JP5891504B2 - 薄膜トランジスタアレイ装置の製造方法 - Google Patents
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Description
以下、本発明に係る薄膜トランジスタアレイ装置、有機EL表示装置、及び薄膜トランジスタアレイ装置の製造方法の実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、各図は、説明のための模式図であり、膜厚及び各部の大きさの比などは、必ずしも厳密に表したものではない。
まず、本発明の実施形態に係る薄膜トランジスタアレイ装置を製造する際に用いられるCWレーザ光結晶化装置500について、図面を参照しながら説明する。
以上のように構成されたCWレーザ光結晶化装置500を用いて、非結晶性半導体膜に対してCWレーザ光を照射することにより、異なる結晶組織を有する結晶性半導体膜を得ることができる。
本願発明者らは、CWレーザ光のエネルギー密度とシリコンの結晶組織との関係について鋭意検討した結果、CWレーザ光の出力エネルギー密度に応じて上記のように粒径が異なる結晶組織を形成できることを見出した。以下、具体的に説明する。
次に、CWレーザ光結晶化装置500を用いて非結晶性半導体膜にCWレーザ光を照射することにより、結晶組織が異なる2つの領域を有する半導体膜を同時に形成する方法について、図6を用いて説明する。図6は、本実施形態におけるCWレーザ光の長軸プロファイルを示したものであり、レーザ強度とシリコンの結晶組織との関係を表している。
次に、本発明の実施形態に係る薄膜トランジスタアレイ装置について、図面を参照しながら説明する。
次に、本発明の実施形態に係る有機EL表示装置300について、図11を用いて説明する。図11は、本発明の実施形態に係る有機EL表示装置の一画素における断面図である。
次に、本発明の実施形態に係る薄膜トランジスタアレイ装置100の製造方法について、図面を参照しながら説明する。
上記の実施形態では、図6に示すようなビームプロファイルの長軸ガウシアン型CWレーザ光によってレーザ照射したが、これに限らない。長軸ガウシアン型CWレーザ光のビームプロファイルパターンについては、形成すべき結晶組織に応じて、図5A及び図5Bを用いて所望に設定することができる。以下、長軸ガウシアン型CWレーザ光の他のビームプロファイルパターンについて、図18〜図21を用いて説明する。
図18は、本発明の変形例1に係る薄膜トランジスタアレイ装置の製造方法おけるビームプロファイル及びレーザ照射位置を示す図である。
図19は、本発明の変形例2に係る薄膜トランジスタアレイ装置の製造方法おけるビームプロファイル及びレーザ照射位置を示す図である。
図20は、本発明の変形例3に係る薄膜トランジスタアレイ装置の製造方法おけるビームプロファイル及びレーザ照射位置を示す図である。
図21は、本発明の変形例3に係る薄膜トランジスタアレイ装置の製造方法おけるビームプロファイル及びレーザ照射位置を示す図である。
2 アンダーコート層
3a、3b ゲート電極
3M ゲート金属膜
4 ゲート絶縁膜
5a 第1結晶性半導体膜
5b 第2結晶性半導体膜
5α、6α 非結晶性半導体膜
5Me、5Ex 結晶性半導体膜
6a 第1非結晶性半導体膜
6b 第2非結晶性半導体膜
7a 第1コンタクト層
7b 第2コンタクト層
7α 非晶質性半導体膜
8a 第1ソース電極
8b 第2ソース電極
8M ソースドレイン金属膜
9a 第1ドレイン電極
9b 第2ドレイン電極
10a 駆動用TFT
10b スイッチ用TFT
20 画素
21 ソース配線
22 電源配線
23 ゲート配線
24、25、26、27 コンタクト
29 コンデンサ
30 有機EL素子
50a 第1チャネル層
50b 第2チャネル層
100 薄膜トランジスタアレイ装置
200 TFTアレイ基板
220 表示部
300 有機EL表示装置
310 第1層間絶縁膜
320 第2層間絶縁膜
330、340 コンタクト部
350 バンク
360 下部電極
370 有機EL層
380 上部電極
400 テレビジョンセット
500 CWレーザ光結晶化装置
501 試料
510 レーザ装置
520 長軸成形レンズ
530 ミラー
540 短軸成形レンズ
550 集光レンズ
560 ビームプロファイラー
570 石英ガラス
Claims (17)
- 基材を準備する工程と、
前記基材の上方に第1ゲート電極を形成する工程と、
前記基材の上方に前記第1ゲート電極と並設して第2ゲート電極を形成する工程と、
前記第1ゲート電極及び前記第2ゲート電極の上にゲート絶縁膜を形成する工程と、
少なくとも、前記第1ゲート電極の上方であって前記ゲート絶縁膜上の第1領域と、前記第2ゲート電極の上方であって前記ゲート絶縁膜上の第2領域とに、非結晶性半導体膜を形成する工程と、
短軸及び長軸の両方向において凸形状の連続的な光強度分布を有するレーザ光を、前記第1領域と前記第2領域とに形成された前記非結晶性半導体膜に照射する工程と、
前記第1領域の上方に第1ソース電極及び第1ドレイン電極を、前記第2領域の上方に第2ソース電極及び第2ドレイン電極を形成する工程と、を具備し、
前記レーザ光を前記非結晶半導体膜に照射する工程において、前記レーザ光の内部領域を前記第1領域に照射するときに、前記内部領域と連続する前記内部領域の外側の領域であって前記内部領域よりも前記光強度が低い領域である外部領域を前記第2領域に照射し、
前記レーザ光を前記非結晶半導体膜に照射する工程では、
前記レーザ光の前記内部領域を前記第1領域に照射して、前記非結晶性半導体膜の温度を、前記非結晶半導体膜が結晶化された結晶性半導体膜の融点以上に加熱し、
前記レーザ光の前記外部領域を前記第2領域に照射して、前記第2領域における前記非結晶性半導体膜の温度を前記結晶性半導体膜の融点未満に加熱する、
薄膜トランジスタアレイ装置の製造方法。 - 前記レーザ光を前記非結晶半導体膜に照射する工程において、
前記レーザ光の前記外部領域を前記第2領域に照射して、前記第2領域における前記非結晶性半導体膜の温度を前記非結晶性半導体膜の融点以上に加熱する、
請求項1に記載の薄膜トランジスタアレイ装置の製造方法。 - 前記レーザ光を前記非結晶半導体膜に照射する工程において、
前記レーザ光の前記外部領域を前記第2領域に照射して、前記第2領域における前記非結晶性半導体膜の温度を、前記非結晶性半導体膜の融点未満であって前記非結晶半導体膜の結晶成長温度以上に加熱する、
請求項1に記載の薄膜トランジスタアレイ装置の製造方法。 - 前記レーザ光を前記非結晶半導体膜に照射する工程において、
前記レーザ光の前記外部領域を前記第2領域に照射して、前記第2領域における前記非結晶性半導体膜の温度を前記非結晶性半導体膜の結晶成長温度以下に加熱する、
請求項1に記載の薄膜トランジスタアレイ装置の製造方法。 - 前記レーザ光を前記非結晶半導体膜に照射する工程は、
前記第1領域における前記非結晶性半導体膜を加熱した後に当該非結晶性半導体膜を冷却し、前記非結晶性半導体膜を結晶化する工程を含む、
請求項1に記載の薄膜トランジスタアレイ装置の製造方法。 - 前記レーザ光の光強度分布における最大光強度を100%としたときに、
前記内部領域は、光強度が77%から100%の領域である、
請求項1に記載の薄膜トランジスタアレイ装置の製造方法。 - 基材を準備する工程と、
前記基材の上方に第1ゲート電極を形成する工程と、
前記基材の上方に前記第1ゲート電極と並設して第2ゲート電極を形成する工程と、
前記第1ゲート電極及び前記第2ゲート電極の上にゲート絶縁膜を形成する工程と、
少なくとも、前記第1ゲート電極の上方であって前記ゲート絶縁膜上の第1領域と、前記第2ゲート電極の上方であって前記ゲート絶縁膜上の第2領域とに、非結晶性半導体膜を形成する工程と、
短軸及び長軸の両方向において凸形状の連続的な光強度分布を有するレーザ光を、前記第1領域と前記第2領域とに形成された前記非結晶性半導体膜に照射する工程と、
前記第1領域の上方に第1ソース電極及び第1ドレイン電極を、前記第2領域の上方に第2ソース電極及び第2ドレイン電極を形成する工程と、を具備し、
前記レーザ光を前記非結晶半導体膜に照射する工程において、前記レーザ光の内部領域を前記第1領域に照射するときに、前記内部領域と連続する前記内部領域の外側の領域であって前記内部領域よりも前記光強度が低い領域である外部領域を前記第2領域に照射し、
前記レーザ光を前記非結晶半導体膜に照射する工程において、
前記第1領域に形成された前記非結晶性半導体膜は、第1の平均結晶粒径の結晶粒を有する第1結晶半導体膜に結晶化され、
前記第2領域に形成された前記非結晶性半導体膜は、前記第1の平均結晶粒径より小さい第2の平均結晶粒径の結晶粒を有する第2結晶半導体膜に結晶化され、
前記第1の平均結晶粒径は、60nmから1μmである、
薄膜トランジスタアレイ装置の製造方法。 - 前記レーザ光の光強度分布における最大光強度を100%としたときに、
前記外部領域は、光強度が61%から77%の領域である、
請求項2に記載の薄膜トランジスタアレイ装置の製造方法。 - 前記レーザ光を前記非結晶半導体膜に照射する工程において、
前記第2領域に形成された前記非結晶性半導体膜は、平均結晶粒径が40nmから60nmの結晶粒を有する第2結晶半導体膜に結晶化される、
請求項2に記載の薄膜トランジスタアレイ装置の製造方法。 - 前記レーザ光を前記非結晶半導体膜に照射する工程において、
前記レーザ光の前記外部領域を前記第2領域に照射して前記非結晶性半導体膜の温度を1100℃以上1414℃未満に加熱し、前記第2領域の前記非結晶性半導体膜を過冷却液体状態を経て結晶化させる、
請求項2に記載の薄膜トランジスタアレイ装置の製造方法。 - 前記レーザ光の光強度分布における最大光強度を100%としたときに、
前記外部領域は、光強度が44%から61%の領域である、
請求項3に記載の薄膜トランジスタアレイ装置の製造方法。 - 前記レーザ光を前記非結晶半導体膜に照射する工程において、
前記第2領域に形成された前記非結晶性半導体膜は、平均結晶粒径が25nmから35nmの結晶粒を有する第2結晶半導体膜に結晶化される、
請求項3に記載の薄膜トランジスタアレイ装置の製造方法。 - 前記レーザ光を前記非結晶半導体膜に照射する工程において、
前記レーザ光の前記外部領域を前記第2領域に照射して前記非結晶性半導体膜の温度を600℃以上1100℃未満に加熱し、前記第2領域の前記非結晶性半導体膜内に結晶を固相成長させる、
請求項3に記載の薄膜トランジスタアレイ装置の製造方法。 - 前記第1結晶性半導体膜と前記第2結晶性半導体膜とを離間して形成する、
請求項7に記載の薄膜トランジスタアレイ装置の製造方法。 - 前記第1結晶性半導体膜と前記第2結晶性半導体膜との境界領域を、パターニングにより除去する、
請求項14に記載の薄膜トランジスタアレイ装置の製造方法。 - 前記凸形状の連続的な光強度分布は、ガウシアン分布である、
請求項1に記載の薄膜トランジスタアレイ装置の製造方法。 - 前記非結晶性半導体膜にマイクロセカンドオーダにてレーザ照射する、
請求項1に記載の薄膜トランジスタアレイ装置の製造方法。
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