KR101943589B1 - 표시 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명에 따른 표시 장치는 기판, 기판 위에 형성되어 있는 제1 보조 전극, 제1 보조 전극과 위에 형성되어 있고, 제1 입력 단자, 제1 출력 단자 및 제1 제어 단자를 가지는 제1 박막 트랜지스터, 제1 박막 트랜지스터와 연결되어 있는 화소 전극을 포함하고, 제1 보조 전극은 제1 박막 트랜지스터와 중첩하고, 제1 입력 단자와 전기적으로 연결되어 있다.
유기 발광, 킹효과

Description

표시 장치{DISPLAY DEVICE}
본 발명은 표시 장치에 관한 것으로, 특히 유기 발광 표시 장치에 관한 것이다.
유기 발광 표시 장치는 유기 발광 소자(organic light emitting element)와 이를 구동하기 위한 복수의 박막 트랜지스터를 포함한다. 이들은 복수의 박막으로 만들어지며 공정 상의 이유로 대개는 박막 트랜지스터는 아래 쪽에, 유기 발광 소자는 위쪽에 위치하며, 유기 발광 소자의 애노드(anode)는 아래 쪽에, 캐소드(cathode)는 위쪽에 위치한다.
이와 같은 유기 발광 표시 장치는 빛을 위로 방출하는 상부 방출(top emission) 방식과 아래 쪽으로 방출하는 하부 방출(bottom emission) 방식으로 나눌 수 있다. 하부 방출 방식의 경우 유기 발광 소자의 아래 쪽에 위치한 박막 트랜지스터 때문에 빛을 방출할 수 있는 면적이 좁기 때문에 박막 트랜지스터의 아래에는 차광 부재(black matrix)를 형성하지 않는다.
한편, 표시 장치를 구동하기 위한 박막 트랜지스터의 반도체는 비정질 규소를 결정화하여 형성한 다결정 규소로 형성할 수 있다.
그러나 차광 부재를 형성하지 않으면 빛의 산란 등을 방지하기 위해서 편광판을 별도로 추가하여야 하는 문제점이 있다.
그리고 비정질 규소를 다결정화 한 경우 형성되는 박막 트랜지스터의 전기적 특성이 균일하지 않아 화질이 고르지 못하게 되는 문제점이 있다.
따라서 본 발명은 편광판을 설치하지 않으면서도 킹크(kink) 효과를 감소하고 안정 전압(saturation voltage)을 감소시키고, 균일한 화질을 얻을 수 있는 표시 장치를 제공하는 것이다.
상기한 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 표시 장치는 기판, 기판 위에 형성되어 있는 제1 보조 전극, 제1 보조 전극과 위에 형성되어 있고, 제1 입력 단자, 제1 출력 단자 및 제1 제어 단자를 가지는 제1 박막 트랜지스터, 제1 박막 트랜지스터와 연결되어 있는 화소 전극을 포함하고, 제1 보조 전극은 제1 박막 트랜지스터와 중첩하고, 제1 입력 단자와 전기적으로 연결되어 있다.
제1 박막 트랜지스터는 불순물이 고농도로 도핑되어 있는 제1 소스 영역 및 제1 드레인 영역과 제1 소스 영역 및 제1 드레인 영역 사이에 형성되어 있는 제1 채널 영역을 포함하는 다결정 규소를 포함하며, 제1 보조 전극은 제1 소스 영역을 경유하여 제1 입력 단자와 연결되어 있다.
제1 보조 전극은 제1 입력 전극과 직접 연결되어 있다.
제1 보조 전극은 불투명한 도전 물질로 이루어질 수 있다.
제1 보조 전극은 투명한 도전 물질로 이루어질 수 있다.
제1 보조 전극은 기판 전면에 형성될 수 있다.
제1 신호선, 제1 신호선과 교차하는 제2 신호선, 제1 박막 트랜지스터의 제1 제어 단자에 연결되어 있는 제2 출력 단자, 제1 신호선과 연결되어 있는 제2 제어 단자, 제2 신호선과 연결되어 있는 제2 입력 단자를 포함하는 제2 박막 트랜지스터, 제2 박막 트랜지스터와 중첩하고, 제2 입력 단자와 전기적으로 연결되어 있는 제2 보조 전극을 더 포함할 수 있다.
제2 박막 트랜지스터는 불순물이 고농도로 도핑되어 있는 제2 소스 영역 및 제2 드레인 영역과 제2 소스 영역 및 제2 드레인 영역 사이의 제2 채널 영역을 포함하는 다결정 규소를 포함하고, 제2 보조 전극은 제2 소스 영역을 경유하여 제2 입력 전극과 연결되어 있다.
제2 보조 전극은 제1 입력 전극과 직접 연결되어 있다.
제2 보조 전극은 불투명한 도전 물질로 이루어질 수 있다.
화소 전극 위에 형성되어 있는 발광층을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예에서와 같이 보조 전극을 이용하여 반도체의 아래에 소스와 연결된 게이트를 형성하면 킹크 효과를 감소하고 안정 전압을 감소시켜 균일한 화질을 얻을 수 있다.
그러면, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다.
도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.
먼저 도 1을 참고하여 본 발명의 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치에 대하여 상세하게 설명한다.
도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 등가 회로도이다.
도 1을 참고하면, 본 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 복수의 신호선(121, 171, 172)과 이들에 연결되어 있으며 대략 행렬(matrix)의 형태로 배열된 복수의 화소(pixel)(PX)를 포함한다.
신호선은 게이트 신호(또는 주사 신호)를 전달하는 복수의 게이트선(gate line)(121), 데이터 신호를 전달하는 복수의 데이터선(data line)(171), 구동 전압을 전달하는 복수의 구동 전압선(driving voltage line)(172)을 포함한다. 게이트선(121)은 대략 행 방향으로 뻗어 있으며 서로가 거의 평행하고 데이터선(171)은 대략 열 방향으로 뻗어 있으며 서로가 거의 평행하다. 구동 전압선(172)은 대략 열 방향으로 뻗어 있다.
각 화소(PX)는 스위칭 트랜지스터(switching transistor)(Qs), 구동 박막 트랜지스터(driving transistor)(Qd), 유지 축전기(storage capacitor)(Cst) 및 유기 발광 소자(organic light emitting element)(LD)를 포함한다.
스위칭 트랜지스터(Qs)는 제어 단자(control terminal), 입력 단자(input terminal) 및 출력 단자(output terminal)를 가지는데, 제어 단자는 게이트선(121)에 연결되어 있고, 입력 단자는 데이터선(171)에 연결되어 있으며, 출력 단자는 구동 트랜지스터(Qd)에 연결되어 있다. 스위칭 트랜지스터(Qs)는 게이트선(121)으로부터 받은 주사 신호에 응답하여 데이터선(171)으로부터 받은 데이터 신호를 구동 트랜지스터(Qd)에 전달한다.
구동 트랜지스터(Qd) 또한 제어 단자, 입력 단자 및 출력 단자를 가지는데, 제어 단자는 스위칭 트랜지스터(Qs)에 연결되어 있고, 입력 단자는 구동 전압선(172)에 연결되어 있으며, 출력 단자는 유기 발광 소자(LD)에 연결되어 있다. 구동 트랜지스터(Qd)는 제어 단자와 출력 단자 사이에 걸리는 전압에 따라 그 크기가 달라지는 출력 전류(ILD)를 흘린다.
축전기(Cst)는 구동 트랜지스터(Qd)의 제어 단자와 입력 단자 사이에 연결되어 있다. 이 축전기(Cst)는 구동 트랜지스터(Qd)의 제어 단자에 인가되는 데이터 신호를 충전하고 스위칭 트랜지스터(Qs)가 턴 오프(turn-off)된 뒤에도 이를 유지 한다.
유기 발광 소자(LD)는 예를 들면 유기 발광 다이오드(organic light emitting diode, OLED)로서, 구동 트랜지스터(Qd)의 출력 단자에 연결되어 있는 애노드(anode)와 공통 전압선(172)에 연결되어 있는 캐소드(cathode)를 가진다. 유기 발광 소자(LD)는 구동 트랜지스터(Qd)의 출력 전류(ILD)에 따라 세기를 달리하여 발광함으로써 영상을 표시한다.
스위칭 트랜지스터(Qs) 및 구동 트랜지스터(Qd)는 n-채널 전계 효과 트랜지스터(field effect transistor, FET)로서 이들 중 적어도 하나는 도 2에 도시한 것과 같은 구조를 가질 수 있다. 그러나 스위칭 트랜지스터(Qs)와 구동 트랜지스터(Qd) 중 적어도 하나는 p-채널 전계 효과 트랜지스터일 수 있다. 또한, 트랜지스터(Qs, Qd), 축전기(Cst) 및 유기 발광 소자(LD)의 연결 관계가 바뀔 수 있다.
경우에 따라서는 스위칭 트랜지스터(Qs)와 구동 트랜지스터(Qd) 외에도 구동 트랜지스터(Qd)나 유기 발광 소자(LD)의 문턱 전압 보상을 위한 다른 트랜지스터들이 더 있을 수 있다.
그러면 도 1에 도시한 유기 발광 표시 장치의 상세 구조에 대하여 도 2 내지 도 4를 도 1과 함께 참고하여 상세하게 설명한다.
도 2는 본 발명의 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 배치도이고, 도 3은 도 2의 유기 발광 표시 장치를 III-III선을 따라 잘라 도시한 단면도이고, 도 4는 도 2의 유기 발광 표시 장치를 IV-IV 선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.
도 2 내지 4를 참조하면, 투명한 유리 또는 플라스틱 따위로 만들어진 절연 기판(110) 위에는 보조 전극(10)이 형성되어 있다. 보조 전극(10)은 불투명한 도전 물질로 이루어진다.
보조 전극(10)을 포함하는 기판(110) 위에 산화 규소 또는 질화 규소 등으로 이루어진 차단층(111)이 형성되어 있다. 차단층(111)은 보조 전극(10)을 노출하는 접촉 구멍(15)을 포함한다.
차단층(111) 위에는 제1 및 제2 반도체(151a, 151b)가 형성되어 있고, 제2 반도체(151b)에는 축전기용 반도체(157)가 연결되어 있다.
제1 및 제2 반도체(151a, 151b)는 보조 전극(10)과 중첩되어 있으며 접촉 구멍(15)을 통해서 보조 전극(10)과 연결되어 있다. 제1 및 제2 반도체(151a, 151b)는 비정질 규소를 결정화한 다결정 규소 따위로 이루어진다.
제1 및 제2 반도체(151a, 151b)의 제1 및 제2 소스 영역(153a, 153b)과 제1 및 제2 드레인 영역(155a, 155b)은 n형 또는 p형 불순물로 도핑되어 있으며, 각각 다른 불순물로 도핑될 수 있다. 제1 및 제2 소스 영역(153a, 153b)과 채널 영역(154a, 154b) 사이, 제1 드레인 영역(155a, 155b)과 채널 영역(154a, 154b) 사이에는 저농도 도핑 영역(152) 또는 오프셋 영역이 형성될 수 있다.
제1 소스 영역 및 제1 드레인 영역(153a, 155a) 사이에 고농도 도핑 영역(154c)을 포함할 수 있으며, 드레인 및 소스 영역으로 사용된다.
보조 전극(10)과 연결되는 반도체에도 도전형 불순물이 고농도로 도핑되는 것이 바람직하며, 예를 들어 소스 영역(153a, 153b)일 수 있다.
제1 및 제2 반도체(151a, 151b) 위에는 산화 규소 또는 질화 규소로 이루어진 게이트 절연막(140)이 형성되어 있다.
게이트 절연막(140) 위에는 제1 제어 전극(124a)을 포함하는 게이트선(121) 및 제2 제어 전극(124b)이 형성되어 있다.
게이트선(121)은 주로 가로 방향으로 뻗으며, 제1 제어 전극(124a)은 위로 돌출하여 스위칭 트랜지스터의 채널부(154a)와 중첩하고 있다. 게이트선(121)은 다른 층 또는 외부 구동 회로와의 접속을 위한 넓은 끝 부분(도시하지 않음)을 포함할 수 있다.
제2 제어 전극(124b)은 게이트선(121)과 분리되어 있으며 구동 박막 트랜지스터의 채널부(154b)와 중첩하고 있다.
제2 제어 전극(124b)은 세로 방향으로 길게 뻗은 유지 전극(127)을 포함하고, 유지 전극(127)은 반도체의 유지 전극부(157)와 중첩되어 있다.
게이트선(121)과 제2 제어 전극(124b) 및 유지 전극(127)의 위에는 제1 층간 절연막(180p)이 형성되어 있고, 제1 층간 절연막(180p) 위에는 데이터 신호를 전달하는 데이터선(171), 구동 전압선(172), 제1 및 제2 출력 전극(175a, 175b)이 형성되어 있다.
데이터선(171) 및 구동 전압선(172)은 주로 세로 방향으로 뻗어 게이트선(121)과 교차한다. 데이터선(171)은 제1 제어 전극(124a)을 향하여 뻗은 제1 입력 전극(173a)을 포함하고, 구동 전압선(172)은 제2 제어 전극(124b)을 향하여 뻗은 제2 입력 전극(173b)을 포함한다.
제1 및 제2 입력 전극(173a, 173b)은 제1 층간 절연막(180p) 및 게이트 절연막(140)에 형성된 접촉 구멍(161, 164)을 통해서 각각 제1 및 제2 소스 영역(153a, 153b)과 연결되어 있다.
제1 및 제2 출력 전극(175a, 175b)은 서로 분리되어 있고 데이터선(171) 및 구동 전압선(172)과도 분리되어 있다. 제1 출력 전극(175a)은 제1 층간 절연막(180p) 및 게이트 절연막(140)에 형성된 접촉 구멍(162, 163)을 통해서 제1 드레인 영역(155a) 및 제2 입력 전극(124b)과 연결되어 있고, 제2 출력 전극(175b)은 제1 층간 절연막(180p) 및 게이트 절연막(140)에 형성된 접촉 구멍(165)을 통해서 제2 드레인 영역(155b)과 연결되어 있다.
제1 입력 전극(173a)과 제1 출력 전극(175a)은 제1 제어 전극(124a)을 중심으로 서로 마주하며, 제2 입력 전극(173b)과 제2 출력 전극(175b)은 제2 제어 전극(124b)을 중심으로 서로 마주한다.
제1 제어 전극(124a), 제1 입력 전극(173a) 및 제1 출력 전극(175a)은 제1 반도체(151a)와 함께 스위칭 박막 트랜지스터(thin film transistor, TFT)(Qs)를 이루며, 제2 제어 전극(124b), 제2 입력 전극(173b) 및 제2 출력 전극(175b)은 제2 반도체(151b)와 함께 구동 박막 트랜지스터(Qd)를 이룬다.
앞에서 설명한 스위칭 박막 트랜지스터(Qs), 구동 박막 트랜지스터(Qd), 게이트선(121), 데이터선(171), 구동 전압선(172) 등의 구조는 하나의 예일 뿐이며 여러 가지 다른 예가 있을 수 있다.
데이터선(171), 구동 전압선(172), 제1 및 제2 출력 전극(175a, 175b) 위에 는 제2 층간 절연막(180q)이 형성되어 있다. 제2 층간 절연막(180q)은 질화규소나 산화규소 따위의 무기 절연물로 만들어진 하부막(도시하지 않음)과 유기 절연물로 만들어진 상부막(도시하지 않음)을 포함한다. 유기 절연물은 4.0 이하의 유전 상수를 가지는 것이 바람직하고, 감광성(photosensitivity)을 가질 수도 있으며, 평탄면을 제공할 수도 있다. 보호막(180)은 무기 절연물 또는 유기 절연물 따위로 만들어진 단일막 구조를 가질 수도 있다.
제2 층간 절연막(180q)에는 제2 출력 전극(175b)을 드러내는 접촉 구멍(185)이 형성되어 있다.
제2 층간 절연막(180q) 위에는 화소 전극(pixel electrode)(191)이 형성되어 있다.
화소 전극(191)은 ITO 또는 IZO 등으로 이루어진 투명 물질로 이루어지며, 접촉 구멍(185)을 통해 제2 출력 전극(175b)과 연결되어 있다.
화소 전극(191) 위에는 격벽(partition)(360)이 형성되어 있다. 격벽(360)은 화소 전극(191) 가장자리 주변을 둑(bank)처럼 둘러싸서 개구부(opening)(365)를 정의하며, 유기 절연물 또는 무기 절연물로 만들어질 수 있는데, 특히 검정색 안료를 포함하는 감광제로 만들어질 수 있으며, 이 경우 격벽(360)이 차광 부재의 역할을 하며 그 형성 공정이 간단하다.
격벽(360)이 정의하는 화소 전극(191) 위의 개구부(365) 내에는 유기 발광 부재(organic light emitting member)(370)가 형성되어 있다. 유기 발광 부재(370)는 발광층 및 발광층의 효율을 높이기 위한 부대층(auxiliary layer) 을 포함하는 복층 구조로 이루어질 수 있다.
발광층은 적색, 녹색, 청색의 삼원색 등 기본색(primary color) 중 어느 하나의 빛을 고유하게 내는 유기 물질 또는 유기 물질과 무기 물질의 혼합물로 만들어질 수 있다. 유기 발광 표시 장치는 발광층에서 내는 기본색 색광의 공간적인 합으로 원하는 영상을 표시한다.
부대층은 전자와 정공의 균형을 맞추기 위한 정공 수송층(hole transport layer), 전자 수송층(electron transport layer)과 전자와 정공의 주입을 강화하기 위한 정공 주입층(electron injecting layer) 및 전자 주입층(hole injecting layer)을 포함한다.
발광 부재(370) 위에는 공통 전극(common electrode)(270)이 기판 전면에 형성되어 있다.
공통 전극(270)은 전자 주입(electron injection)이 양호하고 유기 물질에 영향을 미치지 않는 도전 물질로 만들어 질 수 있으며, 몰리브덴, 크롬, 은, 알루미늄 또는 그 합금 등의 반사성 금속을 포함할 수 있다.
이러한 유기 발광 표시 장치에서, 화소 전극(191), 유기 발광 부재(370) 및 공통 전극(270)은 유기 발광 소자(LD)를 이루며, 화소 전극(191)이 애노드, 공통 전극(270)이 캐소드가 된다.
이러한 유기 발광 표시 장치는 기판(110)의 아래쪽으로 빛을 내보내어 영상을 표시하며, 유기 발광 부재(370)에서 방출된 빛은 공통 전극(270)에 의하여 반사되어 아래쪽을 향한다.
이때, 유기 발광 부재, 화소 전극(191) 및 공통 전극(270) 중 적어도 하나의 두께를 조절하여 적색, 녹색, 청색 화소에 따라서 발광되는 색의 파장을 증폭하게 하는 미세 공진 구조를 가지도록 형성할 수 있다. 이러한 미세 공진 구조는 광로 길이(optical length)만큼 떨어져 있는 화소 전극(191)과 공통 전극(270) 사이를 반복적으로 반사함으로써 보강 간섭에 의해 특정 파장의 빛을 증폭하는 것으로, 예를 들면, 화소 전극(191)의 두께를 적색>녹색>청색 순으로 다르게 형성하여 특정 파장을 강화시킬 수 있다.
본 발명의 실시예에서는 반도체 아래에 도전 물질로 보조 전극을 형성하고, 보조 전극과 소스 전극을 전기적으로 연결함으로써 소스 전극과 연결된 보조 전극이 박막 트랜지스터의 게이트 전극으로 동작하여 버퍼층과 반도체 사이에도 채널이 형성되기 때문에 킹크 효과 및 안정 전압을 감소시킬 수 있다.
또한, 불투명한 물질로 보조 전극을 형성하여 가려주므로 박막 트랜지스터에서의 빛샘을 방지할 수 있고, 또한 외부광이 박막 트랜지스터에 영향을 미치는 것을 방지할 수 있다.
[제2 실시예]
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면도로, 도 2의 III-III선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.
대부분의 층간 구조는 제1 실시예의 유기 발광 표시 장치와 동일하므로 다른 부분에 대해서만 구체적으로 설명한다.
도 5의 유기 발광 표시 장치는 소스 전극(173a, 173b)이 접촉 구멍(15)을 통해서 보조 전극(10)과 연결되어 있다. 제1 실시예에서는 소스 전극(173a, 173b)과 연결된 소스 영역(153a, 153b)을 통해서 보조 전극(10)과 연결하나, 제2 실시예에서는 소스 전극(173a, 173b)과 보조 전극(10)이 직접 연결되어 있다.
[제3 실시예]
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면도로, 도 2의 III-III선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.
대부분의 층간 구조는 제1 실시예의 유기 발광 표시 장치와 동일하므로 다른 부분에 대해서만 구체적으로 설명한다.
도 6의 유기 발광 표시 장치는 보조 전극(10)을 불투명한 도전 물질이 아닌 ITO 또는 IZO 와 같은 투명한 도전 물질로 형성하며, 제2 실시예와 달리 기판(110) 전면에 형성되어 있다. 따라서 보조 전극(10)을 형성하기 위하여 사진 식각 공정을 사용하지 않아도 되므로 제조 공정을 단순화할 수 있다. 도 6의 구조에서는 외부광이 박막 트랜지스터에 영향을 주는 것을 막고, 외부광이 산란되어 화질을 떨어뜨리는 것을 방지하기 위해서 부분적으로 편광판을 배치할 수 있다.
또한, 제2 실시예에서와 같이 소스 전극(173a)과 보조 전극(10)을 직접 연결할 수 있다.
도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 등가 회로도이다.
도 2는 본 발명의 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 배치도이다.
도 3은 도 2의 유기 발광 표시 장치를 III-III선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.
도 4는 도 2의 유기 발광 표시 장치를 IV-IV선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.
도 5 및 도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면도로 도 2의 III-III선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.
<도면 부호의 설명>
110: 절연 기판 121: 게이트선
124a, 124a: 제어 전극 127: 유지 전극
140: 게이트 절연막 154a, 154b: 반도체
163a, 163b, 165a, 165b: 저항성 접촉 부재
171: 데이터선 172: 구동 전압선
173a, 173b: 입력 전극 175a, 175b: 출력 전극
180p, 180q: 층간 절연막
161, 162, 163, 164, 165, 185: 접촉 구멍
191: 화소 전극 270: 공통 전극
360: 격벽
365: 개구부 370: 유기 발광 부재
Cst: 유지 축전기 ILD: 구동 전류
LD: 유기 발광 소자 PX: 화소
Qs: 스위칭 트랜지스터 Qd: 구동 트랜지스터

Claims (11)

  1. 기판,
    상기 기판 위에 형성되어 있는 제1 보조 전극,
    상기 제1 보조 전극 위에 형성되어 있는 차단층,
    상기 차단층 위에 형성되어 있는 반도체층,
    상기 반도체층 위에 형성되어 있는 게이트 절연막,
    상기 게이트 절연막 위에 형성되어 있는 제1 제어 전극,
    상기 제1 제어 전극 및 상기 게이트 절연막 위에 형성되어 있는 층간 절연막,
    상기 층간 절연막 위에 형성되어 있는 제1 입력 전극 및 제1 출력 전극,
    상기 제1 입력 전극 및 상기 제1 출력 전극보다 상부층에 형성되어 있는 화소 전극
    을 포함하고,
    상기 반도체층, 상기 제1 입력 전극, 상기 제1 출력 전극 및 상기 제1 제어 전극은 제1 박막 트랜지스터를 구성하고,
    상기 반도체층은 제1 소스 영역 및 제1 드레인 영역과 상기 제1 소스 영역 및 상기 제1 드레인 영역 사이에 형성되어 있는 제1 채널 영역을 포함하며,
    상기 제1 보조 전극은 상기 반도체층의 상기 제1 소스 영역에서부터 상기 제1 채널 영역을 지나 상기 제1 드레인 영역까지 연속적으로 상기 반도체층과 중첩하고,
    상기 제1 입력 전극은 상기 차단층, 상기 게이트 절연막 및 상기 층간 절연막에 형성되어있는 접촉 구멍을 통하여 상기 제1 보조 전극과 직접 연결되며,
    상기 제1 입력 전극은 상기 게이트 절연막 및 상기 층간 절연막에 형성되어 있는 접촉 구멍을 통하여 상기 반도체층의 상기 제1 소스 영역과 직접 연결되어 있는 표시 장치.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 제1항에서,
    상기 제1 보조 전극은 불투명한 도전 물질로 이루어지는 표시 장치.
  5. 제1항에서,
    상기 제1 보조 전극은 투명한 도전 물질로 이루어지는 표시 장치.
  6. 제5항에서,
    상기 제1 보조 전극은 기판 전면(全面)에 형성되어 있는 표시 장치.
  7. 제1항에서,
    제1 신호선,
    상기 제1 신호선과 교차하는 제2 신호선,
    상기 제1 박막 트랜지스터의 제1 제어 전극에 연결되어 있는 제2 출력 전극, 상기 제1 신호선과 연결되어 있는 제2 제어 전극, 상기 제2 신호선과 연결되어 있는 제2 입력 전극을 포함하는 제2 박막 트랜지스터,
    상기 제2 박막 트랜지스터와 중첩하고, 상기 제2 입력 전극과 전기적으로 연결되어 있는 제2 보조 전극을 더 포함하는 표시 장치.
  8. 제7항에서,
    상기 제2 박막 트랜지스터는 제2 소스 영역 및 제2 드레인 영역과 상기 제2 소스 영역 및 상기 제2 드레인 영역 사이의 제2 채널 영역을 포함하는 반도체층을 포함하는 표시 장치.
  9. 제7항에서,
    상기 제2 보조 전극은 상기 제1 입력 전극과 직접 연결되어 있는 표시 장치.
  10. 제8항 또는 제9항에서,
    상기 제2 보조 전극은 불투명한 도전 물질로 이루어지는 표시 장치.
  11. 제1항에서,
    상기 화소 전극 위에 형성되어 있는 발광층을 더 포함하는 표시 장치.
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