JP2008244445A5 - - Google Patents

Claims (9)

1. 絶縁基板上に配置された複数の画素を有する撮像装置であって、
   前記複数の画素はそれぞれ、複数の薄膜トランジスタと、該複数の薄膜トランジスタ上に配置された変換素子と、前記複数の薄膜トランジスタと前記変換素子との間に配置された複数の絶縁膜と、を含み、
   前記複数の薄膜トランジスタは、前記変換素子にゲート電極が電気的に接続された読み出し用薄膜トランジスタと、前記読み出し用薄膜トランジスタのソース電極又はドレイン電極に電気的に接続された第１の選択用薄膜トランジスタと、を含み、
   入射した光又は放射線を変換素子が変換して得られる電荷に対応した信号が転送される信号配線及び第１の選択用薄膜トランジスタのゲート電極に駆動信号を供給するゲート配線の少なくとも一方が前記複数の絶縁膜の間に配置されていることを特徴とする撮像装置。
2. 請求項１に記載の撮像装置であって、前記複数の絶縁膜の各々は、前記複数の薄膜トランジスタのゲート絶縁膜より厚いことを特徴とする撮像装置。
3. 請求項１又は２に記載の撮像装置であって、前記複数の絶縁膜の各々の膜厚は、１μｍ以上６μｍ以下であることを特徴とする撮像装置。
4. 請求項１から３のいずれか１項に記載の撮像装置であって、前記画素が前記変換素子に接続された、リセット電位を供給するためのリセット用薄膜トランジスタを有することを特徴とする撮像装置。
5. 請求項１から４のいずれか１項に記載の撮像装置であって、前記画素が前記変換素子と前記信号配線との間に電気的に接続された、前記変換素子が変換して得られる電荷を転送する転送用薄膜トランジスタを有することを特徴とする撮像装置。
6. 請求項１から５のいずれか１項に記載の撮像装置であって、前記画素が前記ゲート配線に電気的に接続された第２の選択用薄膜トランジスタを有し、
   前記読み出し用薄膜トランジスタのソース電極及びドレイン電極のそれぞれに前記第１の選択用薄膜トランジスタ及び前記第２の選択用薄膜トランジスタのいずれかが電気的に接続されたことを特徴とする撮像装置。
7. 請求項１から６のいずれか１項に記載の撮像装置であって、前記読み出し用薄膜トランジスタは、多結晶シリコンを用いたトップゲート型の薄膜トランジスタであることを特徴とする撮像装置。
8. 請求項１から７のいずれか１項に記載の撮像装置であって、前記変換素子は、光電変換素子とシンチレータが組み合わされたものであることを特徴とする撮像装置。
9. 請求項１から８のいずれか１項に記載の撮像装置と、
   前記撮像装置からの信号を処理する信号処理手段と、
   前記信号処理手段からの信号を記録するための記録手段と、
   前記信号処理手段からの信号を表示するための表示手段と、
   前記信号処理手段からの信号を伝送するための伝送処理手段と、を有することを特徴とする放射線撮像システム。