RU2661977C1 - Устройство лазерной обработки - Google Patents

Устройство лазерной обработки Download PDF

Info

Publication number
RU2661977C1
RU2661977C1 RU2016151358A RU2016151358A RU2661977C1 RU 2661977 C1 RU2661977 C1 RU 2661977C1 RU 2016151358 A RU2016151358 A RU 2016151358A RU 2016151358 A RU2016151358 A RU 2016151358A RU 2661977 C1 RU2661977 C1 RU 2661977C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
laser beam
laser
steel sheet
electrical steel
coating film
Prior art date
Application number
RU2016151358A
Other languages
English (en)
Inventor
Кодзи ХИРАНО
Хирофуми ИМАИ
Хидеюки ХАМАМУРА
Тацухико САКАИ
Original Assignee
Ниппон Стил Энд Сумитомо Метал Корпорейшн
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ниппон Стил Энд Сумитомо Метал Корпорейшн filed Critical Ниппон Стил Энд Сумитомо Метал Корпорейшн
Application granted granted Critical
Publication of RU2661977C1 publication Critical patent/RU2661977C1/ru

Links

Images

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/073Shaping the laser spot
    • B23K26/0736Shaping the laser spot into an oval shape, e.g. elliptic shape
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C21METALLURGY OF IRON
    • C21DMODIFYING THE PHYSICAL STRUCTURE OF FERROUS METALS; GENERAL DEVICES FOR HEAT TREATMENT OF FERROUS OR NON-FERROUS METALS OR ALLOYS; MAKING METAL MALLEABLE, e.g. BY DECARBURISATION OR TEMPERING
    • C21D8/00Modifying the physical properties by deformation combined with, or followed by, heat treatment
    • C21D8/12Modifying the physical properties by deformation combined with, or followed by, heat treatment during manufacturing of articles with special electromagnetic properties
    • C21D8/1277Modifying the physical properties by deformation combined with, or followed by, heat treatment during manufacturing of articles with special electromagnetic properties involving a particular surface treatment
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C21METALLURGY OF IRON
    • C21DMODIFYING THE PHYSICAL STRUCTURE OF FERROUS METALS; GENERAL DEVICES FOR HEAT TREATMENT OF FERROUS OR NON-FERROUS METALS OR ALLOYS; MAKING METAL MALLEABLE, e.g. BY DECARBURISATION OR TEMPERING
    • C21D6/00Heat treatment of ferrous alloys
    • C21D6/008Heat treatment of ferrous alloys containing Si
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/0006Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring taking account of the properties of the material involved
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/0604Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by a combination of beams
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/073Shaping the laser spot
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/073Shaping the laser spot
    • B23K26/0738Shaping the laser spot into a linear shape
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/08Devices involving relative movement between laser beam and workpiece
    • B23K26/082Scanning systems, i.e. devices involving movement of the laser beam relative to the laser head
    • B23K26/0821Scanning systems, i.e. devices involving movement of the laser beam relative to the laser head using multifaceted mirrors, e.g. polygonal mirror
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/352Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring for surface treatment
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/352Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring for surface treatment
    • B23K26/356Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring for surface treatment by shock processing
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C21METALLURGY OF IRON
    • C21DMODIFYING THE PHYSICAL STRUCTURE OF FERROUS METALS; GENERAL DEVICES FOR HEAT TREATMENT OF FERROUS OR NON-FERROUS METALS OR ALLOYS; MAKING METAL MALLEABLE, e.g. BY DECARBURISATION OR TEMPERING
    • C21D10/00Modifying the physical properties by methods other than heat treatment or deformation
    • C21D10/005Modifying the physical properties by methods other than heat treatment or deformation by laser shock processing
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C21METALLURGY OF IRON
    • C21DMODIFYING THE PHYSICAL STRUCTURE OF FERROUS METALS; GENERAL DEVICES FOR HEAT TREATMENT OF FERROUS OR NON-FERROUS METALS OR ALLOYS; MAKING METAL MALLEABLE, e.g. BY DECARBURISATION OR TEMPERING
    • C21D8/00Modifying the physical properties by deformation combined with, or followed by, heat treatment
    • C21D8/12Modifying the physical properties by deformation combined with, or followed by, heat treatment during manufacturing of articles with special electromagnetic properties
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C21METALLURGY OF IRON
    • C21DMODIFYING THE PHYSICAL STRUCTURE OF FERROUS METALS; GENERAL DEVICES FOR HEAT TREATMENT OF FERROUS OR NON-FERROUS METALS OR ALLOYS; MAKING METAL MALLEABLE, e.g. BY DECARBURISATION OR TEMPERING
    • C21D8/00Modifying the physical properties by deformation combined with, or followed by, heat treatment
    • C21D8/12Modifying the physical properties by deformation combined with, or followed by, heat treatment during manufacturing of articles with special electromagnetic properties
    • C21D8/1294Modifying the physical properties by deformation combined with, or followed by, heat treatment during manufacturing of articles with special electromagnetic properties involving a localized treatment
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C21METALLURGY OF IRON
    • C21DMODIFYING THE PHYSICAL STRUCTURE OF FERROUS METALS; GENERAL DEVICES FOR HEAT TREATMENT OF FERROUS OR NON-FERROUS METALS OR ALLOYS; MAKING METAL MALLEABLE, e.g. BY DECARBURISATION OR TEMPERING
    • C21D9/00Heat treatment, e.g. annealing, hardening, quenching or tempering, adapted for particular articles; Furnaces therefor
    • C21D9/46Heat treatment, e.g. annealing, hardening, quenching or tempering, adapted for particular articles; Furnaces therefor for sheet metals
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22CALLOYS
    • C22C38/00Ferrous alloys, e.g. steel alloys
    • C22C38/001Ferrous alloys, e.g. steel alloys containing N
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22CALLOYS
    • C22C38/00Ferrous alloys, e.g. steel alloys
    • C22C38/002Ferrous alloys, e.g. steel alloys containing In, Mg, or other elements not provided for in one single group C22C38/001 - C22C38/60
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22CALLOYS
    • C22C38/00Ferrous alloys, e.g. steel alloys
    • C22C38/02Ferrous alloys, e.g. steel alloys containing silicon
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22CALLOYS
    • C22C38/00Ferrous alloys, e.g. steel alloys
    • C22C38/04Ferrous alloys, e.g. steel alloys containing manganese
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22CALLOYS
    • C22C38/00Ferrous alloys, e.g. steel alloys
    • C22C38/06Ferrous alloys, e.g. steel alloys containing aluminium
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01FMAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F1/00Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties
    • H01F1/01Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials
    • H01F1/03Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity
    • H01F1/12Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of soft-magnetic materials
    • H01F1/14Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of soft-magnetic materials metals or alloys
    • H01F1/16Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of soft-magnetic materials metals or alloys in the form of sheets
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2101/00Articles made by soldering, welding or cutting
    • B23K2101/18Sheet panels
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/02Iron or ferrous alloys
    • B23K2103/04Steel or steel alloys
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22CALLOYS
    • C22C38/00Ferrous alloys, e.g. steel alloys

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Manufacturing Of Steel Electrode Plates (AREA)
  • Soft Magnetic Materials (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)

Abstract

Изобретение относится к области металлургии. Для исключения образования дефектов в стеклянной покровной пленке устройство для лазерной обработки листа содержит лазерный осциллятор, испускающий лазерный луч, причем лазерный луч, фокусируемый на лист электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой, представляет собой линейно-поляризованный свет и сканируется в направлении сканирования, и угол между направлением линейной поляризации и направлением сканирования составляет более 45° и равен или не более 90°. 8 з.п. ф-лы, 11 ил., 2 табл.

Description

ОБЛАСТЬ ТЕХНИКИ, К КОТОРОЙ ОТНОСИТСЯ ИЗОБРЕТЕНИЕ
[0001]
Настоящее изобретение относится к устройству лазерной обработки, которое излучает лазерные лучи на лист электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой, используемый для сердечника трансформатора и т.п., измельчая тем самым магнитные домены.
ПРЕДШЕСТВУЮЩИЙ УРОВЕНЬ ТЕХНИКИ
[0002]
Лист электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой легко намагничивается в направлении прокатки во время производства стального листа. Следовательно, лист электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой также называют однонаправленным листом электротехнической стали. Лист электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой используется в качестве материала для формирования сердечника электрического устройства, такого как трансформатор или вращательная машина.
Когда лист электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой намагничивается, образуются потери энергии, такие как потери в сердечнике. В последние годы, благодаря развитию глобального потепления, энергосберегающие электрические устройства стали востребованы во всем мире. Следовательно, необходима технология для дополнительного уменьшения потерь в сердечнике из листа электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой.
[0003]
Потери в сердечнике классифицируются на потери на вихревые токи и гистерезисные потери. Потери на вихревые токи классифицируются на классические потери на вихревые токи и аномальные потери на вихревые токи. Для уменьшения классических потерь на вихревые токи известен лист электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой, который имеет пленку изолирующего покрытия, сформированную на поверхности, и имеет малую толщину листа. Например, упомянутый ниже Патентный документ 1 раскрывает лист электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой, который включает в себя стеклянную пленку, сформированную на поверхности основного стального листа, а также пленку изолирующего покрытия, сформированную на поверхности стеклянной покровной пленки.
[0004]
Например, упомянутые ниже Патентные документы 2 и 3 раскрывают лазерный способ управления магнитными доменами, способный подавлять аномальные потери на вихревые токи. В этом лазерном способе управления магнитными доменами поверхность листа электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой, в котором формируется пленка изолирующего покрытия, освещается лазерным лучом, и лазерный луч сканируется по существу вдоль направления ширины листа электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой (то есть направления, по существу перпендикулярного направлению прокатки листа электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой). В результате ряд остаточных деформаций периодически формируется вдоль направления прокатки на поверхности листа электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой (то есть на поверхности основного стального материала) таким образом, что магнитные домены листа электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой измельчаются.
В соответствии с этим способом управления магнитными доменами во внешней поверхности листа электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой посредством сканирования лазерным лучом формируется термическая история, имеющая крутой температурный градиент вдоль направления толщины. Благодаря такой термической истории на поверхности основного стального материала листа электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой формируются остаточные деформации, и магнитные домены циркулирующего тока формируются благодаря этим остаточным деформациям. Интервалы между 180° стенками доменов подвергаются измельчению за счет магнитных доменов циркулирующего тока, и в результате аномальные потери на вихревые токи в листе электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой уменьшаются.
[0005]
Как описано выше, интервалы между 180° стенками доменов подвергаются измельчению за счет магнитных доменов циркулирующего тока, формирующихся на поверхности основного стального материала, и в результате аномальные потери на вихревые токи уменьшаются. Однако магнитные домены циркулирующего тока, сформированные на поверхности основного стального материала, вызывают увеличение гистерезисных потерь. Следовательно, для того, чтобы минимизировать потери в сердечнике, включая потери на вихревые токи и гистерезисные потери, эффективным будет уменьшить ширину магнитных доменов циркулирующего тока. Например, Патентный документ 3 раскрывает способ, в котором сильные деформации формируются в узкой области путем использовании лазерного луча в режиме TEM00, который обеспечивает очень малый размер пятна луча за счет его превосходных характеристик фокусирования, так что получаются магнитные домены циркулирующего тока, которые являются узкими и имеют достаточную прочность.
[0006]
В процессе лазерного облучения способа лазерного управления магнитными доменами управление магнитными доменами выполняется путем формирования изолирующей покровной пленки на стеклянной покровной пленке и испускания лазерного луча в направлении верхней стороны изолирующей покровной пленки. Здесь, благодаря увеличению температуры, вызываемому облучением лазерным лучом, могут быть созданы дефекты на изолирующей покровной пленке и стеклянной покровной пленке. Здесь дефекты означают повреждение пленки, такое как дефектное отслаивание, вспучивание, изменение и обесцвечивание изолирующей покровной пленки изолирующей покровной пленки и стеклянной покровной пленки. В том случае, когда дефекты образуются в стеклянной покровной пленке, материал основного стального листа становится открытым снаружи, что вызывает беспокойство насчет возможного образования ржавчины. Следовательно, в том случае, когда дефекты образуются в стеклянной покровной пленке, изолирующая покровная пленка должна быть нанесена снова, что вызывает добавление еще одного процесса и увеличение производственных затрат.
[0007]
Во время производства листа электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой выполняется многократная термическая обработка, и структура интерфейса и толщина стеклянной покровной пленки или изолирующей покровной пленки может изменяться в направлении прокатки и в направлении ширины основного стального листа. Следовательно, может быть затруднительным подавить образование дефектов в стеклянной покровной пленке на всем основном листе стали, даже когда условия лазерного облучения регулируются.
ДОКУМЕНТЫ ПРЕДШЕСТВУЮЩЕГО УРОВНЯ ТЕХНИКИ
ПАТЕНТНЫЕ ДОКУМЕНТЫ
[0008]
[Патентный документ 1] Японская нерассмотренная патентная заявка, Первая публикация № 2007-119821
[Патентный документ 2] Японская нерассмотренная патентная заявка, Первая публикация № S59-33802
[Патентный документ 3] Международная патентная заявка РСТ № WO2004/083465
[Патентный документ 4] Японская нерассмотренная патентная заявка, Первая публикация № S58-29592
[Патентный документ 5] Японская нерассмотренная патентная заявка, Первая публикация № H2-52192
РАСКРЫТИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
ПРОБЛЕМЫ, РЕШАЕМЫЕ ИЗОБРЕТЕНИЕМ
[0009]
Однако, что касается лазерного управления магнитными доменами в предшествующем уровне техники, свойства лазерного луча, который поглощается листом стали, изменяются в зависимости от того, прозрачна ли изолирующая покровная пленка на длине волны испускаемого лазерного луча. В том случае, когда изолирующая покровная пленка является непрозрачной на длине волны лазерного луча, этот лазерный луч поглощается изолирующей покровной пленкой. В дополнение к этому, что касается распространения лазерного луча, известно, что по мере того, как расстояние распространения (в дальнейшем также называемое длиной пути) лазерного луча внутри материала, который поглощает лазерный луч, увеличивается, поглощаемая мощность лазерного луча увеличивается.
[0010]
В дополнение к этому, в случае лазерного управления магнитными доменами, в котором используется лазерный луч, имеющий длину волны, которая не пропускается изолирующей покровной пленкой, возникают следующие проблемы. Для того, чтобы выполнить сканирование лазерным лучом быстро и эффективно, используется оптическая система, которая линейно развертывает одиночный лазерный луч из положения на предопределенной высоте от поверхности листа электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой на лист электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой вдоль его направления ширины.
В том случае, когда эта оптическая система используется, лазерный луч падает перпендикулярно к поверхности листа электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой в центральной части ширины лазерного сканирования. Таким образом, в том случае, когда положение лазерного луча совпадает с центральной частью ширины лазерного сканирования, угол между перпендикулярным направлением (нормальным направлением) к поверхности листа электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой и направлением распространения лазерного луча (угол φ падения лазерного луча) становится равным 0°. С другой стороны, по мере того, как положение лазерного луча приближается к концевой части ширины лазерного сканирования, угол φ падения лазерного луча увеличивается.
В такой оптической системе по мере того, как положение лазерного луча приближается к концевой части ширины лазерного сканирования от центральной части ширины лазерного сканирования (по мере того, как угол φ падения лазерного луча увеличивается), длина пути лазерного луча в изолирующей покровной пленке и в стеклянной покровной пленке увеличивается, и таким образом увеличивается количестве лазерного луча, поглощаемого изолирующей покровной пленкой. Следовательно, более высокая мощность поглощается в концевой части ширины лазерного сканирования в листе стали, чем в центральной части. Следовательно, риск возникновения дефектов в стеклянной покровной пленке увеличивается.
[0011]
Для того, чтобы решить эту проблему, можно рассмотреть уменьшение поглощения лазерного луча в концевой части ширины лазерного сканирования. В этой связи, например, как раскрыто в упомянутых выше Патентных документах 4 и 5, до настоящего времени была известна технология, в которой угол падения лазерного луча (линейно-поляризованного света) устанавливается близким к углу Брюстера (например, углу 45° или больше, см. п. 3 формулы изобретения Патентного документа 4 и п. 1 формулы изобретения Патентного документа 5), так что поверхность обрабатываемого объекта облучается лазерным лучом в таком состоянии, в котором поглощение лазерного луча всегда максимизировано. Однако технология для активного уменьшения поглощения лазерного луча в конкретном положении облучения в предшествующем уровне техники не была востребована.
[0012]
Настоящее изобретение было сделано с учетом вышеизложенных обстоятельств, и его задачей является предложить устройство лазерной обработки, способное подавлять образование дефектов в стеклянной покровной пленке.
СРЕДСТВА ДЛЯ РЕШЕНИЯ ПРОБЛЕМЫ
[0013]
Для того, чтобы решить указанную проблему, настоящее изобретение использует следующие меры.
(1) Один аспект настоящего изобретения предлагает устройство лазерной обработки для измельчения магнитных доменов листа электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой путем фокусирования лазерного луча на лист электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой и сканирования в направлении сканирования, причем лазерный луч, сфокусированный на лист электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой, представляет собой линейно-поляризованный свет, а угол между направлением линейной поляризации и направлением сканирования составляет больше чем 45° и равен или меньше чем 90°.
[0014]
(2) В устройстве лазерной обработки, описанном в пункте (1), максимальный угол φMAX падения лазерного луча на лист электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой может удовлетворять следующему условному выражению (1).
1/cosφMAX ≤ 1,19 …(1)
[0015]
(3) В устройстве лазерной обработки, описанном в пункте (1) или (2), длина волны лазерного луча, сфокусированного на лист электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой, может быть выше чем 7 мкм.
[0016]
(4) Устройство лазерной обработки, описанное в любом из пунктов (1) - (3), может дополнительно включать в себя лазерный осциллятор, который испускает лазерный луч, и лазерный осциллятор может быть CO2- лазер, который испускает линейно-поляризованный свет.
[0017]
(5) В устройстве лазерной обработки, описанном в любом из пунктов (1) - (4), форма лазерного луча, сфокусированного на лист электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой, может представлять собой эллипс, и направление малой оси этого эллипса может быть перпендикулярным направлению сканирования.
ЭФФЕКТЫ НАСТОЯЩЕГО ИЗОБРЕТЕНИЯ
[0018]
В соответствии с указанным аспектом может быть предотвращено образование дефектов в стеклянной покровной пленке.
КРАТКОЕ ОПИСАНИЕ ЧЕРТЕЖЕЙ
[0019]
Фиг. 1 представляет собой вид в разрезе листа 10 электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой в соответствии с одним вариантом осуществления настоящего изобретения.
Фиг. 2 представляет собой блок-схему, показывающую один пример процесса производства листа 10 электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой в соответствии с одним вариантом осуществления настоящего изобретения.
Фиг. 3 схематически показывает один пример конфигурации устройства 100 лазерной обработки в соответствии с одним вариантом осуществления настоящего изобретения.
Фиг. 4 схематически показывает один пример конфигурации устройства 106 лазерного облучения в соответствии с одним вариантом осуществления настоящего изобретения.
Фиг. 5 показывает форму лазерного луча, сфокусированного на листе 10 электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой.
Фиг. 6 схематически показывает состояния лазерного луча, падающего на лист 10 электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой.
Фиг. 7A показывает длину пути e1 в изолирующей покровной пленке 16 и длину пути e1' в стеклянной покровной пленке 14 лазерного луча, падающего на изолирующую покровную пленку 16 в центральной части P1 ширины L лазерного сканирования.
Фиг. 7B показывает длину пути e2 в изолирующей покровной пленке 16 и длину пути e2' в стеклянной покровной пленке 14 лазерного луча, падающего на изолирующую покровную пленку 16 в концевой части P2 ширины L лазерного сканирования.
Фиг. 8 схематически показывает соотношение между направлением линейной поляризации и направлением сканирования лазерного луча.
Фиг. 9A показывает направление колебаний электрического поля P-поляризованного света в том случае, когда линейно-поляризованный свет LB падает на поверхность листа 10 электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой под углом падения φ.
Фиг. 9B показывает направление колебаний электрического поля S-поляризованного света в том случае, когда линейно-поляризованный свет LB падает на поверхность листа 10 электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой под углом падения φ.
Фиг. 10 представляет собой график, показывающий поглощение P-поляризованного света и S-поляризованного света лазерного луча у верхней поверхности основного стального материала 12.
Фиг. 11 показывает один пример модификации устройства 106 лазерного облучения.
ВАРИАНТ ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ НАСТОЯЩЕГО ИЗОБРЕТЕНИЯ
[0020]
Один вариант осуществления настоящего изобретения будет подробно описан ниже со ссылками на сопроводительные чертежи. В настоящем описании и чертежах те элементы, которые имеют по существу те же самые функциональные конфигурации, обозначаются одинаковыми ссылочными позициями, и соответствующие их описания не повторяются.
[0021]
<Краткое описание листа электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой>
Лист электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой представляет собой лист электротехнической стали, в котором ось легкого намагничивания зерен стального листа (направление <100> объемноцентрированного кубического кристалла) по существу совпадает с направлением прокатки в производственном процессе. В описанном выше лист электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой образуется ряд магнитных доменов, направление намагничивания которых совпадает с направлением прокатки, и эти магнитные домены разделяются доменными стенками. Лист электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой легко намагничивается в направлении прокатки и таким образом является подходящим в качестве материала сердечника трансформатора, в котором направления силовых линий магнитного поля являются по существу постоянными.
Сердечники для трансформатора грубо классифицируются на ленточные сердечники и шихтованные сердечники. В процессе производства ленточного сердечника стальной лист собирается в форму сердечника путем придания ему наматывающей деформации с последующим выполнением отжига для того, чтобы удалить напряжения, созданные благодаря механической деформации. Однако в процессе отжига, как было описано выше, напряжения, созданные благодаря лазерному облучению, также удаляются, и таким образом эффект измельчения магнитных доменов теряется. С другой стороны, в процессе производства шихтованного сердечника описанный выше процесс отжига для удаления напряжений является ненужным. Следовательно, лист электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой в соответствии с настоящим вариантом осуществления является особенно подходящим в качестве материала для шихтованных сердечников.
[0022]
Фиг. 1 представляет собой вид в разрезе листа 10 электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой в соответствии с этим вариантом осуществления. Как показано на Фиг. 1, лист 10 электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой включает в себя тело 12 листа стали (основой стальной материал), стеклянные покровные пленки 14, сформированные на обеих поверхностях тела 12 листа стали, а также изолирующей покровной пленки 16, сформированные на стеклянных покровных пленках 14.
[0023]
Тело 12 листа формируется из железного сплава, содержащего Si. Состав тела 12 листа стали включает в себя, в качестве примера, Si: 2,5 мас.% или больше и 4,0 мас.% или меньше, C: 0,02 мас.% или больше и 0,10 мас.% или меньше, Mn: 0,05 мас.% или больше и 0,20 мас.% или меньше, растворимый в кислоте Al: 0,020 мас.% или больше и 0,040 мас.% или меньше, N: 0,002 мас.% или больше и 0,012 мас.% или меньше, S: 0,001 мас.% или больше и 0,010 мас.% или меньше, P: 0,01 мас.% или больше и 0,04 мас.% или меньше, а также Fe и неизбежные примеси в качестве остатка. Например, толщина тела 12 листа стали составляет 0,1 мм или больше и 0,4 мм или меньше.
[0024]
Например, стеклянная покровная пленка 14 формируется из сложных оксидов, таких как форстерит (Mg2SiO4), шпинель (MgAl2O4) и кордиерит (Mg2Al4Si5O16). Например, толщина стеклянной покровной пленки 14 составляет 1 мкм.
[0025]
Например, изолирующая покровная пленка 16 формируется из жидкости покрытия, содержащей прежде всего коллоидный кремнезем и фосфат (фосфат магния, фосфат алюминия и т.п.), или жидкости покрытия, в которой золь глинозема и борная кислота смешаны вместе. Например, толщина изолирующей покровной пленки 16 составляет 2 мкм или больше и 3 мкм или меньше.
[0026]
В листе 10 электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой, имеющем вышеописанную конфигурацию, лазерный луч испускается в направлении верхней стороны изолирующей покровной пленки 16 таким образом, что остаточные деформации придаются линейным областям, по существу перпендикулярным направлению прокатки. Линейные области, которым придаются остаточные деформации, формируются с предопределенными интервалами в направлении прокатки. В областях, которые существуют между двумя линейными областями и являются намагниченными в направлении прокатки, ширины магнитных доменов в направлении, по существу перпендикулярном направлению прокатки, уменьшаются.
[0027]
<Способ производства листа электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой>
Способ производства листа 10 электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой в соответствии с этим вариантом осуществления будет описан со ссылкой на Фиг. 2. Фиг. 2 представляет собой блок-схему, показывающую один пример процесса производства листа 10 электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой в соответствии с этим вариантом осуществления.
[0028]
Как показано на Фиг. 2, процесс производства листа 10 электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой включает в себя процесс S2 литья, процесс S4 горячей прокатки, процесс S6 отжига, процесс S8 холодной прокатки, процесс S10 обезуглероживающего отжига, процесс S12 нанесения разделительного средства отжига, процесс S14 окончательного финишного отжига, процесс S16 формирования изолирующей покровной пленки и процесс S18 лазерного облучения.
[0029]
В процессе S2 литья расплавленная сталь с предопределенным составом подается к машине непрерывного литья для непрерывного формирования слитка. В процессе S4 горячей прокатки горячая прокатка выполняется путем нагревания слитка до предопределенной температуры (например, от 1150°C до 1400°C). Соответственно, формируется горячекатаный материал, имеющий предопределенную толщину (например, от 1,8 до 3,5 мм).
[0030]
В процессе S6 отжига термическая обработка горячекатаного материала выполняется, например, при условиях температуры нагрева от 750°C до 1200°C и времени нагрева от 30 с до 10 мин. В процессе S8 холодной прокатки поверхность горячекатаного материала травится, и после этого выполняется его холодная прокатка. Соответственно, формируется холоднокатаный материал, имеющий предопределенную толщину (например, от 0,1 до 0,4 мм).
[0031]
В процессе S10 обезуглероживающего отжига термическая обработка холоднокатаного материала выполняется, например, при условиях температуры нагрева от 700°C до 900°C и времени нагрева от 1 до 3 мин, формируя тем самым тело 12 стального листа. Оксидная пленка, содержащая главным образом кремнезем (SiO2), формируется на поверхности тела 12 листа стали. В процессе S12 нанесения разделительного средства отжига разделительное средство отжига, содержащее главным образом оксид магния (MgO), формируется на оксидном слое тела 12 листа стали.
[0032]
В процессе S14 окончательного финишного отжига тело 12 листа стали, на которое нанесено разделительное средство отжига, помещается в печь периодического действия в виде намотанного рулона и подвергается термической обработке. Условиями такой термической обработки являются, например, температура нагрева от 1100°C до 1300°C и время нагрева от 20 до 24 час. В это время так называемые зерна Госса, у которых ось легкого намагничивания совпадает с направлением транспортировки (направлением прокатки) тела 12 листа стали, предпочтительно растут. В результате может быть получен лист электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой, который имеет высокую степень кристаллической ориентации (ориентации) после финишного отжига. В дополнение к этому, в процессе S14 окончательного финишного отжига оксидный слой и разделительное средство отжига реагируют друг с другом таким образом, что стеклянная покровная пленка 14, сформированная из форстерита (Mg2SiO4), образуется на поверхности тела 12 листа стали.
[0033]
В процессе S16 формирования изолирующей покровной пленки тело 12 листа стали, которое намотано в рулон, разматывается и растягивается в форму плоского листа для транспортировки. В дополнение к этому, изолирующее средство наносится на стеклянные покровные пленки 14, сформированные на обеих поверхностях тела 12 листа стали, и полученный лист запекается, формируя тем самым изолирующие покровные пленки 16. Тело 12 листа стали, на котором сформированы изолирующие покровные пленки 16, сматывается в рулон.
[0034]
В процессе S18 лазерного облучения тело 12 листа стали, которое намотано в рулон, разматывается и растягивается в форму плоского листа для транспортировки. В дополнение к этому, лазерный луч фокусируется и облучает одну поверхность тела 12 листа стали устройством лазерного облучения, которое будет описано позже, и лазерный луч развертывается по существу вдоль направления ширины листа электротехнической стали, транспортируемого в направлении прокатки (направлении транспортировки). Соответственно, линейные напряжения, которые по существу перпендикулярны направлению прокатки, формируются на поверхности тела 12 листа стали с предопределенными интервалами в направлении прокатки. В дополнение к этому, фокусировка и сканирование лазерного луча также могут быть выполнены на обеих поверхностях, включая переднюю поверхность и заднюю поверхность тела 12 листа стали. В дополнение к этому, выше описано, что тело 12 листа стали, на котором формируются изолирующей покровной пленки 16, сматывается в рулон, а затем подвергается процессу S18 лазерного облучения. Однако лазерное облучение может быть выполнено немедленно после формирования изолирующих покровных пленок и уже после этого тело 12 листа стали может быть смотано в рулон.
[0035]
В описанном выше производственном процессе производится лист 10 электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой, в котором стеклянные покровные пленки 14 и изолирующей покровной пленки 16 формируются на поверхности тела 12 листа стали и управление магнитными доменами осуществляется с помощью лазерного облучения.
[0036]
<Конфигурация устройства лазерной обработки>
Один пример конфигурации устройства 100 лазерной обработки, которое облучает лист 10 электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой лазерным лучом для создания остаточных деформаций, будет описан со ссылками на Фиг. 3 и Фиг. 4. Фиг. 3 схематически показывает пример конфигурации устройства 100 лазерной обработки в соответствии с данным вариантом осуществления. Фиг. 4 схематически показывает один пример конфигурации одиночного устройства 106 лазерного облучения.
[0037]
Устройство 100 лазерной обработки испускает лазерный луч в направлении верхней стороны изолирующей покровной пленки 16 листа 10 электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой, транспортируемого в направлении прокатки с предопределенной скоростью, для того, чтобы создать линейные деформации, проходящие по существу перпендикулярно направлению прокатки. Как показано на Фиг. 3, устройство 100 лазерной обработки включает в себя ряд лазерных осцилляторов 102, ряд путей 104 распространения лазерного луча, а также ряд устройств 106 лазерного облучения. На Фиг. 3 показаны три лазерных осциллятора 102, три пути 104 распространения лазерного луча и три устройства 106 лазерного облучения показывают, и все они имеют одинаковые конфигурации.
[0038]
Например, лазерный осциллятор 102 испускает лазерный луч с выходной мощностью 100 Вт или больше. В дополнение к этому, как будет описано позже, в качестве лазерного осциллятора 102 предпочтительным является осциллятор, который испускает лазерный луч с длиной волны более 7 мкм. В качестве лазерного осциллятора 102, например, используется CO2 лазер с длиной волны лазерного луча 10,6 мкм. Кроме того, в этом варианте осуществления лазерный осциллятор 102 испускает линейно-поляризованный лазерный луч, имеющий предопределенное направление поляризации. Причина, по которой используется линейно-поляризованный лазерный луч, будет описана позже. Лазерный осциллятор 102 может быть либо непрерывным лазером, либо импульсным лазером.
Лазерный свет, имеющий компонент электрического поля (линейно-поляризованный компонент), который колеблется только в одном направлении, является идеальным для линейно-поляризованного лазера в настоящем изобретении. Строго говоря, компонент электрического поля, который является перпендикулярным линейно-поляризованному компоненту (ортогональный компонент) существует в очень небольшой степени. Отношение между мощностью линейно-поляризованного компонента и мощностью ортогонального компонента зависит от эффективности описанного выше поляризационного расщепителя 124 пучка, а также от эффективности лазерного осциллятора 102. Когда принимается, что мощность линейно-поляризованного компонента равна PW1 и мощность ортогонального компонента равна PW2, и (PW1/(PW1+PW2)) определяется как степень поляризации, линейно-поляризованный свет в настоящем изобретении имеет степень поляризации 0,9 или выше и ниже чем 1,0. Таким образом, в том случае, когда использовался линейно-поляризованный лазер, имеющий степень поляризации 0,9 или выше и ниже чем 1,0 (90% или выше и ниже чем 100%), были получены результаты Примеров, которые будут описаны позже. В дополнение к этому, путем расщепления линейно-поляризованного света с использованием ортогональной призмы и т.п. могут быть проанализированы соотношения линейно-поляризованных компонентов.
[0039]
Устройство 106 лазерного облучения позволяет лазерному лучу распространяться от лазерного осциллятора 102 по пути 104 распространения лазерного луча для того, чтобы сфокусироваться на листе 10 электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой таким образом, чтобы лазерный луч развертывался на листе 10 электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой вдоль направления, по существу перпендикулярного направлению прокатки. Ширина, сканируемая лазерным лучом с помощью одиночного устройства 106 лазерного облучения, может быть меньше, чем ширина листа 10 электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой. Однако, как показано на Фиг. 3, путем расположения нескольких устройств 106 лазерного облучения в направлении ширины вся ширина листа 10 электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой может быть просканирована лазерным лучом.
[0040]
Как показано на Фиг. 4, устройство 106 лазерного облучения включает в себя λ/2 пластинку 125, металлическое зеркало 126, многоугольное зеркало 128 и параболическое зеркало 130.
[0041]
λ/2 пластинка 125 вставляется для того, чтобы отрегулировать направление линейной поляризации путем изменения его угла поворота. В том случае, когда направление линейной поляризации на листе стали следует предопределенному направлению, которое будет описано позже, λ/2 пластинка 125 может быть опущена. В качестве элемента для изменения направления линейной поляризации вместо λ/2 пластинки 125 может использоваться фарадеевский вращатель и т.п.
[0042]
В вышеприведенном описании лазерный луч, испускаемый лазерным осциллятором 102, является линейно-поляризованным светом. Однако лазерный луч, испускаемый лазерным осциллятором 102, не обязательно должен быть линейно-поляризованным светом. В том случае, когда лазерный луч, испускаемый лазерным осциллятором 102, является неполяризованным светом, поляризационный расщепитель пучка может быть установлен перед λ/2 пластинкой 125 для того, чтобы преобразовывать неполяризованный свет в линейно-поляризованный свет. Когда поляризационный расщепитель пучка располагается так, чтобы он мог вращаться вокруг центральной оси лазерного луча, направление линейной поляризации на поверхности стального листа может быть отрегулировано к предопределенному направлению даже тогда, когда λ/2 пластинка 125 не устанавливается. Как было описано выше, линейно-поляризованный лазерный луч может распространяться к металлическому зеркалу 126. Причина, по которой лазерный луч представляет собой линейно-поляризованный свет, будет описана позже.
[0043]
Металлическое зеркало 126 является зеркалом, которое сжимает и регулирует диаметр падающего лазерного луча в направлении ширины (см. Фиг. 5) листа 10 электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой. В качестве металлического зеркала 126 могут использоваться, например, цилиндрическое зеркало или параболическое зеркало, имеющее кривизну в одноосном направлении. Лазерный луч, отраженный металлическим зеркалом 126, падает на многоугольное зеркало 128, которое вращается с предопределенной угловой скоростью.
[0044]
Многоугольное зеркало 128 является вращающимся многогранником и развертывает лазерный луч на листе 10 электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой вдоль направления его ширины по мере того, как многоугольное зеркало 128 вращается. В то время как лазерный луч падает на одну сторону многогранника многоугольного зеркала 128, одна линейная область на листе 10 электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой вдоль направления ширины сканируется лазерным лучом по мере того, как эта сторона поворачивается, так что остаточная деформация формируется в этой линейной области. Поскольку многоугольное зеркало вращается, сканирование лазерного луча выполняется многократно, и лист 10 электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой одновременно транспортируется в направлении прокатки. В результате область, имеющая линейную остаточную деформацию, периодически формируется на листе 10 электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой в направлении прокатки. Интервал между линейными областями вдоль направления прокатки регулируется скоростью транспортировки листа 10 электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой, а также угловой скоростью многоугольного зеркала 128.
[0045]
Параболическое зеркало 130 является зеркалом, которое сжимает и регулирует диаметр лазерного луча, отражаемого многоугольным зеркалом 128, в направлении прокатки. Лазерный луч, отраженный параболическим зеркалом 130, фокусируется на поверхности листа 10 электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой.
[0046]
Фиг. 5 показывает форму лазерного луча, сфокусированного на листе 10 электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой. В этом варианте осуществления форма сфокусированного лазерного луча представляет собой эллипс, как показано на Фиг. 5. Направление большой оси этого эллипса является параллельным направлению сканирования лазерного луча, а направление малой оси эллипса является перпендикулярным направлению сканирования. Другими словами, направление малой оси эллипса является параллельным направлению прокатки. За счет установки эллиптической формы сфокусированного лазерного луча время облучения лазерным лучом одной точки на листе 10 электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой увеличивается. В результате температура листа 10 электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой может быть увеличена в направлении его глубины, что является эффективным для уменьшения потерь в сердечнике. Поскольку диаметр луча в направлении ширины сжимается металлическим зеркалом 126, а диаметр луча в направлении прокатки сжимается параболическим зеркалом 130, форма сфокусированного лазерного луча становится эллиптической. В дополнение к этому, когда форма сфокусированного лазерного луча является эллиптической, площадь сфокусированного лазерного луча увеличивается по сравнению с тем случаем, когда форма сфокусированного лазерного луча представляет собой идеальный круг, что приводит к снижению удельной мощности. В результате предотвращается резкий температурный градиент вдоль направления толщины в непосредственной близости от поверхности листа 10 электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой, что является эффективным для подавления образования дефектов в стеклянной покровной пленке 14.
[0047]
В вышеприведенном описании проиллюстрирован случай, в котором форма лазерного луча, сфокусированного на листе 10 электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой, является эллиптической, но настоящее изобретение не ограничивается этим. Например, форма сфокусированного лазерного луча также может представлять собой идеальный круг.
[0048]
В этом варианте осуществления предпочтительно, чтобы распределение интенсивности лазерного луча задавалось таким образом, чтобы диаметр луча (ширина, включающая в себя 86% интегрированной интенсивности) в направлении прокатки был равен 200 мкм или меньше. Соответственно, формируются более узкие магнитные домены циркулирующего тока при дополнительном подавлении расширения теплопроводности в направлении прокатки, что значительно уменьшает потери в сердечнике. Кроме того, для того, чтобы надежно уменьшить потери в сердечнике, более предпочтительно, чтобы диаметр луча был равен 120 мкм или меньше.
[0049]
<Угол падения лазерного луча по ширине лазерного сканирования>
Когда устройство 106 лазерного облучения сканирует поверхность листа 10 электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой лазерным лучом с предопределенной шириной лазерного сканирования, углы падения лазерного луча на поверхность листа 10 электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой в центральной части и в концевой части ширины лазерного сканирования отличаются друг от друга.
[0050]
Фиг. 6 схематически показывает углы падения лазерного луча на лист 10 электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой. Когда устройство 106 лазерного облучения сканирует лазерный луч по предопределенной ширине L лазерного сканирования в направлении сканирования, как показано на Фиг. 6, угол падения лазерного луча на центральную часть P1 ширины L лазерного сканирования отличается от угла падения лазерного луча на концевые части P2 и P3 ширины L лазерного сканирования. В частности, лазерный луч, отраженный параболическим зеркалом 130 устройства 106 лазерного облучения падает перпендикулярно к поверхности (изолирующей покровной пленки 16) листа 10 электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой в центральной части P1 ширины L лазерного сканирования. С другой стороны, лазерный луч наклонно падает на поверхность листа 10 электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой (под углом падения φ относительно нормального направления к поверхности) в обеих концевых частях P2 и в P3 ширины L лазерного сканирования.
Таким образом, в том случае, когда положение лазерного луча совпадает с центральной частью Р1 ширины L лазерного сканирования, угол между перпендикулярным направлением (нормальным направлением) к поверхности листа 10 электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой и направлением распространения лазерного луча (угол φ падения лазерного луча) становится равным 0°. С другой стороны, по мере того, как положение пятна лазерного луча приближается к концевой части P2 или P3 ширины L лазерного сканирования, угол падения φ лазерного луча увеличивается.
[0051]
Фиг. 7A и Фиг. 7B представляют собой схематические изображения, показывающие длины пути лазерного луча внутри изолирующей покровной пленки 16. Фиг. 7A показывает длину пути e1 в изолирующей покровной пленке 16 и длину пути e1' в стеклянной покровной пленке 14 лазерного луча, падающего на изолирующую покровную пленку 16 в центральной части P1 ширины L лазерного сканирования. Фиг. 7B показывает длину пути e2 в изолирующей покровной пленке 16 и длину пути e2' в стеклянной покровной пленке 14 лазерного луча, падающего на изолирующую покровную пленку 16 в концевой части P2 ширины L лазерного сканирования. Длина пути лазерного луча, падающего на изолирующую покровную пленку 16 в концевой части P3 ширины L лазерного сканирования, аналогична изображенной на Фиг. 7B.
[0052]
Коэффициент пропускания лазерного луча через изолирующую покровную пленку 16 и стеклянную покровную пленку 14 выражается как exp(-αL) согласно известному закону Бугера-Ламберта-Бэра. Здесь α означает коэффициент поглощения, а L означает длину пути. По мере того, как длина пути L увеличивается, коэффициент пропускания уменьшается. Таким образом, по мере того, как длина пути L увеличивается, мощность лазерного луча, поглощаемая внутри стеклянной покровной пленки 16 и стеклянной покровной пленки 14, увеличивается. Как видно из Фиг. 7A и Фиг. 7B, поскольку длина пути e2 (e2ʹ) больше, чем длина пути e1 (e1ʹ), количество лазерного луча, поглощаемое изолирующей покровной пленкой 16 (стеклянной покровной пленкой 14) на концевой части P2 (P3) ширины L лазерного сканирования, увеличивается. В результате более высокая мощность подается к листу 10 электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой на концевой части P2 (P3) ширины L лазерного сканирования, чем в центральной части P1, температура чрезмерно увеличивается, и дефекты легко образуются в изолирующей покровной пленке 16 или стеклянной покровной пленке 14.
[0053]
В этом варианте осуществления для решения вышеописанных проблем лазерный луч, сфокусированный на поверхности (на изолирующей покровной пленке 16) листа 10 электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой является линейно-поляризованным светом, и, как показано на Фиг. 8, угол θ между направлением линейной поляризации и направлением сканирования лазерного луча составляет больше чем 45° и равен или меньше чем 90°. Фиг. 8 схематически показывает соотношение между направлением линейной поляризации и направлением сканирования лазерного луча в том случае, когда угол падения φ лазерного луча равен 0°. Поскольку угол θ между направлением сканирования лазерного луча и направлением линейной поляризации составляет больше чем 45° и равен или меньше чем 90°, соотношение между направлением линейной поляризации и направлением сканирования лазерного луча может иметь зеркальную симметрию относительно Фиг. 8.
[0054]
Как и в этом варианте осуществления, в том случае, когда угол θ составляет больше чем 45° и равен или меньше чем 90°, как будет описано позже, поглощение лазерного луча на концевых частях P2 и P3 ширины L лазерного сканирования может быть уменьшено. Следовательно, даже когда длина пути лазерного луча на концевых частях P2 и P3 ширины L лазерного сканирования увеличивается, увеличение мощности, поглощаемой изолирующей покровной пленкой 16, может быть подавлено. В результате образование дефектов в стеклянной покровной пленке 14 на концевых частях P2 и P3 ширины L лазерного сканирования может быть подавлено.
[0055]
<Соотношение между линейно-поляризованным светом и поглощением>
Далее описывается принцип уменьшения поглощения лазерного луча за счет угла θ между направлением линейной поляризации и направлением сканирования лазерного луча.
[0056]
Часть лазерного луча, падающего на лист 10 электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой, отражается изолирующей покровной пленкой 16, и оставшаяся часть падает на изолирующую покровную пленку 16. Часть лазерного луча, падающего на изолирующую покровную пленку 16, поглощается внутри изолирующей покровной пленки 16, и оставшаяся часть достигает верхней поверхности стеклянной покровной пленки 14, так что его часть отражается, и оставшаяся часть падает на стеклянную покровную пленку 14. Часть лазерного луча, падающего на стеклянную покровную пленку 14, поглощается внутри стеклянной покровной пленки 14, и оставшаяся часть достигает верхней поверхности тела 12 листа стали (в дальнейшем также называемого основным стальным материалом), так что его часть отражается, и оставшаяся часть поглощается поверхностью тела 12 листа стали. В дополнение к этому, мощность лазерного луча, передаваемая к листу 10 электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой, зависит от поглощения лазерного луча изолирующей покровной пленкой 16 и т.п., как описано выше. Когда поглощение лазерного луча в изолирующей покровной пленке 16 и т.п. является высоким, мощность лазерного луча, передаваемая к листу 10 электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой, увеличивается.
[0057]
Однако линейно-поляризованный свет обычно включает в себя P-поляризованный свет (также называемый Р-волнами) и S-поляризованный свет (также называемый S-волнами). Известно, что поглощение P-поляризованного света и поглощение S-поляризованного света отличаются друг от друга. Следовательно, в зависимости от поглощения P-поляризованного света и S-поляризованного света изолирующей покровной пленкой 16 и т.п., мощность лазерного луча, передаваемая листу 10 электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой, изменяется.
[0058]
Фиг. 9A показывает направление колебаний электрического поля P-поляризованного света в том случае, когда линейно-поляризованный свет LB падает на поверхность листа 10 электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой под углом падения φ. Фиг. 9B показывает направление колебаний электрического поля S-поляризованного света в том случае, когда линейно-поляризованный свет LB падает на поверхность листа 10 электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой под углом падения φ. Как показано на Фиг. 9A и Фиг. 9B, в том случае, когда линейно-поляризованный свет LB падает на поверхность листа 10 электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой под углом падения φ, направление колебаний электрического поля P-поляризованного света и направление колебаний электрического поля S-поляризованного света отличаются друг от друга. В частности, во время сканирования линейно-поляризованного света электрическое поле P-поляризованного света колеблется вдоль направления двойной стрелки, показанной на Фиг. 9A, а электрическое поле S-поляризованного света колеблется вдоль перпендикулярного направления, как показано на Фиг. 9B.
[0059]
Фиг. 10 представляет собой график, показывающий поглощение P-поляризованного света и S-поляризованного света лазерного луча у верхней поверхности основного стального материала 12. Как показано на Фиг. 10, поглощение P-поляризованного света является более высоким, чем поглощение S-поляризованного света. В дополнение к этому, по мере того, как угол падения φ лазерного луча (линейно-поляризованного света) увеличивается, поглощение P-поляризованного света увеличивается, а поглощение S-поляризованного света уменьшается. Фиг. 10 показывает поглощение на верхней поверхности основного стального материала 12 после удаления изолирующей покровной пленки 16 и стеклянной покровной пленки 14 с листа 10 электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой. Однако поглощение на верхней поверхности изолирующей покровной пленки 16 и поглощение на верхней поверхности стеклянной покровной пленки 14 имеют ту же самую тенденцию, что и на Фиг. 10.
[0060]
В том случае, когда угол θ между направлением линейной поляризации и направлением сканирования лазерного луча составляет 0°, только P-поляризованный свет падает на поверхность листа 10 электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой. В том случае, когда угол θ составляет 45°, P-поляризованный свет и S-поляризованный свет падают на поверхность в равных количествах. В том случае, когда угол θ составляет 90°, только S-поляризованный свет падает на поверхность. Следовательно, в том случае, когда угол θ равен или больше 0° и меньше чем 45°, влияние P-поляризованного света по сравнению с S-поляризованным светом становится преобладающим, и по мере того, как угол падения φ увеличивается, поглощение лазерного луча увеличивается. С другой стороны, в том случае, когда угол θ больше 45° и равен или меньше чем 90°, влияние S-поляризованного света становится преобладающим, и по мере того, как угол падения φ увеличивается, поглощение лазерного луча уменьшается.
[0061]
В этом варианте осуществления для того, чтобы уменьшить поглощение лазерного луча на концевых частях P2 и P3 ширины L лазерного сканирования устройства 106 лазерного облучения, угол θ между направлением линейной поляризации и направлением сканирования лазерного луча задается большим 45° и равным или меньшим чем 90°. Соответственно, влияние S-поляризованного света по сравнению с P-поляризованным светом становится преобладающим. Следовательно, на концевых частях P2 и P3 ширины L лазерного сканирования, даже когда длина пути лазерного луча в изолирующей покровной пленке 16 и стеклянной покровной пленке 14 увеличивается, количество лазерного луча, поглощаемое изолирующей покровной пленкой 16 и стеклянной покровной пленкой 14, может быть уменьшено. В результате увеличение температуры изолирующей покровной пленки 16 и т.п. может быть подавлено, и таким образом образование дефектов стеклянной покровной пленки 14 на концевых частях P2 и P3 ширины L лазерного сканирования может быть подавлено.
[0062]
В частности, в том случае, когда угол θ между направлением линейной поляризации и направлением сканирования лазерного луча устанавливается равным 70° или больше и 90° или меньше, влияние S-поляризованного света становится более преобладающим, и количество лазерного луча, поглощаемое изолирующей покровной пленкой 16 и стеклянной покровной пленкой 14, дополнительно уменьшается, и таким образом образование дефектов в стеклянной покровной пленке 14 на концевых частях P2 и P3 ширины L лазерного сканирования может быть дополнительно подавлено.
[0063]
В дополнение к этому, в этом варианте осуществления еще более предпочтительно, чтобы длина волны лазерного луча для сканирования была больше, чем 7 мкм. В том случае, когда длина волны лазерного луча является более высокой, чем 7 мкм, изолирующая покровная пленка 16 является непрозрачной для лазерного луча, и лазерный луч легко поглощается изолирующей покровной пленкой 16 и стеклянной покровной пленкой 14. Следовательно, в том случае, когда лазерный луч с длиной волны в вышеописанном диапазоне фокусируется и сканируется на листе 10 электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой, более высокая мощность будет поглощаться изолирующей покровной пленкой 16 и стеклянной покровной пленкой 14 на концевых частях P2 и P3 ширины L лазерного сканирования при наклонном падении лазерного луча. В этой ситуации, как было описано выше, за счет установки угла θ большим, чем 45°, и равным или меньшим чем 90°, количество лазерного луча, отражаемого верхней поверхностью каждой из изолирующей покровной пленки 16 и стеклянной покровной пленки 14 на концевых частях P2 и P3 ширины L лазерного сканирования, увеличивается, а количество поглощенного лазерного луча уменьшается. Следовательно, мощность лазерного луча, попадающего во внутреннюю часть каждой из изолирующей покровной пленки 16 и стеклянной покровной пленки 14, уменьшается. В результате мощность лазерного луча, поглощенного внутри каждой из изолирующей покровной пленки 16 и стеклянной покровной пленки 14, может быть уменьшена, и таким образом эффективность этого варианта осуществления может быть дополнительно надежно показана.
[0064]
В дополнение к этому, авторы настоящего изобретения обнаружили, что когда увеличение длины пути относительно длины пути (e1+e1ʹ на Фиг. 7A, в дальнейшем называемая справочной длиной пути) в том случае, когда угол падения φ лазерного луча равен 0°, является более высоким, чем 19%, как описано выше, даже когда угол θ между направлением линейной поляризации и направлением сканирования составляет больше чем 45° и равен или меньше чем 90°, поглощение лазерного луча на концевых частях P2 и P3 ширины L лазерного сканирования не может быть в достаточной степени уменьшено (другими словами, дефекты, вероятно, будут образовываться в стеклянной покровной пленке 14 на концевых частях P2 и P3 ширины L лазерного сканирования).
Предположительно причина этого заключается в том, что когда увеличение длины пути относительно справочной длины пути составляет более 19%, увеличение количества поглощаемой мощности благодаря увеличению длины пути не может быть компенсировано понижением поглощения лазерного луча (линейно-поляризованного света).
Следовательно, для того, чтобы надежно предотвратить образование дефектов в стеклянной покровной пленке 14 по всей ширине L лазерного сканирования, предпочтительно, чтобы максимальный угол падения φMAX лазерного луча устанавливался на основе следующего условного выражения (1).
1/cosφMAX ≤ 1,19 …(1)
[0065]
В условном выражении (1) левая часть представляет собой увеличение длины пути (длину пути при максимальном угле падения φMAX) относительно справочной длины пути. Следовательно, используя условное выражение (1), может быть получен максимальный угол падения φMAX, при котором увеличение относительно справочной длины пути не превышает 19%. В соответствии с условным выражением (1) предпочтительно, чтобы максимальный угол падения φMAX составлял 33° или меньше. Например, в устройстве 106 лазерного облучения, которое использует многоугольное зеркало 128, показанное на Фиг. 4, когда количество сторон многоугольного зеркала 128 равно N, максимальный угол падения φMAX лазерного луча может быть выражен как 360°/N. Следовательно, предпочтительно, чтобы в устройстве 106 лазерного облучения, показанном на Фиг. 4, N было равно 11 или больше.
[0066]
Как показано на Фиг. 11, вместо многоугольного зеркала 128 может использоваться зеркало 140 гальванометра. Зеркало 140 гальванометра приводится в движение приводным двигателем 141 так, чтобы оно вращалось в направлениях стрелки, показанной на чертеже. Когда зеркало 140 гальванометра вращается, лист 10 электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой сканируется лазерным лучом вдоль направления его ширины (в направлении сканирования). В этой конфигурации можно управлять углом падения φ лазерного луча путем управления углом поворота зеркала 140 гальванометра. Следовательно, легко задать максимальный угол падения φMAX лазерного луча равным соответствующей величине путем использования зеркала 140 гальванометра.
[0067]
В дополнение к этому, в вышеописанном варианте осуществления лазерный осциллятор 102 испускает линейно-поляризованный лазерный луч, но настоящее изобретение не ограничивается этим. Например, лазерный осциллятор 102 может испускать неполяризованный лазерный луч, и поляризатор, такой как поляризационный расщепитель пучка, который преобразует неполяризованный лазерный луч в линейно-поляризованный свет, имеющий предопределенное направление поляризации, может быть предусмотрен перед металлическим зеркалом 126. Кроме того, величина описанного выше угла θ может быть отрегулирована путем изменения угла поворота поляризационного расщепителя пучка вокруг центральной оси лазерного луча.
[0068]
<Уменьшение магнитных доменов и дефектов в стеклянной покровной пленке>
Как было описано выше, лист 10 электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой, в котором магнитное поле прикладывается в направлении прокатки, имеет структуру, в которой структурировано множество магнитных доменов, имеющих направление намагничивания, которое по существу совпадает с направлением прокатки. Здесь для того, чтобы достичь дополнительного снижения потерь в сердечнике листа 10 электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой, будет эффективным уменьшить магнитные домены (уменьшить ширину магнитных доменов) посредством облучения лазерным лучом. В частности, эффективным будет получить магнитные домены циркулирующего тока, которые являются узкими и имеют достаточную прочность, путем создания значительного температурного градиента вдоль направления толщины в очень узкой области, которая присутствует в непосредственной близости от самого верхнего слоя листа 10 электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой в направлении прокатки.
[0069]
С другой стороны, когда температурный градиент вдоль направления толщины увеличивается, температура поверхности листа 10 электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой увеличивается. Благодаря этому увеличению температуры могут иметь место случаи, в которых дефекты, такие как дефектное отслаивание, образуются в изолирующей покровной пленке 16 или стеклянной покровной пленке 14. В частности в том случае, когда дефекты образуются в стеклянной покровной пленке 14, тело 12 листа стали становится открытым снаружи, что вызывает беспокойство насчет возможного образования ржавчины. Следовательно, существует потребность в предотвращении образования дефектов в стеклянной покровной пленке 14 при одновременном уменьшении потерь в сердечнике листа 10 электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой.
[0070]
В соответствии с этим вариантом осуществления, не только образование дефектов может быть подавлено по всей ширине L лазерного сканирования, но также может быть получен эффект уменьшения потерь в сердечнике. Таким образом, в лазерном способе управления магнитными доменами, в котором неполяризованный лазерный луч используется в предшествующем уровне техники, как описано выше, мощность лазерного луча, поглощаемого на концевых частях P2 и P3 ширины L лазерного сканирования, увеличивается благодаря увеличению длины пути, и таким образом вероятно образование дефектов в изолирующей покровной пленке 16 или стеклянной покровной пленке 14. Для того, чтобы компенсировать это, мощность лазерного луча может быть уменьшена. В этом случае, в то время как образование дефектов на концевых частях P2 и P3 может быть подавлено, мощность лазерного луча в центральной части P2 ширины L лазерного сканирования также уменьшается, что создает проблему уменьшения эффекта сокращения потерь в сердечнике. С другой стороны, в этом варианте осуществления, как было описано выше, для того, чтобы уменьшить поглощение лазерного луча на концевых частях P2 и P3 ширины L лазерного сканирования, лист 10 электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой сканируется линейно-поляризованным светом, включающим в себя S-поляризованный свет, поглощение которого уменьшается по мере того, как угол падения φ увеличивается. Здесь в центральной части P1 ширины L лазерного сканирования, поскольку линейно-поляризованный свет падает перпендикулярно к поверхности листа 10 электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой (угол падения φ, показанный на Фиг. 6 и Фиг.9, имеет малую величину), поглощение P-поляризованного света и поглощение S-поляризованного света в центральной части Р1 по существу являются одинаковыми (см. Фиг. 10). Тот факт, что нет никакой разницы в поглощении между P-поляризованным светом и S-поляризованным светом, которые составляют неполяризованное состояние, означает, что использование S-поляризованного света практически не уменьшает поглощение. Следовательно, в устройстве 100 лазерной обработки этого варианта осуществления, без уменьшения мощности лазерного луча, направляемого к листу 10 электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой в центральной части P1 ширины L лазерного сканирования, может быть уменьшена только мощность лазерного луча, поглощаемого на концевых частях P2 и P3. Соответственно, снижение потерь в сердечнике и подавление образования дефектов могут быть реализованы по всей ширине L лазерного сканирования.
[0071]
В вышеописанном варианте осуществления в качестве лазерного осциллятора 102, который испускает лазерный луч с длиной волны более 7 мкм, в качестве примера используется CO- лазер 2, но настоящее изобретение не ограничивается этим. Например, в качестве лазерного осциллятора, который испускает лазерный луч с длиной волны более 7 мкм, могут использоваться волоконный лазер, рамановские волоконные лазеры, квантово-каскадный лазер и т.п.
[0072]
В вышеописанном варианте осуществления, как показано на Фиг. 1, был описан один пример, в котором лист 10 электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой, состоящий из трехслойной структур, включающей основной стальной материал 12, стеклянную покровную пленку 14 и изолирующую покровную пленку 16, облучался лазерным лучом. Однако даже для стального листа, имеющего два слоя, включая основной стальной материал 12 и изолирующую покровную пленку 16 в качестве основной структуры без стеклянной покровной пленки 14, устройство 100 лазерной обработки этого варианта осуществления показывает эффект подавления образования дефектов в изолирующей покровной пленке 16 на концевых частях P2 и P3 ширины L лазерного сканирования. Причина этого заключается в том, что даже когда стеклянная покровная пленка 14 отсутствует, путем использования линейно-поляризованного света в качестве лазерного луча и задания угла θ в вышеописанном диапазоне количество лазерного луча, поглощаемое изолирующей покровной пленкой 16 на концевых частях P2 и P3 ширины L лазерного сканирования, может быть уменьшено. В качестве листа электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой без стеклянной покровной пленки 14, известен лист электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой, в котором поверхность основного стального материала имеет малую шероховатость и близка к зеркальной поверхности, и таким образом показывает ультранизкие характеристики потерь в сердечнике. В лист электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой, имеющем такие ультранизкие характеристики потерь в сердечнике, для того, чтобы предотвратить образование ржавчины, вызванной доступностью основного стального материала 12, важно, чтобы дефекты не образовывались в изолирующей покровной пленке 16 во время облучения лазерным лучом. Как было описано выше, устройство 100 лазерной обработки этого варианта осуществления является эффективным для подавления образования дефектов.
[0073]
<Пример>
Для того, чтобы подтвердить эффективность Примеров в соответствии с описанным выше вариантом осуществления, будет описан пример теста подтверждения в соответствии с Примерами и Сравнительными Примерами.
[0074]
Сначала был подготовлен сляб, имеющий состав, который включает Si: 3,0 мас.%, C: 0,05 мас.%, Mn: 0,1 мас.%, растворимый в кислоте Al: 0,02 мас.%, N: 0,01 мас.%, S: 0,01 мас.%, P: 0,02 мас.%, а также Fe и неизбежные примеси в качестве остатка. Горячая прокатка сляба выполнялась при температуре 1280°C, производя тем самым горячекатаный материал, имеющий толщину 2,3 мм. Затем выполнялась термическая обработка горячекатаного материала при условиях 1000°C × 1 мин. После термической обработки выполнялось травление полученного листа, а затем холодная прокатка, производя тем самым холоднокатаный материал, имеющий толщину 0,23 мм. Обезуглероживающий отжиг этого холоднокатаного материала выполнялся при условиях 800°C × 2 мин. Затем разделительное средство отжига, содержащее главным образом оксид магния, было нанесено на обе поверхности холоднокатаного материала после обезуглероживающего отжига. В дополнение к этому, холоднокатаный материал, на который было нанесено разделительное средство отжига, был помещен в печь периодического действия в виде намотанного рулона, и его финишный отжиг выполнялся при условиях 1200°C × 20 час. Соответственно, был произведен основной стальной материал (тело стального листа), имеющий стеклянные покровные пленки, сформированные на его поверхностях. Затем изолирующий материал, сформированный из фосфата алюминия, наносился на стеклянные покровные пленки и спекался (при условиях 850°C × 1 мин), формируя тем самым изолирующие покровные пленки.
[0075]
Основной стальной материал, имеющий сформированные на нем изолирующие покровные пленки и стеклянные покровные пленки, облучался лазерным лучом таким образом, чтобы напряжение было придано поверхности основного стального материала.
[0076]
В качестве устройства лазерного облучения использовалось устройство 106 лазерного облучения, показанное на Фиг. 4, а в качестве лазерного осциллятора 102 использовался лазер на CO2. В Примерах 1-4 и в Сравнительном примере 1, что касается линейно-поляризованного лазерного луча, испускаемого из лазерного осциллятора 102, лазерный луч фокусировался на и сканировал лист 10 электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой путем вращения λ/2 пластинки 125, предусмотренной между лазерным осциллятором 102 и металлическим зеркалом 126 на оптическом пути, при изменении угла θ между направлением линейной поляризации и направлением сканирования. В Сравнительном примере 2 λ/4 пластинка использовалась вместо λ/2 пластинки 125, и при условии, что поляризованный свет с круговой поляризацией использовался в качестве лазерного луча, лазерный луч фокусировался на и сканировал лист 10 электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой. Поляризованный свет с круговой поляризацией включает в себя 50% P-поляризованного света и 50% S-поляризованного света. В дополнение к этому как в Примерах, так и в Сравнительных Примерах в качестве условий облучения лазерным лучом, достигающим листа 10 электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой, мощность лазерного луча была установлена равной 2 кВт, диаметр луча в направлении сканирования был установлен равным 4 мм, диаметр луча в направлении прокатки был установлен равным 0,15 мм, и ширина развертки лазерного луча была установлена равной 500 мм.
[0077]
В дополнение к этому, образование ржавчины, вызванной образованием дефектов в стеклянной покровной пленке 14, определялось с помощью испытания на влажность. Испытание на влажность проводился в соответствии с японским промышленным стандартом JIS K 2246-5,34, и условия теста включали в себя температуру 50°C, влажность 98% и время теста 72 часа. После этого визуально проверялось, действительно ли образовалась ржавчина в той части, которая была облучена лазером. Что касается каждого из условий, были вырезаны 10 прямоугольных образцов, имеющих размер 100 мм в длину вдоль направления ширины стального листа и 500 мм в длину вдоль направления прокатки стального листа, и количество образцов, на которых образовалась ржавчина, было подсчитано и оценено.
[0078]
Результаты этого теста показаны в следующей Таблице 1. В Сравнительном примере 1 (θ=45° с линейно-поляризованным светом), в котором использовалось 50% P-поляризованного света и 50% S-поляризованного света, и в Сравнительном примере 2, в котором использовался лазерный луч с круговой поляризацией, образование ржавчины на концевой части ширины лазерного сканирования было существенным. С другой стороны, в Примерах 1-4, поскольку использовался линейно-поляризованный лазерный луч, и угол θ между направлением линейной поляризации и направлением сканирования был установлен большим, чем 45° и равным или меньшим чем 90°, образование ржавчины на концевой части ширины лазерного сканирования может быть в значительной степени подавлено. В частности, путем задания угла θ равным 70° или больше и 90° или меньше образование ржавчины может быть полностью предотвращено. Когда угол θ был равен 60°, хотя образование ржавчины на концевой части ширины лазерного сканирования не было подтверждено, было подтверждено частичное повреждение стеклянной покровной пленке 14. Поврежденная часть наблюдалась с помощью оптического микроскопа, и повреждение стеклянной покровной пленке 14 присутствовало, в то время как основной стальной материал не был виден снаружи. Предположительно именно это и служило причиной того, что ржавчина не образовалась. Когда поперечные сечения наблюдались с помощью микроскопа, в том случае, когда угол θ был равен 70° или больше, стеклянная покровная пленка 14 на концевой части ширины лазерного сканирования была целой.
[0079]
[Таблица 1]
Тип поляризации Угол θ (°) Количество образцов, в которых ржавчина образуется в центральной части Количество образцов, в которых ржавчина образуется в концевой части
Пример 1 Линейно-поляризованный свет 90 0 0
Пример 2 Линейно-поляризованный свет 80 0 0
Пример 3 Линейно-поляризованный свет 70 0 0
Пример 4 Линейно-поляризованный свет 60 0 0
Сравнительный пример 1 Линейно-поляризованный свет 45 0 3
Сравнительный пример 2 Свет с круговой поляризацией - 0 4
[0080]
Из вышеописанных результатов испытаний можно заметить, что путем задания угла θ в диапазоне, в котором влияние S-поляризованного света по сравнению с влиянием P-поляризованного света становится преобладающим, то есть путем задания угла θ больше чем 45° и равным или меньше чем 90°, поглощение лазерного луча на концевой части ширины лазерного сканирования может быть уменьшено по сравнению со случаем неполяризованного света, и в результате может быть получен эффект подавления образования ржавчины на концевой части ширины лазерного сканирования.
[0081]
В дополнение к этому, в том случае, когда максимальный угол падения φMAX лазерного луча изменялся в диапазоне от 24° до 40°, в то время как угол θ между направлением линейной поляризации и направлением сканирования был установлен равным 90°, было проверено изменение количества образцов, на которых ржавчина образовалась на концевой части ширины L лазерного сканирования. Результаты показаны в Таблице 2.
[0082]
[Таблица 2]
Максимальный угол падения φMAX (°) 1/cosφMAX Количество образцов, в которых ржавчина образуется в концевой части
24 1,09 0
30 1,15 0
33 1,19 0
36 1,24 2
40 1,31 4
[0083]
Результаты показаны в Таблице 2. Когда максимальный угол падения φMAX был равен 33°, хотя образование ржавчины на концевой части ширины лазерного сканирования не было подтверждено, было подтверждено частичное повреждение стеклянной покровной пленке 14. Поврежденная часть наблюдалась с помощью оптического микроскопа, и повреждение стеклянной покровной пленке 14 присутствовало, в то время как основной стальной материал не был виден снаружи. Это рассматривается в качестве причины, почему ржавчина не образовалась. С другой стороны, можно было заметить, что когда максимальный угол падения φMAX лазерного луча был выше 33°, количество образцов, в которых ржавчина образовалась на концевой части ширины L лазерного сканирования, быстро увеличивалось. Предположительно причина этого заключается в том, что когда максимальный угол падения φMAX лазерного луча был выше 33°, увеличение длины пути относительно справочной длины пути становилось более высоким, чем 19%. Таким образом, было экспериментально подтверждено, что для того, чтобы надежно предотвратить образование ржавчины по всей ширине L лазерного сканирования, предпочтительно, чтобы максимальный угол падения φMAX лазерного луча устанавливался на основе вышеописанного условного выражения (1).
[0084]
<Заключение>
Как было описано выше, в устройстве 100 лазерной обработки в соответствии с этим вариантом осуществления угол θ между направлением линейной поляризации света, сканирующего лист 10 электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой, и направлением сканирования лазерного луча устанавливается большим чем 45° и равным или меньше чем 90°.
[0085]
Соответственно поглощение лазерного луча на концевых частях P2 и P3 ширины L лазерного сканирования стеклянной покровной пленки 14 может быть уменьшено. Следовательно, даже при том, что длина пути лазерного луча на концевых частях P2 и P3 увеличивается благодаря наклонному падению, увеличение мощности, поглощаемой изолирующей покровной пленкой 16 и стеклянной покровной пленкой 14 на концевых частях P2 и P3, может быть подавлено. В результате образование дефектов в стеклянной покровной пленке 14 на концевых частях P2 и P3 ширины L лазерного сканирования может быть подавлено. Кроме того, как описано выше, поскольку мощность лазерного луча, поглощенная в центральной части P1 ширины L лазерного сканирования, не уменьшается, эффект сокращения потерь в сердечнике в центральной части P1 не ухудшается. Таким образом, сокращение потерь в сердечнике и предотвращение образования дефектов в стеклянной покровной пленке 14 могут быть одновременно реализованы по всей ширине L лазерного сканирования.
[0086]
В устройстве 100 лазерной обработки в соответствии с этим вариантом осуществления, поскольку могут быть достигнуты описанные выше снижение потерь в сердечнике и подавление дефектов в стеклянной покровной пленке 14, лист 10 электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой с низкими потерями в сердечнике может быть произведен с одновременным подавлением образования дефектов в стеклянной покровной пленке 14. Следовательно, причина увеличения затрат из-за повторного нанесения изолирующей покровной пленки 16 вследствие образования дефектов в стеклянной покровной пленке 14 может быть исключена. В результате лист 10 электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой с ультранизкими потерями в сердечнике может быть обеспечен с более низкими затратами. Кроме того, с точки зрения реализации снижения расхода энергии посредством глобального использования листа 10 электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой с ультранизкими потерями в сердечнике может быть достигнут большой экономический эффект.
[0087]
В то время как предпочтительный вариант осуществления настоящего изобретения был подробно описан со ссылками на приложенные чертежи, настоящее изобретение не ограничивается этими примерами. Специалистам в технической области, к которой принадлежит настоящее изобретение, должно быть понятно, что различные изменения и модификации могут быть сделаны без отхода от технической сущности, описанной в формуле изобретения, и следует понимать, что эти изменения и модификации, естественно, относятся к технической области охвата настоящего изобретения.
КРАТКОЕ ОПИСАНИЕ ССЫЛОЧНЫХ ОБОЗНАЧЕНИЙ
[0088]
10: ЛИСТ ЭЛЕКТРОТЕХНИЧЕСКОЙ СТАЛИ С ОРИЕНТИРОВАННОЙ ЗЕРЕННОЙ СТРУКТУРОЙ
12: ТЕЛО ЛИСТА СТАЛИ
14: СТЕКЛЯННАЯ ПЛЕНКА ПОКРЫТИЯ
16: ИЗОЛИРУЮЩАЯ ПОКРОВНАЯ ПЛЕНКА
100: УСТРОЙСТВО ЛАЗЕРНОЙ ОБРАБОТКИ
102: ЛАЗЕРНЫЙ ОСЦИЛЛЯТОР
104: ПУТЬ РАСПРОСТРАНЕНИЯ ЛАЗЕРНОГО ЛУЧА
106: УСТРОЙСТВО ЛАЗЕРНОГО ОБЛУЧЕНИЯ
125: λ/2 ПЛАСТИНА
126: МЕТАЛЛИЧЕСКОЕ ЗЕРКАЛО
128: МНОГОУГОЛЬНОЕ ЗЕРКАЛО
130: ПАРАБОЛИЧЕСКОЕ ЗЕРКАЛО

Claims (11)

1. Устройство для лазерной обработки листа электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой, содержащее лазерный осциллятор, испускающий лазерный луч, причем лазерный луч, фокусируемый на лист электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой, представляет собой линейно-поляризованный свет и сканируется в направлении сканирования, и угол между направлением линейной поляризации и направлением сканирования составляет более 45° и равен или не более 90°.
2. Устройство по п. 1, которое обеспечивает максимальный угол φMAX падения лазерного луча на лист электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой в соответствии со следующим выражением (1)
1/cosφMAX ≤ 1,19 …(1)
3. Устройство по п. 1,
в котором длина волны лазерного луча, фокусируемого на лист электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой, составляет больше чем 7 мкм.
4. Устройство по п. 2, в котором длина волны лазерного луча, фокусируемого на лист электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой, составляет больше чем 7 мкм.
5. Устройство по п. 1, в котором лазерный осциллятор представляет собой CO2-лазер.
6. Устройство по п. 2, в котором лазерный осциллятор представляет собой CO2-лазер.
7. Устройство по п. 3, в котором лазерный осциллятор представляет собой CO2-лазер.
8. Устройство по п. 4, в котором лазерный осциллятор представляет собой CO2-лазер.
9. Устройство по любому из пп. 1-8, в котором форма лазерного луча, сфокусированного на лист электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой, представляет собой эллипс, и направление малой оси эллипса перпендикулярно направлению сканирования.
RU2016151358A 2014-07-03 2014-07-03 Устройство лазерной обработки RU2661977C1 (ru)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2014/067754 WO2016002036A1 (ja) 2014-07-03 2014-07-03 レーザ加工装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2661977C1 true RU2661977C1 (ru) 2018-07-23

Family

ID=55018635

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2016151358A RU2661977C1 (ru) 2014-07-03 2014-07-03 Устройство лазерной обработки

Country Status (9)

Country Link
US (1) US11498156B2 (ru)
EP (1) EP3165615B1 (ru)
JP (1) JP6341279B2 (ru)
KR (1) KR101881708B1 (ru)
CN (1) CN106471140B (ru)
BR (1) BR112016030522B1 (ru)
PL (1) PL3165615T3 (ru)
RU (1) RU2661977C1 (ru)
WO (1) WO2016002036A1 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2787182C1 (ru) * 2019-05-28 2022-12-29 ДжФЕ СТИЛ КОРПОРЕЙШН Способ изготовления сердечника двигателя

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101881708B1 (ko) * 2014-07-03 2018-07-24 신닛테츠스미킨 카부시키카이샤 레이저 가공 장치
CN113088673B (zh) * 2021-03-25 2024-05-17 苏州健雄职业技术学院 一种适用于深孔类结构激光斜冲击工艺参数设计方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6091047A (en) * 1997-08-12 2000-07-18 Nec Corporation Laser texture processing apparatus and method
WO2004083465A1 (ja) * 2003-03-19 2004-09-30 Nippon Steel Corporation 磁気特性の優れた方向性電磁鋼板とその製造方法
RU2371487C1 (ru) * 2005-11-01 2009-10-27 Ниппон Стил Корпорейшн Способ и устройство для изготовления листа текстурированной электротехнической стали с прекрасными магнитными свойствами
WO2010042833A1 (en) * 2008-10-10 2010-04-15 J.P. Sercel Associates Inc. Laser machining systems and methods with multiple beamlet laser beam delivery systems
RU2400542C1 (ru) * 2006-10-23 2010-09-27 Ниппон Стил Корпорейшн Лист текстурованной электротехнической стали, более совершенный по потерям мощности

Family Cites Families (187)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3192078A (en) * 1963-12-30 1965-06-29 Daniel I Gordon Method of making magnetic cores having rectangular hysteresis loops by bombardment with electrons
DE1804208B1 (de) * 1968-10-17 1970-11-12 Mannesmann Ag Verfahren zur Herabsetzung der Wattverluste von kornorientierten Elektroblechen,insbesondere von Wuerfeltexturblechen
GB1246756A (en) * 1969-04-16 1971-09-22 Tokyo Shibaura Electric Co Measuring dimensions of objects
BE789262A (fr) * 1971-09-27 1973-01-15 Nippon Steel Corp Procede de formation d'un film isolant sur un feuillard d'acierau silicium oriente
US3848104A (en) * 1973-04-09 1974-11-12 Avco Everett Res Lab Inc Apparatus for heat treating a surface
US3947053A (en) * 1973-05-25 1976-03-30 Vereinigte Baubeschlagfabriken Gretsch & Co. Retaining mechanism for safety ski bindings
JPS5423647B2 (ru) * 1974-04-25 1979-08-15
LU71852A1 (ru) * 1975-02-14 1977-01-05
JPS5933802B2 (ja) 1975-05-16 1984-08-18 ジェイエスアール株式会社 反応熱の利用方法
US4169976A (en) * 1976-02-27 1979-10-02 Valfivre S.P.A. Process for cutting or shaping of a substrate by laser
US4157923A (en) * 1976-09-13 1979-06-12 Ford Motor Company Surface alloying and heat treating processes
JPS5518566A (en) * 1978-07-26 1980-02-08 Nippon Steel Corp Improving method for iron loss characteristic of directional electrical steel sheet
US4304978A (en) * 1978-10-05 1981-12-08 Coherent, Inc. Heat treating using a laser
DE2918283C2 (de) * 1979-05-07 1983-04-21 Carl Baasel, Lasertechnik KG, 8000 München Gerät zur Substratbehandlung mit einem Drehspiegel od. dgl.
US4363677A (en) * 1980-01-25 1982-12-14 Nippon Steel Corporation Method for treating an electromagnetic steel sheet and an electromagnetic steel sheet having marks of laser-beam irradiation on its surface
DE3126953C2 (de) * 1981-07-08 1983-07-21 Arnold, Peter, Dr., 8000 München Verfahren zur thermischen Behandlung der Oberfläche von Werkstücken mittels eines linear polarisierten Laserstrahls
US4358659A (en) * 1981-07-13 1982-11-09 Mostek Corporation Method and apparatus for focusing a laser beam on an integrated circuit
US4456812A (en) 1982-07-30 1984-06-26 Armco Inc. Laser treatment of electrical steel
US4468551A (en) * 1982-07-30 1984-08-28 Armco Inc. Laser treatment of electrical steel and optical scanning assembly therefor
JPS5956523A (ja) * 1982-09-24 1984-04-02 Nippon Steel Corp 高磁束密度一方向性珪素鋼板の製造方法
JPS5956522A (ja) * 1982-09-24 1984-04-02 Nippon Steel Corp 鉄損の良い一方向性電磁鋼板の製造方法
US4535218A (en) * 1982-10-20 1985-08-13 Westinghouse Electric Corp. Laser scribing apparatus and process for using
US4500771A (en) * 1982-10-20 1985-02-19 Westinghouse Electric Corp. Apparatus and process for laser treating sheet material
US4645547A (en) * 1982-10-20 1987-02-24 Westinghouse Electric Corp. Loss ferromagnetic materials and methods of improvement
US4625167A (en) * 1983-07-05 1986-11-25 Sigma Research, Inc. Flaw imaging in ferrous and nonferrous materials using magneto-optic visualization
US4589190A (en) * 1984-03-23 1986-05-20 General Electric Company Fabrication of drilled and diffused junction field-effect transistors
US4724015A (en) * 1984-05-04 1988-02-09 Nippon Steel Corporation Method for improving the magnetic properties of Fe-based amorphous-alloy thin strip
US4534804A (en) * 1984-06-14 1985-08-13 International Business Machines Corporation Laser process for forming identically positioned alignment marks on the opposite sides of a semiconductor wafer
US4541035A (en) * 1984-07-30 1985-09-10 General Electric Company Low loss, multilevel silicon circuit board
US4618380A (en) * 1985-06-18 1986-10-21 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Method of fabricating an imaging X-ray spectrometer
US4683365A (en) * 1986-03-26 1987-07-28 Westinghouse Electric Corp. Laser beam transport system
US4835361A (en) * 1986-07-21 1989-05-30 Magnetic Peripherals Inc. Laser machining for producing very small parts
JPH0619112B2 (ja) 1986-09-26 1994-03-16 新日本製鐵株式会社 電磁鋼板の鉄損値改善方法
KR910009016B1 (ko) * 1987-07-20 1991-10-26 미쓰비시전기주식회사 레이저 가동장치
JPH01306088A (ja) * 1988-06-01 1989-12-11 Nippei Toyama Corp 可変ビームレーザ加工装置
JPH0252192A (ja) * 1988-08-11 1990-02-21 Toshiba Corp レーザ熱加工方法及びレーザ熱加工装置
US4963199A (en) * 1988-10-14 1990-10-16 Abb Power T&D Company, Inc. Drilling of steel sheet
US5067992A (en) * 1988-10-14 1991-11-26 Abb Power T & D Company, Inc. Drilling of steel sheet
US5089062A (en) * 1988-10-14 1992-02-18 Abb Power T&D Company, Inc. Drilling of steel sheet
US5166493A (en) * 1989-01-10 1992-11-24 Canon Kabushiki Kaisha Apparatus and method of boring using laser
US5072091A (en) * 1989-04-03 1991-12-10 The Local Government Of Osaka Prefecture Method and apparatus for metal surface process by laser beam
US5601662A (en) * 1989-06-30 1997-02-11 Kabushiki Kaisha Toshiba Method of introducing magnetic anisotropy into magnetic material
US5057664A (en) * 1989-10-20 1991-10-15 Electro Scientific Industries, Inc. Method and apparatus for laser processing a target material to provide a uniformly smooth, continuous trim profile
US5053704A (en) * 1990-01-11 1991-10-01 Pri Instrumentation, Inc. Flow imager for conductive materials
ATE124465T1 (de) * 1990-01-11 1995-07-15 Battelle Memorial Institute Verbesserung von materialeigenschaften.
JPH03216287A (ja) * 1990-01-19 1991-09-24 Fanuc Ltd レーザ切断加工方法
US5109149A (en) * 1990-03-15 1992-04-28 Albert Leung Laser, direct-write integrated circuit production system
US5223693A (en) * 1990-04-28 1993-06-29 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Optical machining apparatus
US5302802A (en) * 1990-05-23 1994-04-12 Shin Meiwa Industry Co., Ltd. Laser robot and method of controlling same, and light beam deflector and control signal generator therefor
US5180448A (en) * 1990-08-22 1993-01-19 United Container Machinery Group, Inc. Method of laser hardening corrugating rolls
FR2679477B1 (fr) * 1991-07-26 1995-11-17 Aerospatiale Procede de decoupe par faisceau laser d'un materiau recouvrant un substrat et dispositifs pour sa mise en óoeuvre.
JPH05190941A (ja) * 1992-01-14 1993-07-30 Mitsubishi Electric Corp レーザ発振器
JPH0640797A (ja) * 1992-04-23 1994-02-15 Sumitomo Electric Ind Ltd ダイヤモンドの加工方法
FR2696759B1 (fr) * 1992-10-09 1994-11-04 Alsthom Gec Procédé de nitruration d'une pièce en alliage de titane et dispositif de projection d'azote et de gaz neutre.
US5451863A (en) * 1992-10-30 1995-09-19 International Business Machines Corporation Fiber optic probe with a magneto-optic film on an end surface for detecting a current in an integrated circuit
US5356081A (en) * 1993-02-24 1994-10-18 Electric Power Research Institute, Inc. Apparatus and process for employing synergistic destructive powers of a water stream and a laser beam
US5484980A (en) * 1993-02-26 1996-01-16 General Electric Company Apparatus and method for smoothing and densifying a coating on a workpiece
US5446378A (en) * 1993-12-15 1995-08-29 Grumman Aerospace Corporation Magneto-optic eddy current imaging apparatus and method including dithering the image relative to the sensor
US6130009A (en) * 1994-01-03 2000-10-10 Litel Instruments Apparatus and process for nozzle production utilizing computer generated holograms
DE4402059C1 (de) * 1994-01-25 1995-04-27 Zeiss Carl Jena Gmbh Faraday-Mikroskop sowie Verfahren zu dessen Justierung
US5589090A (en) * 1994-01-31 1996-12-31 Song; Byung-Jun Laser cutting apparatus with means for measuring cutting groove width
US5611946A (en) * 1994-02-18 1997-03-18 New Wave Research Multi-wavelength laser system, probe station and laser cutter system using the same
US6084396A (en) * 1994-03-31 2000-07-04 Intel Corporation Method for performing quantitative measurement of DC and AC current flow in integrated circuit interconnects by the measurement of magnetic fields with a magneto optic laser probe
US5739048A (en) * 1994-05-23 1998-04-14 International Business Machines Corporation Method for forming rows of partially separated thin film elements
JP3209641B2 (ja) * 1994-06-02 2001-09-17 三菱電機株式会社 光加工装置及び方法
US5841099A (en) * 1994-07-18 1998-11-24 Electro Scientific Industries, Inc. Method employing UV laser pulses of varied energy density to form depthwise self-limiting blind vias in multilayered targets
US5593606A (en) * 1994-07-18 1997-01-14 Electro Scientific Industries, Inc. Ultraviolet laser system and method for forming vias in multi-layered targets
US5468308A (en) * 1994-08-22 1995-11-21 The Torrington Company Surface treated cast iron bearing element
US5543365A (en) * 1994-12-02 1996-08-06 Texas Instruments Incorporated Wafer scribe technique using laser by forming polysilicon
JP3141715B2 (ja) * 1994-12-22 2001-03-05 松下電器産業株式会社 レーザ加工方法
US5847960A (en) * 1995-03-20 1998-12-08 Electro Scientific Industries, Inc. Multi-tool positioning system
US5751585A (en) * 1995-03-20 1998-05-12 Electro Scientific Industries, Inc. High speed, high accuracy multi-stage tool positioning system
US5843363A (en) * 1995-03-31 1998-12-01 Siemens Aktiengesellschaft Ablation patterning of multi-layered structures
DE19519150A1 (de) * 1995-05-30 1996-12-12 Fraunhofer Ges Forschung Laserstrahlgerät und Verfahren zur Bearbeitung von Werkstücken
SE508696C2 (sv) * 1995-08-23 1998-10-26 Rheinmetall Ind Ag Draget vapenrör samt förfarande för framställning av sådant rör
US5744780A (en) * 1995-09-05 1998-04-28 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Apparatus for precision micromachining with lasers
JP3159906B2 (ja) * 1995-10-23 2001-04-23 アルプス電気株式会社 液晶表示素子の製造方法
US5894220A (en) * 1996-02-12 1999-04-13 University Of Maryland Apparatus for microscopic imaging of electrical and magnetic properties of room-temperature objects
DE19609199A1 (de) * 1996-03-09 1997-09-11 Vetter & Co Apotheker Verfahren zur Bearbeitung von Werkstücken aus festen Materialien sowie Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens
US6037565A (en) * 1996-06-17 2000-03-14 The Regents Of The University Of California Laser illuminator and optical system for disk patterning
US5736709A (en) * 1996-08-12 1998-04-07 Armco Inc. Descaling metal with a laser having a very short pulse width and high average power
US5886320A (en) * 1996-09-03 1999-03-23 International Business Machines Corporation Laser ablation with transmission matching for promoting energy coupling to a film stack
US5864430A (en) * 1996-09-10 1999-01-26 Sandia Corporation Gaussian beam profile shaping apparatus, method therefor and evaluation thereof
DE69737991T2 (de) * 1996-11-20 2008-04-30 Ibiden Co., Ltd., Ogaki Laserbearbeitungsvorrichtung, verfahren und vorrichtung zur herstellung einer mehrschichtigen, gedruckten leiterplatte
US7732732B2 (en) * 1996-11-20 2010-06-08 Ibiden Co., Ltd. Laser machining apparatus, and apparatus and method for manufacturing a multilayered printed wiring board
US6368424B1 (en) 1997-01-24 2002-04-09 Nippon Steel Corporation Grain-oriented electrical steel sheets having excellent magnetic characteristics, its manufacturing method and its manufacturing device
US5911890A (en) * 1997-02-25 1999-06-15 Lsp Technologies, Inc. Oblique angle laser shock processing
US5870421A (en) * 1997-05-12 1999-02-09 Dahm; Jonathan S. Short pulsewidth, high pulse repetition frequency laser system
US5872684A (en) * 1997-05-15 1999-02-16 International Business Machines Corporation Air bearing slider having a relieved trailing edge
JPH1147965A (ja) * 1997-05-28 1999-02-23 Komatsu Ltd レーザ加工装置
JPH11211899A (ja) * 1997-11-21 1999-08-06 Sony Corp 短波長光発生装置
US6141093A (en) * 1998-08-25 2000-10-31 International Business Machines Corporation Method and apparatus for locating power plane shorts using polarized light microscopy
JP3945951B2 (ja) * 1999-01-14 2007-07-18 日立ビアメカニクス株式会社 レーザ加工方法およびレーザ加工機
US6469275B2 (en) * 1999-01-20 2002-10-22 Lsp Technologies, Inc Oblique angle laser shock processing
DE19919688A1 (de) * 1999-04-30 2000-11-02 Rheinmetall W & M Gmbh Verfahren zur Innenbeschichtung eines Waffenrohres
US6420245B1 (en) * 1999-06-08 2002-07-16 Kulicke & Soffa Investments, Inc. Method for singulating semiconductor wafers
US6359686B1 (en) * 1999-06-29 2002-03-19 Corning Incorporated Inspection system for sheet material
JP2001105164A (ja) * 1999-10-07 2001-04-17 Sumitomo Heavy Ind Ltd レーザ穴あけ加工方法及び加工装置
JP3348283B2 (ja) * 2000-01-28 2002-11-20 住友重機械工業株式会社 レーザ加工装置及びレーザ加工用マスク並びにその製造方法
US6356337B1 (en) * 2000-03-08 2002-03-12 Anvik Corporation Two-sided substrate imaging using single-approach projection optics
US6804086B2 (en) * 2000-04-27 2004-10-12 Seagate Technology Llc Unitary crystalline slider with edges rounded by laser ablation
US6376797B1 (en) * 2000-07-26 2002-04-23 Ase Americas, Inc. Laser cutting of semiconductor materials
WO2002024396A1 (en) * 2000-09-20 2002-03-28 Electro Scientific Industries, Inc. Uv laser cutting or shape modification of brittle, high melting temperature target materials such as ceramics or glasses
US7157038B2 (en) * 2000-09-20 2007-01-02 Electro Scientific Industries, Inc. Ultraviolet laser ablative patterning of microstructures in semiconductors
US6676878B2 (en) * 2001-01-31 2004-01-13 Electro Scientific Industries, Inc. Laser segmented cutting
US6970644B2 (en) * 2000-12-21 2005-11-29 Mattson Technology, Inc. Heating configuration for use in thermal processing chambers
US7015422B2 (en) * 2000-12-21 2006-03-21 Mattson Technology, Inc. System and process for heating semiconductor wafers by optimizing absorption of electromagnetic energy
JP4176968B2 (ja) * 2001-02-14 2008-11-05 富士通株式会社 レーザ曲げ加工方法及びレーザ曲げ加工装置
US7887645B1 (en) * 2001-05-02 2011-02-15 Ak Steel Properties, Inc. High permeability grain oriented electrical steel
JP3666435B2 (ja) * 2001-09-28 2005-06-29 松下電器産業株式会社 光照射装置と光加工装置およびその加工方法
US6750423B2 (en) * 2001-10-25 2004-06-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser irradiation method, laser irradiation apparatus, and method of manufacturing a semiconductor device
SG108878A1 (en) * 2001-10-30 2005-02-28 Semiconductor Energy Lab Laser irradiation method and laser irradiation apparatus, and method for fabricating semiconductor device
TWI289896B (en) * 2001-11-09 2007-11-11 Semiconductor Energy Lab Laser irradiation apparatus, laser irradiation method, and method of manufacturing a semiconductor device
WO2003041904A1 (fr) * 2001-11-15 2003-05-22 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Appareil d'usinage a faisceau laser
US7026227B2 (en) * 2001-11-16 2006-04-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of irradiating a laser beam, and method of fabricating semiconductor devices
JP3973882B2 (ja) * 2001-11-26 2007-09-12 株式会社半導体エネルギー研究所 レーザ照射装置およびレーザ照射方法
JP2003225786A (ja) * 2002-01-30 2003-08-12 Uht Corp レーザー加工ユニット及び該レーザー加工ユニットを備えた加工装置
JP4093183B2 (ja) * 2002-03-28 2008-06-04 三菱電機株式会社 レーザ加工装置
US20050155956A1 (en) * 2002-08-30 2005-07-21 Sumitomo Heavy Industries, Ltd. Laser processing method and processing device
US7259082B2 (en) * 2002-10-03 2007-08-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing semiconductor device
JP2004128421A (ja) * 2002-10-07 2004-04-22 Semiconductor Energy Lab Co Ltd レーザ照射方法およびレーザ照射装置、並びに半導体装置の作製方法
US7919726B2 (en) * 2002-11-29 2011-04-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser irradiation apparatus, laser irradiation method, and method for manufacturing a semiconductor device
US20040195222A1 (en) * 2002-12-25 2004-10-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser irradiation method, laser irradiation apparatus, and method for manufacturing semiconductor device
US7387922B2 (en) * 2003-01-21 2008-06-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser irradiation method, method for manufacturing semiconductor device, and laser irradiation system
US7265845B2 (en) * 2003-01-27 2007-09-04 Lake Shore Cryotronics, Inc. Surface corrugation enhanced magneto-optical indicator film
US6934068B2 (en) * 2003-02-10 2005-08-23 Lake Shore Cryotronics, Inc. Magnetic field and electrical current visualization system
JP4515034B2 (ja) * 2003-02-28 2010-07-28 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
DE602004020538D1 (de) * 2003-02-28 2009-05-28 Semiconductor Energy Lab Verfahren und Vorrichtung zur Laserbestrahlung, sowie Verfahren zur Herstellung von Halbleiter.
US7304005B2 (en) * 2003-03-17 2007-12-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser irradiation apparatus, laser irradiation method, and method for manufacturing a semiconductor device
JP4373115B2 (ja) * 2003-04-04 2009-11-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP4413569B2 (ja) * 2003-09-25 2010-02-10 株式会社 日立ディスプレイズ 表示パネルの製造方法及び表示パネル
JP4357944B2 (ja) * 2003-12-05 2009-11-04 トヨタ自動車株式会社 固体レーザ加工装置およびレーザ溶接方法
EP1553643A3 (en) * 2003-12-26 2009-01-21 Sel Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser irradiation method and method for manufacturing crystalline semiconductor film
US7199330B2 (en) * 2004-01-20 2007-04-03 Coherent, Inc. Systems and methods for forming a laser beam having a flat top
US20050237895A1 (en) * 2004-04-23 2005-10-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser irradiation apparatus and method for manufacturing semiconductor device
US8525075B2 (en) * 2004-05-06 2013-09-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser irradiation apparatus
US20060000814A1 (en) * 2004-06-30 2006-01-05 Bo Gu Laser-based method and system for processing targeted surface material and article produced thereby
CN1981291B (zh) * 2004-06-30 2011-06-15 通明国际科技有限公司 基于激光的用于处理目标表面材料的方法
FR2872910B1 (fr) * 2004-07-07 2006-10-13 Nanoraptor Sa Composant optique pour l'observation d'un echantillon nanometrique, systeme comprenant un tel composant, procede d'analyse mettant en oeuvre ce composant, et leurs applications
JP4182034B2 (ja) * 2004-08-05 2008-11-19 ファナック株式会社 切断加工用レーザ装置
US7459406B2 (en) * 2004-09-01 2008-12-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser processing unit, laser processing method, and method for manufacturing semiconductor device
JP4354376B2 (ja) * 2004-09-28 2009-10-28 株式会社ディスコ レーザ加工装置
EP1803538A1 (en) * 2004-10-01 2007-07-04 Mitsuboshi Diamond Industrial Co., Ltd. Brittle material scribing method and scribing apparatus
ATE520495T1 (de) * 2004-10-25 2011-09-15 Mitsuboshi Diamond Ind Co Ltd Verfahren und vorrichtung zur bildung von rissen
KR101074408B1 (ko) * 2004-11-05 2011-10-17 엘지디스플레이 주식회사 펨토초 레이저 발생장치 및 이를 이용한 기판의 절단방법
US7851725B2 (en) * 2004-11-17 2010-12-14 Metal Improvement Company Llc Active beam delivery system with image relay
US7750266B2 (en) * 2004-11-17 2010-07-06 Metal Improvement Company Llc Active beam delivery system for laser peening and laser peening method
US7718921B2 (en) * 2004-11-17 2010-05-18 Metal Improvement Company Llc Active beam delivery system with variable optical path segment through air
US7054051B1 (en) * 2004-11-26 2006-05-30 Alces Technology, Inc. Differential interferometric light modulator and image display device
TWI305548B (en) * 2005-05-09 2009-01-21 Nippon Steel Corp Low core loss grain-oriented electrical steel sheet and method for producing the same
US7365855B2 (en) * 2005-07-08 2008-04-29 The Chinese University Of Hong Kong Optical sensing devices with SPR sensors based on differential phase interrogation and measuring method using the same
US7416621B2 (en) * 2005-07-22 2008-08-26 Gkn Sinter Metals, Inc. Laser rounding and flattening of cylindrical parts
JP5030512B2 (ja) * 2005-09-30 2012-09-19 日立ビアメカニクス株式会社 レーザ加工方法
JP5008855B2 (ja) 2005-10-26 2012-08-22 新日本製鐵株式会社 磁気特性の優れた一方向性電磁鋼板の製造方法
WO2007069516A1 (en) * 2005-12-16 2007-06-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser irradiation apparatus, laser irradiation method, and manufacturing method of semiconductor device
WO2007072837A1 (en) * 2005-12-20 2007-06-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser irradiation apparatus and method for manufacturing semiconductor device
JP5000182B2 (ja) * 2006-04-07 2012-08-15 新日本製鐵株式会社 磁気特性の優れた方向性電磁鋼板の製造方法
US8497449B1 (en) * 2006-05-26 2013-07-30 Synchron Laser Service Inc. Micro-machining of ceramics using an ytterbium fiber-laser
JP2008068270A (ja) * 2006-09-12 2008-03-27 Disco Abrasive Syst Ltd レーザー加工装置
BRPI0820742B1 (pt) * 2007-12-12 2018-02-06 Nippon Steel & Sumitomo Metal Corporation Método para fabricar uma chapa de aço eletromagnético de grão orientado cujos domínios magnéticos são controlados por irradiação de feixe de laser
CN102513701B (zh) * 2008-01-07 2015-08-19 株式会社Ihi 激光退火方法以及装置
KR101234452B1 (ko) * 2008-02-19 2013-02-18 신닛테츠스미킨 카부시키카이샤 저철손 일방향성 전자기 강판 및 그 제조 방법
US8173931B2 (en) * 2008-06-13 2012-05-08 Electro Scientific Industries, Inc. Automatic recipe management for laser processing a work piece
IT1394891B1 (it) * 2008-07-25 2012-07-20 Matteo Baistrocchi Impianto di scribing laser per il trattamento superficiale di lamierini magnetici con spot a sezione ellittica
US8659291B2 (en) * 2008-12-31 2014-02-25 Infinitum Solutions, Inc. Magneto-optical detection of a field produced by a sub-resolution magnetic structure
US8289818B2 (en) * 2008-12-31 2012-10-16 Infinitum Solutions, Inc. Magneto-optic write-head characterization using the recording medium as a transducer layer
US8327666B2 (en) * 2009-02-19 2012-12-11 Corning Incorporated Method of separating strengthened glass
US8341976B2 (en) * 2009-02-19 2013-01-01 Corning Incorporated Method of separating strengthened glass
US8187983B2 (en) * 2009-04-16 2012-05-29 Micron Technology, Inc. Methods for fabricating semiconductor components using thinning and back side laser processing
US8525073B2 (en) * 2010-01-27 2013-09-03 United Technologies Corporation Depth and breakthrough detection for laser machining
JP5701618B2 (ja) * 2010-03-04 2015-04-15 ギガフォトン株式会社 極端紫外光生成装置
US9139886B2 (en) * 2010-04-01 2015-09-22 Nippon Steel & Sumitomo Metal Corporation Grain-oriented electrical steel sheet and method for producing same
JP5696380B2 (ja) * 2010-06-30 2015-04-08 Jfeスチール株式会社 方向性電磁鋼板の鉄損改善装置および鉄損改善方法
US8828260B2 (en) * 2010-07-26 2014-09-09 Hamamatsu Photonics K.K. Substrate processing method
CN103025478B (zh) * 2010-07-26 2015-09-30 浜松光子学株式会社 基板加工方法
JP5998424B2 (ja) * 2010-08-06 2016-09-28 Jfeスチール株式会社 方向性電磁鋼板
US8427929B2 (en) * 2010-09-08 2013-04-23 Infinitum Solutions, Inc. Sub-optical-resolution kerr signal detection for perpendicular write-head characterization
JP5766423B2 (ja) * 2010-10-15 2015-08-19 三菱重工業株式会社 レーザ切断装置及びレーザ切断方法
JP6054028B2 (ja) * 2011-02-09 2016-12-27 ギガフォトン株式会社 レーザ装置および極端紫外光生成システム
JP5819149B2 (ja) 2011-09-27 2015-11-18 キヤノンマシナリー株式会社 周期構造の作成方法および周期構造の作成装置
WO2013099219A1 (ja) * 2011-12-27 2013-07-04 Jfeスチール株式会社 方向性電磁鋼板の鉄損改善装置
JP5987610B2 (ja) 2012-09-28 2016-09-07 Jfeスチール株式会社 鋼板検査装置、鋼板検査方法、および鋼板製造方法
EP2918689B1 (en) * 2012-11-08 2020-01-01 Nippon Steel Corporation Laser processing apparatus and laser irradiation method
CN103433618B (zh) * 2013-07-25 2017-07-04 长春理工大学 一种控制金属表面微纳米结构尺寸和分布的方法
US9102007B2 (en) * 2013-08-02 2015-08-11 Rofin-Sinar Technologies Inc. Method and apparatus for performing laser filamentation within transparent materials
EP3165614B1 (en) * 2014-07-03 2023-05-10 Nippon Steel Corporation Use of a laser processing apparatus and method for manufacturing a grain- oriented electromagnetic steel sheet
KR101881708B1 (ko) * 2014-07-03 2018-07-24 신닛테츠스미킨 카부시키카이샤 레이저 가공 장치

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6091047A (en) * 1997-08-12 2000-07-18 Nec Corporation Laser texture processing apparatus and method
WO2004083465A1 (ja) * 2003-03-19 2004-09-30 Nippon Steel Corporation 磁気特性の優れた方向性電磁鋼板とその製造方法
RU2371487C1 (ru) * 2005-11-01 2009-10-27 Ниппон Стил Корпорейшн Способ и устройство для изготовления листа текстурированной электротехнической стали с прекрасными магнитными свойствами
RU2400542C1 (ru) * 2006-10-23 2010-09-27 Ниппон Стил Корпорейшн Лист текстурованной электротехнической стали, более совершенный по потерям мощности
WO2010042833A1 (en) * 2008-10-10 2010-04-15 J.P. Sercel Associates Inc. Laser machining systems and methods with multiple beamlet laser beam delivery systems

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2787182C1 (ru) * 2019-05-28 2022-12-29 ДжФЕ СТИЛ КОРПОРЕЙШН Способ изготовления сердечника двигателя

Also Published As

Publication number Publication date
US11498156B2 (en) 2022-11-15
EP3165615B1 (en) 2022-12-21
EP3165615A4 (en) 2018-01-24
EP3165615A1 (en) 2017-05-10
CN106471140B (zh) 2019-02-05
CN106471140A (zh) 2017-03-01
KR101881708B1 (ko) 2018-07-24
BR112016030522B1 (pt) 2019-11-05
WO2016002036A1 (ja) 2016-01-07
JP6341279B2 (ja) 2018-06-13
KR20170015455A (ko) 2017-02-08
PL3165615T3 (pl) 2023-05-08
JPWO2016002036A1 (ja) 2017-06-22
US20170136575A1 (en) 2017-05-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2509163C1 (ru) Текстурованный лист электротехнической стали и способ его получения
RU2509813C1 (ru) Лист электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой
RU2682364C1 (ru) Электротехнический стальной лист с ориентированной зеренной структурой
RU2509814C1 (ru) Электротехническая листовая сталь с ориентированными зернами и способ ее производства
KR101641032B1 (ko) 레이저 가공 장치 및 레이저 조사 방법
JPH0532881B2 (ru)
JPS5935893A (ja) 磁性材料板の製造装置
EP3165614B1 (en) Use of a laser processing apparatus and method for manufacturing a grain- oriented electromagnetic steel sheet
ITRM990334A1 (it) Procedimento per il miglioramento di caratteristiche magnetiche in lamierini di acciaio al silicio a grano orientato mediante trattamento co
EP3751014B1 (en) Grain-oriented electrical steel sheet
RU2661977C1 (ru) Устройство лазерной обработки

Legal Events

Date Code Title Description
PD4A Correction of name of patent owner