CN101212851A - 有机发光装置及其制造方法 - Google Patents

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CN101212851A CNA2007101540806A CN200710154080A CN101212851A CN 101212851 A CN101212851 A CN 101212851A CN A2007101540806 A CNA2007101540806 A CN A2007101540806A CN 200710154080 A CN200710154080 A CN 200710154080A CN 101212851 A CN101212851 A CN 101212851A
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Abstract

本发明提供了一种有机发光装置及其制造方法，该有机发光装置包括：基底；第一信号线和第二信号线，形成在基底上；开关薄膜晶体管(TFT)，连接到第一信号线和第二信号线，并包括第一半导体；驱动TFT，包括第二半导体、蚀刻停止件、驱动输入电极、驱动输出电极和驱动控制电极，其中，蚀刻停止件形成在第二半导体上，驱动输入电极和驱动输出电极与蚀刻停止件和第二半导体叠置并相对于蚀刻停止件彼此相对，驱动控制电极连接到开关TFT并与第二半导体叠置；第一电极，连接到驱动输出电极；第二电极，与第一电极相对；有机发光构件，其中，蚀刻停止件、驱动输入电极和驱动输出电极中的至少一个关于一条直线对称。

Description

有机发光装置及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种有机发光装置及其制造方法。更具体地讲，本发明涉及一种改进了其电特性的有机发光装置以及该有机发光装置的制造方法。
背景技术
近来朝着重量轻且薄的个人计算机和电视机的发展趋势也需要重量轻且薄的显示装置，满足了这种需求的诸如液晶显示器(LCD)的平板显示器正在代替传统的阴极射线管(CRT)。
然而，因为LCD是无源显示装置，所以需要附加的背光作为光源，且LCD具有各种问题，诸如响应时间慢、视角窄。
在平板显示器中，有机发光装置近来已成为最有希望解决这些问题的显示装置。
有机发光装置是自发射显示装置，有机发光装置包括两个电极和设置在两个电极之间的有机发光层。两个电极中的一个向发光层中注入空穴，另一个向发光层中注入电子。注入的电子与空穴复合以形成激子，激子释放能量时发光。
在平板显示器中，由于有机发光装置的功耗低、响应时间快、视角宽以及对比度高，所以有机发光装置是最有前途。
根据驱动类型，有机发光装置分为无源矩阵有机发光装置和有源矩阵有机发光装置。
有源矩阵有机发光装置包括：多个开关薄膜晶体管(TFT)，连接到相互交叉的信号线；多个驱动TFT，连接到开关TFT和驱动电压线；多个发射部分，连接到驱动TFT。
发明内容
对于OLED的最佳特性来说，开关薄膜晶体管(TFT)的特性和驱动TFT的特性可彼此不同。具体地讲，开关TFT可具有优良的导通/截止特性，驱动TFT可具有为了提供用于驱动OLED的充足的电流的高的迁移率和稳定性。
如果开关TFT的截止电流增大，则传输到驱动TFT的数据电压会降低，从而产生串扰。如果驱动TFT具有低的迁移率和稳定性，则会发生显示特性的劣化，其中，显示特性的劣化例如传输到发光装置的电流减小、图像残留现象、寿命减小等。
本发明通过同时满足驱动TFT和开关TFT的特性而改进了有机发光装置的电特性。
在本发明的示例性实施例中，有机发光装置包括：基底；第一信号线和第二信号线，形成在基底上；开关TFT，连接到第一信号线和第二信号线，并包括第一半导体；驱动TFT，包括第二半导体、蚀刻停止件、驱动输入电极、驱动输出电极和驱动控制电极，其中，蚀刻停止件形成在第二半导体上，驱动输入电极和驱动输出电极与蚀刻停止件和第二半导体叠置并相对于蚀刻停止件彼此相对，驱动控制电极连接到开关TFT并与第二半导体叠置；第一电极，连接到驱动输出电极；第二电极，与第一电极相对；有机发光构件，其中，蚀刻停止件、驱动输入电极和驱动输出电极中的至少一个关于一条直线对称。
第二半导体可具有第一部分和与第一部分分离的第二部分。蚀刻停止件可为轨道形状(track-shaped)，诸如包括连续的椭圆形状；驱动输入电极可与蚀刻停止件的内部部分叠置；驱动输出电极与蚀刻停止件的外部部分叠置。驱动输出电极可包括：第一部分和第二部分，设置在蚀刻停止件的相对侧上；第三部分，将驱动输出电极的第一部分与第二部分彼此连接。
有机发光装置还可包括连接到驱动TFT的驱动输入电极的第三信号线。蚀刻停止件、驱动输入电极和驱动输出电极可相对于第三信号线对称。驱动输出电极和第二半导体均可分别具有两个部分，且驱动输出电极和第二半导体中的每个的两个部分在相对于第三信号线的相对侧上彼此分离。
驱动输入电极可包括第一部分和与驱动输入电极的第一部分分离的第二部分，有机发光装置还可包括第一驱动电压线和第二驱动电压线，其中，第一驱动电压线连接到驱动输入电极的第一部分，第二驱动电压线连接到驱动输入电极的第二部分。蚀刻停止件和驱动输出电极均可包括彼此分离且形成为反向对称的第一部分和第二部分。蚀刻停止件的第一部分和第二部分可包括马蹄形状，驱动输出电极的第一部分和第二部分可分别与蚀刻停止件的第一部分和第二部分的内部部分叠置，且驱动输入电极的第一部分和第二部分可分别与蚀刻停止件的第一部分和第二部分的外部部分叠置。有机发光装置还可包括多个第一电极，驱动输出电极的第一部分和第二部分可分别连接到同一第一电极。
第一半导体和第二半导体可具有不同的晶体结构。第一半导体可由非晶硅(a-Si)制成，第二半导体可由多晶硅或微晶硅制成。
第一半导体和第二半导体可由多晶硅或微晶硅制成。
开关TFT还可包括：开关控制电极，连接到第一半导体下方的第一信号线并与第一半导体绝缘；开关输入电极，连接到第二信号线并与第一半导体叠置；开关输出电极，连接到驱动控制电极并在第一半导体上面对开关输入电极。可以以与驱动输入电极和驱动输出电极的层相同的层来制造开关控制电极，可以以与驱动控制电极的层相同的层来制造开关输入电极和开关输出电极。开关控制电极和驱动控制电极可形成在覆盖驱动输入电极和驱动输出电极的绝缘层上。
可以以同一层来制造驱动输入电极、驱动输出电极、开关输入电极和开关输出电极。可以以同一层来制造驱动控制电极和开关控制电极。有机发光装置还可包括连接构件，连接构件将驱动控制电极连接到开关输出电极，并由与第一电极的层相同的层来制造。
可以以不同的层来制造开关控制电极、驱动控制电极、驱动输入电极、驱动输出电极、开关输入电极和开关输出电极。
当蚀刻停止件与驱动输入电极、驱动输出电极之间彼此错位时，蚀刻停止件与驱动输入电极、驱动输出电极之间的叠置部分可相互补偿，以基本均匀地保持驱动TFT的特性。
在本发明的其它示例性实施例中，提供了一种有机发光装置的制造方法，该方法包括：在基底上形成开关半导体和驱动半导体；分别在开关半导体和驱动半导体上形成蚀刻停止件；形成包括驱动输入电极的驱动电压线、驱动输出电极、包括开关输入电极的数据线和开关输出电极；形成覆盖驱动电压线、驱动输出电极、数据线和开关输出电极的栅极绝缘层；形成包括开关控制电极的栅极线和驱动控制电极；形成像素电极和连接构件，其中，像素电极连接到驱动输出电极，连接构件将开关输出电极连接到驱动控制电极。
形成驱动半导体的步骤可包括在基底上形成驱动半导体的的第一分隔部分和第二分隔部分；形成驱动输出电极的步骤可包括形成第一部分、第二部分和连接件，其中，第一部分和第二部分环绕驱动输入电极的相对端并与驱动输入电极的相对端分隔开，连接件将驱动输出电极的第一部分和第二部分相互连接。
在本发明的又一示例性实施例中，提供了一种有机发光装置的制造方法，该方法包括：在基底上形成驱动半导体；在驱动半导体上形成蚀刻停止件；形成驱动输入电极、驱动输出电极和包括开关控制电极的栅极线；形成覆盖栅极线、驱动输入电极和驱动输出电极的栅极绝缘层；在栅极绝缘层上形成开关半导体；形成驱动电压线、包括开关输入电极的数据线和驱动控制电极；形成像素电极和连接构件，其中，像素电极连接到驱动输出电极，连接构件将驱动电压线连接到驱动输入电极。
在本发明的又一示例性实施例中，提供了一种有机发光装置的制造方法，该方法包括：在基底上形成驱动半导体；在驱动半导体上形成蚀刻停止件；形成包括驱动输入电极的驱动电压线和驱动输出电极；形成覆盖驱动电压线和驱动输出电极的层间绝缘层；在层间绝缘层上形成包括开关控制电极的栅极线和驱动控制电极；形成覆盖栅极线和驱动控制电极的栅极绝缘层；在栅极绝缘层上形成开关半导体；形成包括开关输入电极的数据线和开关输出电极；形成像素电极和连接构件，其中，像素电极连接到驱动输出电极，连接构件将开关输出电极连接到驱动控制电极。
在本发明的又一示例性实施例中，提供了一种有机发光装置，该装置包括：基底；第一信号线和第二信号线，形成在基底上；开关TFT，连接到第一信号线和第二信号线并包括第一半导体；驱动TFT，包括第二半导体、蚀刻停止件、驱动输入电极、驱动输出电极和驱动控制电极，其中，蚀刻停止件形成在第二半导体上，驱动输入电极和驱动输出电极与蚀刻停止件和第二半导体叠置并相对于蚀刻停止件彼此相对，驱动控制电极连接到开关TFT并与第二半导体叠置；第一电极，连接到驱动输出电极；第二电极，与第一电极相对；有机发光构件，其中，蚀刻停止件、驱动输入电极和驱动输出电极中的至少一个关于垂直中心线或水平中心线具有旋转对称。
蚀刻停止件与驱动输入电极、驱动输出电极之间的叠置部分可包括圆环形状。蚀刻停止件与驱动输出电极之间的叠置部分可设置在蚀刻停止件与驱动输入电极之间的叠置部分之内。
可选择地，蚀刻停止件与驱动输入电极、驱动输出电极之间的叠置部分可包括“S”形状。驱动输入电极可为弯曲的驱动输入电极，驱动输出电极可包括被弯曲的驱动输入电极围绕的两个部分。
第一半导体和第二半导体可具有不同的晶体结构。第一半导体可由a-Si制成，第二半导体可由多晶硅或微晶硅制成。
开关TFT还可包括：开关控制电极，连接到在第一半导体下方的第一信号线，并与第一半导体绝缘；开关输入电极，连接到第二信号线，并与第一半导体叠置；开关输出电极，连接到驱动控制电极，并在第一半导体上面对开关输入电极。栅极绝缘层可覆盖驱动输入电极、驱动输出电极和蚀刻停止件。可以以同一层来制造驱动输入电极、驱动输出电极和开关控制电极。可以以同一层来制造开关输入电极、开关输出电极和驱动控制电极。
附图说明
通过参照附图来详细地描述本发明的示例性实施例，本发明的上述和其他特征和优点将变得更加明显，在附图中：
图1是根据本发明的示例性实施例的示例性有机发光装置的等效电路图；
图2是根据本发明的示例性实施例的示例性有机发光装置的示例性布局图；
图3是沿着线III-III截取的在图2中示出的示例性有机发光装置的剖视图；
图4、图6、图8、图10、图12和图14是图2和图3中示出的示例性有机发光装置在其的根据本发明的示例性实施例的示例性制造方法的中间步骤中的布局图；
图5、图7、图9、图11、图13和图15是分别沿着线V-V、VII-VII、IX-IX、XI-XI、XIII-XIII和XV-XV截取的在图4、图6、图8、图10、图12和图14中示出的示例性有机发光装置的剖视图；
图16是根据本发明的另一示例性实施例的示例性有机发光装置的示例性布局图；
图17是沿着线XVII-XVII截取的在图16中示出的示例性有机发光装置的剖视图；
图18、图20、图22、图24、图26、图28和图30是图16和图17中示出的示例性有机发光装置在其的根据本发明的示例性实施例的示例性制造方法的中间步骤中的布局图；
图19、图21、图23、图25、图27、图29和图31是分别沿着线XIX-XIX、XXI-XXI、XXIII-XXIII、XXV-XXV、XXVII-XXVII、XXIX-XXIX和XXXI-XXXI截取的在图18、图20、图22、图24、图26、图28和图30中示出的示例性有机发光装置的剖视图；
图32是根据本发明的另一示例性实施例的示例性有机发光装置的示例性布局图；
图33是沿着线XXXIII-XXXIII截取的在图32中示出的示例性有机发光装置的剖视图；
图34、图36、图38、图40、图42、图44、图46和图48是图32和图33中示出的示例性有机发光装置在其的根据本发明的示例性实施例的示例性制造方法的中间步骤中的布局图；
图35、图37、图39、图41、图43、图45、图47和图49是分别沿着线XXXV-XXXV、XXXVII-XXXVII、XXXIX-XXXIX、XLI-XLI、XLIII-XLIII、XLV-XLV、XLVII-XLVII和XLIX-XLIX截取的在图34、图36、图38、图40、图42、图44、图46和图48中示出的示例性有机发光装置的剖视图；
图50是在根据本发明的另一示例性实施例的有机发光装置中的示例性驱动薄膜晶体管(TFT)的示例性布局图；
图51是在根据本发明的另一实施例的示例性有机发光装置中的示例性驱动TFT的示例性布局图；
图52是根据本发明的另一示例性实施例的示例性有机发光装置的示例性布局图；
图53是示出了在图52中示出的示例性有机发光装置中的示例性驱动TFT的放大布局图；
图54是沿着线LIV-LIV截取的图52中示出的示例性有机发光装置的剖视图；
图55至图61是图52至图54中示出的示例性有机发光装置在其的根据本发明的示例性实施例的示例性制造方法的中间步骤中的剖视图；
图62是根据本发明的另一示例性实施例的示例性有机发光装置的示例性布局图。
具体实施方式
在下文中将参照附图更充分地描述本发明，在附图中示出了本发明的示例性实施例。然而，本发明可以以许多不同的形式来实施，且不应该被解释为局限于在这里所提出的实施例。
在附图中，为了清晰起见，夸大了层、膜和区域的厚度。相同的标号始终表示相同的元件。应该理解的是，当元件(诸如层、膜、区域或基底)被称作在另一元件“上”时，该元件可以直接在另一元件上，或者也可以存在中间元件。相反，当元件被称作“直接”在另一元件“上”时，则不存在中间元件。如在这里使用的术语“和/或”包括一个或多个相关所列项的任意组合和所有组合。
应该理解的是，尽管在这里可使用术语第一、第二、第三等来描述不同的元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应该受这些术语的限制。这些术语仅是用来将一个元件、组件、区域、层或部分与另一个元件、组件、区域、层或部分区分开来。因此，在不脱离本发明的教导的情况下，下面讨论的第一元件、组件、区域、层或部分可被命名为第二元件、组件、区域、层或部分。
这里使用的术语仅为了描述特定实施例的目的，而不意图限制本发明。如这里所使用的，除非上下文另外明确指出，否则单数形式也意图包括复数形式。还应理解的是，当在本说明书中使用术语“包含”和/或“包括”时，说明存在所述特征、区域、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但不排除存在或附加一个或多个其它特征、区域、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。
为了方便描述，在这里可使用空间相对术语，如“在...之下”、“在...下方”、“下面的”、“在...上方”、“上面的”等，用来描述如图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。应该理解的是，空间相对术语意在包含除了在附图中描述的方位之外的装置在使用或操作中的不同方位。例如，如果附图中的装置被翻转，则描述为“在”其它元件或特征“下方”或“之下”的元件随后将被定位为“在”其它元件或特征“上方”。因而，示例性术语“在...下方”可包括“在...上方”和“在...下方”两种方位。所述装置可被另外定位(旋转90度或者在其它方位)，并对在这里使用的空间相对描述符做出相应的解释。
除非另有定义，否则这里使用的所有术语(包括技术术语和科技术语)具有与本发明所属领域的普通技术人员之一所通常理解的意思相同的意思。还将理解的是，除非这里明确定义，否则术语(诸如在通用的字典中定义的术语)应该被解释为具有与相关领域的环境和本公开中它们的意思相同的意思，而将不以理想的或者过于正式的含义来解释它们。
在此参照作为本发明的理想实施例的示意图的剖面图来描述本发明的实施例。这样，预计会出现例如由制造技术和/或公差引起的图示的形状的变化。因此，本发明的实施例不应该被解释为局限于在此示出的区域的具体形状，而将包括例如由制造导致的形状偏差。例如，示出或描述为平坦的区域通常具有粗糙的和/或非线性特征。此外，示出的锐角可被倒圆。因此，在图中示出的区域实质上是示意性的，它们的形状并不意图示出区域的精确形状，也不意图限制本发明的范围。
现在，将参照图1详细地描述根据本发明的示例性实施例的有机发光装置。
图1是根据本发明的示例性实施例的示例性有机发光装置的示例性像素的等效电路图。
参照图1，根据本发明的示例性实施例的有机发光装置显示器包括多条信号线121、171和172以及连接到所述多条信号线121、171和172并基本以矩阵布置的多个像素PX。
信号线包括：多条栅极线121，用于传输栅极信号(或扫描信号)；多条数据线171，用于传输数据信号；多条驱动电压线172，用于传输驱动电压。栅极线121基本沿着行方向延伸，诸如沿着第一方向延伸，且彼此基本平行，而数据线171和驱动电压线172基本沿着列方向延伸，诸如沿着第二方向延伸，且彼此基本平行。第一方向可与第二方向基本垂直。
每个像素PX包括开关晶体管Qs、驱动晶体管Qd、电容器Cst和有机发光二极管(OLED)LD。
开关晶体管Qs具有：控制端(诸如栅电极)，连接到栅极线121之一；输入端(诸如源电极)，连接到数据线171之一；输出端(诸如漏电极)，连接到驱动晶体管Qd。开关晶体管Qs响应施加到栅极线121的栅极信号而向驱动晶体管Qd传输施加到数据线171的数据信号。
驱动晶体管Qd具有：控制端(诸如栅电极)，连接到开关晶体管Qs；输入端(诸如源电极)，连接到驱动电压线172；输出端(诸如漏电极)，连接到OLED LD。驱动晶体管Qd驱动具有取决于其控制端与输出端之间的电压的大小的输出电流ILD。
电容器Cst连接在驱动晶体管Qd的控制端与输入端之间。电容器Cst存储施加到驱动晶体管Qd的控制端的数据信号，并在开关晶体管Qs截止后保持该数据信号。
OLED LD具有连接到驱动晶体管Qd的输出端的阳极和连接到共电压Vss的阴极。OLED LD发出具有取决于驱动晶体管Qd的输出电流ILD的强度的光，从而显示图像。
开关晶体管Qs和驱动晶体管Qd是n沟道型场效应晶体管(FET)。然而，开关晶体管Qs和驱动晶体管Qd中的至少一个可为p沟道型FET。此外，虽然已经描述了特定的布置，但是在可选的示例性实施例中，可以改变晶体管Qs和Qd、电容器Cst和OLED LD之间的连接。
[实施例1]
参照图2和图3，将详细地描述根据本发明的示例性实施例的在图1中示出的有机发光装置的详细的结构。
图2是根据本发明的示例性实施例的示例性有机发光装置的示意性平面图，图3是沿着线III-III截取的在图2中示出的示例性有机发光装置的剖视图。
在绝缘基底110上形成多个开关半导体岛154a和驱动半导体岛154b，其中，绝缘基底110由诸如透明的玻璃、石英或蓝宝石的材料制成，但并不局限于此，优选地，开关半导体岛154a和驱动半导体岛154b由微晶硅或多晶硅制成。
开关半导体岛154a和驱动半导体岛154b彼此分离，驱动半导体岛154b包括彼此分离并沿着垂直方向设置的第一部分154b1和第二部分154b2。换言之，如下面将进一步描述的，第一部分154b1和第二部分154b2沿着数据线171和驱动电压线172的延伸方向设置。
在开关半导体岛154a和驱动半导体岛154b的中心部分上分别形成多个蚀刻停止件(etch stopper)147a和147b，其中，优选地，蚀刻停止件147a和147b由诸如氮化硅或氧化硅的绝缘材料制成。
每个蚀刻停止件147b包括：两个半环部分，在两个半环部分之间设置有预定的距离；两个线性部分，连接两个半环部分并具有开口。换言之，蚀刻停止件147b包括椭圆形状。蚀刻停止件147b的上部和下部分别与驱动半导体岛154b的第一部分154b1和第二部分154b2叠置，且蚀刻停止件147b沿着垂直和水平方向具有反向对称。
在蚀刻停止件147a和147b上、在开关半导体岛154a和驱动半导体岛154b上以及在绝缘基底110上形成多条数据线171、多条驱动电压线172以及多个开关输出电极175a和驱动输出电极175b。
用于传输数据信号的数据线171基本沿着纵向方向(诸如第二方向)延伸。每条数据线171包括：多个开关输入电极173a，延伸到开关半导体岛154a并与开关半导体岛154a部分叠置；端部179，具有大面积，用于与另一层或外部驱动电路接触。数据线171可延伸以与用于产生数据信号的数据驱动电路(未示出)直接连接，其中，数据驱动电路可以与基底110集成。
开关输出电极175a与数据线171和驱动电压线172分离。开关输出电极175a与开关半导体岛154a部分叠置。每一对开关输入电极173a和开关输出电极175a相对于开关半导体岛154a彼此相对地设置。
用于传输驱动电压的驱动电压线172基本沿着纵向方向(诸如第二方向)延伸，并与数据线171基本平行。每条驱动电压线172包括：多个桥173b1；多个驱动输入电极173b，与驱动半导体岛154b叠置并连接到桥173b1。桥173b1可在驱动半导体岛154b的第一部分154b1与第二部分154b2之间延伸。这里，驱动输入电极173b具有沿着纵向方向设置的连续的椭圆形状(runningoval shape)。驱动输入电极173b的中心部分与蚀刻停止件147b的开口叠置，驱动输入电极173b的边界部分与蚀刻停止件147b的内部部分叠置。因此，驱动输入电极173b的边界线设置在与驱动输入电极173b叠置的蚀刻停止件147b上，且驱动输入电极173b通过桥173b1连接到驱动电压线172。此外，驱动输入电极173b相对于垂直线和水平线具有反向对称。
与数据线171和驱动电压线172分离的每个驱动输出电极175b包括：第一部分175b1；第二部分175b2；连接件175b3，将第一部分175b1和第二部分175b2相互连接。驱动输出电极175b的第一部分175b1相对于蚀刻停止件147b的上部与驱动输入电极173b的上部相对而不是连接到驱动输入电极173b的上部，驱动输出电极175b的第二部分175b2相对于蚀刻停止件147b的下部与驱动输入电极173b的下部相对而不是连接到驱动输入电极173b的下部，其中，蚀刻停止件147b的上部和下部分别与驱动半导体岛154b的第一部分154b1和第二部分154b2叠置。驱动输出电极175b的第一部分175b1和第二部分175b2的内边界线设置在蚀刻停止件147b上，使得驱动输出电极175b的第一部分175b1和第二部分175b2与蚀刻停止件147b的部分叠置。驱动输出电极175b的第一部分175b1和第二部分175b2彼此反向对称，且驱动输出电极175b的第一部分175b1和第二部分175b2还分别相对于它们的垂直中心线具有反向对称。关于图2，驱动输出电极175b的将第一部分175b1和第二部分175b2连接的连接件175b3具有宽面积，且设置在第一部分175b1和第二部分175b2的左侧。即，对于每个像素来说，驱动输出电极175b的第一部分175b1和第二部分175b2设置在驱动电压线172与连接件175b3之间。
包括开关输入电极173a和端部179的数据线171、包括驱动输入电极173b的驱动电压线172、开关输出电极175a和驱动输出电极175b可具有倾斜的边缘轮廓，且它们的倾斜角在大约30°至大约80°的范围内。
多个成对的欧姆接触163b和165b分别形成在驱动半导体岛154b与驱动输入电极、驱动输出电极之间。欧姆接触163b和165b分别具有与驱动输入电极173b和驱动输出电极175b的形状基本相同的平坦的形状。优选地，欧姆接触163b和165b由重掺杂有n型杂质(诸如磷)的n+氢化非晶硅(a-Si)或硅化物制成。欧姆接触(未示出)还可设置在驱动电压线172的下方并具有与驱动电压线172的形状相同的平坦的形状。
此外，多个成对的欧姆接触163a和165a分别形成在开关输入电极173a和开关输出电极175a的下方。欧姆接触163a和165a分别具有与开关输入电极173a和开关输出电极175a的形状基本相同的平坦的形状。欧姆接触还可设置在数据线171的下方并具有与数据线171的形状相同的平坦的形状，诸如通过在数据线171的端部179下方的欧姆接触161b所示出的。
在数据线171、驱动电压线172、开关输出电极175a和驱动输出电极175b上，以及在绝缘基底110、蚀刻停止件147a和147b的暴露的表面上形成栅极绝缘层140，其中，优选地，栅极绝缘层140由氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)制成。
在栅极绝缘层140上形成多条栅极线121和多个驱动控制电极124b。
用于传输栅极信号的栅极线121基本沿着横向方向(诸如第一方向)延伸，并与数据线171和驱动电压线172交叉。每条栅极线121还包括：端部129，具有大面积，用于与另一层或外部驱动电路接触；开关控制电极124a，从栅极线121向上突出，并与开关输入电极173a和开关输出电极175a之间的开关半导体岛154a叠置。栅极线121可延伸以直接连接到用于产生栅极信号的栅极驱动电路(未示出)，其中，栅极驱动电路可与基底110集成。
驱动控制电极124b中的每个与栅极线121分离并具有连续的椭圆形状。驱动控制电极124b分别与驱动半导体岛154b的第一部分154b1和第二部分154b2以及驱动输出电极175b的第一部分175b1和第二部分175b2叠置，且驱动控制电极124b的中心部分与蚀刻停止件147b的开口和驱动输入电极173b叠置。
栅极线121和驱动控制电极124b的侧面lateral side)相对于基底110的表面倾斜，它们的倾斜角在大约30°至大约80°的范围内。
在栅极线121和驱动控制电极124b上以及在栅极绝缘层140的暴露的表面上形成钝化层180。
钝化层180和栅极绝缘层140具有多个接触孔185a、185b和182，其中，接触孔185a暴露开关输出电极175a，接触孔185b暴露驱动输出电极175b的连接件175b3，接触孔182暴露数据线171的端部179，钝化层180具有暴露端部129和驱动控制电极124b的多个接触孔181和184。
在钝化层180上形成多个像素电极191、多个连接构件85和多个接触辅助件81和82。
像素电极191通过接触孔185b连接到开关输出电极175b。
连接构件85通过接触孔184连接到驱动控制电极124b，通过接触孔185a连接到开关输出电极175a。
接触辅助件81通过接触孔181连接到栅极线121的端部129，接触辅助件82通过接触孔182连接到数据线171的端部179，接触辅助件81和82保护端部129和端部179，并增强端部129和端部179与外部装置之间的附着。
像素电极191、连接构件85和接触辅助件81和82可由诸如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)的透明的导体制成，并且在顶部发射型中，像素电极191、连接构件85和接触辅助件81和82可由不透明的导体制成，其中，不透明的导体例如铝Al或铝的合金，或者由具有大的逸出功的金Au、铂Pt、镍Ni、铜Cu或钨W或它们的合金制成。
在像素电极191、连接构件85和接触辅助件81和82上形成分隔件(partition)361。分隔件361像堤岸(bank)一样围绕像素电极191以限定开口365。分隔件361可由有机绝缘体(诸如具有抗热性质和溶剂性的丙烯酸树脂(acrylic resin)和聚酰亚胺树脂)或无机绝缘体(诸如二氧化硅(SiO2)和二氧化钛(TiO2))制成，并可具有多层结构。分隔件361可由含有黑色颜料的光敏材料制成，使得黑色分隔件361可用作阻光构件，并可简化分隔件361的形成。
多个发光构件370形成在像素电极191上，并被限制在由分隔件361限定的开口365中。
发光构件370中的每个可具有包括发射层(未示出)和辅助层(未示出)的多层结构，其中，发射层用于发光，辅助层用于提高发射层的光发射的效率。
优选地，仅发出一组颜色(诸如原色)中的一种颜色(诸如红色、绿色和蓝色)的光的发光构件370分别布置在每个像素中，发出三种颜色(诸如红色、绿色和蓝色)的光的发光构件370可以以垂直沉积或水平沉积全部布置在一个像素中，以在发出诸如红色、绿色和蓝色的颜色中的一种颜色的光的滤色器的下方或上方形成白色发射层。
这里，在底部发射型中，滤色器可设置在发射层的下方，在顶部发射型中，滤色器可设置在发射层之上。
此外，可通过进一步包括以条纹形状布置或格子形状布置的白色像素(W)以及红色像素(R)、绿色像素(G)和蓝色像素(B)来提高亮度。
在发光构件370和分隔件361上形成共电极270。
共电极270形成在整个基底110或至少基本整个基底110上，并与像素电极191合作向发光构件370提供电流。
在上述有机发光装置中，连接到栅极线121的开关控制电极124a、连接到数据线171的开关输入电极173a和开关输出电极175a与开关半导体岛154a一起形成开关薄膜晶体管(TFT)Qs，该开关薄膜晶体管Qs具有形成在设置在开关输入电极173a与开关输出电极175a之间的开关半导体岛154a中的沟道。同样，连接到开关输出电极175a的驱动控制电极124b、连接到驱动电压线172的驱动输入电极173b和连接到像素电极191的驱动输出电极175b与驱动半导体岛154b一起形成驱动TFT Qd，该驱动TFT Qd具有设置在驱动输入电极173b与驱动输出电极175b之间的形成在驱动半导体岛154b中的沟道。
虽然根据这个实施例的OLED显示器包括具有一个开关TFT Qs和一个驱动TFT Qd的多个像素，但是在可选的示例性实施例中，可包括其它TFT和用于驱动这些TFT的布线，以防止驱动TFT Qd的退化并防止OLED显示器的寿命缩短。
像素电极191、发光构件370和共电极270形成OLED LD，该OLED LD具有用作阳极的像素电极191和用作阴极的共电极270，或者该OLED LD具有用作阳极的共电极270和用作阴极的像素电极191。存储电极和驱动电压线172的叠置部分形成存储电容器Cst。
虽然根据这个示例性实施例的OLED显示器包括连接到驱动电压线172的一侧的一个驱动TFT Qd，但是驱动TFT Qd可对称地连接到驱动电压线172的两侧，且驱动电压线172可被划分为两个部分。在这种结构中，可相对于相邻的两条数据线171来布置一条驱动电压线172，且相邻的两个像素行共同具有同一驱动电压线172。驱动电压线172可连接到相邻的两个像素行的驱动TFT Qd。
现在，参照图4至图15以及图2和图3描述在图2和图3中示出的示例性显示面板的示例性制造方法。
图4、图6、图8、图10、图12和图14是图2和图3中示出的示例性有机发光装置在其的根据本发明的示例性实施例的示例性制造方法的中间步骤中的布局图，图5、图7、图9、图11、图13和图15是分别沿着线V-V、VII-VII、IX-IX、XI-XI、XIII-XIII和XV-XV截取的在图4、图6、图8、图10、图12和图14中示出的示例性有机发光装置的剖视图。
如图4和图5中所示，在由诸如透明的玻璃、石英或蓝宝石的材料制成的绝缘基底110上，沉积a-Si然后将其晶化或者沉积多晶硅，以形成多晶硅层。
接下来，通过光刻将多晶硅层图案化，以形成多个开关半导体岛154a和多个驱动半导体岛154b，其中，驱动半导体岛154b包括第一部分154b1和第二部分154b2。
接下来，如图6和图7中所示，在基底110上沉积由氮化硅或氧化硅制成的绝缘层，并将其图案化，以在开关半导体岛154a上形成具有条状的多个蚀刻停止件147a以及在驱动半导体岛154b上形成具有连续的椭圆形状的多个蚀刻停止件147b。其后，为了使开关半导体岛154a和驱动半导体岛154b的暴露的表面稳定，执行H2等离子体处理。
然后，如图8和图9中所示，顺序地沉积掺杂有杂质的a-Si层或微晶硅层、导电层，通过光刻将导电层图案化，以形成包括开关输入电极173a和端部179的多条数据线171、多个开关输出电极175a、包括驱动输入电极173b的多条驱动电压线172和多个驱动输出电极175b。接下来，去除被暴露的硅层，以分别形成多个成对的欧姆接触163a和165a以及多个成对的欧姆接触163b和165b，并形成在数据线171和驱动电压线172下方的欧姆接触。
接下来，如图10和图11中所示，在数据导体171、172、175a和175b上以及在基底110的暴露部分上形成由氮化硅制成的栅极绝缘层140，在栅极绝缘层上溅射导电层，并对导电层进行光蚀刻，以形成包括开关控制电极124a和端部129的多条栅极线121及多个驱动控制电极124b。
参照图12和图13，通过化学气相沉积(CVD)和印刷等沉积钝化层180，并将钝化层180与栅极绝缘层140一起图案化，以形成多个接触孔181、182、184、185a和185b。
接下来，如图14和图15中所示，通过溅射等在钝化层180上沉积透明的导电膜，并对该透明的导电膜进行光蚀刻，以形成多个像素电极191、多个连接构件85和多个接触辅助件81和82。
再次参照图2和图3，旋转涂覆光敏有机绝缘体，并将其曝光和显影，以形成具有开口365的分隔件361，其中，开口365部分地暴露像素电极191。
接下来，在开口365中的像素电极191上形成包括电子传输层、空穴传输层和发射层的多个有机发光构件370。
接下来，在有机发光构件370和分隔件361上形成共电极270。
在根据本发明的示例性有机发光装置的示例性制造方法中，相互叠置的驱动输入电极173b、驱动输出电极175b和蚀刻停止件147b分别相对于它们的垂直中心线或水平中心线对称。因此，即使驱动输入电极173b、驱动输出电极175b和蚀刻停止件147b在制造过程中发生错位，驱动输入电极173b、驱动输出电极175b和蚀刻停止件147b的叠置部分也相互补偿，叠置部分可被均匀地保持。因而，即使在制造过程中产生错位，驱动电压被驱动输入电极173b和驱动输出电极175b阻挡的偏移区域(off-set region)也可被均匀地保持，从而可获得驱动TFT的均匀的特性，使得提高显示装置的质量。
[实施例2]
参照图16和图17，将详细地描述根据本发明的另一示例性实施例的在图1中示出的示例性有机发光装置的详细的结构。
图16是根据本发明的另一示例性实施例的示例性有机发光装置的示例性布局图，图17是沿着线XVII-XVII截取的在图16中示出的示例性有机发光装置的剖视图。为了方便描述，在根据本发明的这个实施例的描述中省略对具有与先前的实施例中的功能相同或基本相同的功能的元件的详细的描述。
在绝缘基底110上形成包括第一部分154b1和第二部分154b2的多个驱动半导体岛154b，其中，优选地，驱动半导体岛154b由晶体硅制成；在第一部分154b1和第二部分154b2以及在绝缘基底110上形成具有连续的椭圆形状的多个蚀刻停止件147b，其中，优选地，蚀刻停止件147b由绝缘材料制成。
在基底110、驱动半导体岛154b和蚀刻停止件147b上形成包括开关控制电极124a和端部129的多条栅极线121、多个驱动输入电极173b和多个驱动输出电极175b。驱动输入电极173b与蚀刻停止件147b的内边界叠置，驱动输出电极175b包括第一部分175b1、第二部分175b2和连接件175b3，其中，第一部分175b1和第二部分175b2与蚀刻停止件147b叠置，连接件175b3将第一部分175b1和第二部分175b2相互连接。
多个成对的欧姆接触163b和165b分别形成在半导体岛154b与驱动输入电极173b、驱动输出电极175b之间。欧姆接触161a设置在栅极线121的下方并具有与栅极线121的形状相同的平坦的形状。
在栅极线121、驱动输入电极173b、驱动输出电极175b和驱动半导体岛154b上以及在绝缘基底110的暴露的表面上形成栅极绝缘层140。
在栅极绝缘层140上形成与开关控制电极124a叠置的多个开关半导体岛154a，其中，优选地，开关半导体岛154a由a-Si制成。
在开关半导体岛154a和栅极绝缘层140上形成包括开关输入电极173a和端部179的多条数据线171、多个开关输出电极175a、多个驱动控制电极124b和多条驱动电压线172，其中，驱动控制电极124b例如通过连接部分174连接到开关输出电极175a。驱动输入电极173b具有向着驱动电压线172延伸的多个桥173b1。
多个成对的欧姆接触163a和165a分别形成在开关输入电极173a、开关输出电极175a与开关半导体岛154a之间。
在数据线171、开关输出电极175a、驱动控制电极124b和驱动电压线172上以及在栅极绝缘层140的暴露的部分上形成钝化层180。
钝化层180和栅极绝缘层140具有多个接触孔181、185b和187，其中，接触孔181暴露栅极线121的端部129，接触孔185b暴露驱动输出电极175b的连接件175b3，接触孔187暴露驱动输入电极173b的桥173b1，钝化层180具有多个接触孔186和182，其中，接触孔186暴露驱动电压线172的与驱动输入电极173b邻近的部分，接触孔182暴露数据线171的端部179。
在钝化层180上形成多个像素电极191、多个连接构件86和多个接触辅助件81和82，其中，像素电极191连接到驱动输出电极175b，连接构件86将驱动电压线172与驱动输入电极173b连接，接触辅助件81和82分别连接到端部129和端部179。
如上所述，根据这个实施例的有机发光装置的开关半导体岛154a由a-Si制成，而根据这个实施例的有机发光装置的驱动半导体岛154b由微晶硅或多晶硅制成。因此，开关TFT Qs的沟道包含a-Si，而驱动TFT Qd的沟道包含微晶硅或多晶硅。
驱动TFT Qd可包括微晶硅或多晶硅的沟道，使得驱动TFT Qd可具有载流子迁移率和稳定性。因此，在驱动TFT Qd中流动的电流可增加，以提高根据本发明的示例性实施例的OLED的亮度。此外，可以排除由于在驱动OLED的过程中施加恒定的(constant)正电压而导致的所谓的阈值电压漂移(threshold voltage shift)现象，从而不产生图像残留现象且OLED的寿命不会减少。
同时，开关TFT Qs的沟道包含具有低的截止电流(off current)的a-Si。因此，可使得用于控制数据电压的开关TFT Qs的导通/截止特性得到良好的保持，具体地讲，可使得截止电流的降低得到良好的保持，从而可防止由于高的截止电流而导致的数据电压的降低，且可减少OLED的串扰现象。如果开关TFT Qs的沟道包含微晶硅或多晶硅而不是a-Si的话，那么开关TFT Qs的截止电流会变高，从而导致数据电压降低并导致OLED的串扰现象的发生。
如上所述，根据这个实施例的OLED显示器的开关TFT Qs和驱动TFT Qd具有由不同的材料制成的沟道，从而可满足开关TFT和驱动TFT的期望的特性。
现在，参照图18至图31以及图16和图17描述在图16和图17中示出的示例性显示面板的示例性制造方法。
图18、图20、图22、图24、图26、图28和图30是图16和图17中示出的示例性有机发光装置在其的根据本发明的示例性实施例的示例性制造方法的中间步骤中的布局图，图19、图21、图23、图25、图27、图29和图31是分别沿着线XIX-XIX、XXI-XXI、XXIII-XXIII、XXV-XXV、XXVII-XXVII、XXIX-XXIX和XXXI-XXXI截取的在图18、图20、图22、图24、图26、图28和图30中示出的示例性有机发光装置的剖视图。
如图18和图19中所示，在绝缘基底110上，沉积a-Si然后将其晶化或者沉积多晶硅，以形成多晶硅层。
接下来，通过光刻将多晶硅层图案化，以形成多个驱动半导体岛154b。
接下来，如图20和图21中所示，在基底110上沉积绝缘层，并将其图案化，以在驱动半导体岛154b和基底110上形成具有连续的椭圆形状的多个蚀刻停止件147b。
然后，如图22和图23中所示，顺序地沉积掺杂有杂质的a-Si层或微晶硅层、导电层，通过光刻将导电层图案化，以形成包括开关控制电极124a和端部129的多条栅极线121、多个驱动输入电极173b和多个驱动输出电极175b。接下来，去除被暴露的硅层，以分别形成多个成对的欧姆接触163b和165b。此外，可在栅极线121的下方形成欧姆接触层161a。
接下来，如图24和图25中所示，在栅极线121、驱动输入电极173b和驱动输出电极175b上以及在基底110的暴露的部分上顺序地形成由氮化硅制成的栅极绝缘层140、本征硅层和非本征硅层，对本征硅层和非本征硅层进行光蚀刻，以在栅极绝缘层140上形成多个开关半导体岛154a和多个欧姆接触层164a。
接下来，如图26和图27中所示，在开关半导体岛154a、欧姆接触层164a和栅极绝缘层140上沉积导电层，通过光刻将导电层图案化，以形成多条数据线171、多个开关输出电极175a、多条驱动电压线172和多个驱动控制电极124b，其中，数据线171包括开关输入电极173a和端部179，驱动控制电极124b例如通过连接部分174连接到开关输出电极175a。接下来，去除欧姆接触层164a的暴露的部分，以分别形成多个成对的欧姆接触163a和165a。
参照图28和图29，通过CVD、印刷等沉积钝化层180，将钝化层180与栅极绝缘层140一起图案化，以形成多个接触孔181、182、186、187和185b。
接下来，如图30和图31中所示，通过溅射等在钝化层180上沉积透明的导电膜，对透明的导电膜进行光蚀刻，以形成多个像素电极191、多个连接构件86和多个接触辅助件81和82。
接下来的制造过程可以与先前的实施例的制造过程相同。
这个实施例也可获得与先前的实施例的效果和优点相同的效果和优点。
[实施例3]
参照图32和图33，将详细地描述根据本发明的另一示例性实施例的在图1中示出的示例性有机发光装置的详细的结构。
图32是根据本发明的另一示例性实施例的示例性有机发光装置的示例性布局图，图33是沿着线XXXIII-XXXIII截取的在图32中示出的示例性有机发光装置的剖视图。为了方便描述，在根据本发明的这个实施例的描述中，省略对具有与先前的实施例中的功能相同或基本相同的功能的元件的详细的描述。
在绝缘基底110上形成包括第一部分154b1和第二部分154b2的多个驱动半导体岛154b，在驱动半导体岛154b和基底110上形成具有连续的椭圆形状的多个蚀刻停止件147b。
在基底110、驱动半导体岛154b和蚀刻停止件147b上形成多条驱动电压线172和多个驱动输出电极175b，其中，驱动电压线172包括连接部分173b1和与蚀刻停止件147b的内边界叠置的驱动输入电极173b，驱动输出电极175b包括分别与蚀刻停止件147b的上部和下部叠置的第一部分175b1和第二部分175b2。
多个成对的欧姆接触163b和165b分别形成在半导体岛154b与驱动输入电极173b、驱动输出电极175b之间。
也可在驱动电压线172的下方设置具有与驱动电压线172的形状相同的平坦的形状的欧姆接触(未示出)。
第一栅极绝缘层140覆盖基底110、驱动半导体岛154b、蚀刻停止件147b、驱动电压线172和驱动输出电极175b，且在第一栅极绝缘层140上形成多条栅极线121和多个驱动控制电极124b，其中，栅极线121包括开关控制电极124a和端部129，驱动控制电极124b与蚀刻停止件147b叠置。
在第一栅极绝缘层140上形成覆盖栅极线121和驱动控制电极124b的第二栅极绝缘层145，在第二栅极绝缘层145上形成由a-Si制成并与开关控制电极124a叠置的多个开关半导体岛154a。
在第二栅极绝缘层145和开关半导体岛154a上形成多条数据线171和多个开关输出电极175a，其中，数据线171包括开关输入电极173a和端部179。
多个成对的欧姆接触163a和165a分别形成在开关输入电极173a、开关输出电极175a与开关半导体岛154a之间。
在数据线171和开关输出电极175a上以及在第二栅极绝缘层145的暴露的部分上形成钝化层180。
钝化层180具有多个接触孔185a和182，其中，接触孔185a和182分别暴露开关输出电极175a和数据线171的端部179。钝化层180和第二栅极绝缘层145具有多个接触孔181和184，其中，接触孔181和184分别暴露栅极线121的端部129和驱动控制电极124b，钝化层180和第一及第二栅极绝缘层140及145具有多个接触孔185b，其中，接触孔185b暴露驱动输出电极175b的连接件175b3。
在钝化层180上形成多个像素电极191、多个连接构件85和多个接触辅助件81和82，其中，像素电极191连接到驱动输出电极175b，连接构件85将驱动控制电极124b与开关输出电极175a连接，接触辅助件81和82分别连接到端部129和端部179。
如上所述，根据这个实施例的有机发光装置的开关半导体岛154a由a-Si制成，而根据这个实施例的有机发光装置的驱动半导体岛154b由微晶硅或多晶硅制成。因此，根据这个实施例的有机发光装置的开关TFT Qs和驱动TFTQd具有由不同的材料制成的沟道，从而可满足开关TFT Qs和驱动TFT Qd的期望的特性。
现在，参照图34至图49以及图32和图33描述在图32和图33中示出的示例性显示面板的示例性制造方法。
图34、图36、图38、图40、图42、图44、图46和图48是图32和图33中示出的示例性有机发光装置在其的根据本发明的示例性实施例的示例性制造方法的中间步骤中的布局图，图35、图37、图39、图41、图43、图45、图47和图49是分别沿着线XXXV-XXXV、XXXVII-XXXVII、XXXIX-XXXIX、XLI-XLI、XLIII-XLIII、XLV-XLV、XLVII-XLVII和XLIX-XLIX截取的在图34、图36、图38、图40、图42、图44、图46和图48中示出的示例性有机发光装置的剖视图。
如图34和图35中所示，沉积晶体硅层，通过光刻将晶体硅层图案化，以在绝缘基底110上形成多个驱动半导体岛154b。
接下来，如图36和图37中所示，在基底110上沉积绝缘层，并将绝缘层图案化，以在驱动半导体岛154b和基底110上形成具有连续的椭圆形状的多个蚀刻停止件147b。
然后，如图38和图39中所示，顺序地沉积掺杂有杂质的a-Si层或微晶硅层、导电层，通过光刻将导电层图案化，以形成包括驱动输入电极173b的多条驱动电压线172和多个驱动输出电极175b。接下来，去除被暴露的硅层，以形成多个成对的欧姆接触163b和165b，以及形成在驱动电压线172下方的多个欧姆接触(未示出)。
接下来，如图40和图41中所示，沉积第一栅极绝缘层140，然后沉积导电层并通过光刻将导电层图案化，以形成包括开关控制电极124a和端部129的多条栅极线121和多个驱动控制电极124b。
接下来，如图42和图43中所示，在栅极线121、驱动控制电极124b上以及在第一栅极绝缘层140的暴露的部分上顺序地形成由氮化硅制成的第二栅极绝缘层145、本征硅层和非本征硅层，对本征硅层和非本征硅层进行光蚀刻，以形成多个开关半导体岛154a和多个欧姆接触层164a。
接下来，如图44和图45中所示，在开关半导体岛154a、欧姆接触层164a和第二栅极绝缘层145上沉积导电层，通过光刻将导电层图案化，以形成多条数据线171和多个开关输出电极175a，其中，数据线171包括开关输入电极173a和端部179。接下来，去除欧姆接触层164a的暴露的部分，以分别形成多个成对的欧姆接触163a和165a。
参照图46和图47，通过CVD、印刷等沉积钝化层180，将钝化层180与第一栅极绝缘层140和第二栅极绝缘层145一起图案化，以形成多个接触孔181、182、184、185a和185b。
接下来，如图48和图49中所示，通过溅射等在钝化层180上沉积透明的导电膜，对透明的导电膜进行光蚀刻，以形成多个像素电极191、多个连接构件85和多个接触辅助件81和82。
接下来的制造过程可以与先前的实施例的制造过程相同或基本相同，因此可以参照上述实施例来描述随后的制造过程。
这个实施例也可获得与先前的实施例的效果和优点相同的效果和优点。
如上所述，根据半导体的类型，栅极线、驱动电压线和数据线的位置，驱动TFT和开关TFT的晶体硅或a-Si，以及取决于连接关系的双层结构和三层结构的金属层，提供了各种有机发光装置的实施例。然而，在可选的示例性实施例中，驱动TFT可以相对于驱动电压线以对称的结构布置，驱动电压线可形成为与栅极线平行，层结构和布局结构(layout structure)可以改变。
现在，如下面所将要描述的，在各种示例性实施例的情况下，将参照附图描述驱动TFT的结构，且由于与先前的实施例的结构相同的结构可适用于下面的实施例，所以将省略关于开关TFT和像素结构的描述。
[实施例4]
图50是在根据本发明的另一示例性实施例的示例性有机发光装置中的示例性驱动TFT的示例性布局图。
在根据本发明的这个示例性实施例的有机发光装置中，驱动TFT相对于驱动TFT的垂直中心线对称，且驱动TFT具有驱动半导体154b、蚀刻停止件147b、驱动输入电极173b和驱动输出电极175b，其中，驱动半导体154b包括第一部分154b1和第二部分154b2，蚀刻停止件147b包括第一部分147b1和第二部分147b2，驱动输入电极173b包括第一部分173b1和第二部分173b2，驱动输出电极175b包括第一部分175b1和第二部分175b2。驱动输入电极173b的第一部分173b1连接到左边或第一驱动电压线172b1，驱动输入电极173b的第二部分173b2连接到右边或第二驱动电压线172b2。
由于蚀刻停止件147b的第一部分147b1和第二部分147b2具有马蹄形状，所以蚀刻停止件147b的第一部分147b1和第二部分147b2与驱动半导体154b的第一部分154b1和第二部分154b2相互叠置，且叠置部分也具有马蹄形状。蚀刻停止件147b与驱动半导体154b的内叠置部分分别与驱动输出电极175b的第一部分175b1和第二部分175b2叠置成马蹄形状，蚀刻停止件147b与驱动半导体154b的外叠置部分分别与驱动输入电极173b的第一部分173b1和第二部分173b2叠置，其中，驱动输入电极173b的第一部分173b1和第二部分173b2与驱动输出电极175b的第一部分175b1和第二部分175b2类似。驱动输入电极173b的第一部分173b1与驱动输出电极175b的第一部分175b1之间以及驱动输入电极173b的第二部分173b2与驱动输出电极175b的第二部分175b2之间的均匀间隔的间隙也具有马蹄形状。蚀刻停止件147b、驱动输入电极173b和驱动输出电极175b相对于垂直线和水平线反向对称，即第一线和第二线将蚀刻停止件147b、驱动输入电极173b和驱动输出电极175b划分为两个部分，其中，第一线和第二线分别与驱动电压线172b1和172b2基本平行地延伸和基本垂直地延伸。
像素电极191包括突出191b，其中，突出191b朝着驱动输出电极175b的第一部分175b1和第二部分175b2延伸，且突出191b通过接触孔185b1和185b2连接到驱动输出电极175b的第一部分175b1和第二部分175b2。
此外，驱动控制电极124b具有连续的椭圆形状，并与蚀刻停止件147b、驱动输出电极175b、驱动输入电极173b和驱动半导体154b叠置。
在根据本发明的这个示例性有机发光装置中，驱动输入电极173b、驱动输出电极175b和蚀刻停止件147b分别相对于它们的垂直中心线或水平中心线反向对称。因此，即使驱动输入电极173b、驱动输出电极175b和蚀刻停止件147b在上/下方向和/或左/右方向错位，驱动TFT的特性也保持均匀。例如，如果驱动输入电极173b、驱动输出电极175b和蚀刻停止件147b发生错位，那么驱动TFT的一个沟道部分或偏移区域变得较窄。然而，在补偿的部分上，驱动TFT的其它沟道部分或偏移区域变得较宽。因此，驱动TFT的特性不发生变化，从而相对于具有在制造中被错位的传统的驱动TFT的显示装置来说，提高了显示装置的特性。
在这个示例性有机发光装置中，每个像素可接收来自于两条驱动电压线的信号。这里，驱动输入电极和驱动输出电极可相对于每条驱动电压线反向对称地布置，且驱动电压线可形成为与栅极线平行。优选地，以不同的层来形成数据线、栅极线和驱动电压线。
[实施例5]
图51是在根据本发明的另一示例性实施例的示例性有机发光装置中的示例性驱动TFT的示例性布局图。
在根据本发明的这个示例性实施例的示例性有机发光装置中，驱动TFT相对于驱动电压线172对称，且驱动TFT具有驱动半导体154b和驱动输出电极175b，其中，驱动半导体154b包括第一部分154b1和第二部分154b2，驱动输出电极175b包括第一部分175b1和第二部分175b2。此外，驱动TFT具有蚀刻停止件147b和连接到驱动电压线172的驱动输入电极173b。蚀刻停止件147b和驱动输入电极173b具有连续的椭圆形状。蚀刻停止件147b的椭圆形状可包括蚀刻停止件147b的椭圆形状的开口和椭圆形状的外围，其中，椭圆形状的开口相对于驱动电压线172对称地布置。驱动输入电极173b沿着朝驱动输出电极175b的第一部分175b1的方向以及沿着朝驱动输出电极175b的第二部分175b2的方向从驱动电压线172延伸。
由于蚀刻停止件147b具有连续的椭圆形状，所以蚀刻停止件147b与驱动半导体154b的第一部分154b1和第二部分154b2之间的叠置部分具有马蹄形状。驱动半导体154b的第一部分154b1和第二部分154b2相对于驱动半导体154b的垂直中心线对称，其中，所述垂直中心线例如将驱动半导体154b划分为两部分且与驱动电压线172基本垂直地延伸的线。在蚀刻停止件147b与驱动半导体154b之间的叠置部分的内部部分中，驱动半导体154b的第一部分154b1和第二部分154b2与驱动输入电极173b的上部和下部叠置成马蹄形状。驱动输出电极175b的第一部分175b1和第二部分175b2与蚀刻停止件147b和驱动半导体154b之间的叠置部分的外部部分叠置。因此，蚀刻停止件147b、驱动输入电极173b和驱动输出电极175b相对于垂直中心线和水平中心线反向对称，其中，水平中心线可基本由驱动电压线172的纵向线来限定。这个结构具有如下的形状：在该形状中，将第一至第三示例性实施例的结构旋转90°。
像素电极191包括突出191b，其中，突出191b朝着驱动输出电极175b的第一部分175b1延伸，而像素电极191的主部分可以与驱动输出电极175b的第二部分175b2叠置，且突出191b通过接触孔185b1连接到驱动输出电极175b的第一部分175b1，像素电极191通过接触孔185b2连接到驱动输出电极175b的第二部分175b2。
在根据本发明的示例性有机发光装置中，驱动输入电极173b、驱动输出电极175b和蚀刻停止件147b分别相对于它们的垂直中心线或水平中心线反向对称。因此，即使在上/下方向和/或左/右方向产生错位，驱动TFT的特性也保持均匀，从而相对于具有在制造中被错位的传统的驱动TFT的显示装置来说，提高了显示装置的特性。
在这个有机发光装置中，每个像素可接收来自于一条驱动电压线的信号。这里，驱动电压线可与栅极线或数据线平行地延伸，并可沿着垂直方向或水平方向形成，且可以以两层或三层来形成数据线、栅极线和驱动电压线。
[实施例6]
图52是根据本发明的另一示例性实施例的示例性有机发光装置的示例性布局图，图53是示出了在图52中示出的示例性有机发光装置中的示例性驱动TFT的放大布局图，图54是沿着线LIV-LIV截取的图52中示出的示例性有机发光装置的剖视图。
在绝缘基底110上形成多个驱动半导体岛154b，形成具有圆环形状并设置在驱动半导体岛154b的中心部分上的多个蚀刻停止件147，其中，所述圆环形状包括位于中心部分的开口。
在基底110、驱动半导体岛154b和蚀刻停止件147上形成多条栅极线121、多个驱动输入电极173b、多个驱动输出电极175b和多条驱动电压线172，其中，栅极线121包括开关控制电极124a和端部129，驱动电压线172包括驱动输入电极173b。
驱动电压线172基本沿着纵向方向(第一方向)延伸，并与栅极线121基本平行且包括驱动输入电极173b。这里，驱动输入电极173b也均具有圆环形状，该圆环形状包括位于其中心部分的开口，其中，每个驱动输入电极173b的开口与每个对应的蚀刻停止件147的开口基本同心。驱动输入电极173b的内边界设置在蚀刻停止件147上，驱动输入电极173b的外边界设置在基底110上。因此，驱动输入电极173b覆盖驱动半导体岛154b与蚀刻停止件147的外部叠置部分的外围。
驱动输出电极175b与栅极线121和驱动电压线172分离，且设置在具有环形形状的驱动输入电极173b的内边界内。驱动输出电极175b的边界设置在蚀刻停止件147上，使得驱动输出电极175b覆盖驱动半导体岛154b的中心部分和蚀刻停止件147的内部部分。
多个成对的欧姆接触163b和165b分别形成在驱动半导体岛154b与驱动电压线172、驱动输出电极175b之间。欧姆接触163b和165b具有与驱动电压线172和驱动输出电极175b的形状基本相同的平坦的形状。
此外，多个欧姆接触161形成在栅极线121的下方并具有与栅极线121的形状基本相同的平坦的形状。
在栅极线121、驱动电压线172、驱动输出电极175b和驱动半导体岛154b上以及在基底110的暴露的部分上形成栅极绝缘层140。
在栅极绝缘层140上形成与开关控制电极124a叠置的多个开关半导体岛154a，优选地，开关半导体岛154a由a-Si制成。
在开关半导体岛154a和栅极绝缘层140上形成多条数据线171、多个开关输出电极175a和多个驱动控制电极124b，其中，数据线171包括开关输入电极173a和端部179。数据线171与栅极线121和驱动电压线172基本垂直地延伸。
开关输出电极175a与数据线171分离，并与开关半导体岛154a的部分叠置，并与开关输入电极173a分隔开并相对于开关半导体岛154a与开关输入电极173a相对。
具有岛形形状的驱动控制电极124b包括沿着水平方向延伸的存储电极127。驱动控制电极124b包括圆环形状并与驱动半导体岛154b叠置，其中，圆环形状具有在中心部分处的开口且该开口与蚀刻停止件147和驱动输入电极173b的开口基本同心。每个驱动控制电极124b的圆环形状部分的内边界设置在对应的驱动输出电极175b上，每个驱动控制电极124b的圆环形状部分的外边界设置在对应的驱动输入电极173b上。因此，驱动控制电极124b与驱动输入电极173b和驱动输出电极175b之间的驱动半导体岛154b叠置，并与驱动输入电极173b和驱动输出电极175b的部分叠置。
多个成对的欧姆接触163a和165a分别形成在开关输入电极173a、开关输出电极175a与开关半导体岛154a之间。
在数据线171、开关输出电极175a、驱动控制电极124b上以及在栅极绝缘层140的暴露的部分上形成钝化层180。
钝化层180和栅极绝缘层140具有多个接触孔181和185b，其中，接触孔181和185b分别暴露栅极线121的端部129和驱动输出电极175b，钝化层180具有多个接触孔185a、184和182，其中，接触孔185a暴露开关输出电极175a，接触孔184暴露驱动控制电极124b，接触孔182暴露数据线171的端部179。
在钝化层180上形成多个像素电极191、多个连接构件85和多个接触辅助件81和82，其中，像素电极191连接到驱动输出电极175b，连接构件85将开关输出电极175a与驱动控制电极124b连接，接触辅助件81和82分别连接到端部129和端部179。
在像素电极191、连接构件85和接触辅助件81和82上以及在钝化层180的暴露的部分上形成包括开口365的分隔件361。
多个发光构件370形成在像素电极191上，并被限制在由分隔件361限定的开口365内。
在发光构件370和分隔件361上形成共电极270。
如上所述，根据这个实施例的有机发光装置的开关半导体岛154a由a-Si制成，而根据这个示例性实施例的有机发光装置的驱动半导体岛154b由微晶硅或多晶硅制成。开关TFT Qs的沟道包含a-Si，而驱动TFT Qd的沟道包含微晶硅或多晶硅。
驱动TFT Qd可包括微晶硅或多晶硅的沟道，使得驱动TFT Qd可具有载流子迁移率和稳定性。因此，在驱动TFT Qd中流动的电流可增大，以提高根据本发明的示例性实施例的OLED的亮度。此外，可以排除由于在驱动OLED中施加恒定的正电压而导致的所谓的阈值电压漂移现象，从而不产生图像残留现象且OLED的寿命不会减少。
同时，开关TFT Qs的沟道包含具有低的截止电流的a-Si。因此，可使得用于控制数据电压的开关TFT Qs的导通/截止特性得到良好的保持，具体地讲，可使得截止电流的降低得到良好的保持，从而可防止由于高的截止电流而导致的数据电压的降低，且可减少OLED的串扰现象。如果开关TFT Qs的沟道包含微晶硅或多晶硅，那么开关TFT Qs的截止电流会高，从而导致数据电压降低，并导致OLED的串扰现象的发生。
如上所述，根据这个示例性实施例的OLED显示器的开关TFT Qs和驱动TFT Qd具有由不同的材料制成的沟道，从而可满足开关TFT和驱动TFT的期望的特性。
现在，参照图55至图61以及图52至图54描述在图52至图54中示出的示例性显示面板的示例性制造方法。
图55至图61是图52至图54中示出的示例性有机发光装置在其的根据本发明的示例性实施例的示例性制造方法的中间步骤中的剖视图。
如图55中所示，在绝缘基底110上沉积a-Si然后将其晶化或者沉积多晶硅，以形成多晶硅层。
接下来，通过光刻将多晶硅层图案化，以形成多个驱动半导体岛154b。
接下来，如图56中所示，在基底110上沉积绝缘层，并将该绝缘层图案化，以在驱动半导体岛154b上形成具有圆环形状的多个蚀刻停止件147。其后，为了使驱动半导体岛154b的暴露的表面稳定，执行H2等离子体处理。
然后，如图57中所示，顺序地沉积掺杂有杂质的a-Si层或微晶硅层、导电层，通过光刻将导电层图案化，以形成多条栅极线121、多条驱动电压线172和多个驱动输出电极175b，其中，栅极线121包括开关控制电极124a和端部129，驱动电压线172包括多个驱动输入电极173b。接下来，去除被暴露的硅层，以分别形成多个成对的欧姆接触161、163b和165b。
接下来，如图58中所示，在栅极线121、驱动电压线172和驱动输出电极175b上以及在基底110的暴露的部分上顺序地形成由氮化硅制成的栅极绝缘层140、本征硅层和非本征硅层，对本征硅层和非本征硅层进行光蚀刻，以形成多个开关半导体岛154a和多个欧姆接触层164a。
接下来，如图59中所示，在开关半导体岛154a、欧姆接触层164a和栅极绝缘层140上沉积导电层，通过光刻将导电层图案化，以形成多条数据线171、多个开关输出电极175a和多个驱动控制电极124b，其中，数据线171包括开关输入电极173a和端部179。接下来，去除欧姆接触层164a的暴露的部分，以分别形成多个成对的欧姆接触163a和165a。
参照图60，通过CVD、印刷等沉积钝化层180，将钝化层180与栅极绝缘层140一起图案化，以形成多个接触孔181、182、184、185a和185b。
接下来，如图61中所示，通过溅射等在钝化层180上沉积透明的导电膜，对透明的导电膜进行光蚀刻，以形成多个像素电极191、多个连接构件85和多个接触辅助件81和82。
接下来的制造过程可以与先前描述的示例性实施例的制造过程基本相同。
在这个实施例实施例中，首先沉积驱动半导体岛154b并将其晶化，使得驱动半导体岛154b可被晶化，在驱动半导体岛154b上形成蚀刻停止件147，从而在对欧姆接触163a和165b进行蚀刻时可防止驱动半导体岛154b受到破坏，且驱动半导体岛154b可具有均匀的厚度。因此，TFT的特性可均匀地提高。
另外，在驱动TFT中，驱动输入电极173b、驱动输出电极175b和蚀刻停止件147具有环形或圆环形形状，驱动输入电极173b与蚀刻停止件147之间的叠置部分设置在驱动输出电极175b与蚀刻停止件147之间的叠置部分之外。这里，蚀刻停止件147与驱动输入电极173b之间和蚀刻停止件147与驱动输出电极175b之间的叠置部分具有圆环形状或环带形状，所述圆环形状或环带形状相对于蚀刻停止件147的垂直中心线或水平中心线旋转对称。因此，即使驱动输出电极175b、驱动输入电极173b和蚀刻停止件147在制造过程中变得错位，在上/下方向和/或左/右方向上，蚀刻停止件147与驱动输入电极173b之间和蚀刻停止件147与驱动输出电极175b之间的叠置部分相互补偿，并被均匀地保持。因此，可均匀地获得TFT的特性，从而提高显示装置的质量。
[实施例7]
参照图62，将详细地描述根据本发明的另一示例性实施例的在图1中示出的示例性有机发光装置的详细的结构。
图62是根据本发明的另一示例性实施例的示例性有机发光装置的示例性布局图。
根据本发明的这个实施例的层结构可以与图52至图54中的层结构基本相同。
在绝缘基底110上形成由晶体硅制成的多个驱动半导体岛154b，在驱动半导体岛154b上形成多个蚀刻停止件147。接下来，在基底110、驱动半导体岛154b和蚀刻停止件147b上形成多条栅极线121、多个驱动输出电极175b和多条驱动电压线172，其中，栅极线121包括开关控制电极124a和端部129，驱动电压线172包括驱动输入电极173b，多个成对的欧姆接触163b和165b分别形成在驱动半导体岛154b与驱动电压线172、驱动输出电极175b之间，多个欧姆接触161形成在栅极线121与基底110之间。然后，栅极绝缘层140覆盖栅极线121、驱动电压线172、驱动输出电极175b和驱动半导体岛154b以及基底110的暴露的部分，其中，开关半导体岛154a优选地由a-Si制成，在栅极绝缘层140上形成与开关控制电极124a叠置的多个开关半导体岛154a。在开关半导体岛154a和栅极绝缘层140上形成多条数据线171、多个开关输出电极175a和多个驱动控制电极124b，其中，数据线171包括开关输入电极173a和端部179，多个成对的欧姆接触163a和165a分别形成在开关输入电极173a、开关输出电极175a与开关半导体岛154a之间。驱动控制电极124b可包括与驱动电压线172叠置的存储电极部分。在数据线171、开关输出电极175a、驱动控制电极124b和栅极绝缘层140的暴露的部分上形成钝化层180，钝化层180和栅极绝缘层140具有多个接触孔181和185b，其中，接触孔181和185b分别暴露栅极线121的端部129和驱动输出电极175b，钝化层180具有多个接触孔185a、184和182，其中，接触孔185a暴露开关输出电极175a，接触孔184暴露驱动控制电极124b，接触孔182暴露数据线171的端部179。接下来，在钝化层180上形成多个像素电极191、多个连接构件85和多个接触辅助件81和82，其中，像素电极191连接到驱动输出电极175b，连接构件85将开关输出电极175a与驱动控制电极124b连接，接触辅助件81和82分别连接到端部129和端部179。在像素电极191、连接构件85和多个接触辅助件81和82以及钝化层180上形成包括开口365的分隔件361，在像素电极191上顺序地形成多个发光构件370和共电极270，发光构件370被限制在由分隔件361限定的开口365中。
在这个示例性实施例中，蚀刻停止件147和驱动输入电极173b具有“S”形状，所述“S”形状包括两个连接的半月部分。驱动输入电极173b与蚀刻停止件147的外部部分叠置，驱动输出电极175b被分为两个部分175b1和175b2，其中，两个部分175b1和175b2中的每个都具有对应的弯曲末端并分别与蚀刻停止件147的内部部分叠置。驱动控制电极124b与蚀刻停止件147的与驱动输入电极173b和驱动输出电极175b设置地邻近的部分叠置，并与蚀刻停止件147的在驱动输入电极173b与驱动输出电极175b之间的部分叠置。
在这个示例性实施例中，蚀刻停止件147、驱动输入电极173b和驱动输出电极175b相对于它们的垂直中心线和水平中心线旋转对称。因此，即使在制造过程中产生诸如先前的示例性实施例中的错位，TFT的特性也会得到均匀地保持，从而提高显示装置的质量。
如上所述，与驱动半导体叠置的蚀刻停止件、驱动输入电极和驱动输出电极相对于它们的垂直中心线和水平中心线旋转对称或反向对称。因此，即使在制造过程中产生错位，TFT的特性也会得到均匀地保持，从而提高显示装置的质量。
虽然已在上文中详细地描述了本发明的示例性实施例，但是应该清楚地理解，可呈现于本领域技术人员的、在这里教导的基本发明构思的许多变化和/或修改仍将落在如权利要求中所限定的本发明的精神和范围中。

Claims (37)

1.一种有机发光装置，包括：
基底；
第一信号线和第二信号线，形成在基底上；
开关薄膜晶体管，连接到第一信号线和第二信号线，并包括第一半导体；
驱动薄膜晶体管，包括第二半导体、蚀刻停止件、驱动输入电极、驱动输出电极和驱动控制电极，其中，蚀刻停止件形成在第二半导体上，驱动输入电极和驱动输出电极与蚀刻停止件和第二半导体叠置并相对于蚀刻停止件彼此相对，驱动控制电极连接到开关薄膜晶体管并与第二半导体叠置；
第一电极，连接到驱动输出电极；
第二电极，与第一电极相对；
有机发光构件，
其中，蚀刻停止件、驱动输入电极和驱动输出电极中的至少一个关于一条直线对称。
2.如权利要求1所述的有机发光装置，其中，第二半导体具有第一部分和与第一部分分离的第二部分。
3.如权利要求2所述的有机发光装置，其中，蚀刻停止件包括连续的椭圆形状，且其中驱动输入电极与蚀刻停止件的内部部分叠置，驱动输出电极与蚀刻停止件的外部部分叠置。
4.如权利要求3所述的有机发光装置，其中，驱动输出电极包括：第一部分和第二部分，设置在蚀刻停止件的相对侧上；第三部分，将驱动输出电极的第一部分与第二部分彼此连接。
5.如权利要求1所述的有机发光装置，还包括连接到驱动薄膜晶体管的驱动输入电极的第三信号线。
6.如权利要求5所述的有机发光装置，其中，蚀刻停止件、驱动输入电极和驱动输出电极关于第三信号线对称。
7.如权利要求6所述的有机发光装置，其中，驱动输出电极和第二半导体各分别具有两个部分，且驱动输出电极和第二半导体中的每个的两个部分在相对于第三信号线的相对侧上彼此分离。
8.如权利要求1所述的有机发光装置，其中，驱动输入电极包括第一部分和与驱动输入电极的第一部分分离的第二部分，有机发光装置还包括：
第一驱动电压线，连接到驱动输入电极的第一部分；
第二驱动电压线，连接到驱动输入电极的第二部分。
9.如权利要求8所述的有机发光装置，其中，蚀刻停止件和驱动输出电极均包括彼此分离且形成为反向对称的第一部分和第二部分。
10.如权利要求9所述的有机发光装置，其中，蚀刻停止件的第一部分和第二部分包括马蹄形状，驱动输出电极的第一部分和第二部分分别与蚀刻停止件的第一部分和第二部分的内部部分叠置，且驱动输入电极的第一部分和第二部分分别与蚀刻停止件的第一部分和第二部分的外部部分叠置。
11.如权利要求10所述的有机发光装置，还包括多个第一电极，其中，驱动输出电极的第一部分和第二部分分别连接到同一第一电极。
12.如权利要求1所述的有机发光装置，其中，第一半导体和第二半导体具有不同的晶体结构。
13.如权利要求12所述的有机发光装置，其中，第一半导体包含非晶硅，第二半导体包含多晶硅或微晶硅。
14.如权利要求1所述的有机发光装置，其中，第一半导体和第二半导体由多晶硅或微晶硅制成。
15.如权利要求1所述的有机发光装置，其中，开关薄膜晶体管还包括：
开关控制电极，连接到第一半导体下方的第一信号线并与第一半导体绝缘；
开关输入电极，连接到第二信号线并与第一半导体叠置；
开关输出电极，连接到驱动控制电极并在第一半导体上面对开关输入电极。
16.如权利要求15所述的有机发光装置，其中，以与驱动输入电极和驱动输出电极的层相同的层来制造开关控制电极，以与驱动控制电极的层相同的层来制造开关输入电极和开关输出电极。
17.如权利要求16所述的有机发光装置，其中，开关控制电极和驱动控制电极形成在覆盖驱动输入电极和驱动输出电极的绝缘层上。
18.如权利要求15所述的有机发光装置，其中，以同一层来制造驱动输入电极、驱动输出电极、开关输入电极和开关输出电极。
19.如权利要求18所述的有机发光装置，其中，以同一层来制造开关控制电极和驱动控制电极。
20.如权利要求19所述的有机发光装置，还包括连接构件，所述连接构件将驱动控制电极连接到开关输出电极，并由与第一电极的层相同的层制造。
21.如权利要求15所述的有机发光装置，其中，以不同的层来制造开关控制电极、驱动控制电极、驱动输入电极、驱动输出电极、开关输入电极和开关输出电极。
22.如权利要求1所述的有机发光装置，其中，当蚀刻停止件与驱动输入电极、驱动输出电极彼此产生错位时，蚀刻停止件与驱动输入电极、驱动输出电极之间的叠置部分相互补偿，以基本均匀地保持驱动薄膜晶体管的特性。
23.一种有机发光装置的制造方法，该方法包括：
在基底上形成开关半导体和驱动半导体；
在开关半导体和驱动半导体上分别形成蚀刻停止件；
形成包括驱动输入电极的驱动电压线、驱动输出电极、包括开关输入电极的数据线和开关输出电极；
形成覆盖驱动电压线、驱动输出电极、数据线和开关输出电极的栅极绝缘层；
形成包括开关控制电极的栅极线和驱动控制电极；
形成像素电极和连接构件，其中，像素电极连接到驱动输出电极，连接构件将开关输出电极连接到驱动控制电极。
24.如权利要求23所述的方法，其中，形成驱动半导体的步骤包括在基底上形成驱动半导体的第一分隔部分和第二分隔部分；形成驱动输出电极的步骤包括形成第一部分、第二部分和连接件，其中，第一部分和第二部分环绕驱动输入电极的相对端并与驱动输入电极的相对端分隔开，连接件将驱动输出电极的第一部分和第二部分相互连接。
25.一种有机发光装置的制造方法，该方法包括：
在基底上形成驱动半导体；
在驱动半导体上形成蚀刻停止件；
形成驱动输入电极、驱动输出电极和包括开关控制电极的栅极线；
形成覆盖栅极线、驱动输入电极和驱动输出电极的栅极绝缘层；
在栅极绝缘层上形成开关半导体；
形成驱动电压线、包括开关输入电极的数据线和驱动控制电极；
形成像素电极和连接构件，其中，像素电极连接到驱动输出电极，连接构件将驱动电压线连接到驱动输入电极。
26.一种有机发光装置的制造方法，该方法包括：
在基底上形成驱动半导体；
在驱动半导体上形成蚀刻停止件；
形成包括驱动输入电极的驱动电压线和驱动输出电极；
形成覆盖驱动电压线和驱动输出电极的层间绝缘层；
在层间绝缘层上形成包括开关控制电极的栅极线和驱动控制电极；
形成覆盖栅极线和驱动控制电极的栅极绝缘层；
在栅极绝缘层上形成开关半导体；
形成包括开关输入电极的数据线和开关输出电极；
形成像素电极和连接构件，其中，像素电极连接到驱动输出电极，连接构件将开关输出电极连接到驱动控制电极。
27.一种有机发光装置，包括：
基底；
第一信号线和第二信号线，形成在基底上；
开关薄膜晶体管，连接到第一信号线和第二信号线，并包括第一半导体；
驱动薄膜晶体管，包括第二半导体、蚀刻停止件、驱动输入电极和驱动输出电极以及驱动控制电极，其中，蚀刻停止件形成在第二半导体上，驱动输入电极和驱动输出电极与蚀刻停止件和第二半导体叠置并相对于蚀刻停止件彼此相对，驱动控制电极连接到开关薄膜晶体管并与第二半导体叠置；
第一电极，连接到驱动输出电极；
第二电极，与第一电极相对；
有机发光构件，
其中，蚀刻停止件、驱动输入电极和驱动输出电极中的至少一个关于垂直中心线或水平中心线旋转对称。
28.如权利要求27所述的有机发光装置，其中，蚀刻停止件与驱动输入电极、驱动输出电极之间的叠置部分包括圆环形状。
29.如权利要求28所述的有机发光装置，其中，蚀刻停止件与驱动输出电极之间的叠置部分设置在蚀刻停止件与驱动输入电极之间的叠置部分之内。
30.如权利要求27所述的有机发光装置，其中，蚀刻停止件与驱动输入电极、驱动输出电极之间的叠置部分包括“S”形状。
31.如权利要求30所述的有机发光装置，其中，驱动输入电极为弯曲的驱动输入电极，驱动输出电极包括被弯曲的驱动输入电极围绕的两个部分。
32.如权利要求27所述的有机发光装置，其中，第一半导体和第二半导体具有不同的晶体结构。
33.如权利要求32所述的有机发光装置，其中，第一半导体由非晶硅制成，第二半导体由多晶硅或微晶硅制成。
34.如权利要求27所述的有机发光装置，其中，开关薄膜晶体管还包括：
开关控制电极，连接到在第一半导体下方的第一信号线，并与第一半导体绝缘；
开关输入电极，连接到第二信号线，并与第一半导体叠置；
开关输出电极，连接到驱动控制电极，并在第一半导体上面对开关输入电极。
35.如权利要求34所述的有机发光装置，还包括覆盖驱动输入电极、驱动输出电极和蚀刻停止件的栅极绝缘层。
36.如权利要求35所述的有机发光装置，其中，以同一层来制造驱动输入电极、驱动输出电极和开关控制电极。
37.如权利要求36所述的有机发光装置，其中，以同一层来制造开关输入电极、开关输出电极和驱动控制电极。
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