JP2002141301A5 - - Google Patents

Claims (10)

1. 複数のレーザ発振器から放射された複数のレーザビームを加工対象物の表面に照射するレーザ光学系であって、
   上記レーザ光学系が、それぞれのレーザビームが加工対象物の表面で線状になるようにレーザビームを形成する複数の線状ビーム成形手段を備え、
   それぞれの線状のレーザビームは、加工対象物表面上を、当該レーザビームの長手方向及びレーザビームの伝搬方向に対して略垂直の方向に、相対的に移動可能であり、
   レーザビームの加工対象物表面における照射帯域と、隣接する他のレーザビームの照射帯域との間に隙間が生じないレーザ光学系。
2. 線状ビーム成形手段が、レーザビームの光軸と直交する方向に収束する円筒レンズを含み、円筒レンズが複数のレーザビームに対して共通の単一の円筒レンズである請求項１に記載のレーザ光学系。
3. 各レーザ発振器と対応の線状ビーム成形手段とがそのレーザビームの光軸を、基板と平行で且つ基板表面に対して縦に配列した請求項１のレーザ光学系。
4. 上記レーザ光学系が、基板上の半導体膜表面に照射された線状の照射レーザビームを、ビーム長手方向にほほ一直線に配列させるようにした請求項１ないし３のいずれかに記載のレーザ光学系。
5. 上記レーザ光学系が、基板上の半導体膜表面に照射された各照射レーザビームを互いに重複することなく近接させた請求項１ないし４のいずれかに記載のレーザ光学系。
6. 半導体膜が、基板上に成膜されたケイ素膜である請求項１ないし５のいずれかに記載のレーザ光学系
7. レーザ発振器が、３３０〜８００ｎｍの範囲の発振波長を有するパルスレーザ発振器である請求項１ないし６のいずれかに記載のレーザ光学系を備えたレーザ光学系。
8. レーザ発振器が、固体レーザの高調波を利用する請求項７に記載のレーザ光学系。
9. 請求項１ないし８のいずれかに記載のレーザ光学系と上記レーザ発振器と、半導体膜を形成した該基板を載置するステージとを含み、レーザビームとステージとの相対的移動により、半導体膜表面上で線状レーザビームをその幅方向に移動させて、半導体膜を溶融後結晶化させるレーザアニーリング装置。
10. 上記ステージに走査駆動装置を備えて、ステージを走査させるようにした請求項９に記載のレーザアニーリング装置。