JP4780943B2 - レーザ照射装置及び半導体装置の作製方法 - Google Patents
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Description
102 レンズアッセンブリ
103 光学系
104 ステージ
105 基板
110 光学系
111 光学系
112 光学系
113 光学系
201 シリンドリカルレンズ
202 シリンドリカルレンズ
203 シリンドリカルレンズ
204 シリンドリカルレンズ
205 平凸球面レンズ
206 平凸球面レンズ
301 凸レンズ
302 凸レンズ
303 凸レンズ
304 凸レンズ
305 凸レンズ
306 凸レンズ
307 凸レンズ
308 凸レンズ
401 レーザ発振器
402 ビームホモジナイザ
403 光学系
404 ステージ
405 基板
406 レンズアレイ
407 集光レンズ
408 レンズ
409 入射位置
410 エリア
500 基板
501 下地膜
502 半導体膜
503 半導体膜
504 島状の半導体膜
505 島状の半導体膜
506 島状の半導体膜
507 TFT
508 TFT
509 TFT
601 レーザ発振器
602 レンズアッセンブリ
603 ビームホモジナイザ
604 ミラー
605 ステージ
606 基板
607 レンズアレイ
608 集光レンズ
Claims (5)
- パルス発振でレーザ光を出力するレーザ発振器と、
複数の光学系を有するレンズアッセンブリと、
前記パルス発振と同期して前記レンズアッセンブリの位置を制御することによって、前記複数の光学系から少なくとも第1の光学系又は第2の光学系を選択する位置制御手段とを有し、
前記第1の光学系における前記レーザ光の空間的なエネルギー分布の反転の軸と、前記第2の光学系における前記レーザ光の空間的なエネルギー分布の反転の軸が、互いに交差することを特徴とするレーザ照射装置。 - パルス発振でレーザ光を出力するレーザ発振器と、
複数の光学系を有するレンズアッセンブリと、
前記パルス発振と同期して前記レンズアッセンブリの位置を制御することによって、前記複数の光学系から少なくとも第1の光学系又は第2の光学系を選択する第1の位置制御手段と、
レンズアレイ及び集光レンズを有するビームホモジナイザと、
前記レンズアレイの位置を前記レーザ光の入射方向に垂直な平面上で、又は前記レーザ光の入射方向と平行な軸上で平行移動するように制御する第2の位置制御手段とを有し、
前記第1の光学系における前記レーザ光の空間的なエネルギー分布の反転の軸と、前記第2の光学系における前記レーザ光の空間的なエネルギー分布の反転の軸が、互いに交差することを特徴とするレーザ照射装置。 - パルス発振でレーザ光を出力し、
前記パルス発振に同期して、複数の光学系を有するレンズアッセンブリの位置を制御することによって、前記複数の光学系のうち少なくとも2つの光学系が選択され、
前記選択された少なくとも2つの光学系によって、レーザ光の空間的なエネルギー分布が互いに反転した複数のパルスを形成し、
前記複数のパルスを、半導体膜の同一領域に照射することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - パルス発振でレーザ光を出力し、
前記パルス発振に同期して、複数の光学系を有するレンズアッセンブリの位置を制御することによって、前記複数の光学系のうち少なくとも第1の光学系及び第2の光学系が選択され、
前記第1の光学系により第1の直線を軸としてレーザ光の空間的なエネルギー分布が互いに反転した第1のパルスを形成し、
前記第2の光学系により前記第1の直線と交差する第2の直線を軸としてレーザ光の空間的なエネルギー分布が互いに反転した第2のパルスを形成し、
前記第1のパルスと前記第2のパルスを含む複数のパルスを、半導体膜の同一領域に照射することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - パルス発振でレーザ光を出力し、
前記パルス発振に同期して、複数の光学系を有するレンズアッセンブリの位置を制御することによって、前記複数の光学系のうち少なくとも第1の光学系及び第2の光学系が選択され、
前記第1の光学系により第1の直線を軸としてレーザ光の空間的なエネルギー分布が互いに反転した第1のパルスを形成し、
前記第2の光学系により前記第1の直線と交差する第2の直線を軸としてレーザ光の空間的なエネルギー分布が互いに反転した第2のパルスを形成し、
前記パルス発振に同期してビームホモジナイザが有するレンズアレイの位置を前記レーザ光の入射方向に垂直な平面上で、又は前記レーザ光の入射方向と平行な軸上で平行移動させて制御することによって、前記第1のパルス又は前記第2のパルスが前記レンズアレイに入射する位置が選択され、
前記第1のパルスが前記レンズアレイに入射する位置によってレーザ光の空間的なエネルギー分布が互いに異なる、第3のパルスを前記ビームホモジナイザで形成し、
前記第2のパルスが前記レンズアレイに入射する位置によってレーザ光の空間的なエネルギー分布が互いに異なる、第4のパルスを前記ビームホモジナイザで形成し、
前記第3のパルス及び前記第4のパルスを含む複数のパルスを、半導体膜の同一領域に照射することを特徴とする半導体装置の作製方法。
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