KR101437865B1 - 유기 발광 표시 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 유기 발광 표시 장치에 관한 것이다. 본 발명의 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는, 기판 위에 형성되어 있으며 굴절률이 2.1보다 큰 보강 부재, 상기 보강 부재 위에 형성되어 있으며 상기 보강 부재와 접촉하는 반투과 전극, 상기 반투과 전극 위에 형성되어 있으며 상기 반투과 전극과 접촉하는 화소 전극, 상기 화소 전극 위에 형성되어 있는 유기 발광 부재, 그리고 상기 유기 발광 부재 위에 형성되어 있는 공통 전극을 포함한다.
유기 발광 표시 장치, 박막 트랜지스터, 마이크로 캐비티, 반투과 전극, 보강 부재, 캐핑막

Description

유기 발광 표시 장치{ORGANIC LIGHT EMITTING DEVICE}
본 발명은 유기 발광 표시 장치에 관한 것이다.
유기 발광 표시 장치는 복수의 화소를 포함하며, 각 화소는 유기 발광 소자(organic light emitting element)와 이를 구동하기 위한 복수의 박막 트랜지스터를 포함한다.
유기 발광 소자는 애노드와 캐소드 및 그 사이의 유기 발광 부재 등을 포함하는데, 유기 발광 부재는 적색, 녹색, 청색 등 삼원색의 빛을 내거나 흰색의 빛을 낸다. 유기 발광 부재가 내는 색상에 따라서 재료가 달라지며, 백색광을 내는 경우에는 적색, 녹색, 청색의 빛을 내는 발광 재료들을 적층하여 합성광이 백색이 되도록 하는 방법을 주로 사용하고 있다. 또한, 유기 발광 부재가 백색광을 내는 경우에는 색필터를 부가하여 원하는 색상의 빛을 얻기도 한다.
그런데 유기 발광 소자의 재료 특성 또는 빛이 통과하는 박막 등에 의한 광간섭으로 인하여 각 화소에서 나오는 빛이 파장이나 색순도 등의 광특성이 원하는 조건을 충족하지 못할 수 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 유기 발광 표시 장치의 광특성을 개선 및 강화하는 것이다.
본 발명의 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는, 기판 위에 형성되어 있으며 굴절률이 2.1보다 큰 보강 부재, 상기 보강 부재 위에 형성되어 있으며 상기 보강 부재와 접촉하는 반투과 전극, 상기 반투과 전극 위에 형성되어 있으며 상기 반투과 전극과 접촉하는 화소 전극, 상기 화소 전극 위에 형성되어 있는 유기 발광 부재, 그리고 상기 유기 발광 부재 위에 형성되어 있는 공통 전극을 포함한다.
상기 보강 부재의 굴절률은 3 이상일 수 있다.
상기 보강 부재는 무기물을 포함할 수 있는데, 규소 화합물, 특히 금속-규소 화합물을 포함할 수 있다. 금속-규소 화합물의 예로는 IrxSiy, VSi, ZrSi를 들 수 있다.
상기 보강 부재의 두께는 50 Å ~ 1,000 Å 일 수 있다.
상기 반투과 전극은 알루미늄 또는 은을 포함할 수 있으며, 그 두께는 150 Å ~ 200 Å 일 수 있다.
상기 화소 전극은 ITO 또는 IZO를 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는, 기판 위에 형성되어 있으며 규소 화합물을 포함하는 보강 부재, 상기 보강 부재 위에 형성되어 있으며 상기 보강 부재와 접촉하는 반투과 전극, 상기 반투과 전극 위에 형성되어 있으며 상기 반투과 전극과 접촉하는 화소 전극, 상기 화소 전극 위에 형성되어 있는 유기 발광 부재, 그리고 상기 유기 발광 부재 위에 형성되어 있는 공통 전극을 포함한다.
상기 보강 부재는 금속-규소 화합물, 예를 들면 IrxSiy, VSi, ZrSi 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.상기 보강 부재의 두께는 50 Å ~ 1,000 Å 일 수 있다.상기 보강 부재의 굴절률은 3 이상일 수 있다.
상기 반투과 전극은 알루미늄 또는 은을 포함할 수 있으며, 그 두께는 150 Å ~ 200 Å 일 수 있다.
상기 화소 전극은 ITO 또는 IZO를 포함할 수 있다.
이와 같이 함으로써 유기 발광 표시 장치의 광특성을 개선 및 강화할 수 있다.
그러면, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다.
도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙 였다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.
먼저 도 1을 참고하여 본 발명의 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치에 대하여 상세하게 설명한다.
도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 등가 회로도이다.
도 1을 참고하면, 본 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 복수의 신호선(121, 171, 172)과 이들에 연결되어 있으며 대략 행렬(matrix)의 형태로 배열된 복수의 화소(pixel)(PX)를 포함한다.
신호선은 게이트 신호(또는 주사 신호)를 전달하는 복수의 게이트선(gate line)(121), 데이터 신호를 전달하는 복수의 데이터선(data line)(171), 구동 전압을 전달하는 복수의 구동 전압선(driving voltage line)(172) 등을 포함한다. 게이트선(121)은 대략 행 방향으로 뻗어 있으며 서로가 거의 평행하고 데이터선(171)은 대략 열 방향으로 뻗어 있으며 서로가 거의 평행하다. 구동 전압선(172)은 대략 열 방향으로 뻗어 있는 것으로 도시되어 있으나, 행 방향 또는 열 방향으로 뻗거나 그물 모양으로 형성될 수 있다.
각 화소(PX)는 스위칭 트랜지스터(switching transistor)(Qs), 구동 박막 트랜지스터(driving transistor)(Qd), 유지 축전기(storage capacitor)(Cst) 및 유기 발광 소자(organic light emitting element)(LD)를 포함한다.
스위칭 트랜지스터(Qs)는 제어 단자(control terminal), 입력 단자(input terminal) 및 출력 단자(output terminal)를 가지는데, 제어 단자는 게이트선(121)에 연결되어 있고, 입력 단자는 데이터선(171)에 연결되어 있으며, 출력 단자는 구동 트랜지스터(Qd)에 연결되어 있다. 스위칭 트랜지스터(Qs)는 게이트선(121)으로부터 받은 주사 신호에 응답하여 데이터선(171)으로부터 받은 데이터 신호를 구동 트랜지스터(Qd)에 전달한다.
구동 트랜지스터(Qd) 또한 제어 단자, 입력 단자 및 출력 단자를 가지는데, 제어 단자는 스위칭 트랜지스터(Qs)에 연결되어 있고, 입력 단자는 구동 전압선(172)에 연결되어 있으며, 출력 단자는 유기 발광 소자(LD)에 연결되어 있다. 구동 트랜지스터(Qd)는 제어 단자와 출력 단자 사이에 걸리는 전압에 따라 그 크기가 달라지는 출력 전류(ILD)를 흘린다.
축전기(Cst)는 구동 트랜지스터(Qd)의 제어 단자와 입력 단자 사이에 연결되어 있다. 이 축전기(Cst)는 구동 트랜지스터(Qd)의 제어 단자에 인가되는 데이터 신호를 충전하고 스위칭 트랜지스터(Qs)가 턴 오프(turn-off)된 뒤에도 이를 유지한다.
유기 발광 소자(LD)는 예를 들면 유기 발광 다이오드(organic light emitting diode, OLED)로서, 구동 트랜지스터(Qd)의 출력 단자에 연결되어 있는 애노드(anode)와 공통 전압(Vss)에 연결되어 있는 캐소드(cathode)를 가진다. 유기 발광 소자(LD)는 구동 트랜지스터(Qd)의 출력 전류(ILD)에 따라 세기를 달리하여 발광함으로써 영상을 표시한다.
스위칭 트랜지스터(Qs) 및 구동 트랜지스터(Qd)는 n-채널 전계 효과 트랜지스터(field effect transistor, FET)이지만, 이들 적어도 하나는 p-채널 전계 효과 트랜지스터일 수 있다. 또한, 트랜지스터(Qs, Qd), 축전기(Cst) 및 유기 발광 소자(LD)의 연결 관계가 바뀔 수 있다.
경우에 따라서는 스위칭 트랜지스터(Qs)와 구동 트랜지스터(Qd) 외에도 구동 트랜지스터(Qd)나 유기 발광 소자(LD)의 문턱 전압 보상을 위한 다른 트랜지스터들이 더 있을 수 있다.
그러면 도 1에 도시한 유기 발광 표시 장치의 상세 구조에 대하여 도 2를 도 1과 함께 참고하여 상세하게 설명한다.
도 2는 본 발명의 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면도이다.
투명한 유리 또는 플라스틱 따위로 만들어진 절연 기판(110) 위에 보강 부재(193)가 형성되어 있다. 보강 부재(193)는 굴절률이 2.1보다 큰 무기물로 만들어질 수 있으며, 굴절률이 3 이상일 수도 있다. 보강 부재(193)는 규소 화합물, 특히 금속-규소 화합물로 만들어질 수 있으며, 굴절률이 3 이상인 IrxSiy, VSi, ZrSi 따위를 예로 들 수 있다. 이러한 재료는 스퍼터링, 화학 기상 증착(chemical vapor deposition), 열 증착(thermal evaporation) 등의 방법으로 적층할 수 있다. 보강 부재(193)의 두께는 약 50 Å~ 1,000 Å 일 수 있다.
보강 부재(193) 바로 위에는 반투과(translucent) 전극(192)이 형성되어 있다. 반투과 전극(192)은 은(Ag) 또는 알루미늄(Al) 따위의 반사도가 높은 금속으로 만들어질 수 있으며 두께는 약 150 Å ~ 200 Å 일 수 있다. 이와 같이 금속이라도 두께가 얇으면 입사광이 반사되기도 하고 투과되기도 하는 반투과 특성을 가지게 된다.
반투과 전극(192) 위에는 화소 전극(191)이 형성되어 있다. 화소 전극(191)은 ITO 또는 IZO로 만들어질 수 있으며 두께는 약 300 Å ~ 3000 Å 일 수 있다.
화소 전극(191) 및 절연막(260) 위에는 유기 발광 부재(370)가 형성되어 있다.
유기 발광 부재(370)는 정공 주입층(hole injecting layer)(371), 정공 수송층(hole transport layer)(372), 발광층(373), 전자 수송층(electron transport layer)(374) 및 전자 주입층(electron injecting layer)(375)이 차례대로 적층된 다층막 구조를 가지고 있다.
발광층(373)은 적색, 녹색, 청색의 삼원색 등 기본색(primary color) 중 어느 하나의 빛을 고유하게 내는 유기 물질로 만들어지며, 발광층(373)을 제외한 나머지 층들은 발광층(373)의 발광 효율을 향상하기 위한 것이다. 정공 수송층(372)과 전자 수송층(374)은 전자와 정공의 균형을 맞추기 위한 것이며, 정공 주입층(371)과 전자 주입층(375) 및 전자와 정공의 주입을 강화하기 위한 것이다.
유기 발광 부재(370) 위에는 공통 전압(Vss)을 전달하는 공통 전극(270)이 형성되어 있다. 공통 전극(270)은 칼슘(Ca), 바륨(Ba), 마그네슘(Mg), 알루미늄, 은 등을 포함하는 반사성 금속으로 만들어질 수 있다.
이러한 유기 발광 표시 장치에서, 화소 전극(191), 유기 발광 부재(370) 및 공통 전극(270)은 유기 발광 소자(LD)를 이루며, 화소 전극(191)이 애노드, 공통 전극(270)이 캐소드가 된다.
이러한 유기 발광 표시 장치는 기판(110)의 아래쪽으로 빛을 내보내어 영상을 표시한다. 유기 발광 부재(370)에서 기판(110) 쪽으로 방출된 빛은 화소 전극(191)을 통과하여 반투과 전극(192)에 이른다. 반투과 전극(192)은 입사광을 공통 전극(270) 쪽으로 반사하며 공통 전극(270)은 이를 다시 반사하여 반투과 전극(192)으로 보낸다. 이와 같이 반투과 전극(192)와 공통 전극(270) 사이에서 왕복하는 빛은 간섭 등의 광학적 과정을 거치고 적절한 조건이 되면 반투과 전극(192) 및 보강 부재(193)를 통과하여 바깥으로 나간다.
이때, 반투과 전극(192)와 공통 전극(270)의 사이에 있는 박막들의 두께 등에 따라 빛의 경로가 달라지므로 이들 박막의 두께를 적절하게 선택하면 원하는 광학적 특성, 예를 들면 원하는 범위의 파장과 색순도를 가지는 빛을 얻을 수 있다. 예를 들면, 유기 발광 부재(370)의 정공 수송층(372)의 두께를 발광층(373)이 내는 빛의 색상에 따라 다르게 함으로써 원하는 파장대의 빛을 얻을 수 있다. 발광층(373)이 내는 빛이 적색광인 경우 정공 수송층(372)이 가장 두껍고, 녹색광이면 그 다음, 청색광이면 가장 얇다.
그런데 반투과 전극(192)의 두께를 너무 두껍게 하면 출사광의 휘도가 떨어질 수 있고, 두께가 너무 얇으면 원하는 광학적 특성을 얻을 수 없기 때문에, 앞서 설명한 바와 같이 두께를 약 150 Å ~ 200 Å 의 범위로 할 수 있다.
이와 같이 반투과 전극(192)을 통과한 빛은 보강 부재(193)에 의하여 그 휘도가 강화된다. 특히 본 실시예에서처럼 보강 부재(193)의 굴절률이 IZO보다 큰 경우 빛의 휘도가 강화되는 정도가 더 커진다.
도 3은 보강 부재가 없는 경우(C1), IZO로 보강 부재(193)를 만든 경우(C2), 굴절률이 IZO보다 큰 물질로 보강 부재(193)를 만든 경우(C3)에 녹색 화소의 빛의 세기(radiance)를 도시한 그래프이다. C2의 경우에 보강 부재(193)의 두께는 약 300 Å 이었고, C3의 경우에 보강 부재(193)의 두께는 약 100 Å ~ 200 Å 이었다. IZO의 굴절률은 약 1.7~2.1이며, radiance는 watt/steradian/nm로 정의된다.
도 3에 도시한 것처럼, 보강 부재(193)가 없는 경우(C1)보다 IZO로 보강 부재(193)를 만든 경우(C2)가 정점(peak)에서의 빛의 세기가 더 크고, IZO로 보강 부재(193)를 만든 경우(C2)보다 굴절률이 IZO보다 큰 물질로 보강 부재(193)를 만든 경우(C3)가 훨씬 더 정점(peak)에서의 빛의 세기가 훨씬 더 컸다.
보강 부재(193)의 굴절률이 약 3 이상이면 더욱 빛의 세기가 증가하는데 도 4가 이를 보여주고 있다. 도 4는 굴절률에 따른 빛의 세기를 나타낸 것으로서 굴절률이 3 이상일 때 빛의 세기가 매우 커지며 그 이상이 되면 세기가 증가하는 정도가 준다. 특히 굴절률이 4.5인 경우에는 굴절률이 4인 경우보다 빛의 세기가 작아지는 것으로 나타났다.
그러면, 도 2에 도시한 유기 발광 표시 장치의 구체적인 구조의 한 예에 대하여 도 5 및 도 6을 참고하여 상세하게 설명한다.
도 10은 본 발명의 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 배치도이고, 도 11은 도 10의 유기 발광 표시 장치를 XI-XI 선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.
투명한 유리 또는 플라스틱 따위로 만들어진 절연 기판(110) 위에 제1 제어 전극(124a)을 포함하는 게이트선(121) 및 제2 제어 전극(124b)이 형성되어 있다.
게이트선(121)은 주로 가로 방향으로 뻗으며, 제1 제어 전극(124a)은 위로 돌출해 있다. 게이트선(121)은 다른 층 또는 외부 구동 회로와의 접속을 위한 넓은 끝 부분(도시하지 않음)을 포함할 수 있다.
제2 제어 전극(124b)은 게이트선(121)과 떨어져 있으며, 세로 방향으로 길게 뻗은 유지 전극(127)을 포함한다.
게이트선(121) 및 제2 제어 전극(124b) 위에는 산화규소 또는 질화규소 따위로 만들어진 게이트 절연막(140)이 형성되어 있다.
게이트 절연막(140) 위에는 수소화 비정질 규소(hydrogenated amorphous silicon) 따위로 만들어진 제1 및 제2 섬형 반도체(154a, 154b)가 형성되어 있다. 제1 섬형 반도체(154a)는 제1 제어 전극(124a) 위에 위치하며 제2 섬형 반도체(154b)는 제2 제어 전극(124b) 위에 위치한다.
제1 섬형 반도체(154a) 위에는 한 쌍의 제1 저항성 접촉 부재(163a, 163b, 165a, 165b)가 형성되어 있고, 제2 섬형 반도체(154b) 위에는 한 쌍의 제2 저항성 접촉 부재(163b, 165b)가 형성되어 있다. 저항성 접촉 부재(163a, 163b, 165a, 165b)는 섬 모양이며, 인 따위의 n형 불순물이 고농도로 도핑되어 있는 n+ 수소화 비정질 규소 따위의 물질로 만들어질 수 있다.
저항성 접촉 부재(163a, 163b, 165a, 165b) 및 게이트 절연막(140) 위에는 데이터선(171), 구동 전압선(172), 제1 및 제2 출력 전극(175a, 175b)이 형성되어 있다.
데이터선(171) 및 구동 전압선(172)은 주로 세로 방향으로 뻗어 게이트선(121)과 교차한다. 데이터선(171)은 제1 제어 전극(124a)을 향하여 뻗은 제1 입력 전극(173a)을 포함하고, 구동 전압선(172)은 제2 제어 전극(124b)을 향하여 뻗은 제2 입력 전극(173b)을 포함한다.
제1 및 제2 출력 전극(175a, 175b)은 서로 분리되어 있고 데이터선(171) 및 구동 전압선(172)과도 분리되어 있다. 제1 입력 전극(173a)과 제1 출력 전극(175a)은 제1 제어 전극(124a)을 중심으로 서로 마주하며, 제2 입력 전극(173b)과 제2 출력 전극(175b)은 제2 제어 전극(124b)을 중심으로 서로 마주한다.
저항성 접촉 부재(163a, 163b, 165a, 165b)는 그 아래의 섬형 반도체(154a, 154b)와 그 위의 데이터선(171), 구동 전압선(172) 및 출력 전극(175a, 175b) 사이에만 존재하며 접촉 저항을 낮추어 준다. 섬형 반도체(154a, 154b)에는 입력 전극(173a, 173b)과 출력 전극(175a, 175b) 사이를 비롯하여 이들로 가리지 않고 노출된 부분이 있다.
제1 제어 전극(124a), 제1 입력 전극(173a) 및 제1 출력 전극(175a)은 제1 섬형 반도체(154a)와 함께 스위칭 박막 트랜지스터(thin film transistor, TFT)(Qs)를 이루며, 제2 제어 전극(124b), 제2 입력 전극(173b) 및 제2 출력 전극(175b)은 제2 섬형 반도체(154b)와 함께 구동 박막 트랜지스터(Qd)를 이룬다.
앞에서 설명한 스위칭 박막 트랜지스터(Qs), 구동 박막 트랜지스터(Qd), 게이트선(121), 데이터선(171), 구동 전압선(172) 등의 구조는 하나의 예일 뿐이며 여러 가지 다른 예가 있을 수 있다.
데이터선(171), 구동 전압선(172), 출력 전극(175a, 175b) 및 노출된 섬형 반도체(154a, 154b) 부분 위에는 보호막(protection layer)(180)이 형성되어 있다. 보호막(180)은 질화규소나 산화규소 따위의 무기 절연물로 만들어진 하부막(180p)과 유기 절연물로 만들어진 상부막(180q)을 포함한다. 유기 절연물은 4.0 이하의 유전 상수를 가질 수 있고, 감광성(photosensitivity)을 가질 수도 있으며, 평탄면을 제공할 수도 있다. 보호막(180)은 무기 절연물 또는 유기 절연물 따위로 만들어진 단일막 구조를 가질 수도 있다.
보호막(180)에는 데이터선(171)의 끝 부분(179)을 드러내는 접촉 구멍(contact hole)(182) 및 제1 및 제2 출력 전극(175a, 175b)을 드러내는 접촉 구멍(185a, 185b)이 형성되어 있다. 보호막(180) 및 게이트 절연막(140)에는 게이트선(121)의 끝 부분(129)을 드러내는 접촉 구멍(181) 및 제2 제어 전극(124b)을 드러내는 복수의 접촉 구멍(184)이 형성되어 있다.
보호막(180) 위에는 보강 부재(193)가 형성되어 있고, 그 위에는 반투과 전극(192)이 형성되어 있다. 보강 부재(193) 및 반투과 전극(192)에 대해서는 앞에서 상세하게 설명하였으므로 상세한 설명을 생략한다.
반투과 전극(192) 및 보호막(180) 위에는 화소 전극(191), 연결 부재(85) 및 접촉 보조 부재(contact assistant)(81, 82)가 형성되어 있다. 이들은 ITO 또는 IZO 등의 투명한 도전 물질로 만들어질 수 있다.
화소 전극(191)은 접촉 구멍(185b)을 통하여 제2 출력 전극(175b)과 연결되어 있으며, 연결 부재(85)는 접촉 구멍(184, 185b)을 통하여 제2 제어 전극(124b) 및 제1 출력 전극(175a)과 연결되어 있다.
접촉 보조 부재(81, 82)는 각각 접촉 구멍(181, 182)을 통하여 게이트선(121)의 끝 부분(129) 및 데이터선(171)의 끝 부분(179)과 연결된다. 접촉 보조 부재(81, 82)는 게이트선(121) 및 데이터선(171)의 끝 부분(129, 179)과 외부 장치와의 접착성을 보완하고 이들을 보호한다.
보호막(180) 위에는 격벽(partition)(361)이 형성되어 있다. 격벽(361)은 화소 전극(191) 가장자리 주변을 둑(bank)처럼 둘러싸서 개구부(opening)(365)를 정의하며 유기 절연물 또는 무기 절연물로 만들어진다. 격벽(361)은 또한 검정색 안료를 포함하는 감광제로 만들어질 수 있는데, 이 경우 격벽(361)은 차광 부재의 역할을 하며 그 형성 공정이 간단하다.
격벽(361)이 정의하는 화소 전극(191) 위의 개구부(365) 내에는 유기 발광 하부 부재(376)가 형성되어 있다. 유기 발광 하부 부재(376)는 도 2에서 전자 주입층을 제외한 나머지 층, 즉 정공 주입층(371), 정공 수송층(372), 발광층(373) 및 전자 수송층(374)을 포함한다.
유기 발광 하부 부재(376) 및 격벽(361) 위에는 전자 주입층(375)이 형성되어 있고, 그 위에는 공통 전극(270)이 형성되어 있다. 공통 전극(270)은 칼슘(Ca), 바륨(Ba), 마그네슘(Mg), 알루미늄, 은 등을 포함하는 반사성 금속으로 만 들어질 수 있다. 전자 주입층(375)과 공통 전극(270)은 여러 화소가 공통으로 사용할 수 있다.
본 발명은 기타 다른 구조의 유기 발광 표시 장치에도 적용할 수 있다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예들에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리 범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구 범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리 범위에 속하는 것이다.
도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 등가 회로도이다.
도 2는 본 발명의 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면도이다.
도 3 및 도 4는 유기 발광 표시 장치에서 보강 부재에 따른 빛의 세기를 나타낸 그래프이다.
도 5는 본 발명의 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 배치도이다.
도 6은 도 5의 유기 발광 표시 장치를 VI-VI 선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.
<도면 부호의 설명>
85: 연결 부재
110: 절연 기판 121, 129: 게이트선
124a, 124a: 제어 전극 127: 유지 전극
140: 게이트 절연막 154a, 154b: 섬형 반도체
163a, 163b, 165a, 165b: 저항성 접촉 부재
171, 179: 데이터선 172: 구동 전압선
173a, 173b: 입력 전극 175a, 175b: 출력 전극
180: 보호막 191: 화소 전극
192: 반투과 전극 193: 보강 부재
181, 182, 184, 185a, 185b: 접촉 구멍
270: 공통 전극 370: 유기 발광 부재
371: 정공 주입층 372: 정공 수송층
373: 발광층 374: 전자 수송층
375: 정공 주입층 376: 유기 발광 하부 부재
Cst: 유지 축전기 ILD: 구동 전류
LD: 유기 발광 소자 PX: 화소
Qs: 스위칭 트랜지스터
Qd: 구동 트랜지스터

Claims (25)

  1. 기판 위에 형성되어 있으며 굴절률이 2.1보다 큰 보강 부재,
    상기 보강 부재 위에 형성되어 있으며 상기 보강 부재와 접촉하는 반투과 전극,
    상기 반투과 전극 위에 형성되어 있으며 상기 반투과 전극과 접촉하는 화소 전극,
    상기 화소 전극 위에 형성되어 있는 유기 발광 부재, 그리고
    상기 유기 발광 부재 위에 형성되어 있는 공통 전극
    을 포함하는 유기 발광 표시 장치.
  2. 제1항에서,
    상기 보강 부재의 굴절률은 3 이상인 유기 발광 표시 장치.
  3. 제2항에서,
    상기 보강 부재는 무기물을 포함하는 유기 발광 표시 장치.
  4. 제3항에서,
    상기 보강 부재는 금속-규소 화합물을 포함하는 유기 발광 표시 장치.
  5. 제4항에서,
    상기 보강 부재는 IrxSiy, VSi, ZrSi 중 적어도 하나를 포함하는 유기 발광 표시 장치.
  6. 제5항에서,
    상기 보강 부재의 두께는 50 Å ~ 1,000 Å 인 유기 발광 표시 장치.
  7. 제5항에서,
    상기 반투과 전극은 알루미늄 또는 은을 포함하는 유기 발광 표시 장치.
  8. 제7항에서,
    상기 반투과 전극의 두께는 150 Å ~ 200 Å 인 유기 발광 표시 장치.
  9. 제7항에서,
    상기 화소 전극은 ITO 또는 IZO를 포함하는 유기 발광 표시 장치.
  10. 제1항에서,
    상기 보강 부재는 무기물을 포함하는 유기 발광 표시 장치.
  11. 제10항에서,
    상기 보강 부재는 금속-규소 화합물을 포함하는 유기 발광 표시 장치.
  12. 제11항에서,
    상기 보강 부재는 IrxSiy, VSi, ZrSi 중 적어도 하나를 포함하는 유기 발광 표시 장치.
  13. 제12항에서,
    상기 보강 부재의 두께는 50 Å ~ 1,000 Å 인 유기 발광 표시 장치.
  14. 제1항에서,
    상기 보강 부재는 IZO의 굴절률보다 큰 굴절률을 가진 무기물을 포함하는 유기 발광 표시 장치.
  15. 기판 위에 형성되어 있으며 규소 화합물을 포함하는 보강 부재,
    상기 보강 부재 위에 형성되어 있으며 상기 보강 부재와 접촉하는 반투과 전극,
    상기 반투과 전극 위에 형성되어 있으며 상기 반투과 전극과 접촉하는 화소 전극,
    상기 화소 전극 위에 형성되어 있는 유기 발광 부재, 그리고
    상기 유기 발광 부재 위에 형성되어 있는 공통 전극
    을 포함하는 유기 발광 표시 장치.
  16. 제15항에서,
    상기 보강 부재는 금속-규소 화합물을 포함하는 유기 발광 표시 장치.
  17. 제16항에서,
    상기 보강 부재는 IrxSiy, VSi, ZrSi 중 적어도 하나를 포함하는 유기 발광 표시 장치.
  18. 제17항에서,
    상기 보강 부재의 두께는 50 Å ~ 1,000 Å 인 유기 발광 표시 장치.
  19. 제15항에서,
    상기 보강 부재의 굴절률은 2.1 이상인 유기 발광 표시 장치.
  20. 제15항에서,
    상기 반투과 전극은 알루미늄 또는 은을 포함하는 유기 발광 표시 장치.
  21. 제20항에서,
    상기 반투과 전극의 두께는 150 Å ~ 200 Å 인 유기 발광 표시 장치.
  22. 제21항에서,
    상기 화소 전극은 ITO 또는 IZO를 포함하는 유기 발광 표시 장치.
  23. 기판 위에 형성되어 있는 반투과 전극,
    상기 반투과 전극 위에 형성되어 있으며 상기 반투과 전극과 접촉하는 화소 전극,
    상기 화소 전극 위에 형성되어 있는 유기 발광 부재,
    상기 유기 발광 부재 위에 형성되어 있는 공통 전극, 그리고
    상기 기판과 상기 반투과 전극 사이에 형성되어 있으며, 상기 화소 전극의 굴절률보다 큰 굴절률을 갖는 보강 부재
    를 포함하는 유기 발광 표시 장치.
  24. 제23항에서,
    상기 화소 전극은 ITO 또는 IZO를 포함하는 유기 발광 표시 장치.
  25. 제24항에서,
    상기 화소 전극의 굴절률은 1.7인 유기 발광 표시 장치.
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