CN101022121A - 有机发光装置及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种有机发光装置，该装置包括：基板；形成在基板上的第一和第二信号线；连接至第一和第二信号线并包括第一半导体的开关晶体管；连接至开关晶体管并包括第二半导体的驱动晶体管；连接至驱动晶体管的第一电极；面对第一电极的第二电极；以及形成在第一电极与第二电极之间的发光件。第一半导体和第二半导体形成在显示器的不同层上。

Description

有机发光装置及其制造方法
本申请要求于2006年2月14日提交的韩国专利申请第10-2006-0014011号的优先权，其全部内容结合于此作为参考。
技术领域
本发明涉及一种有机发光装置(OLED)及其制造方法。更具体地，本发明涉及一种具有改进特性的有机发光装置及其制造方法。
背景技术
近来，朝向重量轻、厚度薄的个人计算机和电视机发展的趋势也需要重量轻、厚度薄的显示装置，并且满足上述需求的平板显示器正取代传统的阴极射线管(CRT)。
平板显示器包括液晶显示器(LCD)、场发射显示器(FED)，有机发光装置(OLED)、等离子显示面板(PDP)，等等。
在平板显示器中，OLED因其低能耗、快速响应时间、宽视角、和高对比度而最具前景。
OLED是包括两个电极和介于这两个电极之间的有机发光层的自发射显示装置。两个电极之一向发光层内注入空穴，而两个电极中的另一个电极向发光层内注入电子。注入的电子和空穴结合形成电子空穴对，而电子空穴对在释放能量的同时发光。
OLED可以按其驱动方法划分为无源矩阵OLED和有源矩阵OLED。
无源矩阵OLED包括多条阳极线、与阳极线交叉的多条阴极线、以及多个像素，每个像素均包括发光层。选择一条阳极线和一条阴极线，使得位于所选信号线交叉处的像素发光。有源矩阵OLED包括多个像素，每个像素均包括开关晶体管、驱动晶体管、和存储电容器、以及阳极、阴极、和发光层。驱动晶体管从开关晶体管接收数据电压并驱动大小取决于数据电压的电流，而来自驱动晶体管的电流进入发光层，以引起发光，该光的亮度取决于电流。
用于优化有源矩阵OLED特性的开关晶体管和驱动晶体管的特性彼此不同。也就是说，开关晶体管要求高电流开/关特性Ion/Ioff，而驱动晶体管要求高灵活性和高稳定性，以使足够的电流流入有机发光二极管。
当开关晶体管的关闭电流增加时，供应给驱动晶体管的数据电压下降，从而可能产生串扰现象。另外，当驱动晶体管的灵活性和稳定性低时，流入有机发光二极管的电流量减少，从而有机发光二极管的发光量降低，产生图像残留(image sticking)现象，并且有机发光二极管的使用寿命减少。
发明内容
根据本发明的示例性实施例，有机发光装置包括：基板、形成于基板上的第一和第二信号线、连接至第一和第二信号线并包括第一半导体的开关晶体管、连接至开关晶体管并包括第二半导体的驱动晶体管、连接至驱动晶体管的第一电极、面对第一电极的第二电极、以及形成于第一电极与第二电极之间的发光件。第一半导体和第二半导体形成在显示器的不同层上。
第一半导体可以具有与第二半导体的晶态不同的晶态。第一半导体可以包括非晶半导体，而第二半导体可以包括微晶半导体或多晶半导体。
开关晶体管可以进一步包括：连接至第一信号线的第一控制电极、形成于第一控制电极上的第一栅极绝缘层、连接至第二信号线的第一输入电极、以及面对第一输入电极并连接至驱动晶体管的第一输出电极。
驱动晶体管可以进一步包括：连接至第一输出电极的第二控制电极、形成于第二控制电极上的第二栅极绝缘层、形成于第二半导体上的第二输入电极(第二输入电极的一部分与第二控制电极和第二半导体交叠)、以及面对第二输入电极并连接至第一电极的第二输出电极。第二栅极绝缘层可以形成在第一控制电极下方。
第一控制电极、第二输入电极、和第二输出电极可以使用掩模同时形成。
可替换地，驱动晶体管可以进一步包括：在第二半导体上彼此面对的第二输入电极和第二输出电极；以及第二控制电极，形成于第二输入电极和第二输出电极上，以与第二输入电极和第二输出电极交叠，并且第二控制电极可以连接至第一输出电极。
第一控制电极、第二输入电极、和第二输出电极可以使用掩模同时形成。第一输入电极、第一输出电极、和第二控制电极可以使用掩模同时形成。
有机发光装置可以进一步包括形成于第二半导体与第二输入电极之间以及第二半导体与第二输出电极之间的欧姆接触件。有机发光装置可以进一步包括形成于第二输入电极和第二输出电极下方的欧姆接触件。欧姆接触件可以具有与第二输入电极和第二输出电极基本相同的平面形状。
有机发光装置可以进一步包括形成于第一控制电极下方的辅助件。
欧姆接触件和辅助件可以包括掺杂杂质的非晶硅半导体、掺杂杂质的微晶半导体、以及掺杂杂质的晶体半导体中的至少一种。
可替换地，驱动晶体管可以进一步包括：第二输出电极，其连接至第一电极，第二输入电极面对第二输出电极；以及第二控制电极，其形成于第二半导体上以与其交叠，并且第二控制电极可以连接至第一输出电极。
第一控制电极、第二输入电极、和第二输出电极可以使用掩模同时形成。第一输入电极、第一输出电极、和第二控制电极可以使用掩模同时形成。第一控制电极可以形成于第一半导体下方，并且第二控制电极可以形成于第二半导体上。
根据本发明的其它示例性实施例，有机发光装置包括：基板、形成于基板上的第一信号线、连接至第一信号线的第一控制电极、与第一信号线绝缘并交叉的第二信号线、连接至第二信号线的第一输入电极、面对第一输入电极的第一输出电极、由第一输入电极和第一输出电极交叠的第一半导体、连接至第一输出电极的第二控制电极、与第一信号线或第二信号线绝缘并交叉的驱动电压线、连接至驱动电压线的第二输入电极、面对第二输入电极的第二输出电极、由第二输入电极和第二输出电极交叠的第二半导体、连接至第二输出电极的第一电极、面对第一电极的第二电极、以及形成于第一电极与第二电极之间的发光件。第一控制电极、第二输入电极、和第二输出电极形成在显示器的同一层上，并且第一输入电极、第一输出电极、和第二控制电极形成在显示器的同一层上。
第一半导体可以包括非晶半导体，而第二半导体可以包括微晶半导体或多晶半导体。
根据本发明的另一示例性实施例，有机发光装置的制造方法包括：在基板上形成驱动控制电极；在驱动控制电极上形成第一栅极绝缘层；在第一栅极绝缘层上形成驱动半导体；在第一栅极绝缘层和驱动半导体上沉积并蚀刻导电层，以形成开关控制电极、驱动电压线、和驱动输出电极；在开关控制电极、驱动电压线、和驱动输出电极上形成第二栅极绝缘层；在第二栅极绝缘层上形成开关半导体；在第二栅极绝缘层和开关半导体上形成具有开关输入电极和开关输出电极的数据线；形成连接至驱动输出电极的第一电极；在第一电极上形成发光件；以及在发光件上形成第二电极。
根据本发明的其它示例性实施例，有机发光装置的制造方法包括：在基板上形成驱动半导体；在基板和驱动半导体上沉积并蚀刻第一导电层，以形成开关控制电极、驱动电压线、和驱动输出电极；在开关控制电极、驱动电压线、和驱动输出电极上形成栅极绝缘层；在栅极绝缘层上形成开关半导体；在栅极绝缘层和开关半导体上沉积并蚀刻第二导电层，以形成具有开关输入电极、开关输出电极、和驱动控制电极的数据线；形成连接至驱动输出电极的第一电极；在第一电极上形成发光件；以及在发光件上形成第二电极。
形成驱动半导体的步骤可以包括：在基板上形成半导体层；在半导体层上形成欧姆接触层；以及蚀刻半导体层和欧姆接触层。
该制造方法可以进一步包括在形成驱动半导体之后形成欧姆接触层，并且第一导电层和欧姆接触层可以同时进行蚀刻。
根据本发明的其它示例性实施例，有机发光装置的制造方法包括：在基板上沉积并蚀刻第一导电层，以形成开关控制电极、驱动电压线、和驱动输出电极；在驱动电压线和驱动输出电极上形成驱动半导体；在驱动半导体上形成栅极绝缘层；在栅极绝缘层上形成开关半导体；在栅极绝缘层和开关半导体上沉积并蚀刻第二电导层，以形成具有开关输入电极、开关输出电极、和驱动控制电极的数据线；形成连接至驱动输出电极的第一电极；在第一电极上形成发光件；以及在发光件上形成第二电极。
形成驱动半导体的步骤可以包括沉积微晶半导体。可替换地，形成驱动半导体的步骤可以包括：形成非晶半导体，以及晶化该非晶半导体。
该制造方法可以进一步包括在形成驱动半导体的非晶半导体之后形成掺杂杂质的非晶半导体，并且晶化驱动半导体的非晶半导体的步骤可以包括同时晶化驱动半导体的非晶半导体以及掺杂杂质的非晶半导体。
晶化驱动半导体的非晶半导体以及掺杂杂质的非晶半导体的步骤可以通过固相晶化过程进行。
附图说明
通过以下结合附图对示例性及优选实施例的详细描述，本发明将变得更显而易见，附图中：
图1是根据本发明示例性实施例的示例性OLED的等效电路图；
图2是图1所示示例性OLED的第一实施例的布局图；
图3是图2所示示例性OLED沿线III-III截取的剖视图；
图4-10是顺序示出了图2和图3所示示例性OLED的示例性制造方法的示例性OLED的剖视图；
图11是图1所示示例性OLED的第二实施例的布局图；
图12是图11所示示例性OLED沿线XII-XII′-XII″截取的剖视图；
图13-18是顺序示出了图11和图12所示示例性OLED的示例性制造方法的示例性OLED的剖视图；
图19是图1所示示例性OLED的第三实施例的布局图；
图20是图19所示示例性OLED沿图线XX-XX′-XX″截取的剖视图；
图21-26是顺序示出了图19和图20所示示例性OLED的示例性制造方法的示例性OLED的剖视图；
图27是图1所示示例性OLED的第四实施例的布局图；
图28是图27所示示例性OLED沿线XXVIII-XXVIII′-XXVIII″截取的剖视图；
图29-34是顺序示出了图27和图28所示示例性OLED的示例性制造方法的示例性OLED的剖视图。
具体实施方式
以下将参照示出本发明示例性及优选实施例的附图对本发明进行更全面的描述。但是，本发明可以以各种不同形式来实现，而不应该被理解为仅限于这里所列出的实施例。当然，提供这些实施例，是为了使本公开更全面和完整，并向本领域技术人员充分传达本发明的范围。在附图中，为了清楚起见，层和区域的厚度被扩大。在整个说明书中，相同参考标号表示相同的元件。
可以理解，当指出一个元件(如层、膜、区域、基板、或面板)“位于”另一元件上时，它可以直接位于另一元件上，或者其间可以存在插入元件。相反，当指出一个元件“直接位于”另一元件上时，则不存在插入元件。如这里所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关所列条目中的任一个以及所有组合。
可以理解，尽管这里可以使用术语第一、第二、第三，等等来描述各种元件、部件、区域、层和/或部分，但这些元件、部件、区域、层和/或部分不应该限于这些术语。这些术语仅用于将一个元件、部件、区域、层或部分与另一个元件、部件、区域、层或部分区分开来。因此，在不背离本发明宗旨的前提下，下面所讨论的第一元件、部件、区域、层或部分也可以称作第二元件、部件、区域、层或部分。
这里所使用的术语仅用于描述特定实施例的目的，而并非旨在限制本发明。除非文中以其它方式清楚地指明，否则这里所使用的单数形式“一个”(“a”“an”和“the”)也旨在包括复数形式。还可以理解，当术语“含有(comprises和/或comprising)”或者“包括(include和/或including)”用于本说明书中时，表明存在所述的特征、区域、整体、步骤、操作、元件、和/或部件，但并不排除存在或附加有一个或多个其它的特征、区域、整体、步骤、操作、元件、部件、和/或它们所构成的组。
这里可以使用空间相对关系术语，例如“下面的”、“下方的”“下部的”、“上方的”、“顶部的”及类似词，以便于描述附图所示的一个元件或特征相对于其它元件或特征的关系。可以理解，空间相对关系术语包括附图中示出的方位外，还表示包括使用或工作中的装置的不同方位。例如，如果将附图中的装置翻转，那么被描述为在其它元件或特征“下方”或“下面”的元件将被定位在其它元件或特征“上方”。因此，示例性术语“下方的”可以包括“下方的”和“上方的”两个方位。可以将装置以其它方式定位(旋转90°或处于其它方位)，并且相应地对此处使用的空间相对关系术语进行解释。
除非另有限定，否则这里所使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有与本发明所属领域技术人员的通常理解相同的含义。还可以理解，术语，例如常用词典中定义的那些术语，应该解释为具有与它们在相关技术领域和本公开的上下文中的含义一致的含义，而不应该解释为理想化的或过于正式的含义，除非这里特别地加以定义。
以下，将参照作为本发明理想实施例示意图的横截面图，描述本发明的实施例。同样地，可以预期由于例如制造技术和/或公差所导致的图中形状上的变化。由此，本发明的实施例不应该被理解为限于这里所示区域的特定形状，而应包括例如由于制造所导致的形状上的偏差。例如，被示为或描述为平坦的区域通常可以具有粗糙的和/或非线性的特征。而且，示出的尖角形状可以是圆滑的。因此，附图中所示的区域实质上是示意性的，并且它们的形状并非为了描述区域的精确形状，也不是为了限定本发明的范围。
参照图1，将对根据本发明示例性实施例的OLED进行描述。
图1是根据本发明示例性实施例的示例性OLED的等效电路图。
参照图1，根据本发明示例性实施例的OLED包括多条信号线121、171和172、以及连接至信号线并基本排成矩阵的多个像素PX。
信号线包括用于传输栅极信号(或扫描信号)的多条栅极线121、用于传输数据信号的多条数据线171、以及用于传输驱动电压的多条驱动电压线172。栅极线121和驱动电压线172基本沿行方向且基本上相互平行地延伸，而数据线171基本沿列方向且基本上相互平行地延伸。可替换地，驱动电压线172可以大致沿列方向且基本与数据线171平行地延伸。
每个像素PX包括开关晶体管Qs、驱动晶体管Qd、电容器Cst、以及有机发光二极管LD。
诸如薄膜晶体管(TFT)的开关晶体管Qs具有：连接至栅极线121之一的控制端子(例如栅电极)、连接至数据线171之一的输入端子(例如源电极)、以及连接至驱动晶体管Qd的输出端子(例如漏电极)。开关晶体管Qs响应施加到栅极线121的栅极信号，将施加到数据线171的数据信号传输至驱动晶体管Qd。
诸如TFT的驱动晶体管Qd具有：连接至开关晶体管Qs的输出端子的控制端子(例如栅电极)、连接至驱动信号线172的输入端子(例如源电极)、以及连接至有机发光二极管LD的输出端子(例如漏电极)。驱动晶体管Qd驱动输出电流ILD，该输出电流ILD的大小取决于驱动晶体管的控制端子与输出端子之间的电压。
电容器Cst连接在驱动晶体管Qd的控制端子与输出端子之间。电容器Cst存储由开关晶体管Qs施加到驱动晶体管Qd的控制端子的数据信号，并且在开关晶体管Qd断开后仍保持该数据信号。
有机发光二极管LD具有连接至驱动晶体管Qd的输出端子的阳极以及连接至共用电压Vss的阴极。有机发光二极管LD发光以显示图像，所述的光具有的强度取决于驱动晶体管Qd的输出电流ILD。
开关晶体管Qs和驱动晶体管Qd可以是n通道场效应晶体管(FET)。但是，开关晶体管Qs和驱动晶体管Qd中的至少一个可以是p通道FET。另外，晶体管Qs和Qd、电容器Cst、以及有机发光二极管LD之间的连接可以改变。
将参照附图对图1所示OLED的各个实例进行描述。
[第一实例]
参照图2和图3，将详细描述本发明图1所示OLED的第一示例性实施例。
图2是根据本发明示例性实施例的示例性OLED的布局图，而图3是图2所示示例性OLED沿线III-III截取的剖视图。
多个驱动控制电极124b形成于由诸如但不限于透明玻璃或塑料的材料制成的绝缘基板110上。
每个驱动控制电极124b具有岛形，并包括沿横向延伸的存储电极127。
驱动控制电极124b优选地由含铝Al金属(例如Al和Al合金)、含银Ag金属(例如Ag和Ag合金)、含铜Cu金属(例如Cu和Cu合金)、含钼Mo金属(例如Mo和Mo合金)、铬Cr、钽Ta、钛Ti，等等制成。驱动控制电极124b可以具有多层结构，包括具有不同物理特性的两层膜。
驱动控制电极124b的侧面相对于基板110的表面倾斜，并且其倾斜角度在约30°至约80°的范围内。
优选地由氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)制成的下部栅极绝缘层140形成于驱动控制电极124b及绝缘基板110的露出部分上。
多个驱动半导体岛154b形成于下部栅极绝缘层140上。驱动半导体岛154b可以由晶状半导体材料(例如微晶硅或多晶硅)制成。驱动半导体岛154b与驱动控制电极124b交叠。
多条栅极线121、多条驱动电压线172、及多个驱动输出电极175b形成于下部栅极绝缘层140和驱动半导体岛154b上。
用于传输栅极信号的栅极线121基本沿横向或行方向延伸。每条栅极线121包括：端部129，具有用来与其它层或外部驱动电路接触的大面积，以及开关控制电极124a，从栅极线121朝向驱动电压线172向上突出。栅极线121可以延伸成直接连接至用于产生栅极信号的栅极驱动电路(未示出)，该栅极驱动电路可以集成在基板110上。
用于传输驱动电压的驱动电压线172也基本沿横向延伸并且与栅极线121平行。每条驱动电压线172包括从驱动电压线突出的多个驱动输入电极173b。驱动电压线172与存储电极127交叠。
驱动输出电极175b与栅极线121及驱动电压线172分离。每对驱动输入电极173b和驱动输出电极175b设置成相对于驱动半导体岛154b而彼此相对。
栅极线121、驱动电压线172、及驱动输出电极175b可以由类似于驱动控制电极124b的低电阻率导体制成。
栅极线121、驱动电压线172、及驱动输出电极175b具有倾斜的边缘轮廓，并且其倾斜角度在约30°至约80°的范围内。
多对欧姆接触岛163b和165b分别形成于驱动半导体岛154b与驱动输入电极173b之间以及驱动半导体岛154b与驱动输出电极175b之间。欧姆接触岛163b和165b可以由诸如高度掺杂n型杂质(如磷)的微晶硅或多晶硅等材料制成。
上部栅极绝缘层142形成于栅极线121、驱动电压线172、及驱动输出电极175b上，也形成于下部栅极绝缘层140的露出部分及驱动半导体岛154b的暴露于驱动输入和输出电极173b和175b之间的部分上。
由氢化非晶硅(a-Si)制成的多个开关半导体岛154a形成于上部栅极绝缘层142上。开关半导体岛154a与开关控制电极124a交叠。
多条数据线171和多个开关输出电极175a形成于开关半导体岛154a及上部栅极绝缘层142上。
用于传输数据信号的数据线171基本沿纵向(列方向)延伸，并与栅极线121及驱动电压线172交叉。每条数据线171包括朝向开关控制电极124a延伸的多个开关输入电极173a以及具有用来与其它层或外部驱动电路接触的大面积的端部179。数据线171可以延伸成直接连接至用于产生数据信号的数据驱动电路(未示出)，该数据驱动电路可以集成在基板110上。
开关输出电极175a与数据线171相互分离。
每对开关输入电极173a和开关输出电极175a设置成相对于开关半导体岛154a彼此相对。
数据线171和开关输出电极175a可以由类似于驱动控制电极124b的低电阻率导体制成。
数据线171和开关输出电极175a具有倾斜的边缘轮廓，并且其倾斜角度在约30°至约80°的范围内。
多对欧姆接触岛163a和165a分别形成于开关半导体岛154a与开关输入电极173a之间以及开关半导体岛154a与开关输出电极175a之间。欧姆接触岛163a和165a可以由高度掺杂n型杂质(例如磷)的n+氢化a-Si制成。
钝化层180形成于数据线171和开关输出电极175a上，并进一步形成于上部栅极绝缘层142的露出部分及开关半导体岛154a的暴露于开关输入电极173a与开关输出电极175a之间的部分上。
钝化层180包括分别露出开关输出电极175a和数据线171的端部179的多个接触孔185a和182，并且钝化层180和上部栅极绝缘层142包括分别露出栅极线121的端部129和驱动输出电极175b的多个接触孔181和185b。钝化层180、上部栅极绝缘层142、及下部栅极绝缘层140包括露出驱动控制电极124b的多个接触孔184。
多个像素电极191、多个连接件85、及多个接触助件81和82形成于钝化层180上。
像素电极191通过接触孔185b电连接至驱动输出电极175b。
连接件85分别通过接触孔185a和184连接至开关输出电极175a和驱动控制电极124b。
接触助件81和82分别通过接触孔181和182连接至栅极线121的端部129和数据线171的端部179。接触助件81和82保护端部129和179，并增强端部129和179与外部装置之间的粘附。
像素电极191、连接件85、及接触助件81和82可以由但不限于例如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)的透明导体制成。可替换地，当根据本发明示例性实施例的OLED是上部发射类型时，像素电极191、连接件85、及接触助件81和82可以由不透明材料制成，例如具有高功函数的铝Al或Al合金、金Pu、铂Pt、镍Ni、铜Cu，或钨W，或上述材料的合金。
隔离件361部分地形成于像素电极191、连接件85、及接触助件81和82上，以及形成于钝化层180的露出部分上。可替换地，隔离件361可以不形成于接触助件81和82上，或者可以从接触助件81和82上去除。隔离件361像堤岸一样包围像素电极191，以限定开口365。隔离件361可以优选地由例如丙烯酸树脂或聚酰亚胺树脂等具有热敏电阻和耐溶剂性的有机材料或者例如SiO2和TiO2等无机绝缘材料制成，而且该隔离件可以具有双层结构。隔离件361可以由包含黑色颜料的感光材料制成，以便黑色隔离件361可以用作阻光件，并可以简化隔离件361的形成。
多个有机发光件370形成于像素电极191上，并且被限制在由隔离件361限定的开口365中。
每个有机发光件370可以具有包括用于发光的发光层(未示出)和用于提高发光层的发光效率的辅助层(未示出)的多层结构。
发光层优选地由高分子量化合物、低分子量化合物、或高分子量化合物与低分子量化合物的混合物制成，其每种惟一地发射一组色光(例如原色光(如红、绿和蓝)中的一种颜色的光。高分子量化合物的实例可以是聚芴衍生物、(聚)对亚苯基1，2-亚乙烯基(paraphenylenevinylene)衍生物、聚亚苯基衍生物、聚乙烯咔唑、聚噻吩衍生物等。低分子量化合物的实例可以是蒽(例如9，10-二苯基蒽)、丁二烯(例如四苯基丁二烯)、并四苯、联苯乙烯(distyrylarylene)衍生物、吲哚衍生物、咔唑衍生物，等。可替换地，高分子量化合物或低分子量化合物被用作基体。基体被掺杂以掺杂剂，例如氧杂蒽、二萘嵌苯、香豆素、若丹明、红荧烯、dicyanomethylenepyran化合物、噻喃化合物、(thia)pyrilium化合物、periflanthene衍生物、indenoperylene衍生物、喹诺酮化合物、尼罗红、及喹吖啶酮，以提高发光效率。
OLED通过空间叠加从发光层发射的单色光来显示图像。
辅助层可以包括用于改进电子和空穴平衡的电子传输层(未示出)和空穴传输层(未示出)，以及用于改进电子和空穴注入的电子注入层(未示出)和空穴注入层(未示出)，而且辅助层可以包括一个或多个上述层。空穴传输层和空穴注入层优选地由具有大小介于像素电极191与发光层的功函数之间的功函数的材料制成，而电子传输层和电子注入层优选地由具有大小介于共用电极270与发光层的功函数之间的功函数的材料制成。例如，空穴传输层和空穴注入层可以包含双胺化合物、[4，4′，4″-三(3-甲苯)苯氨基]三苯胺([4，4’，4”-tris(3-methylphenyl)phenylamino]triphenylamine)(MTDATA)、N，N′-二苯基-N(N，N’-diphenyl-N)_、N′-二(3-甲基苯基)-1，1′-联苯-4，4′-二胺(N’-di(3-methylphenyl)-1，1’-biphenyl-4，4’-diamine)(TPD)、1，1-二(4-二-p-甲苯基氨基苯酚基)环己胺(1，1-bis(4-di-p-tolylaminophenyl)cyclohexane)、N，N，N′，N′-四磷酸钠(2-萘基)-4，4-二氨基-p-三联苯(N，N，N’，N’，-tetra(2-naphthyl)-4，4-diamino-p-terphenyl)、4，4′，4-三[(3-甲基苯)氨基联苯]三苯胺(4，4’，4-tris[(3-methylphenyl)phenylamino]triphenylamine)、聚吡咯、聚苯胺、或聚-3，4-乙烯基二氧噻吩(poly-3，4-ethylenedioxythiophene)与聚对苯乙烯磺酸的混合物(PEDOT:PSS)。
在有机发光件370中，通过设置发光层使之与每个像素PX对应地发射一种颜色(例如红色、绿色、蓝色)，使得通过每个像素PX可以表现出期望的颜色。可替换地，发射红色、绿色、及蓝色光的发光层可以垂直或水平地形成在每个像素PX中，以形成白色发光层，或者代表红色、绿色、和蓝色的滤色器可以形成于白色发光层上方或者下方，以显示期望的颜色。此时，在底部发射型显示器中，滤色器可以形成于发光层下方，而在顶部发射型显示器中，滤色器可以形成于发光层上方。
可替换地，红色、绿色、蓝色、及白色四个像素，而不是红色、绿色、及蓝色三个像素，可以设置成条纹状或马赛克状，以提高亮度。
共用电极270形成于有机发光件370和隔离件361上。共用电极270形成于有机发光件370的整个表面上，并向有机发光件370及像素电极191供应电流。
在上述的OLED中，连接至栅极线121的开关控制电极124a、连接至数据线171的开关输入电极173a、和开关输出电极175a与开关半导体岛154a一起形成开关TFT Qs，该TFT Qs具有形成在设置于开关输入电极173a与开关输出电极175a之间的开关半导体岛154a中的通道。连接至开关输出电极175a的驱动控制电极124b、连接至驱动电压线172的驱动输入电极173b、和连接至像素电极191的驱动输出电极175b与驱动半导体岛154b一起形成驱动TFTQd，该驱动TFT Qd具有形成在设置于驱动输入电极173b与驱动输出电极175b之间的驱动半导体岛154b中的通道。
如上所述，开关半导体岛154a由非晶半导体材料制成，而驱动半导体岛154b由微晶或多晶半导体材料制成。即，开关TFT Qs的通道形成于非晶半导体中，而驱动TFT Qd的通道形成于微晶或多晶半导体中。由于开关TFT Qs和驱动TFT Qd形成于OLED的不同层中，从而有可能由不同的半导体形成开关TFT Qs和驱动TFTQd的通道。
因此，在本实例中，开关TFT Qs和驱动TFT Qd的通道分别形成于具有彼此不同晶态的不同半导体中，从而同时满足了相应的开关TFT Qs和驱动TFT Qd所要求的特性。
当驱动TFT Qd的通道形成于微晶或多晶半导体中时，驱动TFT Qd可以具有高载流子迁移率和稳定性，从而流入有机发光二极管的电流量增大，以提高OLED的亮度。另外，防止了由于向驱动TFT Qd施加持续的正电压而导致的阈值电压迁移，从而防止了驱动TFT Qd寿命缩短，并使图像劣化(例如图像粘结)现象减少。
同时，在与驱动TFT Qd相对的开关TFT Qs中，电流开/关特性(Ion/Ioff)是很重要的，因此需要减少开关TFT Qs的关闭电流。然而，如果开关TFT Qs由微晶或多晶半导体形成，则关闭电流将因晶界而增大，以至发生因开关TFT引起的数据电压下降，进而导致串扰。因此，在该实例中，由于开关TFT Qs由关闭电流相对于微晶或多晶半导体而言较低的非晶半导体(例如a-Si)形成，从而防止了数据电压下降，并减少了串扰现象。
在该实例中，描述了每个像素都包括一个开关TFT Qs和一个驱动TFT Qd，但是这些像素可以进一步包括至少一个晶体管和用于驱动该晶体管的多条电线，从而防止或补偿了由于长时间驱动造成的有机发光二极管LD和驱动TFT Qs的劣化，并防止了OLED的寿命缩短。
像素电极191、有机发光件370、以及共用电极270形成具有的像素电极191作为阳极且共用电极270作为阴极或反之亦然的有机发光二极管LD。而且，互相交叠的存储电极127和驱动电压线172形成存储电容器Cst。
接下来，将参照图4-10并参照图2和图3，对图2和图3所示OLED的示例性制造方法进行描述。
图4-10是示例性OLED的剖视图，其顺序示出了图2和图3所示示例性OLED的示例性制造方法。
参照图4，在基板110上形成多个驱动控制电极124b，每个驱动控制电极均包括存储电极127。
如图5所示，在驱动控制电极124b以及基板110的露出表面上顺序沉积下部栅极绝缘层140、微晶硅层、以及杂质a-Si层，然后进行光刻，以形成多个驱动半导体岛154b和欧姆接触层164b。
可替换地，可以在驱动控制电极124b上顺序沉积下部栅极绝缘层140、微晶硅层、及杂质a-Si层，然后进行晶化。此时，晶化可以通过固相晶化(SPC)工艺、快速加温退火(RTA)工艺、液相再晶化(LPR)工艺、或准分子激光器退火(ELA)工艺来进行，并且优选地通过SPC工艺来进行。
参照图6，在图5的下部栅极绝缘层140和欧姆接触层164b上沉积金属层，然后进行光刻，以形成具有开关控制电极124a和端部129的多条栅极线121、包括驱动输入电极173b的多条驱动电压线172、以及多个驱动输出电极175b。
接着，利用具有驱动输入电极173b的驱动电压线172以及驱动输出电极175b作为蚀刻掩模，对欧姆接触层164b进行图案化，以形成多对欧姆接触岛163b和165b，从而露出驱动半导体岛154b的通道部分。
如图7所示，在栅极线121、驱动电压线172、驱动输出电极175b、和下部栅极绝缘层140的露出部分上顺序沉积上部栅极绝缘层142、本征a-Si层、及杂质a-Si层。然后，进行光刻，以形成开关半导体岛154a和欧姆接触层164a。
如图8所示，在上部栅极绝缘层142和欧姆接触层164a上沉积金属层，并进行光刻，以形成包括开关输入电极173a和端部179的多条数据线171、以及多个开关输出电极175a。
接着，利用具有开关输入电极173a的数据线171以及开关输出电极175a作为蚀刻掩模，蚀刻欧姆接触层164a，以形成多对欧姆接触岛163a和165a，并露出欧姆接触岛163a和165a之间的驱动半导体岛154a的通道部分。
然后，如图9所示，在数据线171、开关输出电极175a、上部栅极绝缘层142、以及开关半导体岛154a的通道部分上形成钝化层180。接着，蚀刻钝化层180，以形成露出开关输出电极175a和端部179的多个接触孔185a和182，蚀刻钝化层180和上部栅极绝缘层142，以形成露出端部129和驱动输出电极175b的多个接触孔181和185b，并且蚀刻钝化层180、上部栅极绝缘层142、以及下部栅极绝缘层140，以形成露出驱动控制电极124b的多个接触孔184。
如图10所示，在钝化层180上沉积ITO。接着，对ITO进行光刻，以形成多个像素电极191、多个连接件85、以及多个接触助件81和82。
然后，参照图2和图3，在像素电极191、连接件85、接触助件81和82、以及钝化层180上沉积感光有机层之后，对有机层进行曝光和显影，以形成包括多个开口365的隔离件361。
接着，在像素电极191上形成多个有机发光件370，并将有机发光件限制在开口365中，每个有机发光件均包括空穴传输层(未示出)和发光层(未示出)。有机发光件370可以通过溶解工艺(例如喷墨印刷)或沉积工艺形成。有机发光件370的形成可以通过在移动喷墨头(未示出)的同时将溶液喷射到开口365内的喷墨印刷工艺来形成，并且在这种情况下，随后进行去除溶剂的干燥步骤。
然后，进一步参照图2和图3，在隔离件361和有机发光件370上形成共用电极270。
[第二实例]
下面，将参照图11和图12以及图1，对图1所示的示例性OLED的第二示例性实施例进行描述。
参照图2至图10描述了包括底部栅极结构的开关TFT和驱动TFT的OLED。然而，在该第二示例性实施例中，将描述具有底部栅极结构的开关TFT以及顶部栅极结构的驱动TFT的OLED。
将省略与上述实例重复的描述。
图11是图1所示示例性OLED的第二示例性实施例的布局图，而图12是图11所示示例性OLED沿线XII-XII′-XII″截取的剖视图。
由晶体半导体材料(例如微晶硅或多晶硅)制成的多个驱动半导体岛154b形成在绝缘基板110上。
包括开关控制电极124a和端部129的多条栅极线121、包括驱动输入电极173b的多条驱动电压线172、以及多个驱动输出电极175b形成在基板110和驱动半导体岛154b上。
多对欧姆接触岛163b和165b分别形成在驱动半导体岛154b与驱动输入电极173b之间以及驱动半导体岛154b与驱动输出电极175b之间。
欧姆接触岛163b和165b可以由大量掺杂n型杂质(例如磷)的a-Si、微晶硅、或多晶硅制成。
栅极绝缘层140形成在栅极线121、驱动电压线172、和驱动输出电极175b上，也形成在基板110的露出部分以及驱动半导体岛154b的暴露于驱动输出电极175b与驱动输入电极173b之间的通道部分上。
由氢化a-Si制成的多个开关半导体岛154a形成在栅极绝缘层140上。开关半导体岛154a与开关控制电极124a交叠。
包括开关输入电极173a和端部179的多条数据线171、多个开关输出电极175a、和多个驱动控制电极124b形成在栅极绝缘层140和开关半导体岛154a上。
开关输入电极173a和开关输出电极175a与开关半导体岛154a的部分交叠。每对驱动输入电极173b和驱动输出电极175b相对于驱动半导体岛154b彼此相对设置。同样地，每对开关输入电极173a和开关输出电极175a相对于驱动半导体岛154a彼此相对设置。
驱动控制电极124b形成在驱动半导体岛154b上，并且驱动控制电极124b的部分与驱动输入电极173b和驱动输出电极175b交叠。
多对欧姆接触岛163a和165a分别形成在开关半导体岛154a与开关输入电极173a之间以及开关半导体岛154a与开关输出电极175a之间。欧姆接触岛163a和165a可以由大量掺杂n型杂质(例如磷)的a-Si制成。
钝化层180形成在数据线171、开关输出电极175a、和驱动控制电极124b上，也形成在栅极绝缘层140的露出部分以及开关半导体岛154a的暴露于开关输出电极175a与开关输入电极173a之间的通道部分上。
钝化层180包括分别露出开关输出电极175a、驱动控制电极124b、和数据线171的端部179的多个接触孔185a、184、和182，并且钝化层180和栅极绝缘层140包括分别露出栅极线121的端部129以及驱动输出电极175b的多个接触孔181和185b。
多个像素电极191、多个连接件85、以及多个接触助件81和82形成在钝化层180上。
像素电极191通过接触孔185b电连接至驱动输出电极175b，并且连接件85分别通过接触孔185a和184连接至开关输出电极175a和驱动控制电极124b。
隔离件361形成在像素电极191、连接件85、以及接触助件81和82上，也形成在钝化层180的露出表面上。可替换地，隔离件361可以被去除或者可以不形成在接触助件81和82的两个或其中之一上。
多个有机发光件370形成在像素电极191上，并且被限制在由隔离件361限定的开口365中，而共用电极270形成在有机发光件370和隔离件361上。
接着，将参照图13至图18以及参照图11和图12，对图11和图12所示的示例性OLED的示例性制造方法进行描述。
图13至图18是示例性OLED的剖视图，其顺序示出了图11和图12所示的示例性OLED的示例性制造方法。
参照图13，在基板110上顺序沉积微晶硅层和杂质a-Si层，并对其进行光刻，以形成多个驱动半导体岛154b和欧姆接触层164b。
可替换地，可以在基板110上顺序地沉积a-Si层和杂质a-Si层，然后通过SPC工艺等进行晶化。
如图14所示，在基板110和欧姆接触层164b上沉积金属层，然后进行光刻，以形成具有开关控制电极124a和端部129的多条栅极线121、包括驱动输入电极173b的多条驱动电压线172、和多个驱动输出电极175b。
然后，利用包括驱动输入电极173b的驱动电压线172以及驱动输出电极175b作为蚀刻掩模，对欧姆接触层164b进行蚀刻，以形成多对欧姆接触岛163b和165b。
如图15所示，在栅极线121、驱动电压线172、和驱动输出电极175b上以及基板110的露出部分和驱动半导体岛154b的通道部分上顺序地沉积栅极绝缘层140、本征a-Si层和杂质a-Si层。然后进行光刻，以形成多个开关半导体岛154a和欧姆接触层164a。
然后，如图16所示，在栅极绝缘层140和欧姆接触层164a上沉积金属层，并对其进行光刻，以形成包括开关输入电极173a和端部179的多条数据线171、多个开关输出电极175a、和多个驱动控制电极124b。驱动控制电极124b与驱动半导体岛154b交叠。
然后，利用具有开关输入电极173a的数据线171以及开关输出电极175a作为掩模，对欧姆接触层164a进行蚀刻，以形成多对欧姆接触岛163a和165a。
如图17所示，在数据线171、开关输出电极175a、驱动控制电极124b、栅极绝缘层140、以及开关半导体岛154a的暴露于开关输入电极173a与开关输出电极175a之间的通道部分上形成钝化层180。其后，对钝化层180进行蚀刻，以形成多个接触孔185a、182、和184，并且对钝化层180和栅极绝缘层140进行蚀刻，以形成多个接触孔181和185b。
如图18所示，在钝化层180上沉积ITO，并对其进行光刻，以形成多个像素电极191、多个连接件85、以及多个接触助件81和82。
接着，参照图11和图12，在像素电极191、连接件85、接触助件81和82、以及钝化层180上沉积感光有机层之后，对有机层进行曝光和显影，以形成包括多个开口365的隔离件361。
其后，在像素电极191上形成多个有机发光件370，并将其限制在开口365中，其中每个有机发光件包括空穴传输层(未示出)和发光层(未示出)。
接着，进一步参照图11和图12，在隔离件361和有机发光件370上形成共用电极270。
[第三实例]
接着，将参照图19和图20以及图1，对图1所示的示例性OLED的第三示例性实施例进行描述。
在这个示例性实施例中，将对OLED进行描述，该OLED具有不同于第二示例性实施例的底部栅极结构的开关TFT和顶部栅极结构的驱动TFT。即，尽管第二示例性实施例也采用了底部栅极结构的开关TFT和顶部栅极结构的驱动TFT，但是对于第三示例性实施例的顶部栅极结构的驱动TFT的形成方式不同，正如下面要进一步描述的那样。
将省略与上述实例重复的描述。
图19是图1所示示例性OLED的第三示例性实施例的布局图，而图20是图19所示示例性OLED沿线XX-XX′-XX″截取的剖视图。
包括开关控制电极124a和端部129的多条栅极线121、以及包括驱动输入电极173b的多条驱动电压线172和多个驱动输出电极175b形成在基板110上。
由晶体半导体材料(诸如微晶硅或多晶硅)形成的多个驱动半导体岛154b形成在基板110、驱动电压线172、和驱动输出电极175b上。
驱动半导体岛154b的部分与驱动输入电极173b和驱动输出电极175b交叠。
多对欧姆接触岛163b和165b分别形成在驱动半导体岛154b与驱动输入电极173b之间以及驱动半导体岛154b与驱动输出电极175b之间。
栅极绝缘层140形成在栅极线121、驱动半导体岛154b、驱动电压线172、和驱动输出电极175b上，也可以形成在基板110的露出部分上。
由氢化a-Si制成的多个开关半导体岛154a形成在栅极绝缘层140上。开关半导体岛154a与开关控制电极124a交叠。
包括开关输入电极173a和端部179的多条数据线171、多个开关输出电极175a、以及多个驱动控制电极124b形成在开关半导体岛154a和栅极绝缘层140上。
开关输入电极173a和开关输出电极175a与开关半导体岛154a的部分交叠。每对开关输入电极173a和开关输出电极175a相对于开关半导体岛154a彼此相对设置。
驱动控制电极124b形成在驱动半导体岛154b上，并且驱动控制电极124b的部分与驱动输入电极173b和驱动输出电极175b交叠。
多对欧姆接触岛163a和165a分别形成在开关半导体岛154a与开关输入电极173a之间以及开关半导体岛154a与开关输出电极175a之间。
钝化层180形成在数据线171、开关输出电极175a、和驱动控制电极124b上，也形成在栅极绝缘层140的露出部分以及开关半导体岛154a的暴露于开关输入电极173a与开关输出电极175a之间的通道部分上。
钝化层180包括分别露出开关输出电极175a、驱动控制电极124b、和数据线171的端部179的多个接触孔185a、184、和182，并且钝化层180和栅极绝缘层140包括分别露出栅极线121的端部129和驱动输出电极175b的多个接触孔181和185b。
多个像素电极191、多个连接件85、以及多个接触助件81和82形成在钝化层180上。
像素电极191通过接触孔185b电连接至驱动输出电极175b，并且接触件85分别通过接触孔185a和184连接至开关输出电极175a和驱动控制电极124b。
隔离件361形成在像素电极191、连接件85、以及接触助件81和82上。可替换地，隔离件361可以不形成在两个接触助件81和82上或其中之一上，或者可以从两个接触助件81和82上或其中之一上去除。
多个有机发光件370形成在像素电极191上，并被限制在由隔离件361限定的开口365中，而共用电极270形成在有机发光件370和隔离件361上。
接着，将参照图21至26以及参照图19和图20，对图19和图20所示的示例性OLED的示例性制造方法进行描述。
图21至26是示例性OLED的剖视图，其顺序地示出了图19和图20所示的示例性OLED的示例性制造方法。
如图21所示，在基板110上顺序地沉积金属层和杂质硅层，并对其进行光刻，以形成包括开关控制电极124a和端部129的多条栅极线121、包括驱动输入电极173b的多条驱动电压线172、多个驱动输出电极175b、和多个杂质硅图案164b。
接着，如图22所示，在基板110上、在由金属层构成的金属导体上、和杂质硅图案164b上沉积微晶硅层，然后对其进行光刻，以形成多个驱动半导体岛154b。然后，利用驱动半导体岛154b作为蚀刻掩模对杂质硅图案164b进行蚀刻，以形成多对欧姆接触岛163b和165b。
可替换地，可以在基板110上、在由金属层构成的金属导体上、和杂质硅图案164b上沉积a-Si层，然后通过SPC工艺等对a-Si层进行晶化。
参照图23，在基板110、栅极线121、驱动半导体岛154b、驱动电压线172、和驱动输出电极175b上顺序地沉积栅极绝缘层140、本征a-Si层、和掺杂杂质的a-Si层。然后进行光刻，以形成多个开关半导体岛154a和欧姆接触层164a。
接着，如图24所示，在栅极绝缘层140和欧姆接触层164a上沉积金属层，并且对其进行光刻，以形成包括开关输入电极173a和端部179的多条数据线171、多个开关输出电极175a、和多个驱动控制电极124b。
接着，利用具有开关输入电极173a的数据线171以及开关输出电极175a作为蚀刻掩模，对欧姆接触层164a进行蚀刻，以形成多对欧姆接触岛163a和165a。
如图25所示，在数据线171、开关输出电极175a、驱动控制电极124b、和栅极绝缘层140上，以及在开关半导体岛154a的暴露于开关输出电极175a与开关输入电极173a之间的通道部分上形成钝化层180。其后，对钝化层180进行蚀刻，以形成多个接触孔185a、182、和184，并且对钝化层180和栅极绝缘层140进行蚀刻，以形成多个接触孔181和185b。
如图26所示，在钝化层180上沉积ITO，并对其进行光刻，以形成多个像素电极191、多个连接件85、以及多个接触助件81和82。
接着，参照图19和20，在像素电极191、连接件85、接触助件81和82、以及钝化层180上沉积感光有机层之后，对有机层进行曝光和显影，以形成包括多个开口365的隔离件361。
其后，在像素电极191上形成多个有机发光件370，并将其限制在开口365中，其中每个有机发光件包括空穴传输层(未示出)和发光层(未示出)。
接着，进一步参照图19和图20，在隔离件361和有机发光件370上形成共用电极270。
[第四实例]
接着，将参照图27和28以及图1，对图1所示示例性OLED的第四示例性实施例进行描述。
在这个示例性实施例中，将对示例性OLED进行描述，该OLED具有底部栅极结构的开关TFT和不同于上述实例的另一种顶部栅极结构的驱动TFT。将省略与上述实例重复的描述。
图27是图1所示示例性OLED的第四实施例的布局图，而图28是图27所示示例性OLED沿线XXVIII-XXVIII′-XXVIII″截取的剖视图。
由晶体半导体材料(例如微晶硅或多晶硅)制成的多个驱动半导体岛154b形成在绝缘基板110上。
包括开关控制电极124a和端部129的多条栅极线、包括驱动输入电极173b的多条驱动电压线172、以及多个输出电极175b形成在基板110和驱动半导体岛154b上。
多对欧姆接触岛163b和165b分别形成在驱动半导体岛154b与驱动电压线172b之间以及驱动半导体岛154b与驱动输出电极175b之间。此时，欧姆接触岛163b和165b具有与驱动电压线172和驱动输出电极175b基本相同的平面形状。
而且，多个辅助件161形成在栅极线121下方。辅助件161具有与栅极线121以及栅极线121的开关控制电极124a和端部129基本相同的平面形状。
栅极绝缘层140形成在栅极线121、驱动电压线172、和驱动输出电极175b上，也形成在基板110的露出部分以及半导体岛154b的暴露于驱动输入电极173b与驱动输出电极175b之间的驱动通道部分上。
由氢化a-Si制成的多个开关半导体岛154a形成在栅极绝缘层140上。开关半导体岛154a与开关控制电极124a交叠。
包括开关输入电极173a和端部179的多条数据线171、多个开关输出电极175a、和多个驱动控制电极124b形成在开关半导体岛154a和栅极绝缘层140上。
开关输入电极173a和开关输出电极175a与开关半导体岛154a的部分交叠。每对开关输入电极173a和开关输出电极175a相对于开关半导体岛154a彼此相对设置。
驱动控制电极124b的部分与驱动半导体岛154b交叠，并且与驱动输入电极173b和驱动输出电极175b的部分交叠。
多对欧姆接触岛163a和165a分别形成在开关半导体岛154a与开关输入电极173a之间以及开关半导体岛154a与开关输出电极175a之间。欧姆接触岛163a和165a可以由大量掺杂n型杂质(例如磷)的a-Si制成。
钝化层180形成在数据线171、开关输出电极175a、和驱动控制电极124b上，也形成在栅极绝缘层140的露出部分以及开关半导体岛154a的暴露于开关输出电极175a与开关输入电极173a之间的通道部分上。
钝化层180包括分别露出开关输出电极175a、驱动控制电极124b、和数据线171的端部179的多个接触孔185a、184、和182，并且钝化层180和栅极绝缘层140包括分别露出栅极线121的端部129以及驱动输出电极175b的多个接触孔181和185b。
多个像素电极191、多个连接件85、以及多个接触助件81和82形成在钝化层180上。
像素电极191通过接触孔185b电连接至驱动输出电极175b，而连接件85分别通过接触孔185a和184连接至开关输出电极175a和驱动控制电极124b。
隔离件361形成在像素电极191、连接件85、以及接触助件81和82上。可替换地，隔离件361可以不形成在接触助件81和82中的两个或其中之一上，并且可以从接触助件81和82中的两个或其中之一上去除。
多个有机发光件370形成在像素电极191上，并被限制在由隔离件361限定的开口365中，而共用电极270形成在有机发光件370和隔离件361上。
接着，将参照图29至图34以及参照图27和图28，对图27和图28所示的示例性OLED的示例性制造方法进行描述。
图29至图34是示例性OLED的剖视图，其顺序地示出了图27和图28所示的示例性OLED的示例性制造方法。
如图29所示，在绝缘基板110上沉积微晶硅层，并对其进行光刻，以形成多个驱动半导体岛154b。
可替换地，可以在基板110上沉积a-Si层，然后通过SPC工艺等对其进行晶化。
接着，在基板110和驱动半导体岛154b上顺序地沉积掺杂杂质的a-Si层160和金属层170。
接着，如图30所示，对金属层170和掺杂杂质的a-Si层160进行光刻，以形成包括开关控制电极124a和端部129的多条栅极线121、多个辅助件161、包括驱动输入电极173b的多条驱动电压线172、多个驱动输出电极175b、以及多对欧姆接触岛163b和165b。
参照图31，在基板110、栅极线121、驱动电压线172、驱动输出电极175b、基板110的露出部分、以及驱动半导体岛154b的暴露于驱动输出电极175b与驱动输入电极173b之间的通道部分上顺序地沉积栅极绝缘层140、本征a-Si层、和杂质a-Si层。然后，进行光刻，以形成开关半导体岛154a和欧姆接触层164a。
接着，如图32所示，在栅极绝缘层140和欧姆接触层164a上沉积金属层，并对其进行光刻，以形成包括开关输入电极173a和端部179的多条数据线171、多个开关输出电极175a、和多个驱动控制电极124b。
接着，利用具有开关输入电极173a的数据线171以及开关输出电极175a作为蚀刻掩模，对欧姆接触层164a进行蚀刻，以形成多对欧姆接触163a和165a。
如图33所示，在数据线171、开关输出电极175a、驱动控制电极124b、和栅极绝缘层140上，以及在开关半导体岛154a的暴露于开关输出电极175a与开关输入电极173a之间的通道部分上形成钝化层180。其后，对钝化层180进行光刻，以形成多个接触孔185a、182、和184，并且对钝化层180和栅极绝缘层140进行蚀刻，以形成多个接触孔181和185b。
如图34所示，在钝化层180上沉积ITO，并对其进行光刻，以形成多个像素电极191、多个连接件85、以及多个接触助件81和82。
接着，参照图27和28，在像素电极191、连接件85、接触助件81和82、以及钝化层180上沉积感光有机层之后，对有机层进行曝光和显影，以形成包括多个开口365的隔离件361。可替换地，隔离件361可以不形成在接触助件81和82中的两个或其中之一上，或者隔离件361可以从接触助件81和82中的两个或其中之一上被去除。
其后，在像素电极191上形成多个有机发光件370，并将它们限制在开口365中，其中每个有机发光件包括空穴传输层(未示出)和发光层(未示出)。
接着，进一步参照图27和28，在隔离件361和有机发光件370上形成共用电极270。
根据本发明，防止了开关TFT中的数据电压下降，降低了传输给发光装置的电流量的减少以及寿命的减少，并且防止了OLED特性的恶化。即使开关TFF和驱动TFT的结构不同，开关控制电极、驱动输入电极、和驱动输出电极也可以利用一个掩模形成，并且开关输入电极、开关输出电极和驱动控制电极利用一个掩模形成。因此，减少了制造OLED所用的掩模数量。
尽管结合目前认为是实用的示例性实施例，已经对本发明进行了描述，然而，应该理解，本发明并不限于所公开的实施例，相反，本发明旨在覆盖包括在所附权利要求的精神和范围内的各种变化和等效设置。

Claims (38)

1.一种有机发光装置，包括：
基板；
第一和第二信号线，其形成在所述基板上；
开关晶体管，其连接至所述第一和第二信号线并包括第一半导体；
驱动晶体管，其连接至所述开关晶体管并包括第二半导体；
第一电极，其连接至所述驱动晶体管；
第二电极，其面对所述第一电极；以及
发光件，其形成在所述第一电极与所述第二电极之间，
其中，所述第一半导体和所述第二半导体形成在显示器内的不同层上。
2.根据权利要求1所述的有机发光装置，其中，所述第一半导体
具有与所述第二半导体的晶态不同的晶态。
3.根据权利要求2所述的有机发光装置，其中，所述第一半导体
包括非晶半导体，并且所述第二半导体包括微晶半导体或多晶半导体。
4.根据权利要求3所述的有机发光装置，其中，所述开关晶体管进一步包括：
第一控制电极，其连接至所述第一信号线；
第一栅极绝缘层，其形成在所述第一控制电极上；
第一输入电极，其连接至所述第二信号线；以及
第一输出电极，其面对所述第一输入电极并连接至所述驱动晶体管。
5.根据权利要求4所述的有机发光装置，其中，所述驱动晶体管进一步包括：
第二控制电极，其连接至所述第一输出电极；
第二栅极绝缘层，其形成在所述第二控制电极上；
第二输入电极，其形成在所述第二半导体、所述第二输
入电极的与所述第二控制电极和所述第二半导体相交叠的一部分上；以及
第二输出电极，面对所述第二输入电极并连接至所述第一电极，
其中，所述第二栅极绝缘层形成在所述第一控制电极下方。
6.根据权利要求5所述的有机发光装置，其中，所述第一控制电极、所述第二输入电极、和所述第二输出电极利用掩模同时形成。
7.根据权利要求4所述的有机发光装置，其中，所述驱动晶体管进一步包括：
第二输入电极和第二输出电极，在所述第二半导体上它们彼此面对；以及
第二控制电极，其形成在所述第二输入电极和所述第二输出电极上以便与它们交叠，并且所述第二控制电极连接至所述第一输出电极。
8.根据权利要求7所述的有机发光装置，其中，所述第一控制电极、所述第二输入电极、和所述第二输出电极利用掩模同时形成。
9.根据权利要求7所述的有机发光装置，其中，所述第一输入电极、所述第一输出电极、和所述第二控制电极利用掩模同时形成。
10.根据权利要求7所述的有机发光装置，进一步包括欧姆接触件，其形成在所述第二输入电极和所述第二输出电极上。
11.根据权利要求7所述的有机发光装置，进一步包括欧姆接触件，其形成在所述第二输入电极和所述第二输出电极下方。
12.根据权利要求11所述的有机发光装置，其中，所述欧姆接触件具有与所述第二输入电极和所述第二输出电极基本相同的平面形状。
13.根据权利要求11所述的有机发光装置，进一步包括辅助件，其形成在所述第一控制电极下方。
14.根据权利要求13所述的有机发光装置，其中，所述欧姆接触件和所述辅助件包括掺杂杂质的非晶态硅半导体、掺杂杂质的微晶半导体、和掺杂杂质的晶体半导体中的至少一种。
15.根据权利要求7所述的有机发光装置，其中，所述第一控制电极形成在所述第一半导体下方，并且所述第二控制电极形成在所述第二半导体上。
16.根据权利要求4所述的有机发光装置，其中，所述驱动晶体管进一步包括：
第二输出电极，其连接至所述第一电极；
第二输入电极，其面对所述第二输出电极；以及
第二控制电极，其形成在所述第二半导体上，以便与之交叠，并且所述第二控制电极连接至所述第一输出电极。
17.根据权利要求16所述的有机发光装置，其中，所述第一控制电极、所述第二输入电极、和所述第二输出电极利用掩模同时形成。
18.根据权利要求16所述的有机发光装置，其中，所述第一输入电极、所述第一输出电极、和所述第二控制电极利用掩模同时形成。
19.根据权利要求16所述的有机发光装置，其中，所述第一控制电极形成在所述第一半导体下方，并且所述第二控制电极形成在所述第二半导体上。
20.一种有机发光装置，包括：
基板；
第一信号线，其形成在所述基板上；
第一控制电极，其连接至所述第一信号线；
第二信号线，其与所述第一信号线绝缘并交叉；
第一输入电极，其连接至所述第二信号线；
第一输出电极，其面对所述第一输入电极；
第一半导体，其由所述第一输入电极和所述第一输出电极交叠；
第二控制半导体，其连接至所述第一输出电极；
驱动电压线，其与所述第一信号线或所述第二信号线绝缘并交叉；
第二输入电极，其连接至所述驱动电压线；
第二输出电极，其面对所述第二输入电极；
第二半导体，其由所述第二输入电极和所述第二输出电极交叠；
第一电极，其连接至所述第二输出电极；
第二电极，其面对所述第一电极；以及
发光件，其形成在所述第一电极与所述第二电极之间，
其中，所述第一控制电极、所述第二输入电极、和所述
第二输出电极形成在所述装置的同一层上，并且
所述第一输入电极、所述第一输出电极、和所述第二控制电极形成在所述装置的同一层上。
21.根据权利要求20所述的有机发光装置，其中，所述第一半导体包括非晶半导体，并且所述第二半导体包括微晶半导体或多晶半导体。
22.一种有机发光装置的制造方法，所述方法包括：
在基板上形成驱动控制电极；
在所述驱动控制电极上形成第一栅极绝缘层；
在所述第一栅极绝缘层上形成驱动半导体；
在所述第一栅极绝缘层和所述驱动半导体上沉积并蚀刻导电层，以形成开关控制电极、具有驱动输入电极的驱动电压线、和驱动输出电极；
在所述开关控制电极、所述驱动电压线、和所述驱动输出电极上形成第二栅极绝缘层；
在所述第二栅极绝缘层上形成开关半导体；
在所述第二栅极绝缘层和所述开关半导体上形成具有开关输入电极的数据线以及开关输出电极；
形成连接至所述驱动输出电极的第一电极；
在所述第一电极上形成发光件；以及
在所述发光件上形成第二电极。
23.根据权利要求22所述的制造方法，其中，形成所述驱动半导体的步骤包括沉积微晶半导体。
24.根据权利要求22所述的制造方法，其中，形成所述驱动半导体的步骤包括形成非晶半导体，并晶化所述非晶半导体。
25.根据权利要求24所述的制造方法，进一步包括：在形成所述驱动半导体的所述非晶半导体之后，形成掺杂杂质的非晶半导体，并且晶化所述驱动半导体的所述非晶半导体的步骤包括同时晶化所述驱动半导体的所述非晶半导体以及所述掺杂杂质的非晶半导体。
26.根据权利要求24所述的制造方法，其中，晶化所述驱动半导体的所述非晶半导体以及所述掺杂杂质的非晶半导体的步骤通过固相结晶工艺进行。
27.一种有机发光二极管显示器的制造方法，所述方法包括：
在基板上形成驱动半导体；
在所述基板和所述驱动半导体上沉积并蚀刻第一导电层，以形成开关控制电极、具有驱动输入电极的驱动电压线、和驱动输出电极；
在所述开关控制电极、所述驱动电压线、和所述驱动输出电极上形成栅极绝缘层；
在所述栅极绝缘层上形成开关半导体；
在所述栅极绝缘层和所述开关半导体上沉积并蚀刻第二导电层，以形成具有开关输入电极的数据线、开关输出电极、和驱动控制电极；
形成连接至所述驱动输出电极的第一电极；
在所述第一电极上形成发光件；以及
在所述发光件上形成第二电极。
28.根据权利要求27所述的制造方法，其中，形成所述驱动半导体的步骤包括：
在所述基板上形成半导体层；
在所述半导体层上形成欧姆接触层；以及
蚀刻所述半导体层和所述欧姆接触层。
29.根据权利要求27所述的制造方法，进一步包括：在形成所述
驱动半导体之后，形成欧姆接触层；以及
与所述第一导电层一起同时蚀刻所述欧姆接触层。
30.根据权利要求27所述的制造方法，其中，形成所述驱动半导体的步骤包括沉积微晶半导体。
31.根据权利要求27所述的制造方法，其中，形成所述驱动半导体的步骤包括形成非晶半导体，并晶化所述非晶半导体。
32.根据权利要求31所述的制造方法，进一步包括：在形成所述驱动半导体的所述非晶半导体之后，形成掺杂杂质的非晶半导体，并且晶化所述驱动半导体的所述非晶半导体的步骤包括同时晶化所述驱动半导体的所述非晶半导体以及所述掺杂杂质的非晶半导体。
33.根据权利要求31所述的制造方法，其中，晶化所述驱动半导体的所述非晶半导体以及所述掺杂杂质的非晶半导体的步骤通过固相结晶工艺进行。
34.一种有机发光装置的制造方法，所述方法包括：
在基板上沉积并蚀刻第一导电层，以形成开关控制电极、驱动电压线、和驱动输出电极；
在所述驱动电压线和所述驱动输出电极上形成驱动半导体；
在所述驱动半导体和所述开关控制电极上形成栅极绝缘层；
在所述栅极绝缘层上形成开关半导体；
在所述栅极绝缘层和所述开关半导体上沉积并蚀刻第二导电层，以形成具有开关输入电极的数据线、开关输出电极、和驱动控制电极；
形成连接至所述驱动输出电极的第一电极；
在所述第一电极上形成发光件；以及
在所述发光件上形成第二电极。
35.根据权利要求34所述的制造方法，其中，形成所述驱动半导体的步骤包括沉积微晶半导体。
36.根据权利要求34所述的制造方法，其中，形成所述驱动半导体的步骤包括形成非晶半导体，以及晶化所述非晶半导体。
37.根据权利要求36所述的制造方法，进一步包括：在形成所述驱动半导体的所述非晶半导体之后，形成掺杂杂质的非晶半导体，并且晶化所述驱动半导体的所述非晶半导体的步骤包括同时晶化所述驱动半导体的所述非晶半导体以及所述掺杂杂质的非晶半导体。
38.根据权利要求36所述的制造方法，其中，晶化所述驱动半导体的所述非晶半导体以及所述掺杂杂质的非晶半导体的步骤通过固相结晶工艺进行。
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