JP2007219517A5 - - Google Patents

Claims (10)

1. 基板と、
   前記基板上に形成される第１及び第２信号線と、
   前記第１及び第２信号線と接続され、第１半導体を有するスイッチングトランジスタと、
   前記スイッチングトランジスタと接続され、第２半導体を有する駆動トランジスタと、
   前記駆動トランジスタと接続される第１電極と、
   前記第１電極と対向する第２電極と、
   前記第１電極と前記第２電極との間に形成される発光部材とを有し、
   前記第１半導体と前記第２半導体は互いに異なる層に形成されることを特徴とする有機発光表示装置。
2. 前記第１半導体と前記第２半導体は結晶状態が互いに異なることを特徴とする請求項１に記載の有機発光表示装置。
3. 前記第１半導体は非晶質半導体を含み、前記第２半導体は微細結晶質又は多結晶半導体を含むことを特徴とする請求項２に記載の有機発光表示装置。
4. 前記スイッチングトランジスタは、
   前記第１信号線と接続される第１制御電極と、
   前記第１制御電極上に形成される第１ゲート絶縁膜と、
   前記第２信号線と接続される第１入力電極と、
   前記第１入力電極と対向し、前記駆動トランジスタと接続される第１出力電極とをさらに有することを特徴とする請求項３に記載の有機発光表示装置。
5. 前記駆動トランジスタは、
   前記第１出力電極と接続される第２制御電極と、
   前記第２制御電極上に形成される第２ゲート絶縁膜と、
   前記第２半導体上に形成され、前記第２制御電極及び前記第２半導体と一部重なっている第２入力電極と、
   第２入力電極と対向し、前記第１電極と接続される第２出力電極とをさらに有し、
   前記第２ゲート絶縁膜は前記第１制御電極の下部に形成されることを特徴とする請求項４に記載の有機発光表示装置。
6. 前記第１制御電極、前記第２入力電極及び前記第２出力電極は１つのマスクで同時に形成されることを特徴とする請求項５に記載の有機発光表示装置。
7. 前記駆動トランジスタは、
   前記第２半導体上で互いに対向する第２入力電極及び第２出力電極と、
   前記第２入力電極及び前記第２出力電極上に重畳するように形成され、前記第１出力電極と接続される第２制御電極とをさらに有することを特徴とする請求項４に記載の有機発光表示装置。
8. 前記第１制御電極、前記第２入力電極及び前記第２出力電極は、１つのマスクで同時に形成されることを特徴とする請求項７に記載の有機発光表示装置。
9. 前記第１入力電極、前記第１出力電極及び前記第２制御電極は、１つのマスクで同時に形成されることを特徴とする請求項７に記載の有機発光表示装置。
10. 前記第２入力電極及び前記第２出力電極の上に形成されているオーミック接触部材をさらに有することを特徴とする請求項７に記載の有機発光表示装置。