JP2007329433A5 - - Google Patents

Claims (9)

1. 基板上に、光電変換素子とスイッチング素子とを含む画素がマトリクス状に配置された画素領域を有する光電変換装置であって、
   前記スイッチング素子は、前記基板側から、ゲート電極、第１の絶縁層、第２の絶縁層、半導体層の順に配置された構造を有し、
   前記光電変換素子は、前記スイッチング素子の前記第１の絶縁層と同一層から形成された絶縁層上に、前記基板側から、下部電極、前記スイッチング素子の前記第２の絶縁層と同一層から形成された絶縁層、前記スイッチング素子の前記半導体層と同一層から形成された半導体層の順に配置されたＭＩＳ型構造を有することを特徴とする光電変換装置。
2. 前記スイッチング素子の前記ゲート電極と前記光電変換素子の前記下部電極とは、それぞれ別の層から形成されていることを特徴とする請求項１に記載の光電変換装置。
3. 前記スイッチング素子の前記ゲート電極と前記光電変換素子の前記下部電極とは、それぞれの水平方向における間隔が０であることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の光電変換装置。
4. 前記スイッチング素子の前記ゲート電極と前記光電変換素子の前記下部電極とは、それぞれ水平方向においてオーバーラップしていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の光電変換装置。
5. 前記第２の絶縁層の膜厚は、前記第１の絶縁層の膜厚よりも薄いことを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の光電変換装置。
6. 前記第１の絶縁層は、前記第２の絶縁層よりも低温で形成されたことを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の光電変換装置。
7. 前記スイッチング素子の前記半導体層の膜厚は、前記光電変換素子の前記半導体層の膜厚よりも薄いことを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の光電変換装置。
8. 請求項１乃至請求項７のいずれか１項に記載の光電変換装置の光入射側に、放射線を光に波長変換する蛍光体を有することを特徴とする放射線検出装置。
9. 請求項１乃至請求項７のいずれか１項に記載の光電変換装置と、
   前記光電変換装置からの信号を処理する信号処理手段と、
   前記信号処理手段からの信号を表示するための表示手段と、
   前記信号処理手段からの信号を表示手段に伝送するための伝送処理手段と、
   を備えることを特徴とする撮像システム。