JP2005302956A - レーザアニール装置及びレーザアニール方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】被加工面内において多結晶の品質の均一化を図ることができるレーザアニール装置を提供する。
【解決手段】レーザアニール装置は、レーザビームが照射される加工対象物を保持する保持台と、1パルス当たりのエネルギが10J以上であるパルスレーザビームを出射するレーザ光源と、前記レーザ光源から出射したレーザビームの断面を一方向に長い形状に整形して、加工対象物の表面上におけるビーム断面の長さを500mm以上とするビーム整形器とを有する。
【選択図】図1(B)
【解決手段】レーザアニール装置は、レーザビームが照射される加工対象物を保持する保持台と、1パルス当たりのエネルギが10J以上であるパルスレーザビームを出射するレーザ光源と、前記レーザ光源から出射したレーザビームの断面を一方向に長い形状に整形して、加工対象物の表面上におけるビーム断面の長さを500mm以上とするビーム整形器とを有する。
【選択図】図1(B)
Description
本発明は、レーザアニール装置及びレーザアニール方法に関し、特に、断面形状が長尺に整形されたレーザビームを加工対象物に照射するレーザアニール装置及びレーザアニール方法に関する。
ガラス基板上に形成されたアモルファスシリコン膜に、エキシマレーザ光の照射を断続的に繰り返し、アモルファスシリコン膜を多結晶化する技術が知られている。レーザ照射によりアモルファスシリコン膜を一時的に溶融させて、多結晶化を行うことができる。多結晶シリコン膜が形成されたガラス基板は、例えばアクティブマトリクス型液晶表示装置に用いられる。
アモルファスシリコン膜が形成されたガラス基板は、長方形であり、そのサイズは、例えば700mm×900mmである。基板上の、レーザビームを照射する被加工領域のサイズは、例えば690mm×890mm程度である。レーザ光源として、1パルス当たりのエネルギが0.8J〜1J程度のパルスレーザを出射するエキシマレーザが用いられる。長尺ビームホモジナイザにより、被加工領域に照射されるレーザビームの断面形状が長尺に整形され、ビーム断面内の長尺方向の光強度分布が均一化される。ビーム断面の長尺方向の長さは、(長くとも)350mm〜400mm程度であり、被加工領域の一辺の長さよりも短い。
断面が長尺に整形されたレーザビームを、基板表面の被加工領域に繰り返し照射しながら、基板を、ビーム断面の長尺方向と直交する第1の方向に移動させる。こうして、基板表面上で、レーザビームが第1の方向に走査される。被加工領域の第1の方向の一端から他端まで、レーザビームの走査を行う。これにより、被加工領域の第1の方向の一端から他端に至り、ビーム断面の長尺方向の長さと等しい幅を有する帯状の領域に、レーザが照射される。
ただし、ビーム断面の長尺方向の長さは、被加工領域の一辺の長さよりも短い。よって、被加工領域の第1の方向の一端から他端までのレーザビームの走査を一度行っただけでは、被加工領域全体にはレーザが照射されない。そこで、上記のようなレーザビームの走査が終了したら、基板をビーム断面の長尺方向に移動させて、レーザが未照射の領域にレーザが照射できるようにし、次いで、第1の方向に2度目のレーザビームの走査を行う。2度目のレーザビーム走査により、1度目のレーザビーム走査でレーザが照射された帯状領域と平行な帯状領域にレーザが照射される。基板をビーム断面の長尺方向に移動させる距離は、この2つの帯状領域が幅方向の端部で互いに少しだけ重なるように決められる。2つの帯状領域が重なりを持つようにレーザ照射を行うことにより、2つの帯状領域の間に間隙が生じなくなり、被加工領域全体にレーザ照射を行うことができる。
上記のようなレーザビーム走査を必要な回数繰り返すことにより、被加工領域全体にレーザが照射され、アモルファスシリコン膜が多結晶化される。このようなレーザアニール方法は、例えば特許文献1に記載されている。
上記で説明した方法において、各回のレーザビーム走査に対応した帯状領域は、互いに隣接するもの同士で重なる。よって、帯状領域同士が重なった領域と、それ以外の領域(帯状領域の内部)とで、照射されたレーザのエネルギ密度等が異なる。そのため、被加工面内で均一な多結晶化を行うことができない。
本発明の一目的は、被加工面内において多結晶の品質の均一化を図ることができるレーザアニール方法及びそれに用いられるレーザアニール装置を提供することである。
本発明の一観点によれば、レーザビームが照射される加工対象物を保持する保持台と、1パルス当たりのエネルギが10J以上であるパルスレーザビームを出射するレーザ光源と、前記レーザ光源から出射したレーザビームの断面を一方向に長い形状に整形して、加工対象物の表面上におけるビーム断面の長さを500mm以上とするビーム整形器とを有するレーザアニール装置が提供される。
本発明の他の観点によれば、(a)加工対象物の表面に画定された被加工領域の第1の方向の一端から他端までに至る長さの線状に、レーザビームの断面を整形する工程と、(b)前記工程(a)で断面が整形されたレーザビームを、前記被加工領域の前記第1の方向の一端から他端までが照射されるように、前記加工対象物に照射する工程と(c)前記被加工領域内におけるビーム照射領域が、前記第1の方向と直交する方向に移動するように、前記加工対象物に入射するレーザビームと該加工対象物との相対位置を変化させる工程とを有し、前記被加工領域の前記第1の方向の一端から他端までの長さが、500mm以上であるレーザアニール方法が提供される。
10J以上のパルスエネルギのパルスレーザを出射するレーザ光源を用いて、多結晶化に充分な大きさのパルスエネルギ密度を有し、500mm以上の長さの長尺ビームを作ることができる。一辺の長さが500mm以上である被加工領域を、ビームの長尺方向に直交する方向への一度のレーザビーム走査により多結晶化することができる。被加工面内において多結晶の品質の均一化が図られる。
図1(A)を参照して、本発明の実施例によるレーザアニール方法を説明する。図1(A)は、表面にアモルファスシリコン膜が形成された矩形状の基板5の平面図を示す。基板5の表面に平行なXY座標系を考える。基板5の一辺に平行な方向をX軸方向とし、それに直交する方向をY軸方向とする。基板5のX軸方向に平行な辺の長さは、例えば900mmであり、Y軸方向に平行な辺の長さは、例えば700mmである。
基板5の表面に、レーザビームを照射すべき矩形状の被加工領域5aが画定されている。被加工領域5aの一対の辺がX軸方向に平行であり、他の一対の辺がY軸方向に平行である。被加工領域5aのY軸方向に平行な辺の長さは、例えば690mmである。
被加工領域5aに対して、パルスレーザビームを照射することにより、アモルファスシリコン膜を一時的に溶融させ、多結晶化させる。被加工領域5aに照射されるレーザビームの断面は、Y軸方向に長く、その長さが被加工領域5aのY軸方向の長さと等しくなるように(例えば690mmに)整形されている。これにより、1パルスの照射で、被加工領域5aのY軸方向の一端から他端までに至る照射領域5bにレーザビームが入射する。このような長尺ビームを作ることができるレーザアニール装置について、後に図1(B)を参照して説明する。基板5は、ステージ6に保持されている。ステージ6は、XY面に平行な2次元方向に、基板5を移動させることができる。
被加工領域5aのX軸方向の一端の、Y軸方向の一端から他端までに至る領域にレーザが照射されるように、基板5を位置合わせして、レーザビームの照射を開始する。パルスレーザの照射を繰り返しながら、基板5をX軸方向に移動させることにより、照射領域5bが、X軸方向に移動する(被加工領域内でレーザビームがX軸方向に走査される)。照射領域5bが、被加工領域5aのX軸方向の他端に達したら、レーザビームの照射を終了する。基板5の移動速度は、パルスレーザのある1ショットにより照射される領域と、次の1ショットにより照射される領域とが、一部分において重なる程度とする。
このように、被加工領域5aのY軸方向の一端から他端までに至る長さの長尺ビームを照射することにより、X軸方向への一度のレーザビーム走査で、被加工領域5a全体にレーザを照射して、アモルファスシリコン膜の多結晶化を行うことができる。
従来のレーザアニール方法では、被加工領域全体へレーザを照射するために、ビーム断面の長尺方向と直交する方向へのレーザビーム走査を複数回行い、各回のレーザビーム走査でレーザが照射される基板表面上の領域同士が重なりを持つようにする必要があった。この重なりに起因して、被加工面内で均一に多結晶化が行われない問題が生じた。本実施例の方法では、ビーム断面の長尺方向と直交する方向へのレーザビーム走査が一度で済み、このような重なりが生じないので、被加工面内における多結晶の品質の均一化が図られる。
図1(B)は、上述のレーザアニール方法に用いることができるレーザアニール装置を示す概略図である。レーザ光源1が、パルスレーザビームを出射する。レーザ光源1として、エキシマレーザを用いることができる。
さて、エキシマレーザは、技術的に2つのタイプに分けられる。1つ目は、1パルス当たりのエネルギが低く、パルスの繰り返し周波数が高いものであり、具体的には、パルスエネルギが0.8J〜1J程度で、繰り返し周波数が300Hz程度であり、出力が300W程度のものである。2つ目は、1パルス当たりのエネルギが高く、パルスの繰り返し周波数が低いものであり、具体的には、パルスエネルギが10J以上で、繰り返し周波数が10〜20Hz程度であり、出力が100W〜200Wのものである。2つ目のタイプのエキシマレーザにおいて、予備電離をX線方式とし、放電電極に挟まれた空間の、レーザビームの光軸に垂直な断面の大きさ(光軸に垂直なビーム断面の大きさ)を、10cm×8cm程度とすれば、15J程度のパルスエネルギを得ることができる。
従来のレーザアニール装置においては、レーザ光源として、1つ目のタイプのエキシマレーザが用いられてきた。レーザアニールにおいて一般に、被加工面上のビーム断面の幅は、0.4mm程度以上とする必要がある。このタイプのエキシマレーザを用いた場合、パルスエネルギが小さいため、ビーム断面の幅を0.4mm以上としたとき、高々350mm〜400mm程度の長さの長尺ビームしか作ることができない(それ以上の長尺とすると、多結晶化に必要なパルスエネルギ密度が得られない)。
図1(B)に示すレーザアニール装置においては、レーザ光源として、1パルスのエネルギが10J以上と大きい2つ目のタイプのエキシマレーザ光源を用いる。これにより、以下で説明するように、ビーム断面の長さを例えば500mm以上の長尺としても、多結晶化に必要なパルスエネルギ密度が得られる。なお、2つ目のタイプのエキシマレーザ装置は、パルスエネルギは高いが、繰り返し周波数及び出力は(1つ目のタイプのものに比べ)低い。しかし、近年、このタイプのレーザ光源の繰り返し周波数及び出力が高くなりつつある。
レーザ光源1を出射したレーザビームが、折り返しミラー2で反射され、ホモジナイザ3に入射する。
図2を参照して、ホモジナイザ3の構成及び作用について説明する。ホモジナイザ3に入射する光線束の光軸に平行なZ軸を有するXYZ直交座標系を考える。図2(A)は、YZ面に平行な断面図、図2(B)は、XZ面に平行な断面図を示す。
図2(A)に示すように、等価な7本のシリンドリカルレンズが、各々の母線方向をX軸と平行にし、かつY軸方向に配列し、XY面に平行な仮想平面に沿ったシリンダアレイ15Aと15Bが構成されている。シリンダアレイ15A及び15Bの各シリンドリカルレンズの光軸面はXZ面に平行である。ここで、光軸面とは、シリンドリカルレンズの面対称な結像系の対称面のことを意味する。シリンダアレイ15Aは光の入射側(図の左方)に配置され、シリンダアレイ15Bは出射側(図の右方)に配置されている。
図2(B)に示すように、等価な7本のシリンドリカルレンズが各々の母線方向をY軸と平行にし、かつX軸方向に配列し、XY面に平行な仮想平面に沿ったシリンダアレイ16Aと16Bが構成されている。シリンダアレイ16A及び16Bの各シリンドリカルレンズの光軸面はYZ面に平行である。シリンダアレイ16Aはシリンダアレイ15Aの前方(図の左方)に配置され、シリンダアレイ16Bはシリンダアレイ15Aと15Bとの間に配置されている。シリンダアレイ15Aと15Bの対応するシリンドリカルレンズの光軸面は一致し、シリンダアレイ16Aと16Bの対応するシリンドリカルレンズの光軸面も一致する。
シリンダアレイ15Bの後方に、収束レンズ19が配置されている。収束レンズ19の光軸は、Z軸に平行である。
図2(A)を参照して、YZ面内に関する光線束の伝搬の様子を説明する。YZ面内においては、シリンダアレイ16A及び16Bは単なる平板であるため、光線束の収束、発散に影響を与えない。シリンダアレイ16Aの左方からZ軸に平行な光軸を有する平行光線束17がシリンダアレイ16Aに入射する。平行光線束17は、例えば曲線21Yで示すように、中央部分で強く周辺部分で弱い光強度分布を有する。
平行光線束17がシリンダアレイ16Aを透過し、シリンダアレイ15Aに入射する。入射光線束は、シリンダアレイ15Aにより各シリンドリカルレンズに対応した7つの収束光線束に分割される。図2(A)では、中央と両端の光線束のみを代表して示している。7つの収束光線束は、それぞれ曲線21Ya〜21Ygで示す光強度分布を有する。シリンダアレイ15Aによって収束された光線束は、シリンダアレイ15Bにより再度収束される。
シリンダアレイ15Bにより収束した7つの収束光線束18は、それぞれ収束レンズ19の前方で結像する。この結像位置は、収束レンズ19の入射側焦点よりもレンズに近い。このため、収束レンズ19を透過した7つの光線束はそれぞれ発散光線束となり、ホモジナイズ面20上において重なる。ホモジナイズ面20を照射する7つの光線束のY軸方向の光強度分布は、それぞれ光強度分布21Ya〜21YgをY軸方向に引き伸ばした分布に等しい。光強度分布21Yaと21Yg、21Ybと21Yf、21Ycと21Yeは、それぞれY軸方向に関して反転させた関係を有するため、これらの光線束を重ね合わせた光強度分布は、実線22Yで示すように均一な分布に近づく。
図2(B)を参照して、XZ面内に関する光線束の伝搬の様子を説明する。XZ面内においては、シリンダアレイ15A及び15Bは単なる平板であるため、光線束の収束、発散に影響を与えない。平行光線束17がシリンダアレイ16Aに入射する。平行光線束17は、例えば曲線21Xで示すように、中央部分で強く周辺部分で弱い光強度分布を有する。
平行光線束17がシリンダアレイ16Aにより各シリンドリカルレンズに対応した7つの収束光線束に分割される。図2(B)では、中央と両端の光線束のみを代表して示している。7つの収束光線束は、それぞれ曲線21Xa〜21Xgで示す光強度分布を有する。
各光線束は、シリンダアレイ16Bの前方で結像し、発散光線束となってシリンダアレイ16Bに入射する。シリンダアレイ16Bに入射した各光線束は、それぞれある出射角を持って出射し、収束レンズ19に入射する。
収束レンズ19を透過した7つの光線束はそれぞれ収束光線束となり、ホモジナイズ面20上において重なる。ホモジナイズ面20を照射する7つの光線束のX軸方向の光強度分布は、図1の場合と同様に実線22Xで示すように均一な分布に近づく。
ホモジナイズ面20上の光照射領域は、Y軸方向に長く、X軸方向に短い線状の形状を有する。ホモジナイズ面20の位置に、図1(A)に示す基板5の被加工面を配置することにより、その面内のY軸方向に長い線状の領域を、ほぼ均一に照射することができる。ホモジナイザ3のホモジナイズ面20におけるビーム断面の長さ(Y軸方向の長さ)は、例えば730mmであり、ビーム断面の幅(X軸方向の長さ)は、例えば1mmである。
エネルギ損失を考えないとき、パルスエネルギが15Jのパルスレーザビームの断面を、長さ730mm、幅1mmに整形すると、被加工面におけるパルスエネルギ密度は2J/cm2程度となる。例えば、伝送光学系によるエネルギ損失が50%としたときでも、被加工面上のパルスエネルギ密度は1J/cm2程度となる。アモルファスシリコン膜の多結晶化を行うために必要な被加工面上のパルスエネルギ密度の下限値は0.3〜0.4J/cm2程度であるので、1J/cm2のパルスエネルギ密度は、その2倍以上となる。
図1(B)に戻って説明を続ける。ホモジナイザ3のホモジナイズ面20に近接して、ホモジナイザ3側に遮光板4が配置されている。遮光板4が、長尺に整形されたビーム断面の長さ方向の両端の光を遮り、それ以外の部分の光を透過させる。これにより、ホモジナイズ面20に配置された基板5の表面に照射される長尺ビームの長さが調節される。図1(A)を参照して説明したように、基板5の表面上に、レーザを照射する被加工領域5aが画定されている。基板表面上のビーム断面の(Y軸方向の)長さが、被加工領域5aのY軸方向の長さ(例えば690mm)と等しくなるように調節される。遮光板4を出射したレーザビームが、被加工領域5a内のY軸方向の一端から他端までに至る領域を照射するように、基板5が配置される。基板5はステージ6に保持される。
なお、レーザ光源から出射されるレーザのパルスエネルギが10Jであり、ホモジナイザは、被加工面(ホモジナイズ面)において長さが500mmで幅が1mmとなるようにビーム断面を整形し、伝送光学系によるエネルギ損失が50%と仮定したとき、被加工面上のパルスエネルギ密度は1J/cm2となる。このパルスエネルギ密度は、アモルファスシリコン膜の多結晶化を行うのに充分な大きさである。
従来技術によるレーザアニール装置では、高々350mm〜400mm程度の長尺ビームしか作ることができなかったため、一辺の長さが例えば500mm以上の被加工領域を、一度のレーザビーム走査(ビームの長尺方向に直交する方向への走査)で加工することができなかった。本実施例によるレーザアニール装置を用いれば、多結晶化に充分な大きさのパルスエネルギ密度を有し、500mm以上の長さの長尺ビームを作ることができるため、一辺の長さが500mm以上の被加工領域を、ビームの長尺方向に直交する方向への一度の走査で加工することができる。
なお、上記の説明において、基板表面上でビーム照射領域を移動させるために、基板を移動させたが、基板の位置は固定したまま、例えばホモジナイザを移動させて、基板に入射するレーザビームを移動させることにより、基板上のビーム照射領域を移動させても構わない。
以上実施例に沿って本発明を説明したが、本発明はこれらに制限されるものではない。例えば、種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に自明であろう。
1 レーザ光源
2 折り返しミラー
3 ホモジナイザ
4 遮光板
5 基板
5a 被加工領域
5b 照射領域
6 ステージ
2 折り返しミラー
3 ホモジナイザ
4 遮光板
5 基板
5a 被加工領域
5b 照射領域
6 ステージ
Claims (2)
- レーザビームが照射される加工対象物を保持する保持台と、
1パルス当たりのエネルギが10J以上であるパルスレーザビームを出射するレーザ光源と、
前記レーザ光源から出射したレーザビームの断面を一方向に長い形状に整形して、加工対象物の表面上におけるビーム断面の長さを500mm以上とするビーム整形器と
を有するレーザアニール装置。 - (a)加工対象物の表面に画定された被加工領域の第1の方向の一端から他端までに至る長さの線状に、レーザビームの断面を整形する工程と、
(b)前記工程(a)で断面が整形されたレーザビームを、前記被加工領域の前記第1の方向の一端から他端までが照射されるように、前記加工対象物に照射する工程と
(c)前記被加工領域内におけるビーム照射領域が、前記第1の方向と直交する方向に移動するように、前記加工対象物に入射するレーザビームと該加工対象物との相対位置を変化させる工程と
を有し、前記被加工領域の前記第1の方向の一端から他端までの長さが、500mm以上であるレーザアニール方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004115804A JP2005302956A (ja) | 2004-04-09 | 2004-04-09 | レーザアニール装置及びレーザアニール方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004115804A JP2005302956A (ja) | 2004-04-09 | 2004-04-09 | レーザアニール装置及びレーザアニール方法 |
Publications (1)
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---|---|
JP2005302956A true JP2005302956A (ja) | 2005-10-27 |
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ID=35334104
Family Applications (1)
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JP2004115804A Withdrawn JP2005302956A (ja) | 2004-04-09 | 2004-04-09 | レーザアニール装置及びレーザアニール方法 |
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JP (1) | JP2005302956A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019103962A (ja) * | 2017-12-11 | 2019-06-27 | 株式会社Ihi検査計測 | レーザクリーニング装置 |
-
2004
- 2004-04-09 JP JP2004115804A patent/JP2005302956A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
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---|---|---|---|
A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
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