しく向上
する。
を計ることが出来、信頼性と生産性が著しく向上
する。
第１図は、本発明の光電変換装置の好適な実施
態様例の１つの電気的な回路を説明する為の回路
図である。
態様例の１つの電気的な回路を説明する為の回路
図である。
第１図に示される光電変換装置は、一例アレー
状に配されたｎ個の光電変換要素PE，PE１，
PE２，…PEnで構成される光電変換部と、各光
電変換要素PE毎に設けられたｎ個の転送用トラ
ンジスタSW，SW１，SW２，…SWnで構成さ
れる転送用トランジスタ部及ｎ個のコンデンサ
CE，CE１，CE２，…CEnで構成される電荷蓄積
用のコンデンサ部、及びその半導体部が薄膜半導
体から成るトランジスタBD及びコンデンサBCE
とで構成される転送用BBD（Bucket Buigade
Device）から成る信号処理部とを具備している。
状に配されたｎ個の光電変換要素PE，PE１，
PE２，…PEnで構成される光電変換部と、各光
電変換要素PE毎に設けられたｎ個の転送用トラ
ンジスタSW，SW１，SW２，…SWnで構成さ
れる転送用トランジスタ部及ｎ個のコンデンサ
CE，CE１，CE２，…CEnで構成される電荷蓄積
用のコンデンサ部、及びその半導体部が薄膜半導
体から成るトランジスタBD及びコンデンサBCE
とで構成される転送用BBD（Bucket Buigade
Device）から成る信号処理部とを具備している。
これ等の構成関係を更に詳細に述べると、等ピ
ツチで列状に配列されたｎ個の光電変換要素PE
と同一基板上に対応する光電変換要素PEと一体
的に作られ、光電変換要素PEに直列に直結され、
光入力に対応した信号電荷を蓄積する蓄積コンデ
ンサCEのｎ個と蓄積コンデンサCEに蓄積されて
いる信号を転送用BBD部に転送するためのスイ
ツチング機能を果すｎ個のスイツチングトランジ
スタSW，SW１，SW２，…SWn及び2n個の薄
膜トランジスタBD１，BD２，BD３，BD４，
…BD２ｎと2n個のコンデンサBCE，BCE１，
BCE２，BCE３，BCE４，…BCE２ｎとから成
り、各蓄積コンデンサCEより転送される信号を
時系列的に出力する為の転送用BBDから構成さ
れる。
ツチで列状に配列されたｎ個の光電変換要素PE
と同一基板上に対応する光電変換要素PEと一体
的に作られ、光電変換要素PEに直列に直結され、
光入力に対応した信号電荷を蓄積する蓄積コンデ
ンサCEのｎ個と蓄積コンデンサCEに蓄積されて
いる信号を転送用BBD部に転送するためのスイ
ツチング機能を果すｎ個のスイツチングトランジ
スタSW，SW１，SW２，…SWn及び2n個の薄
膜トランジスタBD１，BD２，BD３，BD４，
…BD２ｎと2n個のコンデンサBCE，BCE１，
BCE２，BCE３，BCE４，…BCE２ｎとから成
り、各蓄積コンデンサCEより転送される信号を
時系列的に出力する為の転送用BBDから構成さ
れる。
転送用BBDは２つのトランジスタBDと２つの
コンデンサBCEとが交互に接続されるBBDセル
BCがｎ個直連的に接続された構成とされている。
コンデンサBCEとが交互に接続されるBBDセル
BCがｎ個直連的に接続された構成とされている。
即ち、例えば第１番号のBBDセルBC１に就て
説明すれば、トランジスタBD１のドレインとト
ランジスタBD２のソースとが結線され、このソ
ース・ドレイン結線にコンデンサBCE１の一方
の電極が接続され、他方の電極はトランジスタ
BD１のゲートに接続されている。コンデンサ
BCE２の一方の電極はトランジスタBD２のゲー
トに接続され、他方の電極はトランジスタBD２
のドレインに接続されている。そしてトランジス
タBD２のドレインは、隣りのBBDセルBD２を
構成するトランジスタBD３のソースに接続され
ている。
説明すれば、トランジスタBD１のドレインとト
ランジスタBD２のソースとが結線され、このソ
ース・ドレイン結線にコンデンサBCE１の一方
の電極が接続され、他方の電極はトランジスタ
BD１のゲートに接続されている。コンデンサ
BCE２の一方の電極はトランジスタBD２のゲー
トに接続され、他方の電極はトランジスタBD２
のドレインに接続されている。そしてトランジス
タBD２のドレインは、隣りのBBDセルBD２を
構成するトランジスタBD３のソースに接続され
ている。
この様にして、ｎ個のBBDセルBDが直列的に
接続され、各BBDセルに転送されている信号が
BBD駆動信号φ１，φ２の入力により次々に右
隣りのBBDセルに転送されることで、各信号は
端子Voutより時系的に出力される。
接続され、各BBDセルに転送されている信号が
BBD駆動信号φ１，φ２の入力により次々に右
隣りのBBDセルに転送されることで、各信号は
端子Voutより時系的に出力される。
第１図に示される回路図の光電変換装置の信号
処理に就て簡単に述べれば、光入力によつて各光
電変換要素PEで光電変換されて得られた情報信
号は各対応する蓄積コンデンサCEに同時に蓄積
される。その後転送用スイツチング薄膜トランジ
スタSW，SW１，SW２，…SWnのゲート端子
VGに電圧信号を印加して、各蓄積コンデンサCE
に蓄積されている信号を、転送用BBDを構成す
るコンデンサBCEの中の各対応するコンデンサ
BCE１，BCE３，…BCE（2n―１）に同時に転送
する。
処理に就て簡単に述べれば、光入力によつて各光
電変換要素PEで光電変換されて得られた情報信
号は各対応する蓄積コンデンサCEに同時に蓄積
される。その後転送用スイツチング薄膜トランジ
スタSW，SW１，SW２，…SWnのゲート端子
VGに電圧信号を印加して、各蓄積コンデンサCE
に蓄積されている信号を、転送用BBDを構成す
るコンデンサBCEの中の各対応するコンデンサ
BCE１，BCE３，…BCE（2n―１）に同時に転送
する。
コンデンサBCE１，BCE３，…BCE（2n―１）
に入力された信号は信号P1，P2によつて奇数番
目の薄膜トランジスタBD１，BD３，…BD（2n
―１）と偶数番目の薄膜トランジスタBD２，
BD４，…BD２ｎとを交互に駆動させることで
順次右隣りのBBDセルに送られて行き、端子
Voutより時系列的に出力される。
に入力された信号は信号P1，P2によつて奇数番
目の薄膜トランジスタBD１，BD３，…BD（2n
―１）と偶数番目の薄膜トランジスタBD２，
BD４，…BD２ｎとを交互に駆動させることで
順次右隣りのBBDセルに送られて行き、端子
Voutより時系列的に出力される。
光電変換要素PEは基本的には、受光面側に設
けられる透光性の電極と該電極に対向する位置に
設けられる電極と、これ等２つの電極に挾持され
た光受容体層とで構成される。
けられる透光性の電極と該電極に対向する位置に
設けられる電極と、これ等２つの電極に挾持され
た光受容体層とで構成される。
光電変換要素PEを構成する光受容体層は、例
えば、水素化アモルフアスシリコン（Ａ―Si：Ｈ
と以後表記する）、PbO，CdSe，Sb2S3，Se，Se
―Te，Se―Te―As，Se―Bi，ZnCdTe，CdS，
Cu2S、水素化アモルフアスゲルマニウム（Ａ―
Ge：Ｈと以後表記する）、水素化アモルフアスゲ
ルマニウムシリコン（Ａ―GexSi（１―ｘ）：Ｈと
以後表記する）等の高感度の薄膜し得た光導電材
料で構成される。本発明に於ては、光受容体層の
層厚は、光情報の入射によつて生ずるホトキヤリ
アの吸収の度合により決定されるが通常4000Å〜
2μ、好適には6000Å〜1.5μとされるのが望まし
い。本発明に於ては、Ｎ，Ｐ，As，Sb，Bi等の
周期律表第族Ａの元素或いは、Ｂ，Al，Ga，
In，Tl等の周期律表第族Ａの元素を不純物と
してドーピングすることによつてｎ型或いはｐ型
にすることが出来ることの利点から、光受容体層
をＡ―Si：Ｈで形成するのが好適とされる。スイ
ツチング用薄膜トランジスタSW及び転送用BBD
の薄膜トランジスタBDを構成する半導体層は、
例えばＡ―Si：Ｈ，Ａ―Gi：Ｈ，Ａ―GexSi1-x：
Ｈ，多結晶シリコン、CdS，CdSe，Cd―Ｓ―Se
等が用いられる。
えば、水素化アモルフアスシリコン（Ａ―Si：Ｈ
と以後表記する）、PbO，CdSe，Sb2S3，Se，Se
―Te，Se―Te―As，Se―Bi，ZnCdTe，CdS，
Cu2S、水素化アモルフアスゲルマニウム（Ａ―
Ge：Ｈと以後表記する）、水素化アモルフアスゲ
ルマニウムシリコン（Ａ―GexSi（１―ｘ）：Ｈと
以後表記する）等の高感度の薄膜し得た光導電材
料で構成される。本発明に於ては、光受容体層の
層厚は、光情報の入射によつて生ずるホトキヤリ
アの吸収の度合により決定されるが通常4000Å〜
2μ、好適には6000Å〜1.5μとされるのが望まし
い。本発明に於ては、Ｎ，Ｐ，As，Sb，Bi等の
周期律表第族Ａの元素或いは、Ｂ，Al，Ga，
In，Tl等の周期律表第族Ａの元素を不純物と
してドーピングすることによつてｎ型或いはｐ型
にすることが出来ることの利点から、光受容体層
をＡ―Si：Ｈで形成するのが好適とされる。スイ
ツチング用薄膜トランジスタSW及び転送用BBD
の薄膜トランジスタBDを構成する半導体層は、
例えばＡ―Si：Ｈ，Ａ―Gi：Ｈ，Ａ―GexSi1-x：
Ｈ，多結晶シリコン、CdS，CdSe，Cd―Ｓ―Se
等が用いられる。
本発明に於ては、不純物のドーピングにより抵
抗制御ができ、又光電変換（要素PE）と同一基
板上で一体化を計ることの利点から、半導体層を
Ａ―Si：Ｈ又は多結晶シリコンで形成するのが好
適とされる。
抗制御ができ、又光電変換（要素PE）と同一基
板上で一体化を計ることの利点から、半導体層を
Ａ―Si：Ｈ又は多結晶シリコンで形成するのが好
適とされる。
本発明においては薄膜トランジスタの半導体層
中に形成される空乏層の拡がりの深さから薄膜ト
ランジスタを構成する半導体層の層厚は4000〜
1.5μが好適とされる。
中に形成される空乏層の拡がりの深さから薄膜ト
ランジスタを構成する半導体層の層厚は4000〜
1.5μが好適とされる。
光電変換部及び信号処理回路部が形成される基
板は、例えば、基板側より光電変換部の受光面に
光情報が入射される場合には、透光性の材料のも
のが採用されるが、基板とは反対面上に形成され
た受光面側より光情報が入射される場合には、こ
の様な制限は除くことが出来る。
板は、例えば、基板側より光電変換部の受光面に
光情報が入射される場合には、透光性の材料のも
のが採用されるが、基板とは反対面上に形成され
た受光面側より光情報が入射される場合には、こ
の様な制限は除くことが出来る。
本発明に於て基板として使用される好適な材料
としては、平面性、表面平滑性、耐熱性、製造時
の諸薬品に対しての耐性に優れたものであれば通
常市販されている或いは入手し得るものの多くが
挙げられる。その様な基板形成材料としては、具
体的には例えば、ガラス、7059番ガラス（ダウコ
ーニング社製）、マグネシア、ベリリア、スピネ
ル、酸化イツトリウム等の透光性材料、アルミニ
ウム、モリブデン、特殊ステンレス鋼JIS規格
SuS），タンタル等の非透光性金属材料が挙げら
れる。
としては、平面性、表面平滑性、耐熱性、製造時
の諸薬品に対しての耐性に優れたものであれば通
常市販されている或いは入手し得るものの多くが
挙げられる。その様な基板形成材料としては、具
体的には例えば、ガラス、7059番ガラス（ダウコ
ーニング社製）、マグネシア、ベリリア、スピネ
ル、酸化イツトリウム等の透光性材料、アルミニ
ウム、モリブデン、特殊ステンレス鋼JIS規格
SuS），タンタル等の非透光性金属材料が挙げら
れる。
次に上記に沿つて本発明の光電変換部、それに
接続する電荷蓄積用のコンデンサー部、転送用ス
イツチング薄膜トランジスタ部、及び転送用
BBD部についての具体的な構造を詳細に説明す
る。第２図には好適な実施例として本発明の主要
部である光電変換部、電荷蓄積用のコンデンサー
部、転送用スイツチング薄膜トランジスタ部、信
号転送用BBD部を模式的に示した平面図Ａと断
面図Ｂ（第２図ＡのAAでの切断面図）が示され
る。
接続する電荷蓄積用のコンデンサー部、転送用ス
イツチング薄膜トランジスタ部、及び転送用
BBD部についての具体的な構造を詳細に説明す
る。第２図には好適な実施例として本発明の主要
部である光電変換部、電荷蓄積用のコンデンサー
部、転送用スイツチング薄膜トランジスタ部、信
号転送用BBD部を模式的に示した平面図Ａと断
面図Ｂ（第２図ＡのAAでの切断面図）が示され
る。
光電変換部は基板２０１上に１列アレー状にｎ
個形成された電極領域２０６の表面上に例えばＰ
又はAs等のドーパントがドーピングされている
Ａ―Si：Ｈで形成されるオーミツクコンタクト層
２０２を設け、その上にnon―dopeのＡ―Si：Ｈ
によつて形成される光受容体層２０３が設けられ
る。光受容体層２０３の上には層２０２と同様の
オーミツクコンタクト層２０４が設けられ、その
上に上部電極２０５が設けられる。
個形成された電極領域２０６の表面上に例えばＰ
又はAs等のドーパントがドーピングされている
Ａ―Si：Ｈで形成されるオーミツクコンタクト層
２０２を設け、その上にnon―dopeのＡ―Si：Ｈ
によつて形成される光受容体層２０３が設けられ
る。光受容体層２０３の上には層２０２と同様の
オーミツクコンタクト層２０４が設けられ、その
上に上部電極２０５が設けられる。
本発明においては、基板２０１と反対側より光
入力が行われるため、電極２０５は透光性の材
料、例えばITO，SnO2，In2O3等で形成される。
入力が行われるため、電極２０５は透光性の材
料、例えばITO，SnO2，In2O3等で形成される。
光電変換要素PEと電極２０６で接続する蓄積
コンデンサーCEは、電極２０６の上に絶縁層２
０７を設け、その上に接地した共通電極２０８を
設けた構造を有する。絶縁層２０７は例えばシリ
コン・トイトライド、又はシリコン・オキサイド
で適宜な膜厚で所望の容量になるように作製され
る。
コンデンサーCEは、電極２０６の上に絶縁層２
０７を設け、その上に接地した共通電極２０８を
設けた構造を有する。絶縁層２０７は例えばシリ
コン・トイトライド、又はシリコン・オキサイド
で適宜な膜厚で所望の容量になるように作製され
る。
光電変換要素PEと電極２０６で接続する転送
用スイツチング薄膜トランジスタSWはソース電
極を電極２０６の一端、ドレイン電極を電極２１
３の一端とし、各電極と薄膜半導体層２０９との
間にオーミツクコンタクト層２１０―１，２１０
―２が各々設けられ、半導体層２０９の上には、
絶縁層２１１、ゲート電極２１２が設けてある。
絶縁層２１１を形成する材料としては、例えばシ
リコン・ナイトライド（Si3N4）又はシリコン・
オキサイド（SiO2）が用いられる。
用スイツチング薄膜トランジスタSWはソース電
極を電極２０６の一端、ドレイン電極を電極２１
３の一端とし、各電極と薄膜半導体層２０９との
間にオーミツクコンタクト層２１０―１，２１０
―２が各々設けられ、半導体層２０９の上には、
絶縁層２１１、ゲート電極２１２が設けてある。
絶縁層２１１を形成する材料としては、例えばシ
リコン・ナイトライド（Si3N4）又はシリコン・
オキサイド（SiO2）が用いられる。
BBD部は半導体層２１４を基板２０１上に設
け、その上にソース・ドレイン層２１６を設け、
そのソース・ドレイン層２１６は１つおきに、オ
ーミツクコンタクト層２１５を中間に介在させて
半導体層２１４に設けられており、電極２１３で
転送用スイツチング薄膜トランジスタSW部を接
続される。その上に例えばシリコン・ナイトライ
ド又はシリコン・オキサイド等によつて形成され
る絶縁層２１７が積層され、該絶縁層２１７上に
上部ゲート電極２１８が設けられる。
け、その上にソース・ドレイン層２１６を設け、
そのソース・ドレイン層２１６は１つおきに、オ
ーミツクコンタクト層２１５を中間に介在させて
半導体層２１４に設けられており、電極２１３で
転送用スイツチング薄膜トランジスタSW部を接
続される。その上に例えばシリコン・ナイトライ
ド又はシリコン・オキサイド等によつて形成され
る絶縁層２１７が積層され、該絶縁層２１７上に
上部ゲート電極２１８が設けられる。
BBDを構成する薄膜トランジスタの共通ゲー
ト電極２１８―１，２１８―２に信号φ1，φ2が
交互に半導体層及びソース・ドレイン層に印加さ
れるように配置されている。
ト電極２１８―１，２１８―２に信号φ1，φ2が
交互に半導体層及びソース・ドレイン層に印加さ
れるように配置されている。
転送用スイツチングトランジスタSWの各ゲー
ト電極２１２は共通に接続されている。
ト電極２１２は共通に接続されている。
各光電変換要素PEの電極２０５は共通と接続
されている。
されている。
信号のとり出しは最終段のBBDセルのソー
ス・ドレイン層上の絶縁層にコンタクト・ホール
をあけ、該ソース・ドレイン層と接続される信号
取り出し電極を設けてとり出している。
ス・ドレイン層上の絶縁層にコンタクト・ホール
をあけ、該ソース・ドレイン層と接続される信号
取り出し電極を設けてとり出している。
第３図には、転送用スイツチング薄膜トランジ
スタSWのＷ／Ｌ（チヤンネル巾／チヤンネル長
さ）が大きい場合の好適な実施態様例が平面図
Ａ、第３図ＡのBBでの断面図Ｂに分けて示され
る。
スタSWのＷ／Ｌ（チヤンネル巾／チヤンネル長
さ）が大きい場合の好適な実施態様例が平面図
Ａ、第３図ＡのBBでの断面図Ｂに分けて示され
る。
第３図Ａに示されるように、電極３０２にオー
ミツクコンタクトした半導体層３０４を設け、そ
の上に半導体３０５及びゲート電極３０６を設け
てある。第３図Ａに示されるように、チヤンネル
は共通にとり出しているゲート電極３０６のライ
ンVGと平行して設け、第２図の例に比較して
Ｗ／Ｌが大きくとれ、同時に電極３０２，３０３
とゲート電極３０６との重なり部分が少なくな
り、規制容量が小さくできる。
ミツクコンタクトした半導体層３０４を設け、そ
の上に半導体３０５及びゲート電極３０６を設け
てある。第３図Ａに示されるように、チヤンネル
は共通にとり出しているゲート電極３０６のライ
ンVGと平行して設け、第２図の例に比較して
Ｗ／Ｌが大きくとれ、同時に電極３０２，３０３
とゲート電極３０６との重なり部分が少なくな
り、規制容量が小さくできる。
以上具体的に説明された本発明の光電変換装置
は、小型長尺化を計ることが出来、信頼性と生産
性を著しく向上させることが出来る。
は、小型長尺化を計ることが出来、信頼性と生産
性を著しく向上させることが出来る。
第１図は、本発明の光電変換装置の好適な第１
の実施態様例の回路図、第２図Ａはその構造を説
明するための模式的平面図、第２図Ｂは第２図Ａ
を示すAAで切断した模式的切断面図、第３図Ａ
は、第１の実施態様例の変形例の構造を模式的に
示した平面図、第３図Ｂは第３図Ａに示すBBで
の切断した模式的切断面図である。 ２０１，３０１……基板、２０７……蓄積コン
デンサ用絶縁層、２０９，３０４……転送用薄膜
トランジスタの半導体層、２１４……BBD用薄
膜トランジスタの半導体層。
の実施態様例の回路図、第２図Ａはその構造を説
明するための模式的平面図、第２図Ｂは第２図Ａ
を示すAAで切断した模式的切断面図、第３図Ａ
は、第１の実施態様例の変形例の構造を模式的に
示した平面図、第３図Ｂは第３図Ａに示すBBで
の切断した模式的切断面図である。 ２０１，３０１……基板、２０７……蓄積コン
デンサ用絶縁層、２０９，３０４……転送用薄膜
トランジスタの半導体層、２１４……BBD用薄
膜トランジスタの半導体層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 光情報が入力される受光面を有し、半導体薄
膜を具えた光電変換要素の多数がアレー状に配列
されて成る光電変換部； 前記光電変換要素毎に設けられ、対応する光電
変換要素によつて光電変換された信号電荷を蓄積
する蓄積手段の多数で構成される電荷蓄積部； 各蓄積手段毎に設けられ、対応する蓄積手段に
蓄積されている信号を転送する為のスイツチング
動作を行ない、半導体薄膜を具えた転送用トラン
ジスタの多数を備えた転送用トランジスタ部； 半導体層と絶縁層とを有するトランジスタの多
数と、絶縁層を有するコンデンサの多数とを具備
し、各蓄積手段より転送されて来る信号を時系列
的に配列して出力するBBD転送部； とが同一基板上に平置的に一体化されて設けら
れ、前記BBD転送部の前記トランジスタと前記
コンデンサとに共有されている絶縁層を有する事
を特徴とする固体化された光電変換装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4220380A JPS56138359A (en) | 1980-03-31 | 1980-03-31 | Photoelectric converter |
| US06/246,290 US4405857A (en) | 1980-03-31 | 1981-03-23 | Solid-state photoelectric converter |
| DE19813112865 DE3112865A1 (de) | 1980-03-31 | 1981-03-31 | "photoelektrischer festkoerper-umsetzer" |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4220380A JPS56138359A (en) | 1980-03-31 | 1980-03-31 | Photoelectric converter |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56138359A JPS56138359A (en) | 1981-10-28 |
| JPH022299B2 true JPH022299B2 (ja) | 1990-01-17 |
Family
ID=12629445
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4220380A Granted JPS56138359A (en) | 1980-03-31 | 1980-03-31 | Photoelectric converter |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS56138359A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5797776A (en) * | 1980-12-10 | 1982-06-17 | Fuji Xerox Co Ltd | Image pickup device for reading original |
| JPS5932250A (ja) * | 1982-08-16 | 1984-02-21 | Fuji Xerox Co Ltd | 原稿読取装置 |
| JPS6051274B2 (ja) * | 1982-09-29 | 1985-11-13 | 株式会社東芝 | イメ−ジセンサ |
| JPS6412577A (en) * | 1987-07-06 | 1989-01-17 | Canon Kk | Thin film transistor |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5128427A (ja) * | 1974-09-03 | 1976-03-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | |
| JPS5366115A (en) * | 1976-11-26 | 1978-06-13 | Hitachi Ltd | Solid image pickup equipment |
| JPS54139342A (en) * | 1978-04-20 | 1979-10-29 | Canon Inc | Information processing unit |
-
1980
- 1980-03-31 JP JP4220380A patent/JPS56138359A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5128427A (ja) * | 1974-09-03 | 1976-03-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | |
| JPS5366115A (en) * | 1976-11-26 | 1978-06-13 | Hitachi Ltd | Solid image pickup equipment |
| JPS54139342A (en) * | 1978-04-20 | 1979-10-29 | Canon Inc | Information processing unit |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS56138359A (en) | 1981-10-28 |
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