JP6341279B2 - レーザ加工装置 - Google Patents

レーザ加工装置 Download PDF

Info

Publication number
JP6341279B2
JP6341279B2 JP2016530754A JP2016530754A JP6341279B2 JP 6341279 B2 JP6341279 B2 JP 6341279B2 JP 2016530754 A JP2016530754 A JP 2016530754A JP 2016530754 A JP2016530754 A JP 2016530754A JP 6341279 B2 JP6341279 B2 JP 6341279B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
laser beam
laser
steel sheet
polarized light
grain
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2016530754A
Other languages
English (en)
Other versions
JPWO2016002036A1 (ja
Inventor
弘二 平野
弘二 平野
今井 浩文
浩文 今井
濱村 秀行
秀行 濱村
坂井 辰彦
辰彦 坂井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nippon Steel Corp
Original Assignee
Nippon Steel Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Steel Corp filed Critical Nippon Steel Corp
Publication of JPWO2016002036A1 publication Critical patent/JPWO2016002036A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6341279B2 publication Critical patent/JP6341279B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/073Shaping the laser spot
    • B23K26/0736Shaping the laser spot into an oval shape, e.g. elliptic shape
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C21METALLURGY OF IRON
    • C21DMODIFYING THE PHYSICAL STRUCTURE OF FERROUS METALS; GENERAL DEVICES FOR HEAT TREATMENT OF FERROUS OR NON-FERROUS METALS OR ALLOYS; MAKING METAL MALLEABLE, e.g. BY DECARBURISATION OR TEMPERING
    • C21D8/00Modifying the physical properties by deformation combined with, or followed by, heat treatment
    • C21D8/12Modifying the physical properties by deformation combined with, or followed by, heat treatment during manufacturing of articles with special electromagnetic properties
    • C21D8/1277Modifying the physical properties by deformation combined with, or followed by, heat treatment during manufacturing of articles with special electromagnetic properties involving a particular surface treatment
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C21METALLURGY OF IRON
    • C21DMODIFYING THE PHYSICAL STRUCTURE OF FERROUS METALS; GENERAL DEVICES FOR HEAT TREATMENT OF FERROUS OR NON-FERROUS METALS OR ALLOYS; MAKING METAL MALLEABLE, e.g. BY DECARBURISATION OR TEMPERING
    • C21D6/00Heat treatment of ferrous alloys
    • C21D6/008Heat treatment of ferrous alloys containing Si
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/0006Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring taking account of the properties of the material involved
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/0604Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by a combination of beams
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/073Shaping the laser spot
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/073Shaping the laser spot
    • B23K26/0738Shaping the laser spot into a linear shape
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/08Devices involving relative movement between laser beam and workpiece
    • B23K26/082Scanning systems, i.e. devices involving movement of the laser beam relative to the laser head
    • B23K26/0821Scanning systems, i.e. devices involving movement of the laser beam relative to the laser head using multifaceted mirrors, e.g. polygonal mirror
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/352Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring for surface treatment
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/352Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring for surface treatment
    • B23K26/356Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring for surface treatment by shock processing
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C21METALLURGY OF IRON
    • C21DMODIFYING THE PHYSICAL STRUCTURE OF FERROUS METALS; GENERAL DEVICES FOR HEAT TREATMENT OF FERROUS OR NON-FERROUS METALS OR ALLOYS; MAKING METAL MALLEABLE, e.g. BY DECARBURISATION OR TEMPERING
    • C21D10/00Modifying the physical properties by methods other than heat treatment or deformation
    • C21D10/005Modifying the physical properties by methods other than heat treatment or deformation by laser shock processing
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C21METALLURGY OF IRON
    • C21DMODIFYING THE PHYSICAL STRUCTURE OF FERROUS METALS; GENERAL DEVICES FOR HEAT TREATMENT OF FERROUS OR NON-FERROUS METALS OR ALLOYS; MAKING METAL MALLEABLE, e.g. BY DECARBURISATION OR TEMPERING
    • C21D8/00Modifying the physical properties by deformation combined with, or followed by, heat treatment
    • C21D8/12Modifying the physical properties by deformation combined with, or followed by, heat treatment during manufacturing of articles with special electromagnetic properties
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C21METALLURGY OF IRON
    • C21DMODIFYING THE PHYSICAL STRUCTURE OF FERROUS METALS; GENERAL DEVICES FOR HEAT TREATMENT OF FERROUS OR NON-FERROUS METALS OR ALLOYS; MAKING METAL MALLEABLE, e.g. BY DECARBURISATION OR TEMPERING
    • C21D8/00Modifying the physical properties by deformation combined with, or followed by, heat treatment
    • C21D8/12Modifying the physical properties by deformation combined with, or followed by, heat treatment during manufacturing of articles with special electromagnetic properties
    • C21D8/1294Modifying the physical properties by deformation combined with, or followed by, heat treatment during manufacturing of articles with special electromagnetic properties involving a localized treatment
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C21METALLURGY OF IRON
    • C21DMODIFYING THE PHYSICAL STRUCTURE OF FERROUS METALS; GENERAL DEVICES FOR HEAT TREATMENT OF FERROUS OR NON-FERROUS METALS OR ALLOYS; MAKING METAL MALLEABLE, e.g. BY DECARBURISATION OR TEMPERING
    • C21D9/00Heat treatment, e.g. annealing, hardening, quenching or tempering, adapted for particular articles; Furnaces therefor
    • C21D9/46Heat treatment, e.g. annealing, hardening, quenching or tempering, adapted for particular articles; Furnaces therefor for sheet metals
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22CALLOYS
    • C22C38/00Ferrous alloys, e.g. steel alloys
    • C22C38/001Ferrous alloys, e.g. steel alloys containing N
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22CALLOYS
    • C22C38/00Ferrous alloys, e.g. steel alloys
    • C22C38/002Ferrous alloys, e.g. steel alloys containing In, Mg, or other elements not provided for in one single group C22C38/001 - C22C38/60
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22CALLOYS
    • C22C38/00Ferrous alloys, e.g. steel alloys
    • C22C38/02Ferrous alloys, e.g. steel alloys containing silicon
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22CALLOYS
    • C22C38/00Ferrous alloys, e.g. steel alloys
    • C22C38/04Ferrous alloys, e.g. steel alloys containing manganese
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22CALLOYS
    • C22C38/00Ferrous alloys, e.g. steel alloys
    • C22C38/06Ferrous alloys, e.g. steel alloys containing aluminium
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01FMAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F1/00Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties
    • H01F1/01Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials
    • H01F1/03Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity
    • H01F1/12Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of soft-magnetic materials
    • H01F1/14Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of soft-magnetic materials metals or alloys
    • H01F1/16Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of soft-magnetic materials metals or alloys in the form of sheets
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2101/00Articles made by soldering, welding or cutting
    • B23K2101/18Sheet panels
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/02Iron or ferrous alloys
    • B23K2103/04Steel or steel alloys
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22CALLOYS
    • C22C38/00Ferrous alloys, e.g. steel alloys

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Manufacturing Of Steel Electrode Plates (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)
  • Soft Magnetic Materials (AREA)

Description

本発明は、トランスの鉄芯等に用いられる方向性電磁鋼板に対してレーザビームを照射して磁区を細分化するレーザ加工装置に関する。
方向性電磁鋼板は、鋼板製造時の圧延方向に対して磁化されやすいという特徴を有している。そのため、方向性電磁鋼板は、一方向性電磁鋼板とも呼ばれている。方向性電磁鋼板は、トランス、回転機等の電気機器の鉄芯を構成する素材として用いられる。
方向性電磁鋼板が磁化されるとき、鉄損等のエネルギー損失が発生する。近年では、地球温暖化の進行に伴い、電気機器の省エネルギー化が世界的に求められている。従って、方向性電磁鋼板の鉄損をより低減可能な技術が必要である。
鉄損は、渦電流損とヒステリシス損とに分類される。渦電流損は、古典的渦電流損と異常渦電流損とに分類される。古典的渦電流損を低減するために、表面に絶縁皮膜が形成され且つ薄い板厚を有する方向性電磁鋼板が知られている。例えば下記特許文献1には、鋼板地鉄の表面に形成されたグラス皮膜と、グラス皮膜の表面に形成された絶縁皮膜とを有する方向性電磁鋼板が開示されている。
例えば、下記特許文献2及び3には、異常渦電流損を抑制することが可能なレーザ磁区制御法が開示されている。このレーザ磁区制御法では、絶縁皮膜が形成された方向性電磁鋼板の表面にレーザビームが照射され、方向性電磁鋼板の略幅方向(すなわち、方向性電磁鋼板の圧延方向に対して略直交する方向)に沿ってレーザビームが走査される。その結果、方向性電磁鋼板の表面(つまり、地鉄の表面)に、圧延方向に沿って複数の残留歪が周期的に形成されて、方向性電磁鋼板の磁区が細分化される。
このレーザ磁区制御法によれば、レーザビームの走査により、方向性電磁鋼板の最表層に、板厚方向に対して強い温度勾配を有する温度履歴が与えられる。このような温度履歴が与えられることにより、方向性電磁鋼板の地鉄の表面に残留歪みが発生し、その残留歪みが原因で環流磁区が形成される。この還流磁区により、180°磁壁間隔が細分化され、その結果、方向性電磁鋼板の異常渦電流損が低減される。
上記のように、地鉄表面に形成された環流磁区によって、180°磁壁間隔が細分化され、その結果、異常渦電流損が低減される。しかしながら、地鉄表面に形成された還流磁区は、ヒステリシス損を増加させる要因となる。従って、渦電流損及びヒステリシス損を含む鉄損を最小化するためには、環流磁区の幅を狭くすることが有効である。例えば、特許文献3には、優れた微小集光特性を有するTEM00モードのレーザビームを使用して、狭い領域に強い歪みを形成することにより、狭く且つ十分な強度を持った環流磁区を得る方法が開示されている。
ところで、レーザ磁区制御法におけるレーザ照射工程においては、グラス皮膜の上に絶縁皮膜を形成し、この絶縁皮膜の上からレーザビームを照射し、磁区制御を行っている。ここで、レーザビームの照射による温度上昇が原因で、絶縁皮膜およびグラス皮膜に疵が生じることがあった。ここで、疵とは、絶縁皮膜およびグラス皮膜の欠損剥離、浮き上がり、変質、変色等の皮膜損傷である。グラス皮膜に疵が発生した場合には、鋼板地鉄が外部に露出し、錆が発生してしまう恐れがある。このため、グラス皮膜に疵が生じた場合には、再度、絶縁皮膜を塗布する必要があり、工程の追加による製造コストアップの原因となる。
また、方向性電磁鋼板の製造においては、多くの熱処理が実施されるため、鋼板地鉄の圧延方向及び幅方向において、グラス皮膜や絶縁皮膜の界面構造や厚みにばらつきが生じることがある。よって、レーザ条件を調整しても、鋼板地鉄全体でグラス皮膜における疵の発生を抑制することが困難なことがあった。
日本国特開2007−119821号公報 日本国特開昭59−33802号公報 国際公開2004/083465号 日本国特開昭58−29592号公報 日本国特開平2−52192号公報
ところで、従来のレーザ磁区制御においては、絶縁皮膜が、照射されるレーザビームの波長に対して透明であるか否かによって、鋼板に対するレーザビームの吸収特性が異なる。絶縁皮膜がレーザビームの波長に対して不透明となる場合、レーザビームは絶縁皮膜内で吸収される。そして、レーザビームの伝播においては、レーザビームの吸収が生じる物質内におけるレーザビームの伝播距離(以下、経路長ともいう)が長くなるほど、レーザビームの吸収されるパワーが増加することが知られている。
そして、絶縁皮膜に対して不透明となる波長のレーザビームを用いるレーザ磁区制御の場合には、次のような問題があった。すなわち、レーザビームの走査を高速且つ効率的に実施するために、方向性電磁鋼板の表面から一定高さの位置から、1本のレーザビームを方向性電磁鋼板の幅方向に沿って直線的に走査する光学系が用いられる。
このような光学系が用いられる場合、レーザ走査幅の中央部においては、レーザビームは方向性電磁鋼板の表面に対して垂直に入射する。つまり、レーザビームの入射位置がレーザ走査幅の中央部と一致する場合、方向性電磁鋼板の表面に対して直交する方向(法線方向)とレーザビームの伝播方向とのなす角度(レーザビームの入射角φ)は、0°になる。一方、レーザビームの入射位置がレーザ走査幅の端部に近づくほど、レーザビームの入射角φは大きくなる。
このような光学系では、レーザビームの入射位置がレーザ走査幅の中央部から端部に近づくほど(レーザビームの入射角φが大きくなるほど)、絶縁皮膜およびグラス皮膜内でのレーザビームの経路長が長くなるため、絶縁皮膜に対するレーザビームの吸収が高まることになる。従って、レーザ走査幅の端部において、中央部よりも鋼板に対してより多くのパワーが付与される結果、グラス皮膜に疵が発生するリスクが高まる。
上記の問題を解決するには、レーザ走査幅の端部において、レーザビームの吸収率を下げるという案が考えられる。これに対して、例えば、上記特許文献4及び5に開示されているように、レーザビーム(直線偏光)の入射角をブリュースタ角に近い角度(例えば45°以上:特許文献4の請求項3及び特許文献5の請求項1参照)に固定し、常にレーザビームの吸収率を最大化した状態でレーザビームを処理対象物の表面に照射するという技術は従来から知られているが、特定の照射位置においてレーザビームの吸収率を積極的に下げるという技術は従来必要とされていなかった。
本発明は、上記の事情に鑑みてなされたものであり、グラス皮膜における疵の発生を抑制可能なレーザ加工装置を提供することを目的とする。
本発明は、上記課題を解決して係る目的を達成するために、以下の手段を採用する。
(1)本発明の一態様に係るレーザ加工装置は、方向性電磁鋼板にレーザビームを集光して走査方向に走査して、前記方向性電磁鋼板の磁区を細分化するためのレーザ加工装置であって、前記方向性電磁鋼板に集光されるレーザビームが、直線偏光であり、前記直線偏光の向きと、前記走査方向との成す角度が、45°超90°以下であり、前記方向性電磁鋼板に対する前記レーザビームの最大入射角φ MAX が、下記条件式(1)を満たす
1/cosφ MAX ≦1.19 …(1)
)上記(1)に記載のレーザ加工装置において、前記方向性電磁鋼板に集光されるレーザビームの波長が、7μm超であってもよい。
)上記(1)または(2)に記載のレーザ加工装置が、レーザビームを出射するレーザ発振器を更に備えてもよく、前記レーザ発振器が、直線偏光を出射するCOレーザであってもよい。
)上記(1)〜()のいずれか一項に記載のレーザ加工装置において、前記方向性電磁鋼板に集光されたレーザビームの集光形状が、楕円であり、前記楕円の短軸方向が前記走査方向に対して直交していてもよい。
上記態様によれば、グラス皮膜における疵の発生を抑制することが可能となる。
本発明の一実施形態に係る方向性電磁鋼板10の断面図である。 本発明の一実施形態に係る方向性電磁鋼板10の製造工程の一例を示すフローチャートである。 本発明の一実施形態に係るレーザ加工装置100の構成例を示す模式図である。 本発明の一実施形態に係るレーザ照射装置106の構成例を示す模式図である。 方向性電磁鋼板10上のレーザビームの集光形状を示す図である。 レーザビームの方向性電磁鋼板10への入射状態を示す模式図である。 レーザ走査幅Lの中央部P1で絶縁皮膜16に入射したレーザビームの絶縁皮膜16内の経路長e1およびグラス皮膜14内の経路長e1’を示す。 レーザ走査幅Lの端部P2で絶縁皮膜16に入射したレーザビームの絶縁皮膜16内の経路長e2およびグラス皮膜14内の経路長e2’を示す。 直線偏光の向きと、レーザビームの走査方向との関係を示す模式図である。 直線偏光LBが、入射角φで方向性電磁鋼板10の表面に入射する場合におけるP偏光の電場振動方向を示す図である。 直線偏光LBが、入射角φで方向性電磁鋼板10の表面に入射する場合におけるS偏光の電場振動方向を示す図である。 レーザビームのP偏光とS偏光の地鉄12の上表面に対する吸収率を示すグラフである。 レーザ照射装置106の変形例を示す図である。
以下に添付図面を参照しながら、本発明の一実施形態について詳細に説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
<方向性電磁鋼板の概要>
方向性電磁鋼板は、鋼板の結晶粒の磁化容易軸(体心立方晶の<100>方向)が製造工程における圧延方向に略揃っている電磁鋼板である。上記のような方向性電磁鋼板において、圧延方向と磁化方向とが一致する複数の磁区が、磁壁に仕切られた状態で配列している。このような方向性電磁鋼板は圧延方向に磁化しやすいため、磁力線の方向がほぼ一定であるトランスの鉄芯材料として適している。
トランス用のコア(鉄芯)は、巻きコアと積層コアとに大別される。巻きコアの製造工程では、鋼板に巻き変形を加えながらコアの形状に組み上げた後に、その機械的な変形で導入された歪みを除去するために焼鈍が行われる。しかしながら、この焼鈍過程においては、上述のようにレーザ照射により導入された歪みも除去されるので、磁区の細分化効果が消失してしまう。一方、積層コアの製造工程では、上記のような歪除去用の焼鈍工程は不要である。従って、本実施形態に係る方向性電磁鋼板は、特に積層コアの材料として適している。
図1は、本実施形態に係る方向性電磁鋼板10の断面図である。図1に示すように、方向性電磁鋼板10は、鋼板本体(地鉄)12と、鋼板本体12の両面に形成されたグラス皮膜14と、グラス皮膜14上に形成された絶縁皮膜16と、を有する。
鋼板本体12は、Siを含有する鉄合金で構成されている。鋼板本体12の組成は、一例として、Si;2.5質量%以上4.0質量%以下、C;0.02質量%以上0.10質量%以下、Mn;0.05質量%以上0.20質量%以下、酸可溶性Al;0.020質量%以上0.040質量%以下、N;0.002質量%以上0.012質量%以下、S;0.001質量%以上0.010質量%以下、P;0.01質量%以上0.04質量%以下、残部がFe及び不可避不純物である。鋼板本体12の厚さは、例えば0.1mm以上0.4mm以下である。
グラス皮膜14は、例えば、フォルステライト(MgSiO)、スピネル(MgAl)及びコージライト(MgAlSi16)、といった複合酸化物によって構成されている。グラス皮膜14の厚さは、例えば1μmである。
絶縁皮膜16は、例えば、コロイド状シリカとリン酸塩(リン酸マグネシウム、リン酸アルミニウムなど)を主体とするコーティング液やアルミナゾルとホウ酸を混合したコーティング液によって構成されている。絶縁皮膜16の厚さは、例えば2μm以上3μm以下である。
上述した構成の方向性電磁鋼板10においては、絶縁皮膜16の上からレーザビームが照射されることによって、圧延方向にほぼ直交する線状の領域に残留歪が付与される。残留歪が付与された線状領域は、圧延方向に所定の周期で形成され、二つの線状領域に挟まれて圧延方向に磁化が向いた領域において、圧延方向と略直交する方向の磁区幅を細分化する。
<方向性電磁鋼板の製造方法>
図2を参照しながら、本実施形態に係る方向性電磁鋼板10の製造方法について説明する。図2は、本実施形態に係る方向性電磁鋼板10の製造工程の一例を示すフローチャートである。
方向性電磁鋼板10の製造工程は、図2に示すように、鋳造工程S2と、熱間圧延工程S4と、焼鈍工程S6と、冷間圧延工程S8と、脱炭焼鈍工程S10と、焼鈍分離剤塗布工程S12と、最終仕上げ焼鈍工程S14と、絶縁皮膜形成工程S16と、レーザ照射工程S18と、を含む。
鋳造工程S2では、所定の組成に調整された溶鋼を連続鋳造機に供給して、鋳塊を連続的に形成する。熱間圧延工程S4では、鋳塊を所定温度(例えば1150〜1400℃)に加熱して熱間圧延を行う。これにより、所定厚さ(例えば1.8〜3.5mm)の熱間圧延材が形成される。
焼鈍工程S6では、熱間圧延材に対して、例えば、加熱温度750〜1200℃、加熱時間30秒〜10分の条件で熱処理を行う。冷間圧延工程S8では、熱間圧延材の表面を酸洗した後に、冷間圧延を行う。これにより、所定厚さ(例えば、0.1〜0.4mm)の冷間圧延材が形成される。
脱炭焼鈍工程S10では、冷間圧延材に対して、例えば、加熱温度700〜900℃、加熱時間1〜3分の条件で熱処理を行い、鋼板本体12を形成する。鋼板本体12の表面には、シリカ(SiO)を主体とする酸化物層が形成される。焼鈍分離剤塗布工程S12では、鋼板本体12の酸化物層の上に、マグネシア(MgO)を主体とする焼鈍分離剤を塗布する。
最終仕上げ焼鈍工程S14では、焼鈍分離剤が塗布された鋼板本体12をコイル状に巻き取った状態で、バッチ式炉内に挿入して熱処理を行う。熱処理条件は、例えば、加熱温度1100〜1300℃、加熱時間20〜24時間である。この際、鋼板本体12の搬送方向(圧延方向)と磁化容易軸とが一致した、いわゆるゴス粒が優先的に結晶成長する。この結果、仕上げ焼鈍の後に結晶方位性(結晶配向性)が高い方向性電磁鋼板が得られる。また、最終仕上げ焼鈍工程S14により、酸化物層と焼鈍分離剤が反応し、鋼板本体12の表面にフォルステライト(MgSiO)からなるグラス皮膜14が形成される。
絶縁皮膜形成工程S16では、コイル状に巻き取られた鋼板本体12を巻き解して板状に伸ばして搬送する。そして、鋼板本体12の両面に形成されたグラス皮膜14の上に絶縁剤を塗布、焼付けを行い、絶縁皮膜16を形成する。絶縁皮膜16が形成された鋼板本体12は、コイル状に巻き取られる。
レーザ照射工程S18では、コイル状に巻き取られた鋼板本体12を巻き解して板状に伸ばして搬送する。そして、後述するレーザ照射装置によって、鋼板本体12の片面に向けてレーザビームを集光・照射し、圧延方向(搬送方向)に搬送される電磁鋼板の略幅方向に走査する。これにより、鋼板本体12の表面に、圧延方向にほぼ直交する線状の歪が、圧延方向において所定間隔で形成される。なお、このレーザビームの集光、走査は、鋼板本体12の表面及び裏面の両方から行ってもよい。また、上記のように、絶縁皮膜16が形成された鋼板本体12をコイル状に巻き取ってからレーザ照射工程S18に送ると説明したが、絶縁皮膜形成直後にレーザ照射を行い、その後コイル状に巻き取ることも可能である。
以上のような製造工程により、鋼板本体12の表面にグラス皮膜14及び絶縁皮膜16が形成され、レーザ照射によって磁区制御された方向性電磁鋼板10が製造される。
<レーザ加工装置の構成>
図3及び図4を参照しながら、方向性電磁鋼板10にレーザビームを照射して残留歪を付与するレーザ加工装置100の構成例について説明する。図3は、本実施形態に係るレーザ加工装置100の構成例を示す模式図である。図4は、一つのレーザ照射装置106の構成例を示す模式図である。
レーザ加工装置100は、圧延方向に一定速度で搬送される方向性電磁鋼板10の絶縁皮膜16の上からレーザビームを照射して、圧延方向にほぼ直交する線状の歪を付与する。レーザ加工装置100は、図3に示すように、レーザ発振器102と、レーザビーム伝送路104と、レーザ照射装置106とを、それぞれ複数有する。図3では、3つのレーザ発振器102、レーザビーム伝送路104、及びレーザ照射装置106が示されているが、それぞれの構成は同様である。
レーザ発振器102は、例えば100W以上の高出力のレーザビームを出射する。また、後述するように、レーザ発振器102としては、波長が7μm超であるレーザビームを出射する発振器が好ましい。レーザ発振器102としては、例えばレーザビームの波長が10.6μmであるCOレーザが用いられる。また、レーザ発振器102は、本実施形態では、所定の偏光の向きを有する直線偏光のレーザビームを出射する。なお、直線偏光のレーザビームを用いる理由については、後述する。レーザ発振器102は、連続波レーザでもパルスレーザでも良い。
尚、本発明における直線偏光レーザとして、一方向にのみ振動する電界成分(直線偏光成分)を有するレーザ光を使用することが理想的であるが、厳密には、その直線偏光成分に対して直交する電界成分(直交成分)も極わずかに存在する。直線偏光成分のパワーと直交成分のパワーとの比は、上述の偏光ビームスプリッタ124の性能やレーザ発振器102の性能に依存する。直線偏光成分のパワーをPW1とし、その直交成分のパワーをPW2とした時、(PW1/(PW1+PW2))を偏光度として定義した場合、本発明における直線偏光は、0.9以上1.0未満の偏光度を有する。すなわち、0.9以上1.0未満(90%以上100%未満)の偏光度を有する直線偏光レーザを用いた場合に、後述の実施例の結果が得られた。なお、直交プリズムなどを用いて直線偏光を分離することにより、直線偏光成分の割合を解析することができる。
レーザ照射装置106は、レーザ発振器102からレーザビーム伝送路104により伝送されたレーザビームを方向性電磁鋼板10に集光し、圧延方向にほぼ直交する方向に走査させる。一つのレーザ照射装置106がレーザビームを走査できる幅は、方向性電磁鋼板10の板幅よりも小さいこともあるが、図3に示すようにレーザ照射装置106を板幅方向に複数配列させることにより、方向性電磁鋼板10の板幅全域に亘ってレーザビームを走査できる。
レーザ照射装置106は、図4に示すように、λ/2板125と、金属ミラー126と、ポリゴンミラー128と、放物面ミラー130と、を有する。
λ/2板125は、その回転角度を変更することにより、直線偏光の向きを調整するために挿入される。なお、鋼板面上での直線偏光の向きが、後述する所定の方向を向いている場合は、λ/2板125を省略することができる。また、直線偏光の向きを変化させる素子としては、λ/2板125の代わりにファラデーローテータ等も用いることができる。
なお、上記ではレーザ発振器102から出射されたレーザビームが直線偏光となっている形態について説明したが、レーザ発振器102から出射されるレーザビームは必ずしも直線偏光である必要はない。レーザ発振器102から出射されるレーザビームが無偏光である場合には、λ/2板125の手前に偏光ビームスプリッタを設置し、直線偏光とすれば良い。この偏光ビームスプリッタをレーザビームの中心軸周りに回転可能としておけば、λ/2板125を設置せずとも、鋼板面上での直線偏光の向きを所定の方向に調整することができる。以上のように、直線偏光のレーザビームを金属ミラー126に入射させることができる。なお、レーザビームを直線偏光にする理由については、後述する。
金属ミラー126は、入射したレーザビームの方向性電磁鋼板10の板幅方向(図5参照)のビーム径を絞り、調整するためのミラーである。金属ミラー126としては、例えば1軸方向に曲率を持った円柱ミラーや放物面ミラーを用いることができる。金属ミラー126で反射したレーザビームは、所定の回転速度で回転するポリゴンミラー128に入射する。
ポリゴンミラー128は、回転可能な多面体であり、回転することによりレーザビームを方向性電磁鋼板10の板幅方向に走査する。レーザビームがポリゴンミラー128の多面体のある一面に入射する間、その面の回転に伴って、レーザビームが方向性電磁鋼板10上の板幅方向に沿った1本の線状の領域に走査されて、その線状の領域に残留歪が付与されることになる。ポリゴンミラーの回転に伴い、このレーザビームの走査が繰り返されると同時に、方向性電磁鋼板10は圧延方向に搬送される結果、方向性電磁鋼板10上に線状の残留歪を持った領域が、圧延方向に周期的に形成されることになる。なお、線状の領域の圧延方向の周期は、方向性電磁鋼板10の搬送速度と、ポリゴンミラー128の回転速度とによって調整される。
放物面ミラー130は、ポリゴンミラー128で反射したレーザビームの圧延方向のビーム径を絞り、調整するためのミラーである。放物面ミラー130により反射されたレーザビームは、方向性電磁鋼板10の表面に集光される。
図5は、方向性電磁鋼板10上のレーザビームの集光形状を示す図である。本実施形態において、レーザビームの集光形状は、図5に示すように楕円である。この楕円の長軸方向は、レーザビームの走査方向と平行であり、楕円の短軸方向は、走査方向に対して直交する。言い換えれば、楕円の短軸方向は、圧延方向と平行である。このようにレーザビームの集光形状を楕円とすることにより、方向性電磁鋼板10のある一点に対してレーザビームの照射時間が長くなる。その結果、方向性電磁鋼板10の内部の深い位置まで温度を上昇させることができるので、鉄損の低減に有効である。なお、金属ミラー126によって板幅方向のビーム径が絞られると共に、放物面ミラー130によって圧延方向のビーム径が絞られることにより、レーザビームの集光形状が楕円となる。また、レーザビームの集光形状を楕円とすると、集光形状が真円である場合に比べて、レーザビームの集光面積が拡大することによりパワー密度が低下する。その結果、方向性電磁鋼板10の表面近傍の板厚方向に対する温度勾配が急峻になることを防止できるので、グラス皮膜14における疵の発生の抑制に有効である。
なお、上記の説明では、方向性電磁鋼板10上のレーザビームの集光形状が楕円である場合を例示したが、本発明はこれに限定されない。例えば、レーザビームの集光形状が、真円であっても良い。
また、本実施形態においては、圧延方向のビーム径(86%の積分強度が含まれる幅)が200μm以下となるように、レーザビームの強度分布を設定することが望ましい。これにより、圧延方向への熱伝導の広がりをより抑制しながら狭い環流磁区を形成することで、鉄損を大きく低減することができる。さらに、鉄損を確実に低減するには、上記ビーム径を120μm以下とすることがより望ましい。
<レーザビームのレーザ走査幅における入射状態について>
レーザ照射装置106が方向性電磁鋼板10の表面に所定のレーザ走査幅に亘ってレーザビームを走査する際に、レーザ走査幅の中央部と端部において方向性電磁鋼板10の表面に対するレーザビームの入射状態が異なる。
図6は、レーザビームの方向性電磁鋼板10への入射状態を示す模式図である。一つのレーザ照射装置106が走査方向において所定のレーザ走査幅Lにレーザビームを走査した際に、図6に示すように、レーザ走査幅Lの中央部P1におけるレーザビームの入射状態と、レーザ走査幅Lの端部P2、P3におけるレーザビームの入射状態とが、異なる。具体的には、レーザ走査幅Lの中央部P1においては、レーザ照射装置106の放物面ミラー130で反射したレーザビームが、方向性電磁鋼板10の表面(絶縁皮膜16)に垂直に入射する。一方、レーザ走査幅Lの両端部P2、P3においては、レーザビームが、方向性電磁鋼板10の表面に斜めに入射(表面の法線方向に対して入射角φで入射)する。
すなわち、レーザビームの入射位置がレーザ走査幅Lの中央部P1と一致する場合、方向性電磁鋼板10の表面に対して直交する方向(法線方向)とレーザビームの伝播方向とのなす角度(レーザビームの入射角φ)は、0°になる。一方、レーザビームの入射位置がレーザ走査幅Lの端部P2またはP3に近づくほど、レーザビームの入射角φは大きくなる。
図7A及び図7Bは、絶縁皮膜16におけるレーザビームの経路長を示す模式図である。図7Aは、レーザ走査幅Lの中央部P1で絶縁皮膜16に入射したレーザビームの絶縁皮膜16内の経路長e1およびグラス皮膜14内の経路長e1’を示す。図7Bは、レーザ走査幅Lの端部P2で絶縁皮膜16に入射したレーザビームの絶縁皮膜16内の経路長e2およびグラス皮膜14内の経路長e2’を示す。レーザ走査幅Lの端部P3で絶縁皮膜16に入射したレーザビームの経路長は、図7Bと同様である。
絶縁皮膜16の内部及びグラス皮膜14の内部でのレーザビームの透過率は、よく知られたランベルト・ベールの法則により、exp(−αL)で表される。ここで、αは吸収係数、Lは経路長である。経路長Lが長いほど、透過率が小さくなる。すなわち、経路長Lが長いほど、絶縁皮膜16の内部及びグラス皮膜14の内部で吸収されるレーザビームのパワーが大きくなる。図7A及び図7Bから明らかなように、経路長e2(e2’)は、経路長e1(e1’)よりも長いため、レーザ走査幅Lの端部P2(P3)において絶縁皮膜16(グラス皮膜14)に対するレーザビームの吸収が高まる。この結果、レーザ走査幅Lの端部P2(P3)において、中央部P1よりも方向性電磁鋼板10に対してより多くのパワーが付与されることになるため、温度が過大に上昇し、絶縁皮膜16やグラス皮膜14において疵が発生しやすくなる。
本実施形態では、上記問題を解決するために、方向性電磁鋼板10の表面(絶縁皮膜16)に集光されるレーザビームを直線偏光とすると共に、図8に示すように、直線偏光の向きと、レーザビームの走査方向との成す角度θを45°超90°以下に設定している。なお、図8は、レーザビームの入射角φが0°の場合における、直線偏光の向きと、レーザビームの走査方向との関係を示す模式図である。なお、レーザビームの走査方向と直線偏光の向きとの成す角度θが45°超90°以下であれば、直線偏光の向きと、レーザビームの走査方向との関係が図8に対して線対称的な関係であってもよい。
本実施形態のように角度θを45°超90°以下に設定する場合には、後述するように、レーザ走査幅Lの端部P2、P3におけるレーザビームの吸収率を低下させることができるため、レーザ走査幅Lの端部P2、P3においてレーザビームの経路長が長くなっても、絶縁皮膜16に吸収されるパワーの増加を抑制できる。この結果、レーザ走査幅Lの端部P2、P3においてグラス皮膜14の疵の発生を抑制できる。
<直線偏光と吸収率の関係について>
ここで、直線偏光の向きと、レーザビームの走査方向との成す角度θによって、レーザビームの吸収率が低下する原理について説明する。
方向性電磁鋼板10に入射するレーザビームは、絶縁皮膜16で一部が反射され、残りが絶縁皮膜16へ入射する。絶縁皮膜16へ入射したレーザビームは、絶縁皮膜16内部で一部が吸収され、グラス皮膜14の上表面に到達し、ここで一部が反射され、残りがグラス皮膜14へ入射する。グラス皮膜14へ入射したレーザビームは、グラス皮膜14内部で一部が吸収され、鋼板本体(以下、地鉄とも呼ぶ)12の上表面に到達し、その一部が鋼板本体12の表面で吸収される。そして、方向性電磁鋼板10に伝達されるレーザビームのパワーは、上述したように絶縁皮膜16等において吸収されるレーザビームの吸収率に左右される。絶縁皮膜16等におけるレーザビームの吸収率が大きければ、方向性電磁鋼板10に伝達されるレーザビームのパワーも大きくなる。
ところで、直線偏光は、通常、P偏光(P波とも呼ぶ)とS偏光(S波とも呼ぶ)を含む。P偏光の吸収率とS偏光の吸収率が異なることが、知られている。このため、P偏光とS偏光の絶縁皮膜16等に吸収される割合に応じて、方向性電磁鋼板10に伝達されるレーザビームのパワーも変化する。
図9Aは、直線偏光LBが、入射角φで方向性電磁鋼板10の表面に入射する場合におけるP偏光の電場振動方向を示している。図9Bは、直線偏光LBが、入射角φで方向性電磁鋼板10の表面に入射する場合におけるS偏光の電場振動方向を示している。図9A及び図9Bに示すように、直線偏光LBが、入射角φで方向性電磁鋼板10の表面に入射する場合、P偏光の電場振動方向とS偏光の電場振動方向とは、異なる。具体的には、直線偏光が走査される際に、P偏光の電場は図9Aに示す二重線矢印方向に振動し、S偏光の電場は図9Bに示すように紙面に直交する方向に振動する。
図10は、レーザビームのP偏光とS偏光の地鉄12の上表面に対する吸収率を示すグラフである。図10に示すように、P偏光の吸収率は、S偏光の吸収率よりも大きい。そして、レーザビーム(直線偏光)の入射角φが大きくなるにつれて、P偏光の吸収率が増加し、S偏光の吸収率が減少する。図10は、方向性電磁鋼板10から絶縁皮膜16とグラス皮膜14が除去されて残る地鉄12の上表面に対する吸収率を示しているが、絶縁皮膜16上表面での吸収率と、グラス皮膜14の上表面での吸収率も、図10と同様の傾向を示す。
直線偏光の向きと走査方向との成す角度θが0°の場合には、入射面(方向性電磁鋼板10の表面)に対してP偏光のみが入射する。角度θが45°の場合には、入射面に対してP偏光とS偏光が半分ずつ入射する。角度θが90°の場合には、入射面に対してS偏光のみが入射する。従って、角度θが0°以上45°未満である場合には、P偏光とS偏光のうちP偏光の影響が支配的となり、入射角φの増加とともにレーザビームの吸収率が大きくなる。一方で、角度θが45°超90°以下である場合には、S偏光の影響が支配的となり、入射角φの増加とともにレーザビームの吸収率が小さくなる。
本実施形態では、レーザ照射装置106のレーザ走査幅Lの端部P2、P3におけるレーザビームの吸収率を低下させるために、直線偏光の向きとレーザビームの走査方向との成す角度θを45°超90°以下に設定している。これにより、P偏光とS偏光のうちS偏光の影響が支配的となる。従って、レーザ走査幅Lの端部P2、P3において、絶縁皮膜16およびグラス皮膜14でのレーザビームの経路長が長くなっても、絶縁皮膜16およびグラス皮膜14へのレーザビームの吸収を低下させることができる。この結果、絶縁皮膜16等における温度上昇を抑制できるので、レーザ走査幅Lの端部P2、P3におけるグラス皮膜14の疵の発生を低減できる。
特に、直線偏光の向きとレーザビームの走査方向との成す角度θを70°以上90°以下に設定した場合には、S偏光の影響がより支配的となり、絶縁皮膜16およびグラス皮膜14へのレーザビームの吸収がより低下するので、レーザ走査幅Lの端部P2、P3におけるグラス皮膜14の疵の発生を一層低減できる。
また、本実施形態では、走査されるレーザビームの波長が、7μm超であることがより一層好ましい。レーザビームの波長が7μm超の場合には、絶縁皮膜16はレーザビームに対して不透明であり、レーザビームは絶縁皮膜16およびグラス皮膜14に吸収されやすい。このため、上記範囲の波長のレーザビームを方向性電磁鋼板10に集光・走査させる場合には、レーザビームの斜入射時にレーザ走査幅Lの端部P2、P3において多くのパワーが絶縁皮膜16およびグラス皮膜14に吸収されやすい。このような状況下において、上述したように角度θを45°超90°以下に設定することにより、レーザ走査幅Lの端部P2、P3においてレーザビームの絶縁皮膜16およびグラス皮膜14それぞれの上表面での反射が増加し吸収が減少するため、絶縁皮膜16およびグラス皮膜14のそれぞれの内部へ入射するパワーが減少する。この結果、レーザビームの絶縁皮膜16およびグラス皮膜14のそれぞれの内部で吸収されるパワーを低下させることができるので、本実施形態の有効性がより一層発揮される。
また、本願発明者は、レーザビームの入射角φが0°の場合における経路長(図7Aのe1+e1’;以下、基準経路長と呼称する)に対する経路長の拡大率が19%を超えると、上記のように、直線偏光の向きと走査方向とのなす角θを45°超90°以下に設定したとしても、レーザ走査幅Lの端部P2、P3におけるレーザビームの吸収率を十分に低下させることができない(言い換えれば、レーザ走査幅Lの端部P2、P3においてグラス皮膜14に疵が発生しやすくなる)ことを発見した。
これは、基準経路長に対する経路長の拡大率が19%を超えると、経路長の拡大に起因する吸収パワーの増加量を、レーザビーム(直線偏光)の吸収率の低下量で補えなくなることが原因と考えられる。
そこで、レーザ走査幅Lの全体にわたって確実にグラス皮膜14の疵発生を防止するために、レーザビームの最大入射角φMAXを以下の条件式(1)に基づいて設定することが好ましい。
1/cosφMAX ≦ 1.19 …(1)
上記条件式(1)において、左辺は、基準経路長に対する経路長(最大入射角φMAXの時の経路長)の拡大率を示す。従って、上記条件式(1)により、基準経路長に対する拡大率が19%を越えない最大入射角φMAXを得ることができる。上記条件式(1)より、最大入射角φMAXは33°以下であることが好ましいことがわかる。例えば、図4に示すポリゴンミラー128を使用するレーザ照射装置106においては、ポリゴンミラー128の面数をNとすると、レーザビームの最大入射角φMAXは360°/Nと表すことができる。したがって、図4に示すレーザ照射装置106においては、Nは11以上であることが好ましい。
また、図11に示すように、ポリゴンミラー128の代わりに、ガルバノミラー140を使用してもよい。このガルバノミラー140は、駆動モータ141によって図中の矢印方向に回転駆動される。ガルバノミラー140が回転することにより、レーザビームが方向性電磁鋼板10の板幅方向(走査方向)に沿って走査される。このような構成によると、ガルバノミラー140の回転角度を制御することによって、レーザビームの入射角φを制御することが可能である。従って、ガルバノミラー140を使用することにより、レーザビームの最大入射角φMAXを適切な値に設定することも容易である。
なお、上記実施形態においては、レーザ発振器102が直線偏光のレーザビームを出射することとしたが、本発明はこれに限定されない。例えば、レーザ発振器102は無偏光のレーザビームを出射し、金属ミラー126の手前に、無偏光のレーザビームを所定の偏光の向きを有する直線偏光にさせる偏光ビームスプリッタ等の偏光子を設けても良い。また、上記の偏光ビームスプリッタのレーザビームの中心軸周りの回転角度を調整することで、上述した角度θの大きさを調整しても良い。
<磁区の細分化とグラス皮膜の疵について>
ところで、圧延方向に磁界をかけられた方向性電磁鋼板10は、前述したように、圧延方向と磁化方向とがほぼ一致する磁区を複数配列した構造を有する。ここで、方向性電磁鋼板10の鉄損の更なる低減を図るためには、レーザビームの照射により磁区を細分化する(磁区を狭くする)ことが有効である。特に、方向性電磁鋼板10の最表層近傍の圧延方向に沿って存在するごく狭い幅の領域の板厚方向に対して大きな温度勾配を与えることにより、狭く且つ十分な強度を持った環流磁区を得ることが有効である。
一方で、板厚方向に対する温度勾配を大きくすると、方向性電磁鋼板10の表面の温度が上昇する。そして、温度上昇に起因して、絶縁皮膜16やグラス皮膜14に欠損剥離等の疵が生じる場合がある。特にグラス皮膜14に疵が発生した場合には、鋼板本体12が外部に露出し、錆が発生する恐れがある。このため、方向性電磁鋼板10の鉄損を低減しつつ、グラス皮膜14における疵の発生を防止する必要がある。
本実施形態によれば、レーザ走査幅Lの全体にわたり疵の発生を抑制できるのみならず、鉄損を低減する効果も得られる。すなわち、無偏光のレーザビームを用いる従来のレーザ磁区制御法においては、上述したように、レーザ走査幅Lの端部P2、P3において、経路長の拡大に起因してレーザビームのパワーの吸収が増加することにより、絶縁皮膜16やグラス皮膜14に疵が発生しやすくなる。これを補償するためには、レーザビームのパワーを低下させれば良いが、そうすると端部P2、P3での疵発生を低減できる反面、レーザ走査幅Lの中央部P2においてレーザビームのパワーまで小さくなり、鉄損低減効果が薄れるという問題があった。一方、本実施形態においては、上述したようにレーザ走査幅Lの端部P2、P3におけるレーザビームの吸収を低下させるために、入射角φの増加とともに吸収率が小さくなるS偏光を含む直線偏光を方向性電磁鋼板10上に走査している。ここで、レーザ走査幅Lの中央部P1においては、直線偏光が方向性電磁鋼板10の表面に対する垂直に入射する(図6、図9に示す入射角φが小さい)ため、中央部P1においては、P偏光とS偏光の吸収率はほぼ同じである(図10参照)。無偏光状態を構成するP偏光とS偏光の吸収率に差がないわけであるから、S偏光とすることによる吸収率の低下はほとんどない。このため、本実施形態のレーザ加工装置100によれば、レーザ走査幅Lの中央部P1において方向性電磁鋼板10に伝達されるレーザビームのパワーを低下させることなく、端部P2、P3において吸収されるレーザビームのパワーのみを減少させることができる。従って、レーザ走査幅Lの全体にわたり鉄損の低減と疵発生の抑制が実現される。
なお、上記実施形態では、波長が7μm超のレーザビームを出射するレーザ発振器102として、COレーザを例示したが、本発明はこれに限定されない。例えば、波長が7μm超のレーザビームを出射するレーザ発振器として、ファイバレーザ、ラマンファイバレーザ、量子カスケードレーザ等を用いても良い。
以上の実施形態では、図1に示すように、地鉄12、グラス皮膜14、絶縁皮膜16の3層構造から成る方向性電磁鋼板10にレーザビームの照射を行う例について説明したが、グラス皮膜14が無く、地鉄12と絶縁皮膜16の2層を基本構造とする鋼板に対しても、本実施形態のレーザ加工装置100は、レーザ走査幅Lの端部P2、P3において絶縁皮膜16の疵発生を低減できる効果を発揮する。これは、グラス皮膜14が無くても、レーザビームを直線偏光とし且つ角度θを上述の範囲に設定することで、レーザ走査幅Lの端部P2、P3において絶縁皮膜16へのレーザビームの吸収を低下させることができるからである。グラス皮膜14が無い方向性電磁鋼板としては、地鉄表面の凹凸が小さく鏡面に近いために超低鉄損特性を有する方向性電磁鋼板が知られている。このような超低鉄損特性を有する方向性電磁鋼板において、地鉄12の露出に起因する錆の発生を防止するためには、レーザビームの照射中に絶縁皮膜16に疵を発生させないことがポイントとなる。本実施形態のレーザ加工装置100は、上述の通り、この疵発生の低減に効果的である。
<実施例>
上述した本実施形態に係る実施例の有効性を確認するために、本実施例及び比較例に係る確認試験例について説明する。
まず、Si;3.0質量%、C;0.05質量%、Mn;0.1質量%、酸可溶性Al;0.02質量%、N;0.01質量%、S;0.01質量%、P;0.02質量%、残部がFe及び不可避不純物、といった組成のスラブを準備した。このスラブに対して、1280℃で熱間圧延を実施し、厚さ2.3mmの熱間圧延材を製出した。次に、熱間圧延材に対して、1000℃×1分の条件で熱処理を行った。熱処理後に酸洗処理を施した上で冷間圧延を実施し、厚さ0.23mmの冷間圧延材を製出した。この冷間圧延材に対して、800℃×2分の条件で脱炭焼鈍を実施した。次に、脱炭焼鈍後の冷間圧延材の両面に、マグネシアを主成分とする焼鈍分離材を塗布した。そして、焼鈍分離材を塗布した冷間圧延材をコイル状に巻き取った状態で、バッチ式炉に装入し、1200℃×20時間の条件で仕上げ焼鈍を実施した。これにより、表面にグラス皮膜が形成された鋼板地鉄(鋼板本体)を製出した。次に、グラス皮膜の上に、リン酸アルミニウムからなる絶縁材を塗布、焼き付け(850℃×1分)し、絶縁皮膜を形成した。
そして、絶縁皮膜及びグラス皮膜が形成された鋼板地鉄に対して、レーザビームを照射し、鋼板地鉄の表面に歪を付与した。
レーザ照射装置としては、図4に示すレーザ照射装置106を用い、レーザ発振器102としては、COレーザを用いた。本実施例1〜4、及び比較例1では、レーザ発振器102から出射される直線偏光のレーザビームに対して、光路においてレーザ発振器102と金属ミラー126の間に設けたλ/2板125を回転させることで、直線偏光の向きと走査方向との成す角度θを変更しながら、方向性電磁鋼板10上にレーザビームを集光・走査した。比較例2では、λ/2板125の代わりにλ/4板を設けて、レーザビームを円偏光とする条件で、方向性電磁鋼板10上にレーザビームを集光・走査した。この円偏光には、P偏光とS偏光が50%ずつ含まれている。なお、本実施例及び比較例とも、方向性電磁鋼板10上に到達するレーザビームの照射条件として、レーザビームのパワーを2kW、走査方向のビーム径を4mm、圧延方向のビーム径を0.15mm、レーザビームのレーザ走査幅を500mmとした。最大入射角φMAXは24°であった。
また、グラス皮膜14に対する疵の発生に起因する錆の発生の判定を、湿潤試験により行った。湿潤試験は、JISK2246−5.34に準じて行い、試験条件は、温度50℃、湿度98%、試験時間72時間とした。その後、レーザ照射部の錆発生の有無を目視確認した。各条件について、鋼板の幅方向長さ100mm、鋼板の圧延方向長さ500mmのサイズの四角片を10枚切り出し、錆の発生があった枚数にて評価を行った。
試験結果を下記の表1に示す。P偏光とS偏光が50%ずつ含まれる比較例1(直線偏光でθ=45°)および円偏光のレーザビームを用いる比較例2においては、レーザ走査幅の端部において錆の発生が顕著である。一方で、本実施例1〜4においては、直線偏光のレーザビームを用いると共に、直線偏光の向きと走査方向との角度θを45°超90°以下に設定することにより、レーザ走査幅の端部における錆の発生を大きく低減できる。特に、角度θを70°以上90°以下に設定することにより、錆の発生を完全に防止することができる。なお、角度θが60°のときは、レーザ走査幅の端部において錆の発生は確認できなかったが、グラス皮膜14には部分的に損傷が確認された。この損傷部を光学顕微鏡で観察したところ、グラス皮膜14に損傷があるが、地鉄部は露出していなかった。このため、錆の発生が無かったものと考えられる。顕微鏡によって断面を観察すると、角度θが70°以上の場合は、レーザ走査幅の端部におけるグラス皮膜14は健全であった。
Figure 0006341279
以上の試験結果より、P偏光とS偏光のうちS偏光の影響を支配的にできる角度範囲、すなわち、角度θを45°超90°以下に設定することで、無偏光の場合と比較して、レーザ走査幅の端部におけるレーザビームの吸収率を低下させることができ、その結果、レーザ走査幅の端部における錆発生の低減効果が得られることが判る。
また、直線偏光の向きと走査方向とのなす角θを90°に固定して、レーザビームの最大入射角φMAXを24°から40°の範囲で振った場合に、レーザ走査幅Lの端部における錆発生枚数がどのように変化するかを確認した。その結果を表2に示す。
Figure 0006341279
結果を表2に示す。最大入射角φMAXが33°のときは、レーザ走査幅Lの端部において錆の発生は確認できなかったが、グラス皮膜14には部分的に損傷が確認された。この損傷部を光学顕微鏡で観察したところ、グラス皮膜14に損傷があるが、地鉄部は露出していなかった。このため、錆の発生が無かったものと考えられる。一方、レーザビームの最大入射角φMAXが33°を超えると、レーザ走査幅Lの端部における錆発生枚数が急激に増加することがわかった。これは、レーザビームの最大入射角φMAXが33°を超えると、基準経路長に対する経路長の拡大率が19%を超えることが原因と考えられる。すなわち、レーザ走査幅Lの全体にわたって確実に錆発生を防止するためには、レーザビームの最大入射角φMAXを上記条件式(1)に基づいて設定することが好ましいことが、実験により確認された。
<まとめ>
上述したように、本実施形態に係るレーザ加工装置100において、方向性電磁鋼板10に走査される直線偏光の向きと走査方向との成す角度θが、45°超90°以下に設定される。
これにより、グラス皮膜14のレーザ走査幅Lの端部P2、P3におけるレーザビームの吸収率を低下させることができるため、斜入射に起因して端部P2、P3でのレーザビームの経路長が長くなっても、端部P2、P3において絶縁皮膜16およびグラス皮膜14に吸収されるパワーの増加を抑制できる。この結果、レーザ走査幅Lの端部P2、P3におけるグラス皮膜14の疵の発生を抑制することが可能となる。また、上述したように、レーザ走査幅Lの中央部P1におけるレーザビームの吸収パワーは低下しないため、中央部P1において鉄損低減効果は劣化しない。すなわち、レーザ走査幅Lの全体にわたって、鉄損を低減する点と、グラス皮膜14における疵の発生を防止する点とを共に実現することができる。
本実施形態に係るレーザ加工装置100によれば、上記の鉄損低減とグラス皮膜14の疵抑制によって、グラス皮膜14における疵発生を抑制しつつ、低鉄損の方向性電磁鋼板10を製造することが可能となる。このため、グラス皮膜14に疵が発生したことに起因する絶縁皮膜16の再塗布によるコストアップ要因を排除できる。その結果、極低鉄損の方向性電磁鋼板10をより安価に供給することが可能となるだけでなく、極低鉄損の方向性電磁鋼板10を世の中に広く普及させることでエネルギー消費量の削減を実現できるという観点からも、多大なる経済的効果が奏される。
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明はかかる例に限定されない。本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、これらについても、当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
10 方向性電磁鋼板
12 鋼板本体
14 グラス皮膜
16 絶縁皮膜
100 レーザ加工装置
102 レーザ発振器
104 レーザビーム伝送路
106 レーザ照射装置
125 λ/2板
126 金属ミラー
128 ポリゴンミラー
130 放物面ミラー

Claims (4)

  1. 方向性電磁鋼板にレーザビームを集光して走査方向に走査して、前記方向性電磁鋼板の磁区を細分化するためのレーザ加工装置であって、
    前記方向性電磁鋼板に集光されるレーザビームは、直線偏光であり、
    前記直線偏光の向きと、前記走査方向との成す角度が、45°超90°以下であり、
    前記方向性電磁鋼板に対する前記レーザビームの最大入射角φ MAX が、下記条件式(1)を満たすことを特徴とする、レーザ加工装置。
    1/cosφ MAX ≦1.19 …(1)
  2. 請求項1に記載のレーザ加工装置であって、
    前記方向性電磁鋼板に集光されるレーザビームの波長は、7μm超であることを特徴とする、レーザ加工装置。
  3. 請求項1または2に記載のレーザ加工装置であって、
    レーザビームを出射するレーザ発振器を更に備え、
    前記レーザ発振器は、直線偏光を出射するCOレーザであることを特徴とする、レーザ加工装置。
  4. 請求項1〜のいずれか1項に記載のレーザ加工装置であって、
    前記方向性電磁鋼板に集光されたレーザビームの集光形状が、楕円であり、
    前記楕円の短軸方向が前記走査方向に対して直交することを特徴とする、レーザ加工装置。
JP2016530754A 2014-07-03 2014-07-03 レーザ加工装置 Active JP6341279B2 (ja)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2014/067754 WO2016002036A1 (ja) 2014-07-03 2014-07-03 レーザ加工装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2016002036A1 JPWO2016002036A1 (ja) 2017-06-22
JP6341279B2 true JP6341279B2 (ja) 2018-06-13

Family

ID=55018635

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016530754A Active JP6341279B2 (ja) 2014-07-03 2014-07-03 レーザ加工装置

Country Status (9)

Country Link
US (1) US11498156B2 (ja)
EP (1) EP3165615B1 (ja)
JP (1) JP6341279B2 (ja)
KR (1) KR101881708B1 (ja)
CN (1) CN106471140B (ja)
BR (1) BR112016030522B1 (ja)
PL (1) PL3165615T3 (ja)
RU (1) RU2661977C1 (ja)
WO (1) WO2016002036A1 (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
PL3165615T3 (pl) * 2014-07-03 2023-05-08 Nippon Steel Corporation Zastosowanie urządzenia dla procesów obróbki laserowej dla rafinacji domen magnetycznych blachy cienkiej ze stali elektromagnetycznej o ziarnach zorientowanych
CN113088673B (zh) * 2021-03-25 2024-05-17 苏州健雄职业技术学院 一种适用于深孔类结构激光斜冲击工艺参数设计方法

Family Cites Families (192)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3192078A (en) * 1963-12-30 1965-06-29 Daniel I Gordon Method of making magnetic cores having rectangular hysteresis loops by bombardment with electrons
DE1804208B1 (de) * 1968-10-17 1970-11-12 Mannesmann Ag Verfahren zur Herabsetzung der Wattverluste von kornorientierten Elektroblechen,insbesondere von Wuerfeltexturblechen
GB1246756A (en) * 1969-04-16 1971-09-22 Tokyo Shibaura Electric Co Measuring dimensions of objects
BE789262A (fr) * 1971-09-27 1973-01-15 Nippon Steel Corp Procede de formation d'un film isolant sur un feuillard d'acierau silicium oriente
US3848104A (en) * 1973-04-09 1974-11-12 Avco Everett Res Lab Inc Apparatus for heat treating a surface
US3947053A (en) * 1973-05-25 1976-03-30 Vereinigte Baubeschlagfabriken Gretsch & Co. Retaining mechanism for safety ski bindings
JPS5423647B2 (ja) * 1974-04-25 1979-08-15
LU71852A1 (ja) * 1975-02-14 1977-01-05
JPS5933802B2 (ja) 1975-05-16 1984-08-18 ジェイエスアール株式会社 反応熱の利用方法
US4169976A (en) * 1976-02-27 1979-10-02 Valfivre S.P.A. Process for cutting or shaping of a substrate by laser
US4157923A (en) * 1976-09-13 1979-06-12 Ford Motor Company Surface alloying and heat treating processes
JPS5518566A (en) * 1978-07-26 1980-02-08 Nippon Steel Corp Improving method for iron loss characteristic of directional electrical steel sheet
US4304978A (en) * 1978-10-05 1981-12-08 Coherent, Inc. Heat treating using a laser
DE2918283C2 (de) * 1979-05-07 1983-04-21 Carl Baasel, Lasertechnik KG, 8000 München Gerät zur Substratbehandlung mit einem Drehspiegel od. dgl.
US4363677A (en) * 1980-01-25 1982-12-14 Nippon Steel Corporation Method for treating an electromagnetic steel sheet and an electromagnetic steel sheet having marks of laser-beam irradiation on its surface
DE3126953C2 (de) 1981-07-08 1983-07-21 Arnold, Peter, Dr., 8000 München Verfahren zur thermischen Behandlung der Oberfläche von Werkstücken mittels eines linear polarisierten Laserstrahls
US4358659A (en) * 1981-07-13 1982-11-09 Mostek Corporation Method and apparatus for focusing a laser beam on an integrated circuit
US4456812A (en) 1982-07-30 1984-06-26 Armco Inc. Laser treatment of electrical steel
US4468551A (en) * 1982-07-30 1984-08-28 Armco Inc. Laser treatment of electrical steel and optical scanning assembly therefor
JPS5956522A (ja) * 1982-09-24 1984-04-02 Nippon Steel Corp 鉄損の良い一方向性電磁鋼板の製造方法
JPS5956523A (ja) * 1982-09-24 1984-04-02 Nippon Steel Corp 高磁束密度一方向性珪素鋼板の製造方法
US4535218A (en) * 1982-10-20 1985-08-13 Westinghouse Electric Corp. Laser scribing apparatus and process for using
US4645547A (en) * 1982-10-20 1987-02-24 Westinghouse Electric Corp. Loss ferromagnetic materials and methods of improvement
US4500771A (en) * 1982-10-20 1985-02-19 Westinghouse Electric Corp. Apparatus and process for laser treating sheet material
US4625167A (en) * 1983-07-05 1986-11-25 Sigma Research, Inc. Flaw imaging in ferrous and nonferrous materials using magneto-optic visualization
US4589190A (en) * 1984-03-23 1986-05-20 General Electric Company Fabrication of drilled and diffused junction field-effect transistors
US4724015A (en) * 1984-05-04 1988-02-09 Nippon Steel Corporation Method for improving the magnetic properties of Fe-based amorphous-alloy thin strip
US4534804A (en) * 1984-06-14 1985-08-13 International Business Machines Corporation Laser process for forming identically positioned alignment marks on the opposite sides of a semiconductor wafer
US4541035A (en) * 1984-07-30 1985-09-10 General Electric Company Low loss, multilevel silicon circuit board
US4618380A (en) * 1985-06-18 1986-10-21 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Method of fabricating an imaging X-ray spectrometer
US4683365A (en) * 1986-03-26 1987-07-28 Westinghouse Electric Corp. Laser beam transport system
US4835361A (en) * 1986-07-21 1989-05-30 Magnetic Peripherals Inc. Laser machining for producing very small parts
JPH0619112B2 (ja) * 1986-09-26 1994-03-16 新日本製鐵株式会社 電磁鋼板の鉄損値改善方法
KR910009016B1 (ko) * 1987-07-20 1991-10-26 미쓰비시전기주식회사 레이저 가동장치
JPH01306088A (ja) * 1988-06-01 1989-12-11 Nippei Toyama Corp 可変ビームレーザ加工装置
JPH0252192A (ja) 1988-08-11 1990-02-21 Toshiba Corp レーザ熱加工方法及びレーザ熱加工装置
US4963199A (en) * 1988-10-14 1990-10-16 Abb Power T&D Company, Inc. Drilling of steel sheet
US5067992A (en) * 1988-10-14 1991-11-26 Abb Power T & D Company, Inc. Drilling of steel sheet
US5089062A (en) * 1988-10-14 1992-02-18 Abb Power T&D Company, Inc. Drilling of steel sheet
US5166493A (en) * 1989-01-10 1992-11-24 Canon Kabushiki Kaisha Apparatus and method of boring using laser
US5072091A (en) * 1989-04-03 1991-12-10 The Local Government Of Osaka Prefecture Method and apparatus for metal surface process by laser beam
EP0406004A3 (en) * 1989-06-30 1991-11-13 Kabushiki Kaisha Toshiba Method of introducing magnetic anisotropy into magnetic material
US5057664A (en) * 1989-10-20 1991-10-15 Electro Scientific Industries, Inc. Method and apparatus for laser processing a target material to provide a uniformly smooth, continuous trim profile
ES2075435T3 (es) * 1990-01-11 1995-10-01 Battelle Memorial Institute Mejora de las propiedades de los materiales.
US5053704A (en) * 1990-01-11 1991-10-01 Pri Instrumentation, Inc. Flow imager for conductive materials
JPH03216287A (ja) * 1990-01-19 1991-09-24 Fanuc Ltd レーザ切断加工方法
US5109149A (en) * 1990-03-15 1992-04-28 Albert Leung Laser, direct-write integrated circuit production system
US5223693A (en) * 1990-04-28 1993-06-29 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Optical machining apparatus
CA2064004A1 (en) * 1990-05-23 1991-11-24 Shigeki Fujinaga Laser robot and method of controlling same, and light beam deflector and control signal generator therefor
US5180448A (en) * 1990-08-22 1993-01-19 United Container Machinery Group, Inc. Method of laser hardening corrugating rolls
FR2679477B1 (fr) * 1991-07-26 1995-11-17 Aerospatiale Procede de decoupe par faisceau laser d'un materiau recouvrant un substrat et dispositifs pour sa mise en óoeuvre.
JPH05190941A (ja) * 1992-01-14 1993-07-30 Mitsubishi Electric Corp レーザ発振器
JPH0640797A (ja) * 1992-04-23 1994-02-15 Sumitomo Electric Ind Ltd ダイヤモンドの加工方法
FR2696759B1 (fr) * 1992-10-09 1994-11-04 Alsthom Gec Procédé de nitruration d'une pièce en alliage de titane et dispositif de projection d'azote et de gaz neutre.
US5451863A (en) * 1992-10-30 1995-09-19 International Business Machines Corporation Fiber optic probe with a magneto-optic film on an end surface for detecting a current in an integrated circuit
US5356081A (en) * 1993-02-24 1994-10-18 Electric Power Research Institute, Inc. Apparatus and process for employing synergistic destructive powers of a water stream and a laser beam
US5484980A (en) * 1993-02-26 1996-01-16 General Electric Company Apparatus and method for smoothing and densifying a coating on a workpiece
US5446378A (en) * 1993-12-15 1995-08-29 Grumman Aerospace Corporation Magneto-optic eddy current imaging apparatus and method including dithering the image relative to the sensor
US6130009A (en) * 1994-01-03 2000-10-10 Litel Instruments Apparatus and process for nozzle production utilizing computer generated holograms
DE4402059C1 (de) * 1994-01-25 1995-04-27 Zeiss Carl Jena Gmbh Faraday-Mikroskop sowie Verfahren zu dessen Justierung
US5589090A (en) * 1994-01-31 1996-12-31 Song; Byung-Jun Laser cutting apparatus with means for measuring cutting groove width
US5611946A (en) * 1994-02-18 1997-03-18 New Wave Research Multi-wavelength laser system, probe station and laser cutter system using the same
US6084396A (en) * 1994-03-31 2000-07-04 Intel Corporation Method for performing quantitative measurement of DC and AC current flow in integrated circuit interconnects by the measurement of magnetic fields with a magneto optic laser probe
US5739048A (en) * 1994-05-23 1998-04-14 International Business Machines Corporation Method for forming rows of partially separated thin film elements
JP3209641B2 (ja) * 1994-06-02 2001-09-17 三菱電機株式会社 光加工装置及び方法
US5593606A (en) * 1994-07-18 1997-01-14 Electro Scientific Industries, Inc. Ultraviolet laser system and method for forming vias in multi-layered targets
US5841099A (en) * 1994-07-18 1998-11-24 Electro Scientific Industries, Inc. Method employing UV laser pulses of varied energy density to form depthwise self-limiting blind vias in multilayered targets
US5468308A (en) * 1994-08-22 1995-11-21 The Torrington Company Surface treated cast iron bearing element
US5543365A (en) * 1994-12-02 1996-08-06 Texas Instruments Incorporated Wafer scribe technique using laser by forming polysilicon
JP3141715B2 (ja) * 1994-12-22 2001-03-05 松下電器産業株式会社 レーザ加工方法
US5847960A (en) * 1995-03-20 1998-12-08 Electro Scientific Industries, Inc. Multi-tool positioning system
US5751585A (en) * 1995-03-20 1998-05-12 Electro Scientific Industries, Inc. High speed, high accuracy multi-stage tool positioning system
US5843363A (en) * 1995-03-31 1998-12-01 Siemens Aktiengesellschaft Ablation patterning of multi-layered structures
DE19519150A1 (de) * 1995-05-30 1996-12-12 Fraunhofer Ges Forschung Laserstrahlgerät und Verfahren zur Bearbeitung von Werkstücken
SE508696C2 (sv) * 1995-08-23 1998-10-26 Rheinmetall Ind Ag Draget vapenrör samt förfarande för framställning av sådant rör
US5744780A (en) * 1995-09-05 1998-04-28 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Apparatus for precision micromachining with lasers
JP3159906B2 (ja) * 1995-10-23 2001-04-23 アルプス電気株式会社 液晶表示素子の製造方法
US5894220A (en) * 1996-02-12 1999-04-13 University Of Maryland Apparatus for microscopic imaging of electrical and magnetic properties of room-temperature objects
DE19609199A1 (de) * 1996-03-09 1997-09-11 Vetter & Co Apotheker Verfahren zur Bearbeitung von Werkstücken aus festen Materialien sowie Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens
US6037565A (en) * 1996-06-17 2000-03-14 The Regents Of The University Of California Laser illuminator and optical system for disk patterning
US5736709A (en) * 1996-08-12 1998-04-07 Armco Inc. Descaling metal with a laser having a very short pulse width and high average power
US5886320A (en) * 1996-09-03 1999-03-23 International Business Machines Corporation Laser ablation with transmission matching for promoting energy coupling to a film stack
US5864430A (en) * 1996-09-10 1999-01-26 Sandia Corporation Gaussian beam profile shaping apparatus, method therefor and evaluation thereof
US7462801B1 (en) * 1996-11-20 2008-12-09 Ibiden Co., Ltd. Laser machining apparatus, and apparatus and method for manufacturing a multilayered printed wiring board
US7732732B2 (en) * 1996-11-20 2010-06-08 Ibiden Co., Ltd. Laser machining apparatus, and apparatus and method for manufacturing a multilayered printed wiring board
EP0897016B8 (en) * 1997-01-24 2007-04-25 Nippon Steel Corporation Grain-oriented electrical steel sheet having excellent magnetic characteristics, its manufacturing method and its manufacturing device
US5911890A (en) * 1997-02-25 1999-06-15 Lsp Technologies, Inc. Oblique angle laser shock processing
US5870421A (en) * 1997-05-12 1999-02-09 Dahm; Jonathan S. Short pulsewidth, high pulse repetition frequency laser system
US5872684A (en) * 1997-05-15 1999-02-16 International Business Machines Corporation Air bearing slider having a relieved trailing edge
JPH1147965A (ja) * 1997-05-28 1999-02-23 Komatsu Ltd レーザ加工装置
JPH1158056A (ja) 1997-08-12 1999-03-02 Nec Corp レーザテクスチャー加工装置
JPH11211899A (ja) * 1997-11-21 1999-08-06 Sony Corp 短波長光発生装置
US6141093A (en) * 1998-08-25 2000-10-31 International Business Machines Corporation Method and apparatus for locating power plane shorts using polarized light microscopy
JP3945951B2 (ja) * 1999-01-14 2007-07-18 日立ビアメカニクス株式会社 レーザ加工方法およびレーザ加工機
US6469275B2 (en) * 1999-01-20 2002-10-22 Lsp Technologies, Inc Oblique angle laser shock processing
DE19919688A1 (de) * 1999-04-30 2000-11-02 Rheinmetall W & M Gmbh Verfahren zur Innenbeschichtung eines Waffenrohres
US6420245B1 (en) * 1999-06-08 2002-07-16 Kulicke & Soffa Investments, Inc. Method for singulating semiconductor wafers
US6359686B1 (en) * 1999-06-29 2002-03-19 Corning Incorporated Inspection system for sheet material
JP2001105164A (ja) * 1999-10-07 2001-04-17 Sumitomo Heavy Ind Ltd レーザ穴あけ加工方法及び加工装置
JP3348283B2 (ja) * 2000-01-28 2002-11-20 住友重機械工業株式会社 レーザ加工装置及びレーザ加工用マスク並びにその製造方法
US6356337B1 (en) * 2000-03-08 2002-03-12 Anvik Corporation Two-sided substrate imaging using single-approach projection optics
US6804086B2 (en) * 2000-04-27 2004-10-12 Seagate Technology Llc Unitary crystalline slider with edges rounded by laser ablation
US6376797B1 (en) * 2000-07-26 2002-04-23 Ase Americas, Inc. Laser cutting of semiconductor materials
US20020033558A1 (en) * 2000-09-20 2002-03-21 Fahey Kevin P. UV laser cutting or shape modification of brittle, high melting temperature target materials such as ceramics or glasses
US7157038B2 (en) * 2000-09-20 2007-01-02 Electro Scientific Industries, Inc. Ultraviolet laser ablative patterning of microstructures in semiconductors
US6676878B2 (en) * 2001-01-31 2004-01-13 Electro Scientific Industries, Inc. Laser segmented cutting
US6970644B2 (en) * 2000-12-21 2005-11-29 Mattson Technology, Inc. Heating configuration for use in thermal processing chambers
US7015422B2 (en) * 2000-12-21 2006-03-21 Mattson Technology, Inc. System and process for heating semiconductor wafers by optimizing absorption of electromagnetic energy
JP4176968B2 (ja) * 2001-02-14 2008-11-05 富士通株式会社 レーザ曲げ加工方法及びレーザ曲げ加工装置
US7887645B1 (en) * 2001-05-02 2011-02-15 Ak Steel Properties, Inc. High permeability grain oriented electrical steel
JP3666435B2 (ja) * 2001-09-28 2005-06-29 松下電器産業株式会社 光照射装置と光加工装置およびその加工方法
US6750423B2 (en) * 2001-10-25 2004-06-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser irradiation method, laser irradiation apparatus, and method of manufacturing a semiconductor device
SG108878A1 (en) * 2001-10-30 2005-02-28 Semiconductor Energy Lab Laser irradiation method and laser irradiation apparatus, and method for fabricating semiconductor device
TWI289896B (en) * 2001-11-09 2007-11-11 Semiconductor Energy Lab Laser irradiation apparatus, laser irradiation method, and method of manufacturing a semiconductor device
US6984802B2 (en) * 2001-11-15 2006-01-10 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Laser beam machining device
US7026227B2 (en) * 2001-11-16 2006-04-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of irradiating a laser beam, and method of fabricating semiconductor devices
JP3973882B2 (ja) * 2001-11-26 2007-09-12 株式会社半導体エネルギー研究所 レーザ照射装置およびレーザ照射方法
JP2003225786A (ja) * 2002-01-30 2003-08-12 Uht Corp レーザー加工ユニット及び該レーザー加工ユニットを備えた加工装置
WO2003082510A1 (en) 2002-03-28 2003-10-09 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Laser machining apparatus
US20050155956A1 (en) * 2002-08-30 2005-07-21 Sumitomo Heavy Industries, Ltd. Laser processing method and processing device
US7259082B2 (en) * 2002-10-03 2007-08-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing semiconductor device
JP2004128421A (ja) * 2002-10-07 2004-04-22 Semiconductor Energy Lab Co Ltd レーザ照射方法およびレーザ照射装置、並びに半導体装置の作製方法
SG129265A1 (en) * 2002-11-29 2007-02-26 Semiconductor Energy Lab Laser irradiation apparatus, laser irradiation method, and method for manufacturing a semiconductor device
US20040195222A1 (en) * 2002-12-25 2004-10-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser irradiation method, laser irradiation apparatus, and method for manufacturing semiconductor device
US7387922B2 (en) * 2003-01-21 2008-06-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser irradiation method, method for manufacturing semiconductor device, and laser irradiation system
US7265845B2 (en) * 2003-01-27 2007-09-04 Lake Shore Cryotronics, Inc. Surface corrugation enhanced magneto-optical indicator film
US6934068B2 (en) * 2003-02-10 2005-08-23 Lake Shore Cryotronics, Inc. Magnetic field and electrical current visualization system
EP1468774B1 (en) * 2003-02-28 2009-04-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser irradiation method, laser irradiation apparatus, and method for manufacturing semiconductor device
JP4515034B2 (ja) * 2003-02-28 2010-07-28 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US7304005B2 (en) * 2003-03-17 2007-12-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser irradiation apparatus, laser irradiation method, and method for manufacturing a semiconductor device
JP4510757B2 (ja) * 2003-03-19 2010-07-28 新日本製鐵株式会社 磁気特性の優れた方向性電磁鋼板とその製造方法
JP4373115B2 (ja) * 2003-04-04 2009-11-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP4413569B2 (ja) * 2003-09-25 2010-02-10 株式会社 日立ディスプレイズ 表示パネルの製造方法及び表示パネル
JP4357944B2 (ja) * 2003-12-05 2009-11-04 トヨタ自動車株式会社 固体レーザ加工装置およびレーザ溶接方法
EP1553643A3 (en) * 2003-12-26 2009-01-21 Sel Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser irradiation method and method for manufacturing crystalline semiconductor film
US7199330B2 (en) * 2004-01-20 2007-04-03 Coherent, Inc. Systems and methods for forming a laser beam having a flat top
US20050237895A1 (en) * 2004-04-23 2005-10-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser irradiation apparatus and method for manufacturing semiconductor device
US8525075B2 (en) * 2004-05-06 2013-09-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser irradiation apparatus
US20060000814A1 (en) 2004-06-30 2006-01-05 Bo Gu Laser-based method and system for processing targeted surface material and article produced thereby
CN1981291B (zh) * 2004-06-30 2011-06-15 通明国际科技有限公司 基于激光的用于处理目标表面材料的方法
FR2872910B1 (fr) * 2004-07-07 2006-10-13 Nanoraptor Sa Composant optique pour l'observation d'un echantillon nanometrique, systeme comprenant un tel composant, procede d'analyse mettant en oeuvre ce composant, et leurs applications
JP4182034B2 (ja) * 2004-08-05 2008-11-19 ファナック株式会社 切断加工用レーザ装置
US7459406B2 (en) * 2004-09-01 2008-12-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser processing unit, laser processing method, and method for manufacturing semiconductor device
JP4354376B2 (ja) * 2004-09-28 2009-10-28 株式会社ディスコ レーザ加工装置
BRPI0515667A (pt) * 2004-10-01 2008-07-29 Mitsuboshi Diamond Ind Co Ltd método de inscrição para material frágil e equipamento de inscrição
ATE520495T1 (de) * 2004-10-25 2011-09-15 Mitsuboshi Diamond Ind Co Ltd Verfahren und vorrichtung zur bildung von rissen
KR101074408B1 (ko) * 2004-11-05 2011-10-17 엘지디스플레이 주식회사 펨토초 레이저 발생장치 및 이를 이용한 기판의 절단방법
US7750266B2 (en) * 2004-11-17 2010-07-06 Metal Improvement Company Llc Active beam delivery system for laser peening and laser peening method
US7718921B2 (en) * 2004-11-17 2010-05-18 Metal Improvement Company Llc Active beam delivery system with variable optical path segment through air
US7851725B2 (en) * 2004-11-17 2010-12-14 Metal Improvement Company Llc Active beam delivery system with image relay
US7054051B1 (en) * 2004-11-26 2006-05-30 Alces Technology, Inc. Differential interferometric light modulator and image display device
TWI305548B (en) * 2005-05-09 2009-01-21 Nippon Steel Corp Low core loss grain-oriented electrical steel sheet and method for producing the same
US7365855B2 (en) * 2005-07-08 2008-04-29 The Chinese University Of Hong Kong Optical sensing devices with SPR sensors based on differential phase interrogation and measuring method using the same
US7416621B2 (en) * 2005-07-22 2008-08-26 Gkn Sinter Metals, Inc. Laser rounding and flattening of cylindrical parts
JP5030512B2 (ja) * 2005-09-30 2012-09-19 日立ビアメカニクス株式会社 レーザ加工方法
JP5008855B2 (ja) 2005-10-26 2012-08-22 新日本製鐵株式会社 磁気特性の優れた一方向性電磁鋼板の製造方法
EP1953249B1 (en) * 2005-11-01 2018-06-13 Nippon Steel & Sumitomo Metal Corporation Production method and production system of directional electromagnetic steel plate having excellent magnetic characteristics
CN101331592B (zh) * 2005-12-16 2010-06-16 株式会社半导体能源研究所 激光照射设备、激光照射方法和半导体装置的制造方法
WO2007072837A1 (en) * 2005-12-20 2007-06-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser irradiation apparatus and method for manufacturing semiconductor device
JP5000182B2 (ja) * 2006-04-07 2012-08-15 新日本製鐵株式会社 磁気特性の優れた方向性電磁鋼板の製造方法
US8497449B1 (en) * 2006-05-26 2013-07-30 Synchron Laser Service Inc. Micro-machining of ceramics using an ytterbium fiber-laser
JP2008068270A (ja) * 2006-09-12 2008-03-27 Disco Abrasive Syst Ltd レーザー加工装置
JP5613972B2 (ja) 2006-10-23 2014-10-29 新日鐵住金株式会社 鉄損特性の優れた一方向性電磁鋼板
WO2009075328A1 (ja) * 2007-12-12 2009-06-18 Nippon Steel Corporation レーザ光の照射により磁区が制御された方向性電磁鋼板の製造方法
KR101162575B1 (ko) * 2008-01-07 2012-07-05 가부시키가이샤 아이에이치아이 레이저 어닐링 방법 및 장치
KR101234452B1 (ko) * 2008-02-19 2013-02-18 신닛테츠스미킨 카부시키카이샤 저철손 일방향성 전자기 강판 및 그 제조 방법
US8173931B2 (en) * 2008-06-13 2012-05-08 Electro Scientific Industries, Inc. Automatic recipe management for laser processing a work piece
IT1394891B1 (it) * 2008-07-25 2012-07-20 Matteo Baistrocchi Impianto di scribing laser per il trattamento superficiale di lamierini magnetici con spot a sezione ellittica
TWI519369B (zh) 2008-10-10 2016-02-01 Ipg微系統有限公司 雷射加工系統、雷射加工方法及光學頭
US8659291B2 (en) * 2008-12-31 2014-02-25 Infinitum Solutions, Inc. Magneto-optical detection of a field produced by a sub-resolution magnetic structure
US8289818B2 (en) * 2008-12-31 2012-10-16 Infinitum Solutions, Inc. Magneto-optic write-head characterization using the recording medium as a transducer layer
US8341976B2 (en) * 2009-02-19 2013-01-01 Corning Incorporated Method of separating strengthened glass
US8327666B2 (en) * 2009-02-19 2012-12-11 Corning Incorporated Method of separating strengthened glass
US8187983B2 (en) * 2009-04-16 2012-05-29 Micron Technology, Inc. Methods for fabricating semiconductor components using thinning and back side laser processing
US8525073B2 (en) * 2010-01-27 2013-09-03 United Technologies Corporation Depth and breakthrough detection for laser machining
JP5701618B2 (ja) * 2010-03-04 2015-04-15 ギガフォトン株式会社 極端紫外光生成装置
KR101389647B1 (ko) * 2010-04-01 2014-04-30 신닛테츠스미킨 카부시키카이샤 방향성 전자기 강판 및 그 제조 방법
JP5696380B2 (ja) * 2010-06-30 2015-04-08 Jfeスチール株式会社 方向性電磁鋼板の鉄損改善装置および鉄損改善方法
CN103025478B (zh) * 2010-07-26 2015-09-30 浜松光子学株式会社 基板加工方法
CN103025473B (zh) 2010-07-26 2015-12-09 浜松光子学株式会社 基板加工方法
JP5998424B2 (ja) * 2010-08-06 2016-09-28 Jfeスチール株式会社 方向性電磁鋼板
US8427929B2 (en) * 2010-09-08 2013-04-23 Infinitum Solutions, Inc. Sub-optical-resolution kerr signal detection for perpendicular write-head characterization
JP5766423B2 (ja) * 2010-10-15 2015-08-19 三菱重工業株式会社 レーザ切断装置及びレーザ切断方法
JP6054028B2 (ja) * 2011-02-09 2016-12-27 ギガフォトン株式会社 レーザ装置および極端紫外光生成システム
JP5819149B2 (ja) 2011-09-27 2015-11-18 キヤノンマシナリー株式会社 周期構造の作成方法および周期構造の作成装置
WO2013099219A1 (ja) * 2011-12-27 2013-07-04 Jfeスチール株式会社 方向性電磁鋼板の鉄損改善装置
JP5987610B2 (ja) 2012-09-28 2016-09-07 Jfeスチール株式会社 鋼板検査装置、鋼板検査方法、および鋼板製造方法
IN2015DN03147A (ja) * 2012-11-08 2015-10-02 Nippon Steel & Sumitomo Metal Corp
CN103433618B (zh) 2013-07-25 2017-07-04 长春理工大学 一种控制金属表面微纳米结构尺寸和分布的方法
US9102007B2 (en) * 2013-08-02 2015-08-11 Rofin-Sinar Technologies Inc. Method and apparatus for performing laser filamentation within transparent materials
PL3165615T3 (pl) * 2014-07-03 2023-05-08 Nippon Steel Corporation Zastosowanie urządzenia dla procesów obróbki laserowej dla rafinacji domen magnetycznych blachy cienkiej ze stali elektromagnetycznej o ziarnach zorientowanych
WO2016002043A1 (ja) * 2014-07-03 2016-01-07 新日鐵住金株式会社 レーザ加工装置

Also Published As

Publication number Publication date
US11498156B2 (en) 2022-11-15
BR112016030522B1 (pt) 2019-11-05
EP3165615A1 (en) 2017-05-10
CN106471140A (zh) 2017-03-01
EP3165615A4 (en) 2018-01-24
WO2016002036A1 (ja) 2016-01-07
EP3165615B1 (en) 2022-12-21
PL3165615T3 (pl) 2023-05-08
CN106471140B (zh) 2019-02-05
RU2661977C1 (ru) 2018-07-23
US20170136575A1 (en) 2017-05-18
KR101881708B1 (ko) 2018-07-24
JPWO2016002036A1 (ja) 2017-06-22
KR20170015455A (ko) 2017-02-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2509813C1 (ru) Лист электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой
JP4782248B1 (ja) 方向性電磁鋼板及びその製造方法
JP6044642B2 (ja) レーザ加工装置及びレーザ照射方法
RU2238340C2 (ru) Способ улучшения магнитных свойств листов текстурированной электротехнической кремнистой стали посредством лазерной обработки
JP6341280B2 (ja) レーザ加工装置
JP2018037572A (ja) 巻鉄芯、及び巻鉄芯の製造方法
JP6341279B2 (ja) レーザ加工装置
WO2012172624A1 (ja) 一方向性電磁鋼板の製造方法
JP6838321B2 (ja) 方向性電磁鋼板の製造方法、及び方向性電磁鋼板
JPWO2019164012A1 (ja) 方向性電磁鋼板
JP7031364B2 (ja) 方向性電磁鋼板の製造方法
JP2019135323A (ja) 方向性電磁鋼板、巻鉄芯、方向性電磁鋼板の製造方法、及び、巻鉄芯の製造方法
KR20240098885A (ko) 방향성 전기강판 및 그의 제조 방법
JPWO2012172624A1 (ja) 一方向性電磁鋼板の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20161222

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20171114

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20171212

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20180417

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20180430

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 6341279

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350