JP4628879B2 - 表示装置の製造方法 - Google Patents
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Description
2……レーザ光
3……レーザ発振器
4……シャッタ
5……ビームエキスパンダ
6……EOモジュレータ
7……透過率連続可変フィルタ
8……ビームホモジナイザ
13……拡散板
15……電動矩形スリット
25……対物レンズ
28……ステージ
61……ポッケルス・セル
62……偏光ビームスプリッタ
71、72……石英版
81……ロッドレンズ
85……カライドスコープ
101……ガラス基板
102……絶縁物薄膜
103……多結晶シリコン薄膜
104、104’……アライメントマーク
106……溶融再結晶領域
107、107’……駆動回路
108……画素部
109……カラーフィルタ
110……シャーシ
120、121……微細結晶粒
125、126、127……レーザアニールにより成長した結晶粒
203、203’、203”……光学鏡筒
204……光学鏡筒調整用ステージ
301……レーザ照射領域
302、303……活性領域
304、304’……結晶粒界
305……ゲート電極
306……ソース電極
307……ドレイン電極
401……液晶テレビ
402……携帯電話
403……ノート形パソコン
Claims (8)
- 基板上に形成した非晶質半導体膜にエキシマレーザ光を照射して多結晶半導体膜に改質し、
前記基板を相対的に走査しながら、形状及びエネルギー分布を変換した連続発振レーザ光を走査方向において一の帯状結晶領域を形成する領域に対して一続きで照射して局所的な帯状結晶領域を形成するとともに、当該帯状結晶領域を形成する領域以外では前記連続発振レーザ光を遮断し、前記多結晶半導体膜に対して断続的に前記連続発振レーザ光を照射することによって、前記多結晶半導体膜に局所的な帯状結晶領域を形成し、
該帯状結晶領域に第1の薄膜トランジスタを、前記多結晶半導体膜に第2の薄膜トランジスタをそれぞれ形成することを特徴とする表示装置の製造方法。 - 基板上に形成した非晶質半導体膜にエキシマレーザ光を照射して多結晶半導体膜に改質する工程と、
前記基板を相対的に走査しながら、前記多結晶半導体膜に形状及びエネルギー分布を変換した連続発振レーザ光を走査方向において一の帯状結晶領域を形成する領域に対して一続きで照射して複数の帯状結晶領域を形成する工程と、
該帯状結晶領域に第1の薄膜トランジスタを、前記多結晶半導体膜に第2の薄膜トランジスタをそれぞれ形成する工程とを備え、
前記帯状結晶領域に挟まれた領域が多結晶半導体膜となるように前記連続発振レーザ光を断続的に照射することを特徴とする表示装置の製造方法。 - 基板上に絶縁膜を介して形成された非晶質半導体膜の所望の領域に第1のレーザを照射して該非結晶半導体膜を多結晶半導体膜に改質する工程と、
前記半導体膜の複数の箇所に形状及びエネルギー分布を変換した連続発振レーザ光である第2のレーザを照射してアライメント用マークを形成する工程と、
前記基板を相対的に走査しながら前記多結晶半導体膜の所望の領域のみに前記第2のレーザを走査方向において一の帯状結晶領域を形成する領域に対して一続きで照射して局所的な帯状結晶領域を形成するとともに、前記所望の領域以外では前記第2のレーザを遮断し、前記第2のレーザを断続的に照射することによって前記多結晶半導体膜に局所的な帯状結晶領域を形成する工程と、
該帯状結晶領域に第1の薄膜トランジスタを、前記多結晶半導体膜に第2の薄膜トランジスタをそれぞれ形成する工程とを備え、
少なくとも前記アライメント用マーク形成工程の後の最初のフォトレジスト工程において、前記アライメント用マークをフォトマスクの位置合わせに用いることを特徴とする表示装置の製造方法。 - 請求項3において、
前記第1のレーザはエキシマレーザであることを特徴とする表示装置の製造方法。 - 請求項1乃至4のいずれかにおいて、
前記表示装置は画素部と駆動回路を有し、
前記画素部に前記第2の薄膜トランジスタを形成することを特徴とする表示装置の製造方法。 - 請求項1乃至5のいずれかにおいて、
前記表示装置は画素部と駆動回路を有し、
前記駆動回路に前記第1の薄膜トランジスタを形成することを特徴とする表示装置の製造方法。 - 請求項1乃至3のいずれかにおいて、
前記連続発振レーザ光は、EOモジュレータを用いて時間的に強度変調されてなることを特徴とする表示装置の製造方法。 - 請求項1乃至7のいずれかにおいて、
前記帯状結晶領域が、前記基板の走査方向と略平行な方向に結晶粒が成長してなることを特徴とする表示装置の製造方法。
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