CN102790063B - 一种传感器及其制造方法 - Google Patents

一种传感器及其制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN102790063B
CN102790063B CN201210262565.8A CN201210262565A CN102790063B CN 102790063 B CN102790063 B CN 102790063B CN 201210262565 A CN201210262565 A CN 201210262565A CN 102790063 B CN102790063 B CN 102790063B
Authority
CN
China
Prior art keywords
electrode
layer
data wire
photodiode
source electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201210262565.8A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102790063A (zh
Inventor
徐少颖
谢振宇
陈旭
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd
Original Assignee
Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd filed Critical Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority to CN201210262565.8A priority Critical patent/CN102790063B/zh
Publication of CN102790063A publication Critical patent/CN102790063A/zh
Priority to US14/125,444 priority patent/US9318629B2/en
Priority to PCT/CN2012/085189 priority patent/WO2014015593A1/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102790063B publication Critical patent/CN102790063B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0352—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14609—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
    • H01L27/1461—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements characterised by the photosensitive area
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/481—Internal lead connections, e.g. via connections, feedthrough structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
    • H01L27/14692—Thin film technologies, e.g. amorphous, poly, micro- or nanocrystalline silicon
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0232—Optical elements or arrangements associated with the device
    • H01L31/02325—Optical elements or arrangements associated with the device the optical elements not being integrated nor being directly associated with the device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)

Abstract

本发明公开了一种传感器及其制造方法，所述传感器包括：衬底基板、呈交叉排列的一组栅线和一组数据线、由所述一组栅线和一组数据线所界定的多个呈阵列状排布的感测单元，每个感测单元包括薄膜晶体管器件和光电二极管传感器件，其中，所述薄膜晶体管器件为底栅型；所述光电二极管传感器件包括：与源极连接的接收电极、位于接收电极之上的光电二极管、位于光电二极管之上的透明电极，以及在透明电极的上方与透明电极连接的偏压线，所述偏压线平行于栅线设置。对比于现有技术，本发明所提出的传感器在制造工艺上减少了掩模板的使用数量，降低了制造成本，简化了生产工艺，大大提升了设备产能及产品的良品率。

Description

一种传感器及其制造方法
技术领域
本发明涉及影像检测技术，特别是涉及一种传感器及其制造方法。
背景技术
随着人们自我保健意识的逐渐增强，各种无损伤医疗检测方法受到人们的青睐。在诸多的无损伤检测方法中，计算机断层扫描技术已经被广泛的应用到我们的现实生活中。在计算机断层扫描设备的组成中，必不可缺的一个部分就是传感器。
传感器的基本结构如图1所示，该传感器12的每个感测单元包括一个光电二极管13和一个场效应晶体管(Field Effect Transistor，FET)14，场效应晶体管14的栅极与传感器12的扫描线(Gate Line)15连接，场效应晶体管14的漏极与传感器12的数据线(DataLine)16连接，光电二极管13与场效应晶体管14的源极连接；数据线16的一端通过连接引脚17连接数据读出电路18。
传感器的工作原理为：传感器12通过扫描线15施加驱动扫描信号来控制场效应晶体管14的开关状态。当场效应晶体管14被打开时，光电二极管13产生的光电流信号依次通过与场效应晶体管14连接的数据线16、数据读出电路18而输出，通过控制扫描线15与数据线16上的信号时序来实现光电流信号的采集功能，即通过控制场效应管14的开关状态来实现对光电二极管13产生的光电流信号采集的控制作用。
目前，传感器通常采用薄膜晶体管（Thin Film Transistor，TFT）平板结构，这种传感器在断面上分为多层，例如：在一个感测单元内包括：基板、栅极层、栅极绝缘层、有源层、源极与漏极层、钝化层、PIN光电传感器的PI结和透明电极窗口层，以及偏压线层和挡光条层等。当然，不同传感器由于具体结构的差异，在断面上的具体图层也不尽相同。
通常，传感器的各个图层都是通过构图（MASK）工艺形成的，而每一次MASK工艺通常包括掩模、曝光、显影、刻蚀和剥离等工序。现有传感器在制造时通常需要采用9至11次构图工艺，这样就对应的需要9至11张光罩掩模板，传感器的制造成本较高，且制造工艺较为复杂，产能较难提升。
发明内容
本发明的目的是提供一种传感器及其制造方法，用以解决现有技术中存在的传感器的制造成本较高，且制造工艺较为复杂，产能较难提升的技术问题。
本发明传感器，包括：衬底基板、呈交叉排列的一组栅线和一组数据线、由所述一组栅线和一组数据线所界定的多个呈阵列状排布的感测单元，每个感测单元包括薄膜晶体管器件和光电二极管传感器件，其中，
所述薄膜晶体管器件包括：位于衬底基板之上并与相邻的栅线连接的栅极；位于栅极之上并覆盖基板的栅极绝缘层；位于栅极绝缘层之上、栅极上方的有源层；位于有源层之上的欧姆层；位于欧姆层之上并相对而置形成沟道的源极和漏极，所述漏极与相邻的数据线连接；以及位于源极、漏极和沟道之上的钝化保护层；
所述光电二极管传感器件包括：与源极连接的接收电极、位于接收电极之上的光电二极管、位于光电二极管之上的透明电极，以及在透明电极的上方与透明电极连接的偏压线，所述偏压线平行于栅线设置。
本发明传感器的制造方法，包括：
在衬底基板上通过一次构图工艺形成栅线的图形、与栅线连接的栅极的图形；
形成覆盖基板的栅极绝缘层，并在栅极绝缘层之上形成位于栅极上方的有源层的图形、位于有源层之上的欧姆层的图形、位于欧姆层之上并相对而置形成沟道的源极和漏极的图形、与漏极连接的数据线的图形和与源极连接的接收电极的图形；
通过一次构图工艺形成位于源极、漏极和沟道之上的钝化保护层的图形；
通过一次构图工艺形成位于接收电极之上的光电二极管的图形，以及位于光电二极管之上的透明电极的图形；
通过一次构图工艺形成第一钝化层的图形，所述第一钝化层在透明电极的上方具有通孔；
通过一次构图工艺形成位于第一钝化层之上、并在透明电极的上方通过通孔与透明电极连接的偏压线的图形，以及位于源极、漏极及沟道上方的挡光条的图形。
本发明所提出的传感器的薄膜晶体管器件为底栅型，传感器可共采用七次或八次构图工艺制作形成，对比于现有技术，减少了掩模板的使用数量，降低了制造成本，简化了生产工艺，大大提升了设备产能及产品的良品率。
附图说明
图1为现有传感器的立体结构示意图；
图2为本发明传感器的一个感测单元的俯视结构示意图；
图3为本发明传感器的制造方法第一实施例的流程示意图；
图4为本发明传感器的制造方法第二实施例的流程示意图；
图5为图2的A-A处在第一次构图工艺后的截面视图；
图6为图2的B-B处在第一次构图工艺后的截面视图；
图7为图2的A-A处在第二次构图工艺后的截面视图；
图8为图2的B-B处在第二次构图工艺后的截面视图；
图9为图2的A-A处在第三次构图工艺后的截面视图；
图10为图2的B-B处在第三次构图工艺后的截面视图；
图11为图2的A-A处在第四次构图工艺后的截面视图；
图12为图2的B-B处在第四次构图工艺后的截面视图；
图13为图2的A-A处在第五次构图工艺后的截面视图；
图14为图2的B-B处在第五次构图工艺后的截面视图；
图15为图2的A-A处在第六次构图工艺后的截面视图；
图16为图2的B-B处在第六次构图工艺后的截面视图；
图17为图2的A-A处在第七次构图工艺后的截面视图；
图18为图2的B-B处在第七次构图工艺后的截面视图；
图19为图2的A-A处在本发明方法第二实施例的第二次构图工艺后的截面视图；
图20为图2的B-B处在本发明方法第二实施例的第二次构图工艺后的截面视图。
附图标记：
12-传感器 13-光电二极管（现有技术） 14-场效应晶体管
15-扫描线 16-数据线（现有技术） 17-连接引脚
18-数据读出电路 30-栅线 31-数据线
32-衬底基板 33-源极 34-漏极
35-欧姆层 36-有源层 37-栅极绝缘层
38-栅极 39-接收电极 40-光电二极管
41-透明电极 57-第二钝化层 40a-N型半导体
40b-I型半导体 40c-P型半导体 43-第一钝化层
42-偏压线 52-挡光条 53-钝化保护层
55-有源材料层 56-欧姆材料层
具体实施方式
为了解决现有技术中存在的传感器的制造成本较高，且制造工艺较为复杂的技术问题，本发明提供了一种传感器及其制造方法。
在本发明以下实施例中，所述传感器包含多种类型，例如X射线传感器等。如图2、图17和图18所示，本发明传感器，包括：衬底基板32、呈交叉排列的一组栅线30和一组数据线31、由所述一组栅线30和一组数据线31所界定的多个呈阵列状排布的感测单元，每个感测单元包括薄膜晶体管器件和光电二极管传感器件，其中，
所述薄膜晶体管器件包括：位于衬底基板32之上并与相邻的栅线30连接的栅极38；位于栅极38之上并覆盖基板的栅极绝缘层37；位于栅极绝缘层37之上、栅极38上方的有源层36；位于有源层36之上的欧姆层35；位于欧姆层35之上并相对而置形成沟道的源极33和漏极34，所述漏极34与相邻的数据线31连接；以及位于源极33、漏极34和沟道之上的钝化保护层53；
所述光电二极管传感器件包括：与源极33连接的接收电极39、位于接收电极39之上的光电二极管40、位于光电二极管40之上的透明电极41，以及在透明电极41的上方与透明电极41连接的偏压线42，所述偏压线42平行于栅线30设置。
本发明中，所述衬底基板32可以为玻璃基板、塑料基板或其他材料的基板；所述栅线30、栅极38、数据线31、源极33、漏极34、接收电极39、偏压线42和下文中所提及的挡光条52（其作用是为减少光线对沟道的影响）的材质可以为铝钕合金（AlNd）、铝（Al）、铜（Cu）、钼（Mo）、钼钨合金（MoW）或铬（Cr）的单层膜，也可以为这些金属材料任意组合所构成的复合膜，厚度通常在150纳米至450纳米之间；欧姆层35的材质可以为掺杂质半导体（n+a-Si）；有源层36的材质可以为非晶硅（a-Si），厚度在30纳米至250纳米之间；栅极绝缘层37的材质可以为氮化硅，厚度在300纳米至500纳米之间；钝化保护层53可以采用氮化硅或树脂等，厚度在150纳米至400纳米之间，可以与下文中的第一钝化层43和第二钝化层57采用相同的材质，当薄膜晶体管器件形成后，在刻蚀形成光电二极管和透明电极时，钝化保护层可有效保护沟道不被刻蚀破坏；透明电极41的材质可以为氧化铟锡等。
在图18所示的实施例中，所述光电二极管为PIN（positive，intrinsic，negative，简称PIN）型光电二极管，包括：位于接收电极39之上的N型半导体（n+a-Si）40a，位于N型半导体40a之上的I型半导体（a-Si）40b，以及位于I型半导体40b之上的P型半导体（p+a-Si）40c。PIN型光电二极管具有结电容小、渡越时间短、灵敏度高等优点。在本发明的其它实施例中，光电二极管还可以采用MIS（metal，insulative，semiconductor，金属-绝缘体-半导体，简称MIS）型光电二极管等。
请继续参照图17和图18所示，所述传感器，还包括：
在每条数据线31和每个光电二极管传感器件的接收电极39的下方，依次位于栅极绝缘层37之上的有源材料层55和欧姆材料层56；
位于钝化保护层53和透明电极41之上并覆盖基板的第一钝化层43，所述第一钝化层43在透明电极41的上方具有连接透明电极41和偏压线42的通孔；
位于第一钝化层43之上，并位于源极33、漏极34及沟道上方的挡光条52；
位于挡光条52之上并覆盖基板的第二钝化层57，所述第二钝化层57具有信号引导区过孔（图17和图18为一个感测单元的截面结构，因此位于基板周边的信号引导区过孔未在图中示出）。
该优选实施例中，所述数据线31、源极33、漏极34和接收电极39的材质相同；所述挡光条52和偏压线42的材质相同；所述有源材料层55和欧姆材料层56分别与有源层36和欧姆层35的材质相同。该结构设计的目的是为了减少构图工艺的次数，有源材料层55和欧姆材料层56在传感器中并未起到实际作用。第一钝化层43（以及下文的第二钝化层57）可以采用无机绝缘膜，例如氮化硅等，或有机绝缘膜，例如感光树脂材料或者非感光树脂材料等，厚度通常在1000纳米至2000纳米之间。
在本发明技术方案中，传感器的薄膜晶体管器件为底栅型，传感器可共采用七次或八次构图工艺制作形成，对比于现有技术，可减少制造过程中掩模板的使用数量，降低了制造成本，简化了生产工艺，大大提升了设备产能及产品的良品率。
如图3所示实施例，本发明传感器的制造方法，包括：
步骤101、在衬底基板32上通过一次构图工艺形成栅线30的图形、与栅线30连接的栅极38的图形；第一次构图工艺后的截面结构请参照图5和图6所示；
一次构图工艺通常包括基板清洗、成膜、光刻胶涂覆、曝光、显影、刻蚀、光刻胶剥离等工序；对于金属层通常采用物理气相沉积方式（例如磁控溅射法）成膜，通过湿法刻蚀形成图形，而对于非金属层通常采用化学气相沉积方式成膜，通过干法刻蚀形成图形，以下步骤道理相同，不再赘述。
步骤102、形成覆盖基板的栅极绝缘层37，并在栅极绝缘层37之上形成位于栅极38上方的有源层36的图形、位于有源层36之上的欧姆层35的图形、位于欧姆层35之上并相对而置形成沟道的源极33和漏极34的图形、与漏极34连接的数据线31的图形和与源极33连接的接收电极39的图形；第二次构图工艺后的截面结构请参照图7和图8所示。
步骤103、通过一次构图工艺形成位于源极33、漏极34和沟道之上的钝化保护层53的图形；第三次构图工艺后的截面结构请参照图9和图10所示；设置钝化保护层53的目的是保护薄膜晶体管器件的沟道在步骤104中不被刻蚀破坏。
步骤104、通过一次构图工艺形成位于接收电极39之上的光电二极管40（40a、40b、40c）的图形，以及位于光电二极管40（40a、40b、40c）之上的透明电极41的图形，具体包括：
依次沉积N型半导体层、I型半导体层、P型半导体层和透明电极层，通过一次构图工艺形成光电二极管40的图形和透明电极41的图形；在该次构图工艺中，透明电极41图形可以单独采用湿法刻蚀形成，也可以与光电二极管40的图形同时通过干法刻蚀形成；第四次构图工艺后的截面结构请参照图11和图12所示。
步骤105、通过一次构图工艺形成第一钝化层43的图形，所述第一钝化层43在透明电极41的上方具有通孔；这是因为下一步形成的偏压线42需要穿过通孔与透明电极41连接；第五次构图工艺后的截面结构请参照图13和图14所示。
步骤106、通过一次构图工艺形成位于第一钝化层43之上、并在透明电极41的上方通过通孔与透明电极41连接的偏压线42的图形，以及位于源极33、漏极34及沟道上方的挡光条52的图形；第六次构图工艺后的截面结构请参照图15和图16所示，所述挡光条和偏压线的材质相同。
此外，在步骤106之后，还进一步包括：
步骤107、通过一次构图工艺形成覆盖基板的第二钝化层57的图形，所述第二钝化层57在基板周边具有信号引导区过孔，第七次构图工艺后的截面结构请参照图17和图18所示。
所述数据线31、源极33、漏极34和接收电极39的材质相同，在本发明一实施例中，有源层36的图形、欧姆层35的图形、源极33和漏极34的图形、数据线31的图形和接收电极39的图形可仅通过一次构图工艺形成，具体包括：
依次沉积有源半导体层、欧姆半导体层、数据线金属；
涂覆光刻胶；
采用具有全透光区、半透光区和不透光区的灰色调掩模板对基板进行曝光，其中，不透光区对应形成接收电极39、数据线31、漏极34和源极33的区域，半透光区对应形成沟道的区域；该步骤所采用的掩模板可以具体为灰色调掩模板或者半色调掩模板等；
显影，去除全透光区对应区域的光刻胶；
对基板进行刻蚀，形成接收电极39的图形、数据线31的图形和有源层36的图形；
对基板进行灰化，去除半透光区对应区域的光刻胶；
对基板进行刻蚀和光刻胶剥离，形成欧姆层35的图形、源极33和漏极34的图形，所述源极33和漏极34相对而置形成沟道。
此外，如图4所示，在本发明另一实施例中，步骤102可通过两次构图工艺形成，具体包括：
步骤102a、形成覆盖基板的栅极绝缘层37，并通过一次构图工艺形成位于栅极38上方的有源层36的图形、位于有源层36之上的欧姆层35的图形；该次构图工艺后的截面结构请参照图19和图20所示。
步骤102b、通过一次构图工艺形成位于欧姆层35之上并相对而置形成沟道的源极33和漏极34的图形、与漏极34连接的数据线31的图形和与源极33连接的接收电极39的图形；该次构图工艺后的截面结构请参照图7和图8所示。
可见，本发明传感器的制造方法可共采用七次或八次构图工艺，对比于现有技术，减少了掩模板的使用数量，降低了制造成本，简化了生产工艺，大大提升了设备产能及产品的良品率。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (10)

1.一种传感器，其特征在于，包括：衬底基板、呈交叉排列的一组直线型栅线和一组直线型数据线、由所述一组直线型栅线和一组直线型数据线所界定的多个呈阵列状排布的感测单元，每个感测单元包括薄膜晶体管器件和光电二极管传感器件，其中，
所述薄膜晶体管器件包括：作为所述直线型栅线一部分的栅极；位于栅极之上并覆盖基板的栅极绝缘层；位于栅极绝缘层之上、栅极上方的有源层；位于有源层之上的欧姆层；位于欧姆层之上并相对而置形成沟道的源极和漏极，所述漏极为所述直线型数据线的一部分；以及位于源极、漏极和沟道之上的钝化保护层；
所述光电二极管传感器件包括：与源极连接的接收电极、位于接收电极之上的光电二极管、位于光电二极管之上的透明电极，以及在透明电极的上方与透明电极连接的偏压线，所述偏压线平行于栅线设置。
2.如权利要求1所述的传感器，其特征在于，还包括：
在每条数据线和每个光电二极管传感器件的接收电极的下方，依次位于栅极绝缘层之上的有源材料层和欧姆材料层，所述有源材料层和欧姆材料层分别与有源层和欧姆层的材质相同。
3.如权利要求1或2所述的传感器，其特征在于，还包括：
位于钝化保护层和透明电极之上并覆盖基板的第一钝化层，所述第一钝化层在透明电极的上方具有连接透明电极和偏压线的通孔；
位于第一钝化层之上，并位于源极、漏极及沟道上方的挡光条；
位于挡光条之上并覆盖基板的第二钝化层，所述第二钝化层具有信号引导区过孔。
4.如权利要求3所述的传感器，其特征在于，所述数据线、源极、漏极和接收电极的材质相同；所述挡光条和偏压线的材质相同。
5.如权利要求3所述的传感器，其特征在于，所述光电二极管为PIN型光电二极管，包括：位于接收电极之上的N型半导体，位于N型半导体之上的I型半导体，以及位于I型半导体之上的P型半导体。
6.一种传感器的制造方法，其特征在于，包括：
在衬底基板上通过一次构图工艺形成直线型栅线的图形，其中，直线型栅线的一部分作为栅极；
形成覆盖基板的栅极绝缘层，并在栅极绝缘层之上形成位于栅极上方的有源层的图形、位于有源层之上的欧姆层的图形、位于欧姆层之上的源极图形、直线型数据线的图形和与源极连接的接收电极的图形，其中，所述直线型数据线的一部分作为漏极，且源极及漏极相对而置形成沟道；
通过一次构图工艺形成位于源极、漏极和沟道之上的钝化保护层的图形；
通过一次构图工艺形成位于接收电极之上的光电二极管的图形，以及位于光电二极管之上的透明电极的图形；
通过一次构图工艺形成第一钝化层的图形，所述第一钝化层在透明电极的上方具有通孔；
通过一次构图工艺形成位于第一钝化层之上、并在透明电极的上方通过通孔与透明电极连接的偏压线的图形，以及位于源极、漏极及沟道上方的挡光条的图形。
7.如权利要求6所述的制造方法，其特征在于，在形成偏压线的图形和挡光条的图形之后，进一步包括：
通过一次构图工艺形成覆盖基板的第二钝化层的图形，所述第二钝化层具有信号引导区过孔。
8.如权利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述光电二极管为PIN型光电二极管，包括N型半导体、I型半导体和P型半导体；所述数据线、源极、漏极和接收电极的材质相同；所述挡光条和偏压线的材质相同。
9.如权利要求6、7或8所述的制造方法，其特征在于，所述有源层的图形、欧姆层的图形、源极和漏极的图形、数据线的图形和接收电极的图形通过一次构图工艺形成，具体包括：
依次沉积有源半导体层、欧姆半导体层、数据线金属，并在数据线金属之上涂覆光刻胶；
采用具有全透光区、半透光区和不透光区的掩模板对基板进行曝光，其中，不透光区对应形成接收电极、数据线、漏极和源极的区域，半透光区对应形成沟道的区域；
对基板进行显影、刻蚀，形成接收电极的图形、数据线的图形和有源层的图形；
对基板进行灰化、刻蚀和光刻胶剥离，形成欧姆层的图形、源极和漏极的图形，所述源极和漏极相对而置形成沟道。
10.如权利要求6、7或8所述的制造方法，其特征在于，所述有源层的图形、欧姆层的图形、源极和漏极的图形、数据线的图形和接收电极的图形通过两次构图工艺形成，具体包括：
通过一次构图工艺形成位于栅极上方的有源层的图形、位于有源层之上的欧姆层的图形；
通过一次构图工艺形成位于欧姆层之上并相对而置形成沟道的源极和漏极的图形、与漏极连接的数据线的图形和与源极连接的接收电极的图形。
CN201210262565.8A 2012-07-26 2012-07-26 一种传感器及其制造方法 Active CN102790063B (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201210262565.8A CN102790063B (zh) 2012-07-26 2012-07-26 一种传感器及其制造方法
US14/125,444 US9318629B2 (en) 2012-07-26 2012-11-23 Method for fabricating sensor using multiple patterning processes
PCT/CN2012/085189 WO2014015593A1 (zh) 2012-07-26 2012-11-23 传感器及其制造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201210262565.8A CN102790063B (zh) 2012-07-26 2012-07-26 一种传感器及其制造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102790063A CN102790063A (zh) 2012-11-21
CN102790063B true CN102790063B (zh) 2017-10-17

Family

ID=47155424

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201210262565.8A Active CN102790063B (zh) 2012-07-26 2012-07-26 一种传感器及其制造方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US9318629B2 (zh)
CN (1) CN102790063B (zh)
WO (1) WO2014015593A1 (zh)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102790064B (zh) * 2012-07-26 2015-04-08 北京京东方光电科技有限公司 一种传感器及其制造方法
CN102790063B (zh) 2012-07-26 2017-10-17 北京京东方光电科技有限公司 一种传感器及其制造方法
CN102790068B (zh) * 2012-07-26 2014-10-22 北京京东方光电科技有限公司 一种传感器的制造方法
CN102790065B (zh) * 2012-07-26 2015-04-08 北京京东方光电科技有限公司 一种传感器及其制造方法
CN105529301B (zh) * 2016-01-04 2019-07-05 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板的制造方法、阵列基板和显示装置
TWI623487B (zh) * 2017-10-24 2018-05-11 友達光電股份有限公司 微流體感測元件及其製作方法
CN113795920B (zh) * 2020-02-28 2024-03-19 京东方科技集团股份有限公司 探测基板、其制作方法及平板探测器

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101567378A (zh) * 2008-04-23 2009-10-28 爱普生映像元器件有限公司 固体拍摄装置及其制造方法
CN101728334A (zh) * 2008-10-14 2010-06-09 Dpix公司 用于薄膜晶体管图像传感器阵列的减少esd诱导的伪影的设计
CN101807549A (zh) * 2009-02-18 2010-08-18 北京京东方光电科技有限公司 Tft-lcd阵列基板及其制造方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3683463B2 (ja) * 1999-03-11 2005-08-17 シャープ株式会社 アクティブマトリクス基板、その製造方法、及び、該基板を用いたイメージセンサ
JP4266656B2 (ja) * 2003-02-14 2009-05-20 キヤノン株式会社 固体撮像装置及び放射線撮像装置
US7208810B2 (en) * 2004-07-01 2007-04-24 Varian Medical Technologies, Inc. Integrated MIS photosensitive device using continuous films
US7615731B2 (en) 2006-09-14 2009-11-10 Carestream Health, Inc. High fill-factor sensor with reduced coupling
JP2008171871A (ja) * 2007-01-09 2008-07-24 Hitachi Displays Ltd 高感度光センサ素子及びそれを用いた光センサ装置
JP5286691B2 (ja) * 2007-05-14 2013-09-11 三菱電機株式会社 フォトセンサー
JP2009059975A (ja) * 2007-09-03 2009-03-19 Mitsubishi Electric Corp フォトセンサーおよびｘ線撮像装置
JP5253799B2 (ja) * 2007-12-17 2013-07-31 三菱電機株式会社 フォトセンサー、及びフォトセンサーの製造方法
JP5336102B2 (ja) * 2008-04-03 2013-11-06 三菱電機株式会社 Ｔｆｔ基板
JP2010225735A (ja) * 2009-03-23 2010-10-07 Mitsubishi Electric Corp フォトセンサー及びその製造方法
KR101154683B1 (ko) * 2009-10-07 2012-06-08 엘지이노텍 주식회사 태양광 발전장치 및 이의 제조방법
CN102790063B (zh) 2012-07-26 2017-10-17 北京京东方光电科技有限公司 一种传感器及其制造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101567378A (zh) * 2008-04-23 2009-10-28 爱普生映像元器件有限公司 固体拍摄装置及其制造方法
CN101728334A (zh) * 2008-10-14 2010-06-09 Dpix公司 用于薄膜晶体管图像传感器阵列的减少esd诱导的伪影的设计
CN101807549A (zh) * 2009-02-18 2010-08-18 北京京东方光电科技有限公司 Tft-lcd阵列基板及其制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US9318629B2 (en) 2016-04-19
CN102790063A (zh) 2012-11-21
US20150008435A1 (en) 2015-01-08
WO2014015593A1 (zh) 2014-01-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102790063B (zh) 一种传感器及其制造方法
CN102790067B (zh) 一种传感器及其制造方法
US6797961B2 (en) X-ray detector and method of fabricating the same
CN102790069B (zh) 一种传感器及其制造方法
CN102790062B (zh) 一种传感器的制造方法
CN102790064B (zh) 一种传感器及其制造方法
CN102790060B (zh) 一种传感器及其制造方法
CN102790065B (zh) 一种传感器及其制造方法
CN102790061B (zh) 一种传感器及其制造方法
CN102790066B (zh) 一种传感器及其制造方法
CN102790068B (zh) 一种传感器的制造方法
CN102800750B (zh) 一种传感器的制造方法
CN102832222B (zh) 一种传感器及其制造方法
CN110164883A (zh) 有源矩阵基板、具备其的x射线摄像面板及其制造方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant