CN102513701B - 激光退火方法以及装置 - Google Patents

激光退火方法以及装置 Download PDF

Info

Publication number
CN102513701B
CN102513701B CN201210017054.XA CN201210017054A CN102513701B CN 102513701 B CN102513701 B CN 102513701B CN 201210017054 A CN201210017054 A CN 201210017054A CN 102513701 B CN102513701 B CN 102513701B
Authority
CN
China
Prior art keywords
laser
lens
major axis
light
axis direction
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201210017054.XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN102513701A (zh
Inventor
河口纪仁
川上隆介
西田健一郎
M.正木
森田胜
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
IHI Corp
Original Assignee
IHI Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by IHI Corp filed Critical IHI Corp
Publication of CN102513701A publication Critical patent/CN102513701A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102513701B publication Critical patent/CN102513701B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/0604—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by a combination of beams
    • B23K26/0608—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by a combination of beams in the same heat affected zone [HAZ]
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/067—Dividing the beam into multiple beams, e.g. multifocusing
    • B23K26/0676—Dividing the beam into multiple beams, e.g. multifocusing into dependently operating sub-beams, e.g. an array of spots with fixed spatial relationship or for performing simultaneously identical operations
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/073—Shaping the laser spot
    • B23K26/0738—Shaping the laser spot into a linear shape
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/08—Devices involving relative movement between laser beam and workpiece
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/08—Devices involving relative movement between laser beam and workpiece
    • B23K26/082—Scanning systems, i.e. devices involving movement of the laser beam relative to the laser head
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
    • G02B27/18—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00 for optical projection, e.g. combination of mirror and condenser and objective
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/26—Bombardment with radiation
    • H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
    • H01L21/268—Bombardment with radiation with high-energy radiation using electromagnetic radiation, e.g. laser radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H01L21/02524—Group 14 semiconducting materials
    • H01L21/02532—Silicon, silicon germanium, germanium
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02656—Special treatments
    • H01L21/02664—Aftertreatments
    • H01L21/02667—Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth
    • H01L21/02675—Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth using laser beams
    • H01L21/02678—Beam shaping, e.g. using a mask
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02656—Special treatments
    • H01L21/02664—Aftertreatments
    • H01L21/02667—Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth
    • H01L21/02675—Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth using laser beams
    • H01L21/02686—Pulsed laser beam
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02656—Special treatments
    • H01L21/02664—Aftertreatments
    • H01L21/02667—Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth
    • H01L21/02691—Scanning of a beam

Abstract

本发明涉及激光退火方法以及装置。在透镜阵列方式的均化器光学系统的情况下，一边使长轴用透镜阵列（20a、20b）在与线状光束的长轴方向对应的方向（X方向）往复移动，一边进行激光照射，由此，入射到在后级设置的构成长轴用聚光光学系统的大型透镜（长轴用聚光透镜22）的激光（1）的入射角以及强度按照每次发射而变化，所以，纵向条纹被大幅度降低。另外，一边使短轴用透镜阵列（26a、26b）在与线状光束的长轴方向对应的方向（Y方向）往复移动，一边进行激光照射，由此，入射到在后级设置的构成长轴用聚光光学系统的大型透镜（投影透镜30）的激光（1）的入射角以及强度按照每次发射而变化，所以，横向条纹被大幅度降低。

Description

激光退火方法以及装置
本申请是下述申请的分案申请:
发明名称:激光退火方法以及装置
申请日:2008年5月30日（国际申请日2008年5月30日）
申请号:200880124168.6（国际申请号PCT/JP2008/060044）。
技术领域
本发明涉及利用激光照射对被照射物的表面进行退火处理的激光退火方法以及装置。
背景技术
近年来，对形成在玻璃等绝缘基板上的非晶半导体膜或结晶性半导体膜采用激光退火，制作高性能的薄膜晶体管。玻璃基板与以往经常使用的石英基板相比较，具有价格低廉、加工性优越、能够实现大面积化这样的优点。在半导体膜的结晶化中使用激光的原因在于，玻璃基板的融点为600℃以下，但若使用激光，则能够不对玻璃基板加热就使非晶半导体膜溶融、结晶化。
采用激光退火形成的晶体硅膜具有较高的迁移率，因而能够形成薄膜晶体管，在一个玻璃基板上形成像素驱动用和驱动用电路的TFT，并装载在便携用或数码静态摄像机（digital still camera）等的液晶显示器上，作为商品逐渐普及。
目前，激光退火装置将由准分子激光器或固体激光器等激光光源振荡产生的脉冲激光整形为例如100mm～400mm×0.05mm～0.5mm的线状光束，将该线状光束照射在玻璃基板上的非晶硅膜上，使硅膜溶融以及凝固，从而进行结晶化。通过搬送玻璃基板，从而能够使例如730×920mm的玻璃基板上的硅膜的整个面从非晶硅改变为晶体硅。
在使用上述线状光束的激光退火方法中存在几个问题，其中最严重的问题是，能够目视观察到的条纹图样出现在与线状光束的长轴方向垂直的方向和与长轴方向平行的方向上。下面，将与线状光束的长轴方向垂直的条纹图样称为“纵向条纹”，将与长轴方向平行的条纹图样称为“横向条纹”。另外，将纵向条纹、横向条纹总称为“照射条纹”。
在下述专利文献的图1（a）以及（b）中示出了该照射条纹的状态。在出现这样的照射条纹的状态下，在制作有源矩阵型的液晶显示器或有机EL显示器时，产生与该照射条纹相同的条纹图样直接出现在画面上的问题。特别是，在有机EL显示器中，与液晶显示器相比，对照射条纹的灵敏度大，期望有用于减少照射条纹的有效的解决方法。
在下述专利文献1～4中，关于用于减少照射条纹的方法，提出了几个方案。但是，关于照射条纹的发生的主要原因，提到由光束的均一性引起、或者干涉、激光的发射（shot）的偏差、激光的分布的变动等，但并不确定。
专利文献1：日本特开平10-294288号公报。
专利文献2：日本特开2001-68430号公报。
专利文献3：日本特开平10-242073号公报。
专利文献4：日本特公平5-41006号公报。
本发明的发明人为了明确照射条纹的原因，反复试验的结果，确定了其原因。
本发明的发明人首先调查了在使用于使线状光束的长轴方向的光强度均一化的均化器（homogenizer）中的透镜阵列的位置在与线状光束的长轴方向对应的方向以1mm为单位进行移动时，纵向条纹的图案如何变化。其结果是，纵向条纹的图案发生了变化。该变化的理由认为是（a）、（b）中的任意一个：
（a）来自激光光源的激光光束自身的均一性成为主要原因，导致出现纵向条纹；或者，
（b）在构成均化器的透镜表面产生的散射光成为主要原因，导致出现纵向条纹。
因此，接着，为了确定上述（a）、（b）中的哪一个正确，对相同的均化器光学系统入射不同的两条激光，调查纵向条纹如何变化。通常，激光的光强度分布是各激光器装置固有的，因此，如果纵向条纹的图案不同，则能够判断照射条纹的主要原因在于激光光束自身的均一性。但其结果是，出现相同的纵向条纹的图案。由此，判断为照射条纹的主要原在于在透镜表面产生的散射光。即，得出如下结论：在透镜表面产生激光的散射，使照射面上的均一性恶化，因而出现照射条纹。
透镜的面精度（surface accuracy）通常为λ/4或λ/10，但由于在激光退火中使用的透镜、特别是后级的透镜为100mm以上的大型透镜，所以，加工以及面精度的测量变得困难，因而也往往导致面精度显著降低，面精度为λ以上。在现有的技术中，在大型透镜的加工精度上受到限制，难以实现其以上的面精度，不得不通过除此以外的方法解决。
发明内容
本发明是鉴于上述问题而提出的，其课题在于，提供一种能够大幅度降低伴随照射面上的光束均一性恶化导致的照射条纹的产生的激光退火方法以及装置，其中，照射面上的光束均一性恶化是由在透镜表面产生的散射光引起的。
潜心研究使激光的由透镜表面上的散射光引起的均一性的恶化降低的方法的结果是，提出了如下方法，即，不使照射面上的光束的状态变化的情况下，随时间改变入射到透镜上的激光的角度。即，是如下方法：使入射到透镜表面的激光的角度随时间变化，由此，改变在透镜表面上产生的散射光的产生状态，使由散射光引起的在照射面上的光束均一性随时间变动，从而消除能够目视观察到的条纹。由于激光在线状光束的短轴方向被重复照射，所以，按照每次发射使长轴方向或短轴方向的均一性发生变动，由此，产生条纹被分散的效果，在目视下照射条纹被降低。因此，在例如重叠率为90%以上的情况下，以目视不能够观察到条纹的方式照射。
具体地说，为了降低纵向条纹，采用以下的技术手段。
在透镜阵列方式的均化器光学系统中，一边使长轴用透镜阵列在与线状光束的长轴方向对应的方向上往复移动，一边进行激光照射，由此，入射到在后级设置的构成长轴用聚光光学系统的大型透镜的激光的入射角以及强度按照每次发射而变化。因此，使被照射面上的长轴方向的光束均一性按照每次发射而变动，从而产生由透镜表面上的散射光引起的在被照射面上的纵向条纹被分散的效果，在目视下纵向条纹被大幅度降低。另外，在将长轴用透镜阵列的往复移动的移动宽度设为S，将在不使长轴用透镜阵列往复移动地进行激光退火的情况下能够目视出现的与线状光束的扫描方向平行的条纹图样的间距设为P，将构成长轴用透镜阵列的各柱面透镜的宽度设为W时，满足P/3≤S<W、P/2≤S<W或P≤S<W的关系，成为纵向条纹的原因的能量分布的不均匀在与基板搬送方向垂直的方向（图2的左右方向）适当偏移，因而使纵向条纹适度分散，能有效地降低能够目视的纵向条纹的产生。或者，满足1.0mm≤S<W、1.5mm≤S<W或3.0mm≤S<W的关系即可。
另外，在透镜阵列方式的均化器光学系统中，将长轴用聚光光学系统和被照射物的表面的光路上的距离保持为恒定，一边使长轴用聚光光学系统和长轴用透镜阵列的光路上的相对距离增减，一边进行激光照射，由此，入射到在后级设置的构成长轴用聚光光学系统的大型透镜的激光的入射角以及强度也按照每次发射而变化，因而纵向条纹被大幅度降低。在该情况下，使构成为小型的长轴用透镜阵列在光轴方向往复移动，由此，能够容易地进行长轴用聚光光学系统和长轴用透镜阵列的光路上的相对距离的增减。
另外，在波导方式的均化器光学系统的情况下，一边使长轴用导入透镜在与线状光束的长轴方向对应的方向往复移动，一边进行激光照射，从而入射到在后级设置的构成长轴用聚光光学系统的大型透镜的激光的入射角以及强度按照每次发射而变化，所以，纵向条纹被大幅度降低。
为了降低横向条纹，采用以下的技术手段。
在透镜阵列方式的均化器光学系统中，一边使短轴用透镜阵列在与线状光束的短轴方向对应的方向上往复移动，一边进行激光照射，由此，入射到在后级设置的构成短轴方向聚光光学系统的大型透镜的激光的入射角以及强度按照每次发射而变化。因此，被照射面上的短轴方向的光束均一性按照每次发射而变动，由此，产生由透镜表面上的散射光引起的在被照射面上的横向条纹被分散的效果，在目视下，横向条纹被大幅度降低。
另外，在透镜阵列方式的均化器光学系统的情况下，一边使设置在短轴用透镜阵列的后级的短轴用聚光透镜在与线状光束的短轴方向对应的方向上往复移动，一边进行激光照射，由此，入射到在后级设置的大型的投影透镜的激光的入射角以及强度也按照每次发射而变化，因而横向条纹被大幅度降低。
另外，使在短轴用均化器的上游侧的光路上设置的反射镜以线状光束在短轴方向上往复移动的方式摆动，由此，入射到在后级设置的大型透镜的激光的入射角以及强度也按照每次发射而变化，因而横向条纹被大幅度降低。在该情况下，短轴用均化器可以为透镜阵列方式、波导方式中的任意一种。
另外，在波导方式的均化器光学系统的情况下，一边使短轴用导入透镜在与线状光束的短轴方向对应的方向上往复移动，一边进行激光照射，由此，入射到在后级设置的构成聚光光学系统的大型透镜的激光的入射角以及强度按照每次发射而变化，所以，横向条纹被大幅度降低。
另外，优选激光的偏振方向相对于被照射物的表面为S偏振。在利用S偏振的激光对非晶半导体膜进行了退火处理的情况下，与利用P偏振光进行处理相比，能够得到粒径变大（粗）且均匀的结晶粒的多晶半导体膜。因此，能够得到在目视下能够观察到的条纹降低的效果。
如上所述，根据本发明的激光退火方法以及装置，能够得到如下良好的效果，即，能够大幅度降低伴随照射面上的光束均一性的恶化产生的照射条纹的发生，其中，照射面上的光束均一性的恶化由在透镜表面上产生的散射光引起。
附图说明
图1A是表示本发明的第一实施方式的激光退火装置的概略结构的图。
图1B是表示本发明的第一实施方式的激光退火装置的概略结构的另一个图。
图2是说明纵向条纹的间距P的图。
图3是说明长轴用柱面透镜阵列的往复移动的移动宽度S和柱面透镜的宽度W的图。
图4A是表示不使长轴用柱面透镜阵列往复移动地进行激光退火后的半导体膜的照片的图。
图4B是表示使长轴用柱面透镜阵列往复移动进行激光退火后的半导体膜的照片的图。
图5是表示由偏振引起的结晶粒的差异的SEM照片。
图6A是表示本发明的第二实施方式的激光退火装置的概略结构的图。
图6B是表示本发明的第二实施方式的激光退火装置的概略结构的另一个图。
图7A是表示本发明的第三实施方式的激光退火装置的概略结构的图。
图7B是表示本发明的第三实施方式的激光退火装置的概略结构的另一个图。
图8A是表示本发明的第四实施方式的激光退火装置的概略结构的图。
图8B是表示本发明的第四实施方式的激光退火装置的概略结构的另一个图。
具体实施方式
下面，基于附图详细地对本发明的优选实施方式进行说明。此外，对在各图中共用的部分标注相同的附图标记，并省略重复的说明。
[第一实施方式]
在图1A以及图1B中示出本发明的第一实施方式的激光退火装置10的概略结构。图1A是平面图，图1B是侧视图。另外，在图1A中，仅在线状光束的短轴方向进行作用的光学系统以假想线（虚线）示出。在图1B中，仅在线状光束的长轴方向进行作用的光学系统以假想线示出。
该激光退火装置10对脉冲振荡产生的激光1进行整形，在被照射物3的表面聚光成线状光束，以重复照射激光1的方式，使线状光束对被照射物3在线状光束的短轴方向上相对地扫描，利用激光照射对被照射物3的表面进行退火处理。此外，在图1A中，上下方向为线状光束的长轴方向，在图1B中，被照射面的左右方向为线状光束的短轴方向。
下面，对激光退火装置10更具体地进行说明。
激光1由激光光源12例如以2～4kHz的脉冲频率振荡产生。激光光源12的种类并不特别限定，能够采用准分子激光器、YAG激光器、YLF激光器、YVO4激光器、玻璃激光器、半导体激光器、CO2激光器等。特别是，YAG激光器、YLF激光器、YVO4激光器等固体激光器的可靠性高，能够以较高的效率实现稳定的激光能量的利用。另外，对于硅膜，在330nm～800nm的可见光区域，吸收系数高，因而在准分子激光器的情况下用基波即可，但是，在上述的YAG激光器、YLF激光器、YVO4激光器、玻璃激光器的情况下，可以使用二次谐波或三次谐波。
由激光光源12脉冲振荡产生的激光1被反射镜11a、11b依次反射后，由光束扩展器14对光束直径进行扩大。作为一结构例而示出的光束扩展器14包括凸球面透镜15、在短轴方向进行作用的短轴用柱面透镜16、在长轴方向进行作用的长轴用柱面透镜17。在该结构的光束扩展器14中，能够分别设定长轴方向和短轴方向的扩大率。此外，光束扩展器14也可以是其他结构，例如，也可以是将凹球面透镜和凸球面透镜组合的结构。
对于由光束扩展器14将光束直径扩大后的激光1来说，利用长轴用均化器19使被照射面上的线状光束的长轴方向的光强度分布均一化，利用短轴用均化器25使被照射面上的线状光束的短轴方向的光强度分布均一化。
如图1A所示，长轴用均化器19包括：多个长轴用透镜阵列20a、20b，将入射的激光1在与线状光束的长轴方向对应的方向分割为多个；作为长轴用聚光光学系统的长轴用聚光透镜22，在被照射物3的表面将在长轴方向被分割成多个后的激光1在长轴方向上叠加。
在这样构成的长轴用均化器19中，由光束扩展器14扩大的激光1被长轴用透镜阵列20a、20b在长轴方向分割成多个。通过长轴用透镜阵列20a、20b并被分割的激光1由长轴用聚光透镜22在基板2上的被照射物3的表面成像为在长轴方向上细长的矩形状光束。此外，在长轴用聚光透镜22和基板2之间的光路上配置有垂直反射镜（vertical reflecting mirror）24，来自长轴用聚光透镜22的出射光被反射向基板2的方向。
照射在基板2上的矩形状光束的长轴方向的长度能够为例如数十毫米。
在本实施方式中，两个长轴用透镜阵列20a、20b在光轴方向上隔着间隔配置。长轴用透镜阵列20a、20b的合成焦距取决于各透镜阵列20a、20b的焦距和光轴方向的距离。另外，作为决定线状光束的长轴方向的尺寸的要素，包括长轴用透镜阵列20a、20b的合成焦距。因此，若作为能够变更各透镜阵列20a、20b的光轴方向的距离的结构，则能够根据需要改变合成焦距，从而改变线状光束的长轴方向的尺寸。但是，在本发明中，也可以是长轴用透镜阵列为一个的结构。
短轴用均化器25具有：短轴用透镜阵列26a、26b，将入射光在短轴方向分割成多个；短轴用聚光光学系统（29、30），在被照射物3的表面，将由短轴用透镜阵列26a、26b分割后的激光1在短轴方向上叠加。本实施方式中的短轴用聚光光学系统包括：短轴用聚光透镜29，在成像面S上，将由短轴用透镜阵列26a、26b分割后的激光1在短轴方向上叠加；投影透镜30，将成像面S的短轴像以预定倍率缩小投影在被照射物3的表面上。
在这样构成的短轴方向均化器25中，由光束扩展器14扩大的激光1被短轴用透镜阵列26a、26b在短轴方向上分割成多个。对于通过短轴用透镜阵列26a、26b并被分割的激光1来说，利用短轴用聚光透镜29在短轴方向上聚光并在成像面S上成像后，由垂直反射镜24向基板2的方向反射，之后，由投影透镜30将成像面S上的短轴像在短轴方向上以预定倍率缩小投影在基板2上的被照射物3的表面。照射在基板2上的矩形状光束的短轴方向的长度能够为例如数十微米。
在本实施方式中，两个短轴用透镜阵列26a、26b在光轴方向上隔着间隔配置，若作为能够变更各透镜阵列26a、26b的光轴方向的距离的结构，则根据需要改变合成焦距，从而能够改变线状光束的短轴方向的尺寸。但是，在本发明中，也可以是短轴用透镜阵列为一个的结构。
被照射激光1的被照射物3是非晶半导体膜，通过例如CVD等成膜法成膜在基板2上。作为非晶半导体膜，例示出a-Si膜或具有非晶结构的化合物半导体膜（非晶硅锗膜等）等。
基板2由基板承载台4保持，并在线状光束的短轴方向上被搬送。借助基板承载台4的移动，能够使线状光束对基板2上的被照射物3在短轴方向上相对地扫描。以如下方式控制基板承载台4的移动速度：被照射面的每单位区域的照射次数为多次，即，重复照射线状光束。例如，以重叠率为90%以上的方式照射。此外，重叠率表示，每次照射激光发射（laser shot）使基板2移动的距离相对线状光束在短轴方向的光强度分布中的平坦的区域（在高斯（Gaussian）形状的情况下为半辐值）的比例。
在本实施方式中，基板承载台4设置在能够将内部控制为真空或非氧化性气体环境的处理室40内。在退火处理中，将处理室40内控制为真空或非氧化性气体环境，从而能够防止被照射物3的表面的氧化。作为非氧化性气体，能够使用氢气或非活性气体（氮气、氩气、氦气、氖气等）。此外，在处理室40中设置用于使激光1透过的透过窗41。
此外，也可以取代在处理室40内对形成有被照射物3的基板2进行处理的上述结构例，而采用不设置处理室40，仅向线状光束的照射部分喷射非活性气体的方式。关于这点，在后述的第二～第四实施方式中也同样。
如图1A所示，激光退火装置10还具有在激光照射中使长轴用透镜阵列20a、20b在与线状光束的长轴方向对应的方向（图中的X方向）往复移动的长轴用透镜阵列移动装置32。长轴用透镜阵列移动装置32被未图示的控制装置自动控制。
这样，一边使长轴用透镜阵列20a、20b在与线状光束的长轴方向对应的方向上往复移动，一边进行激光照射，从而入射至构成后级的长轴用聚光光学系统的大型透镜（在本实施方式中为长轴用聚光透镜22）的激光1的入射角以及强度按照每次发射而变化。因此，使被照射面的长轴方向的光束均一性按照每次发射而变动，从而产生由透镜表面上的散射光引起的在被照射面上的纵向条纹被分散的效果，在目视下，纵向条纹被大幅度降低。因此，例如重叠率为90%以上的情况下，也能够以在目视下观察不到条纹的方式被照射。
接着，将长轴用透镜阵列20a、20b的往复移动的移动宽度设为S，将在不使长轴用透镜阵列20a、20b往复移动地进行激光退火的情况下能够目视出现的与线状光束的扫描方向（在本实施方式中为基板2的搬送方向）平行的条纹图样（纵向条纹）的间距设为P，将构成长轴用透镜阵列20a、20b的各柱面透镜21的宽度设为W，在该情况下，对移动宽度S和透镜宽度W的优选条件进行说明。
图2是说明纵向条纹的间距P的示意图。如图2所示，纵向条纹包括交替出现的明部L和暗部D。由于图2是示意图，所以，虽然明确地示出了明部L和暗部D的边界，但是，在实际的条纹中，明部L和暗部D顺次排列交替出现。明部L的中心间的各间隔PL1、PL2、PL3･･･存在偏差，暗部D的中心间的各间隔PD 1、PD 2、PD3･･･存在偏差。
在本说明书中，纵向条纹的间距P是指，明部L的中心间的各间隔PL1、PL 2、PL3･･･的平均值PL A、暗部D的中心间的各间隔PD 1、PD 2、PD3･･･平均值PDA、或者将PL A和PDA相加后的平均值中的任意一个。
图3是说明长轴用透镜阵列20a、20b的往复移动的移动宽度S和柱面透镜21的宽度W的图。
如图3所示，长轴用透镜阵列20a、20b的往复移动的移动宽度S是柱面透镜阵列21的X方向的移动行程，柱面透镜21的宽度W是往复移动方向（X方向）的长度。
若考虑利用长轴用透镜阵列20a、20b的往复移动使成为纵向条纹的原因的光束长轴方向的能量分布的不均匀分散，则长轴用透镜阵列20a、20b的往复移动的移动宽度S可以为至少P/3以上。另外，为了长轴用透镜阵列20a、20b的移动行程不超过透镜宽度W，优选移动宽度S比柱面透镜的宽度W小。
因此，优选以满足P/3≤S<W的条件的方式设定移动宽度S和透镜宽度W。由此，成为纵向条纹的原因的能量分布的不均匀向与基板搬送方向垂直的方向（图2的左右方向）偏移相当于条纹间距P的至少1/3的距离，所以，能够适度分散纵向条纹，有效地降低能够目视的纵向条纹的产生。另外，若将上述条件设为P/2≤S<W或P≤S<W，则能够进一步增大分散的效果，得到更显著的条纹降低效果。
另外，确认纵向条纹的间距P约为3～4mm左右。因此，具体地说，优选移动宽度S为1.0mm以上，更优越选1.5mm以上，进一步优选为3.0mm以上。在该情况下也优选S<W。
另外，优选长轴用透镜阵列20a、20b的往复移动的频率F为5Hz以上。图4A是表示不使长轴用透镜阵列20a、20b往复移动地进行激光退火后的半导体膜的照片的图。图4B是表示在使长轴用透镜阵列20a、20b以7.5Hz的频率往复移动进行激光退火后的半导体膜的照片的图。从图4B可知，通过使频率F高速化，由此，仅通过长轴用透镜阵列20a、20b的往复移动，不仅能够降低纵向条纹，而且能够降低横向条纹。推测其理由在于，利用长轴用透镜阵列20a、20b的往复移动，具有使入射到在后级设置的大型透镜（投影透镜30）的激光1的短轴方向的能量分布发生变动的作用，根据上述的移动宽度S和透镜宽度W的优选的条件设定以及频率F的高速化，所述的作用变得更显著，从而对横向条纹也产生降低效果。
另外，优选激光1的偏振方向相对非晶半导体膜3的表面为S偏振。S偏振是指，相对入射面（在本发明的情况下为非晶半导体膜3的表面）水平的偏振方向，P偏振是指，相对入射面垂直的偏振方向。
图5是以P偏振光进行了处理的情况和以S偏振光进行了处理的情况的结晶粒的SEM照片。在利用S偏振的激光对非晶半导体膜进行了退火处理的情况下，如图5所示，与利用P偏振光进行处理相比，粒径变大（粗），得到均一的结晶粒的多晶半导体膜。因此，能够得到降低由目视观察到的条纹的效果。
关于目视条纹的降低效果，P偏振成分越少越好，所以，S偏振光最好，其次为P偏振光和S偏振光的交替照射、随机偏振、最后为P偏振光。另外，从这样的偏振方向的影响的观点来看，作为激光光源12，优选为振荡发生直线偏振的激光的固体激光器装置。此外，关于激光1的偏振方向优选为S偏振，在后述的第二～第四实施方式中也同样。
如图1B所示，激光退火装置10还具有在激光照射中使短轴用透镜阵列26a、26b在与线状光束的短轴方向对应的方向（图中的Y方向）往复移动的短轴用透镜阵列移动装置33。短轴用透镜阵列移动装置33被未图示的控制装置自动控制。
这样，一边使短轴用透镜阵列26a、26b在与线状光束的短轴方向对应的方向上往复移动，一边进行激光照射，从而入射到构成后级的短轴用聚光光学系统的大型透镜（在本实施方式中为投影透镜30）的激光1的入射角以及强度按照每次发射而变化。因此，通过使被照射面上的短轴方向的光束均一性按照每次发射而变动，由此，产生由透镜表面上的散射光引起的在被照射面上的横向条纹被分散的效果，在目视下横向条纹被大幅度降低。
此外，如上所述，使长轴用透镜阵列20a、20b往复移动，由此，不仅能够降低纵向条纹，而且能够降低横向条纹。因此，可以做成不使短轴用透镜阵列26a、26b往复移动而仅使长轴用透镜阵列20a、20b往复移动的结构，由此，降低纵向条纹和横向条纹这两者。
此外，在本实施方式中，即便使透镜阵列20a、20b、26a、26b往复移动，被照射面上的光束位置等也不发生变化。
[第二实施方式]
在图6A以及图6B中示出本发明的第二实施方式的激光退火装置10的概略结构。
如图6A所示，本实施方式的激光退火装置10中，取代第一实施方式中的长轴用透镜阵列移动装置32，在激光照射中将长轴用聚光光学系统（在本实施方式中为长轴用聚光透镜22）和被照射物3的表面的光路上的距离保持为恒定不变，作为用于使长轴用聚光光学系统和长轴用透镜阵列20a、20b的光路上的相对距离增减的单元，具有在激光照射中使长轴用透镜阵列20a、20b在光轴方向（图中的Z方向）往复移动的长轴用透镜阵列往复移动装置34。长轴用透镜阵列往复移动装置34被未图示的控制装置自动控制。
这样，将长轴用聚光光学系统和被照射物3的表面的光路上的距离保持为恒定不变，一边使长轴用聚光光学系统和长轴用透镜阵列20a、20b的光路上的相对距离增减，一边进行激光照射，由此，入射到构成后级的长轴用聚光光学系统的大型透镜（长轴用聚光透镜22）的激光1的入射角以及强度按照每次发射而变化，产生由透镜表面上的散射光引起的在被照射面上的纵向条纹被分散的效果，所以，纵向条纹被大幅度降低。另外，如本实施方式那样，使构成为小型的长轴用透镜阵列20a、20b在光轴方向往复移动，由此，能够容易地进行长轴用聚光光学系统和长轴用透镜阵列20a、20b的光路上的相对距离的增减。
另外，如图6B所示，本实施方式的激光退火装置10中，取代第一实施方式中的短轴用透镜阵列移动装置，而具有在激光照射中使短轴用聚光透镜在与线状光束的短轴方向对应的方向（图中的Y方向）往复移动的短轴用聚光透镜移动装置35。短轴用聚光透镜移动装置35被未图示的控制装置自动控制。
一边使在短轴用透镜阵列26a、26b的后级设置的短轴用聚光透镜29在与线状光束的短轴方向对应的方向往复移动，一边进行激光照射，由此，入射到后级的投影透镜30上的激光1的入射角以及强度也按照每次发射而变化，产生由透镜表面上的散射光引起的在被照射面上的横向条纹被分散的效果，所以，横向条纹大幅度降低。
本实施方式的其他结构与第一实施方式相同。
[第三实施方式]
图7A以及图7B中示出本发明的第三实施方式的激光退火装置10的概略结构。
如图7A所示，在本实施方式的激光退火装置10中，长轴用均化器19构成为采用了波导39的波导形式。即，在本实施方式中，长轴用均化器19包括：长轴用波导39，将激光1在与线状光束的长轴方向对应的方向上分割为多个；长轴用导入透镜38，向该长轴用波导39导入激光1；作为长轴用聚光光学系统的长轴用端面转印光学系统23，在被照射物3的表面，将被长轴用波导39分割后的激光1在长轴方向上叠加。在本实施方式中，长轴用端面转印光学系统23包括两个柱面透镜23a、23b，将在长轴用波导39的出射面上的长轴像以预定倍率扩大，并投影到被照射面上。
另外，如图7A所示，本实施方式的激光退火装置10具有在激光照射中使长轴用导入透镜38在与线状光束的长轴方向对应的方向（图中的X方向）上往复移动的长轴用导入透镜移动装置36。长轴用导入透镜移动装置36被未图示的控制装置自动控制。
这样，一边使长轴用导入透镜38在与线状光束的长轴方向对应的方向上往复移动，一边进行激光照射，由此，入射到构成后级的长轴用聚光光学系统（在本实施方式中为长轴用端面转印光学系统23）的大型透镜（在本实施方式中为柱面透镜23a、23b）的激光1的入射角以及强度按照每次发射而变化，产生由透镜表面上的散射光引起的在被照射面上的纵向条纹被分散的效果，所以，纵向条纹被大幅度降低。
如图7B所示，在本实施方式的激光退火装置10中，取代第一实施方式中的短轴用透镜阵列移动装置33，而具有镜摆动装置37，该镜摆动装置37在激光照射中使反射镜11b摆动，使得线状光束在短轴方向上往复移动。镜摆动装置37被未图示的控制装置自动控制。
这样，使设置在短轴用均化器25的上游侧的光路上的反射镜11a以线状光束在短轴方向往复移动的方式摆动，从而入射到后级的大型透镜（在本实施方式中为投影透镜30以及柱面透镜23a、23b）的激光1的入射角以及强度按照每次发射而变化，产生由透镜表面上的散射光引起的在被照射面上的横向条纹被分散的效果，因而横向条纹被大幅度降低。在该情况下，短轴用均化器25可以是透镜阵列方式、波导方式中的任意一种。另外，摆动的反射镜只要是设置在短轴用均化器25的上游侧的光路上的反射镜，哪个都可以，也可以取代反射镜11b而使反射镜11a摆动。
本实施方式的其他结构与第一实施方式相同。
[第四实施方式]
在图8A以及图8B中示出本发明的第四实施方式的激光退火装置10的概略结构。
如图8B所示，在本实施方式的激光退火装置10中，短轴用均化器25构成为采用了波导44的波导形式。即，在本实施方式中，短轴用均化器25包括：短轴用波导44，将激光1在与线状光束的短轴方向对应的方向上分割为多个；短轴用导入透镜43，向该短轴用波导44导入激光1；作为短轴用聚光光学系统的短轴用端面转印光学系统（31a、31b），在被照射物3的表面，使被短轴用波导44分割后的激光1在短轴方向上叠加。在本实施方式中，短轴用端面转印光学系统包括两个柱面透镜31a、31b，将在短轴用波导44的出射面上的短轴像以预定倍率缩小并投影到被照射面上。
另外，如图8B所示，本实施方式的激光退火装置10具有在激光照射中使短轴用导入透镜43在与线状光束的短轴方向对应的方向（图中的Y方向）往复移动的短轴用导入透镜移动装置45。
这样，一边使短轴用导入透镜43在与线状光束的短轴方向对应的方向上往复移动，一边进行激光照射，从而入射到构成后级的短轴用聚光光学系统的大型透镜（在本实施方式中为柱面透镜31b、长轴用聚光透镜22）的激光1的入射角以及强度按照每次发射而变化，产生由透镜表面上的散射光引起的在被照射面上的横向条纹被分散的效果，所以，横向条纹被大幅度降低。
此外，用于降低纵向条纹的结构和用于降低横向条纹的结构的组合并不限于在上述的各实施方式说明的方式，可以在各实施方式之间自由地更换用于降低纵向条纹的结构和用于降低横向条纹的结构来组合。
在上述中，对本发明的实施方式进行了说明，但上述公开的本发明的实施方式只不过是例示，本发明的范围并不限于这些发明的实施方式。本发明的范围由所记载的技术方案示出，还包括与技术方案的记载相同的意思以及在范围内的所有变更。

Claims (2)

1.一种激光退火方法，对由脉冲振荡产生的激光进行整形，在被照射物的表面聚光成线状光束，以重复照射激光的方式使线状光束对被照射物在线状光束的短轴方向相对地扫描，利用激光照射对被照射物的表面进行退火处理，其特征在于，
利用长轴用导入透镜向长轴用波导导入激光，
利用所述长轴用波导，将激光在与线状光束的长轴方向对应的方向上分割为多个，
利用长轴用聚光光学系统，在被照射物的表面，将被所述长轴用波导分割后的激光在长轴方向上叠加，
在激光照射中，使所述长轴用导入透镜在与线状光束的长轴方向对应的方向上往复移动。
2.如权利要求1所述的激光退火方法，其特征在于，
所述激光的偏振方向相对于被照射物的表面为S偏振。
CN201210017054.XA 2008-01-07 2008-05-30 激光退火方法以及装置 Active CN102513701B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008-000347 2008-01-07
JP2008000347 2008-01-07
CN2008801241686A CN101911256B (zh) 2008-01-07 2008-05-30 激光退火方法以及装置

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2008801241686A Division CN101911256B (zh) 2008-01-07 2008-05-30 激光退火方法以及装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102513701A CN102513701A (zh) 2012-06-27
CN102513701B true CN102513701B (zh) 2015-08-19

Family

ID=40719519

Family Applications (4)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201510198987.7A Active CN104835725B (zh) 2008-01-07 2008-05-30 激光退火方法以及装置
CN201210017054.XA Active CN102513701B (zh) 2008-01-07 2008-05-30 激光退火方法以及装置
CN2008801241686A Active CN101911256B (zh) 2008-01-07 2008-05-30 激光退火方法以及装置
CN201510199238.6A Active CN104882371B (zh) 2008-01-07 2008-05-30 激光退火方法以及装置

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201510198987.7A Active CN104835725B (zh) 2008-01-07 2008-05-30 激光退火方法以及装置

Family Applications After (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2008801241686A Active CN101911256B (zh) 2008-01-07 2008-05-30 激光退火方法以及装置
CN201510199238.6A Active CN104882371B (zh) 2008-01-07 2008-05-30 激光退火方法以及装置

Country Status (7)

Country Link
US (2) US8170072B2 (zh)
JP (3) JP5437079B2 (zh)
KR (2) KR101242094B1 (zh)
CN (4) CN104835725B (zh)
DE (1) DE102008047611B4 (zh)
TW (1) TWI426550B (zh)
WO (1) WO2009087784A1 (zh)

Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI264121B (en) * 2001-11-30 2006-10-11 Semiconductor Energy Lab A display device, a method of manufacturing a semiconductor device, and a method of manufacturing a display device
DE102009059193B4 (de) 2009-12-17 2024-02-15 Innolas Solutions Gmbh Verfahren zur Dotierung von Halbleitermaterialien
US20120225568A1 (en) * 2011-03-03 2012-09-06 Tokyo Electron Limited Annealing method and annealing apparatus
JP5891504B2 (ja) * 2011-03-08 2016-03-23 株式会社Ｊｏｌｅｄ 薄膜トランジスタアレイ装置の製造方法
US8946594B2 (en) 2011-11-04 2015-02-03 Applied Materials, Inc. Optical design for line generation using microlens array
KR101881423B1 (ko) 2011-11-24 2018-07-25 삼성디스플레이 주식회사 결정화 장치, 결정화 방법 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
US9341781B2 (en) * 2012-09-10 2016-05-17 The United States of America, as represented by the Secretary of Commerce The National Institute of Standards & Technology Laser machining and mechanical control of optical microresonators
JP5922549B2 (ja) * 2012-10-01 2016-05-24 株式会社日本製鋼所 結晶半導体膜の製造方法および製造装置
JP6152281B2 (ja) * 2013-02-25 2017-06-21 株式会社ニューフレアテクノロジー パターン検査方法及びパターン検査装置
RU2661977C1 (ru) * 2014-07-03 2018-07-23 Ниппон Стил Энд Сумитомо Метал Корпорейшн Устройство лазерной обработки
US10247952B2 (en) 2015-03-04 2019-04-02 Coherent Lasersystems Gmbh & Co. Kg Polarization-controlled laser line-projector
US9981340B2 (en) * 2015-07-13 2018-05-29 King Fahd University Of Petroleum And Minerals Laser ablation method for treating a copper alloy containing metallic surface and increasing hydrophobicity
JP2017032457A (ja) * 2015-08-04 2017-02-09 株式会社ニューフレアテクノロジー パターン検査装置
KR102483322B1 (ko) 2015-09-30 2022-12-30 삼성디스플레이 주식회사 편광 모듈 및 이를 포함하는 레이저 조사 장치
KR102589766B1 (ko) * 2016-11-07 2023-10-16 삼성디스플레이 주식회사 레이저 장치
CN106783536B (zh) * 2016-11-29 2021-11-30 京东方科技集团股份有限公司 激光退火设备、多晶硅薄膜和薄膜晶体管的制备方法
KR102555436B1 (ko) 2016-12-05 2023-07-13 삼성디스플레이 주식회사 레이저 가공 장치 및 그 가공 방법
KR102584242B1 (ko) * 2017-01-26 2023-10-05 에이피시스템 주식회사 레이저 처리방법 및 레이저 처리장치
MY196351A (en) 2017-03-01 2023-03-24 Ts Tech Co Ltd Vehicle Seat
DE102018211409B4 (de) * 2018-07-10 2021-02-18 Laserline GmbH Strahlformende Laseroptik und Lasersystem
JP7277716B2 (ja) 2019-02-25 2023-05-19 日亜化学工業株式会社 光源装置、ダイレクトダイオードレーザ装置、および光結合器
JP2020175412A (ja) * 2019-04-18 2020-10-29 株式会社ブイ・テクノロジー レーザリフトオフ用装置及びレーザリフトオフ方法
US10978344B2 (en) * 2019-08-23 2021-04-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Melting laser anneal of epitaxy regions
KR20210057248A (ko) 2019-11-11 2021-05-21 삼성디스플레이 주식회사 레이저 조사 장치 및 레이저 조사 방법
DE102022109638A1 (de) 2022-04-21 2023-10-26 Trumpf Laser- Und Systemtechnik Gmbh Optische Anordnung zur Umwandlung eines Eingangslaserstrahls in einen linienartigen Ausgangsstrahls mit erhöhter Homogenität im Intensitätsverlauf

Family Cites Families (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01179908A (ja) * 1988-01-11 1989-07-18 Fujitsu Ltd レーザビームの強度分布を均一化する方法
JPH03204307A (ja) 1989-12-29 1991-09-05 Sumitomo Rubber Ind Ltd 乗用車用ラジアルタイヤ
JP3036134B2 (ja) 1991-08-08 2000-04-24 松下電器産業株式会社 テープレコーダの保護装置
JP2835924B2 (ja) 1994-06-29 1998-12-14 住友重機械工業株式会社 レーザ加工機におけるオートフォーカス装置
KR100373801B1 (ko) * 1994-07-29 2003-05-09 산요 덴키 가부시키가이샤 반도체레이저장치및이를이용한광픽업장치
JP3502981B2 (ja) 1995-10-05 2004-03-02 株式会社日本製鋼所 レーザーアニール処理装置
JP3191702B2 (ja) 1996-11-25 2001-07-23 住友重機械工業株式会社 ビームホモジナイザ
JP4056577B2 (ja) 1997-02-28 2008-03-05 株式会社半導体エネルギー研究所 レーザー照射方法
JP4059952B2 (ja) * 1997-03-27 2008-03-12 株式会社半導体エネルギー研究所 レーザー光照射方法
JP4086932B2 (ja) 1997-04-17 2008-05-14 株式会社半導体エネルギー研究所 レーザー照射装置及びレーザー処理方法
JP3402124B2 (ja) 1997-06-04 2003-04-28 住友重機械工業株式会社 ビームホモジナイザ及び半導体薄膜作製方法
JPH1123952A (ja) 1997-06-30 1999-01-29 Nec Corp オートフォーカス装置及びこれを利用したレーザ加工装置
JPH1158053A (ja) 1997-08-06 1999-03-02 Nikon Corp レーザ加工装置
JP4659930B2 (ja) * 1998-01-27 2011-03-30 株式会社東芝 多結晶半導体膜の製造方法及びレーザアニール装置
JP3204307B2 (ja) 1998-03-20 2001-09-04 日本電気株式会社 レーザ照射方法およびレーザ照射装置
JP2000066133A (ja) * 1998-06-08 2000-03-03 Sanyo Electric Co Ltd レ―ザ―光照射装置
JP2000338447A (ja) 1999-05-27 2000-12-08 Sumitomo Heavy Ind Ltd ビーム整形光学系
US6472295B1 (en) 1999-08-27 2002-10-29 Jmar Research, Inc. Method and apparatus for laser ablation of a target material
JP4056684B2 (ja) 2000-07-28 2008-03-05 株式会社半導体エネルギー研究所 レーザー処理方法
JP3903761B2 (ja) * 2001-10-10 2007-04-11 株式会社日立製作所 レ−ザアニ−ル方法およびレ−ザアニ−ル装置
JP2003282477A (ja) 2002-03-26 2003-10-03 Japan Steel Works Ltd:The 照射距離自動調節方法及びその装置
US20060091120A1 (en) * 2002-11-06 2006-05-04 Markle David A Recycling optical systems and methods for thermal processing
JP4727135B2 (ja) * 2003-05-26 2011-07-20 富士フイルム株式会社 レーザアニール装置
US7245802B2 (en) * 2003-08-04 2007-07-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Beam homogenizer, laser irradiation apparatus and method for manufacturing semiconductor device
JP4780943B2 (ja) * 2003-09-09 2011-09-28 株式会社半導体エネルギー研究所 レーザ照射装置及び半導体装置の作製方法
US7450307B2 (en) * 2003-09-09 2008-11-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser irradiation apparatus, laser irradiation method, and method for manufacturing semiconductor device
US7521651B2 (en) 2003-09-12 2009-04-21 Orbotech Ltd Multiple beam micro-machining system and method
JP4715119B2 (ja) 2004-07-21 2011-07-06 ソニー株式会社 レーザー加工装置
JP2006049635A (ja) * 2004-08-05 2006-02-16 Sumitomo Heavy Ind Ltd レーザ照射方法及びレーザ照射装置並びにレーザアニール方法
JP2006119210A (ja) 2004-10-19 2006-05-11 Sumitomo Heavy Ind Ltd 焦点位置調整装置、レーザ照射装置及び光照射方法。
JP5116232B2 (ja) * 2004-10-29 2013-01-09 株式会社半導体エネルギー研究所 レーザ照射装置およびレーザ照射方法
JP2006287183A (ja) 2005-03-10 2006-10-19 Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd レーザアニール装置のレーザ照射装置
US7297972B2 (en) 2005-08-26 2007-11-20 Electro Scientific Industries, Inc. Methods and systems for positioning a laser beam spot relative to a semiconductor integrated circuit using a processing target as a metrology target
JP2007214527A (ja) 2006-01-13 2007-08-23 Ihi Corp レーザアニール方法およびレーザアニール装置
JP5147220B2 (ja) 2006-11-20 2013-02-20 株式会社半導体エネルギー研究所 多結晶半導体膜の作製方法
JP5120685B2 (ja) 2006-12-25 2013-01-16 株式会社Ｉｈｉ レーザアニール方法及びレーザアニール装置
JP5376707B2 (ja) 2008-01-24 2013-12-25 株式会社半導体エネルギー研究所 レーザアニール装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR101162575B1 (ko) 2012-07-05
KR20100093560A (ko) 2010-08-25
CN104835725B (zh) 2018-01-26
US20120168421A1 (en) 2012-07-05
CN101911256A (zh) 2010-12-08
TW200931505A (en) 2009-07-16
CN101911256B (zh) 2012-07-18
JP5437079B2 (ja) 2014-03-12
US8170072B2 (en) 2012-05-01
KR101242094B1 (ko) 2013-03-11
WO2009087784A1 (ja) 2009-07-16
US8446924B2 (en) 2013-05-21
DE102008047611A1 (de) 2009-07-09
CN104882371B (zh) 2018-01-26
CN104835725A (zh) 2015-08-12
JP2013138242A (ja) 2013-07-11
CN104882371A (zh) 2015-09-02
JP5565712B2 (ja) 2014-08-06
JP2013138241A (ja) 2013-07-11
US20110008973A1 (en) 2011-01-13
JPWO2009087784A1 (ja) 2011-05-26
CN102513701A (zh) 2012-06-27
TWI426550B (zh) 2014-02-11
KR20110116067A (ko) 2011-10-24
DE102008047611B4 (de) 2020-03-12
JP5682839B2 (ja) 2015-03-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102513701B (zh) 激光退火方法以及装置
CN100399172C (zh) 显示装置的制造方法
US8785810B2 (en) Laser optical system, repair apparatus and method using the same
KR100755817B1 (ko) 액정 표시 장치의 결함 화소를 보정하는 방법 및 장치
CN101356624A (zh) 激光退火方法以及激光退火装置
JP2007266146A (ja) レーザアニーリング装置
CN106654814A (zh) 可用于晶化和剥离的两用准分子激光系统
CN212858217U (zh) 一种集成同轴视觉的激光切割光学系统
CN102165562B (zh) 半导体制造装置
KR100879007B1 (ko) 기판의 광학검사기능을 구비한 리페어장치
JP2003347236A (ja) レーザ照射装置
CN114235344A (zh) 一种激光器谐振腔镜的调试装置及调试方法
Zhu et al. Single-shot framing integration photography with high spatial resolution at 5.3* 1012 frames per second by an inversed 4f system
CN203967040U (zh) 一种激光退火装置
Fittinghoff et al. Temporally decorrelated multifocal array for high-speed, high-resolution, multiphoton imaging and micromachining
JP2005302956A (ja) レーザアニール装置及びレーザアニール方法
CN104124135A (zh) 一种激光退火方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant