JP2010087491A5 - 半導体装置 - Google Patents

Claims (2)

1. 基板上方のゲート電極と、
   前記ゲート電極上方のゲート絶縁層と、
   前記ゲート絶縁層上方の第１の半導体層と、
   前記第１の半導体層上方の第２の半導体層と、
   前記第２の半導体層上方の、ソース領域及びドレイン領域と、
   前記ソース領域上方のソース電極と、
   前記ドレイン領域上方のドレイン電極と、を有し、
   前記第１の半導体層は非晶質領域を有し、
   前記第２の半導体層は結晶領域を有し、
   前記ソース領域及び前記ドレイン領域は、微結晶半導体と、一導電型を付与する元素を有し、
   前記第２の半導体層は、前記ソース領域と接する第１の領域と、前記ドレイン領域と接する第２の領域を有し、
   前記第１の領域と前記第２の領域は分離されていることを特徴とする半導体装置。
2. 請求項１において、
   前記ゲート絶縁層と前記第１の半導体層との間に、微結晶半導体を有する第３の半導体層を有し、
   前記第１の半導体層と前記第２の半導体層との界面に、ハロゲン元素を有し、
   前記第１の半導体層は、粒径が１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の結晶粒を有し、
   前記第２の半導体層は、逆錐形の結晶粒を有することを特徴とする半導体装置。