JP2008004920A5 - - Google Patents

Claims (15)

1. 基板上に、放射線を電荷に変換する変換素子と前記変換素子に接続されたスイッチ素子とを含む画素がマトリクス状に配置された画素領域を有する放射線撮像装置であって、
   前記スイッチ素子に接続された第１の線と、
   前記変換素子に接続された第２の線と、
   前記基板の前記画素領域の外で、前記第１の線と前記第２の線とが交差する交差部を備え、
   前記交差部では、前記第１の線と前記第２の線との間に半導体層が配置され、かつ、前記半導体層と前記第１の線との間にキャリア阻止部が配置されていることを特徴とする放射線撮像装置。
2. 前記第１の線は、前記基板と前記第２の線との間に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の放射線撮像装置。
3. 前記第２の線と前記半導体層との間に第１の不純物半導体層が配置されていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の放射線撮像装置。
4. 前記第１の不純物半導体層は、ｎ型半導体層であることを特徴とする請求項３に記載の放射線撮像装置。
5. 前記変換素子で放射線を電荷に変換する際に、前記第１の線のフェルミ準位が前記第２の線のフェルミ準位よりも高くなるように構成されていることを特徴とする請求項４に記載の放射線撮像装置。
6. 前記変換素子で放射線を電荷に変換する際に、前記第１の線に第１の電圧を与え、前記第２の線に前記第１の電圧よりも高い第２の電圧を与えるよう構成されていることを特徴とする請求項５に記載の放射線撮像装置。
7. 前記第１の不純物半導体層は、ｐ型半導体層であることを特徴とする請求項３に記載の放射線撮像装置。
8. 前記キャリア阻止部と前記半導体層との間に第２の不純物半導体層が配置されていることを特徴とする請求項７に記載の放射線撮像装置。
9. 前記第２の不純物半導体層は、ｎ型半導体層であることを特徴とする請求項８に記載の放射線撮像装置。
10. 前記第２の線と前記半導体層との間に電極層が配置されていることを特徴とする請求項７乃至請求項９のいずれか１項に記載の放射線撮像装置。
11. 前記変換素子で放射線を電荷に変換する際に、前記第１の線のフェルミ準位が前記第２の線のフェルミ準位よりも低くなるように構成されていることを特徴とする請求項７乃至請求項１０のいずれか１項に記載の放射線撮像装置。
12. 前記変換素子で放射線を電荷に変換する際に、前記第１の線に第１の電圧を与え、前記第２の線に前記第１の電圧よりも低い第２の電圧を与えるよう構成されていることを特徴とする請求項１１に記載の放射線撮像装置。
13. 前記キャリア阻止部は、第１の絶縁層及び第２の絶縁層を含むことを特徴とする請求項１乃至請求項１２のいずれか１項に記載の放射線撮像装置。
14. 前記半導体層は、アモルファスシリコンで形成されていることを特徴とする請求項１乃至請求項１３のいずれか１項に記載の放射線撮像装置。
15. 請求項１乃至請求項１４のいずれか１項に記載の放射線撮像装置と、
    前記放射線撮像装置からの信号を処理する信号処理手段と、
    を備えることを特徴とする放射線撮像システム。