RU2018130065A - Модуль формирования изображений, устройство формирования изображений и управляющая программа для формирования изображений - Google Patents
Модуль формирования изображений, устройство формирования изображений и управляющая программа для формирования изображений Download PDFInfo
- Publication number
- RU2018130065A RU2018130065A RU2018130065A RU2018130065A RU2018130065A RU 2018130065 A RU2018130065 A RU 2018130065A RU 2018130065 A RU2018130065 A RU 2018130065A RU 2018130065 A RU2018130065 A RU 2018130065A RU 2018130065 A RU2018130065 A RU 2018130065A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- signal
- image forming
- forming element
- semiconductor chip
- circuit
- Prior art date
Links
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title 2
- 238000009472 formulation Methods 0.000 title 1
- PWPJGUXAGUPAHP-UHFFFAOYSA-N lufenuron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(C(F)(F)F)F)=CC(Cl)=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F PWPJGUXAGUPAHP-UHFFFAOYSA-N 0.000 title 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims 37
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 26
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims 4
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims 2
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14634—Assemblies, i.e. Hybrid structures
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/50—Control of the SSIS exposure
- H04N25/57—Control of the dynamic range
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1462—Coatings
- H01L27/14621—Colour filter arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
- H01L27/14627—Microlenses
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14636—Interconnect structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1464—Back illuminated imager structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
- H01L27/14645—Colour imagers
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/50—Control of the SSIS exposure
- H04N25/53—Control of the integration time
- H04N25/533—Control of the integration time by using differing integration times for different sensor regions
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/50—Control of the SSIS exposure
- H04N25/57—Control of the dynamic range
- H04N25/58—Control of the dynamic range involving two or more exposures
- H04N25/581—Control of the dynamic range involving two or more exposures acquired simultaneously
- H04N25/585—Control of the dynamic range involving two or more exposures acquired simultaneously with pixels having different sensitivities within the sensor, e.g. fast or slow pixels or pixels having different sizes
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
- H04N25/75—Circuitry for providing, modifying or processing image signals from the pixel array
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/79—Arrangements of circuitry being divided between different or multiple substrates, chips or circuit boards, e.g. stacked image sensors
Claims (92)
1. Элемент формирования изображений содержащий:
множество первых пикселей, которые имеют первые узлы фотоэлектрического преобразования, которые преобразуют свет в заряд; и
множество вторых пикселей, которые имеют вторые узлы фотоэлектрического преобразования, которые преобразуют свет в заряд;
первую линию управления, которая соединена с множеством первых пикселей и выводит первый управляющий сигнал для управления первыми пикселями; и
вторую линию управления, которая соединена с множеством вторых пикселей и выводит второй управляющий сигнал для управления вторыми пикселями, причем вторая линия управления отличается от первой линии управления, при этом
первые узлы фотоэлектрического преобразования размещены в первом направлении и во втором направлении, которое пересекается с первым направлением, в первой области, на которую падает свет, и
вторые узлы фотоэлектрического преобразования размещены в первом направлении и во втором направлении, во второй области, на которую падает свет.
2. Элемент формирования изображений, содержащий:
множество пикселей;
первую линию управления, которая соединена с множеством первых пикселей, которые имеют первые узлы фотоэлектрического преобразования, которые преобразуют свет в заряд, из множества пикселей, и выводит первый управляющий сигнал для управления первыми пикселями;
вторую линию управления, которая соединена с множеством вторых пикселей, которые имеют вторые узлы фотоэлектрического преобразования, которые преобразуют свет в заряд, из множества пикселей, и выводит второй управляющий сигнал для управления вторыми пикселями, причем вторая линия управления отличается от первой линии управления, при этом
первые узлы фотоэлектрического преобразования размещены в первом направлении и во втором направлении, которое пересекается с первым направлением, в первой области, на которую падает свет, и
вторые узлы фотоэлектрического преобразования размещены в первом направлении и во втором направлении, во второй области, на которую падает свет.
3. Элемент формирования изображений по п. 1 или 2, в котором
первый пиксель включает в себя первый схемный узел, соединенный с первой линией управления, и
второй пиксель включает в себя второй схемный узел, соединенный со второй линией управления.
4. Элемент формирования изображений по п. 3, в котором
первый схемный узел включает в себя первый узел переноса, который переносит заряд из первого узла фотоэлектрического преобразования посредством первого управляющего сигнала, и
второй схемный узел включает в себя второй узел переноса, который переносит заряд из второго узла фотоэлектрического преобразования посредством второго управляющего сигнала.
5. Элемент формирования изображений по п. 1 или 2, в котором
второй управляющий сигнал выводится во вторую линию управления при тактировании, которое отличается от тактирования, при котором первый управляющий сигнал выводится в первую линию управления.
6. Элемент формирования изображений по п. 4, содержащий:
третью линию управления, которая соединена с множеством первых пикселей и выводит третий управляющий сигнал для управления первыми пикселями; и
четвертую линию управления, которая соединена с множеством вторых пикселей, и выводит четвертый управляющий сигнал для управления вторыми пикселями, причем четвертая линия управления отличается от третьей линии управления, при этом
первый схемный узел включает в себя первый узел сброса, который соединен с третьей линией управления и сбрасывает посредством третьего управляющего сигнала потенциал первой плавающей диффузионной области, в которую переносится заряд из первого узла фотоэлектрического преобразования, и
второй схемный узел включает в себя второй узел сброса, который соединен с четвертой линией управления и сбрасывает посредством четвертого управляющего сигнала потенциал второй плавающей диффузионной области, в которую переносится заряд из второго узла фотоэлектрического преобразования.
7. Элемент формирования изображений по п. 6, в котором
четвертый управляющий сигнал выводится в четвертую линию управления при тактировании, которое отличается от тактирования, при котором третий управляющий сигнал выводится в третью линию управления.
8. Элемент формирования изображений по п. 3, в котором
первый схемный узел включает в себя первый узел сброса, который сбрасывает посредством первого управляющего сигнала потенциал первой плавающей диффузионной области, в которую переносится заряд из первого узла фотоэлектрического преобразования, и
второй схемный узел включает в себя второй узел сброса, который сбрасывает посредством второго управляющего сигнала, потенциал второй плавающей диффузионной области, в которую переносится заряд из второго узла фотоэлектрического преобразования.
9. Элемент формирования изображений по п. 8, в котором
второй управляющий сигнал выводится во вторую линию управления при тактировании, которое отличается от тактирования, при котором первый управляющий сигнал выводится в первую линию управления.
10. Элемент формирования изображений по п. 1 или 2, в котором
вторая область расположена на стороне первого направления по отношению к первой области.
11. Элемент формирования изображений по п. 1 или 2, в котором
вторая область расположена на стороне второго направления по отношению к первой области.
12. Элемент формирования изображений по п. 1 или 2, содержащий:
первую линию вывода, которая соединена с первым пикселем и выводит первый сигнал, образованный зарядом первого узла фотоэлектрического преобразования, и
вторую линию вывода, которая соединена со вторым пикселем и выводит второй сигнал, образованный зарядом второго узла фотоэлектрического преобразования, причем вторая линия вывода отличается от первой линии вывода.
13. Элемент формирования изображений по п. 12, содержащий
первую схему источника тока, которая соединена с первой линией вывода и подает ток в первую линию вывода, и
вторую схему источника тока, которая соединена со второй линией вывода и подает ток во вторую линию вывода.
14. Элемент формирования изображений по п. 12, в котором
первая линия вывода соединена с множеством первых пикселей, и
вторая линия вывода соединена с множеством вторых пикселей.
15. Элемент формирования изображений по п. 12, содержащий
узел обработки сигналов который выполняет обработку сигналов на первом сигнале и втором сигнале.
16. Элемент формирования изображений по п. 15, в котором
узел обработки сигналов включает в себя усилитель, который усиливает первый сигнал и второй сигнал.
17. Элемент формирования изображений по п. 15, в котором
узел обработки сигналов включает в себя узел преобразования, который преобразует первый сигнал и второй сигнал в цифровые сигналы.
18. Элемент формирования изображений по п. 17, в котором
первый узел фотоэлектрического преобразования и второй узел фотоэлектрического преобразования расположены в первом полупроводниковом кристалле, и
узел преобразования расположен во втором полупроводниковом кристалле, который отличается от первого полупроводникового кристалла.
19. Элемент формирования изображений по п. 18, в котором
первый полупроводниковый кристалл расположен на втором полупроводниковом кристалле.
20. Элемент формирования изображений по п. 17, содержащий
узел записи, который записывает первый сигнал, который был преобразован в цифровой сигнал секцией преобразования, и второй сигнал, который был преобразован в цифровой сигнал секцией преобразования.
21. Элемент формирования изображений по п. 20, в котором
первый узел фотоэлектрического преобразования и второй узел фотоэлектрического преобразования расположены в первом полупроводниковом кристалле,
узел преобразования расположен во втором полупроводниковом кристалле, который отличается от первого полупроводникового кристалла, и
узел записи расположен в третьем полупроводниковом кристалле, который отличается от первого полупроводникового кристалла и второго полупроводникового кристалла.
22. Элемент формирования изображений по п. 21, в котором
первый полупроводниковый кристалл расположен на третьем полупроводниковом кристалле.
23. Элемент формирования изображений по п. 15, в котором
узел обработки сигналов включает в себя первую схему обработки сигналов, которая выполняет обработку сигналов на первом сигнале, и вторую схему обработки сигналов, которая выполняет обработку сигналов на втором сигнале.
24. Элемент формирования изображений по п. 23, в котором
первая схема обработки сигналов включает в себя первую схему усиления, которая усиливает первый сигнал, и
вторая схема обработки сигналов включает в себя вторую схему усиления, которая усиливает второй сигнал.
25. Элемент формирования изображений по п. 23, в котором
первая схема обработки сигналов включает в себя первую схему преобразования, которая преобразует первый сигнал в цифровой сигнал, и
вторая схема обработки сигналов включает в себя вторую схему преобразования, которая преобразует второй сигнал в цифровой сигнал.
26. Элемент формирования изображений по п. 25, в котором
первый узел фотоэлектрического преобразования и второй узел фотоэлектрического преобразования расположены в первом полупроводниковом кристалле, и
первая схема преобразования и вторая схема преобразования расположены во втором полупроводниковом кристалле, который отличается от первого полупроводникового кристалла.
27. Элемент формирования изображений по п. 26, в котором
первый полупроводниковый кристалл расположен на втором полупроводниковом кристалле.
28. Элемент формирования изображений по п. 25, содержащий
первую схему записи, которая записывает первый сигнал, который был преобразован в цифровой сигнал первой схемой преобразования; и
вторую схему записи, которая записывает второй сигнал, который был преобразован в цифровой сигнал второй схемой преобразования.
29. Элемент формирования изображений по п. 28, в котором
первый узел фотоэлектрического преобразования и второй узел фотоэлектрического преобразования расположены в первом полупроводниковом кристалле,
первая схема преобразования и вторая схема преобразования расположены во втором полупроводниковом кристалле, который отличается от первого полупроводникового кристалла, и
первая схема записи и вторая схема записи расположены в третьем полупроводниковом кристалле, который отличается от первого полупроводникового кристалла и второго полупроводникового кристалла.
30. Элемент формирования изображений по п. 29, в котором
первый полупроводниковый кристалл расположен на третьем полупроводниковом кристалле.
31. Электронное устройство, содержащее элемент формирования изображений по любому из пп. 1-30.
32. Электронное устройство по п. 31, содержащее узел отображения, который отображает изображение объекта, сформированное элементом формирования изображений.
33. Электронное устройство по п. 31 или 32, содержащее узел обработки изображений, который соединен с элементом формирования изображений и выполняет обработку изображений.
34. Электронное устройство по п. 33, содержащее узел управления записью, который заставляет узел записи записывать данные, на которых узел обработки изображений выполняет обработку изображений.
35. Электронное устройство по п. 33, содержащее узел управления отображением, который заставляет узел отображения отображать изображение на основе данных, на которых узел обработки изображений выполняет обработку изображений.
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012082312 | 2012-03-30 | ||
JP2012-082312 | 2012-03-30 | ||
JP2012128092 | 2012-06-05 | ||
JP2012-128092 | 2012-06-05 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2014143824A Division RU2666761C2 (ru) | 2012-03-30 | 2013-03-28 | Модуль формирования изображений, устройство формирования изображений и управляющая программа для формирования изображений |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2018130065A true RU2018130065A (ru) | 2019-03-15 |
Family
ID=49259058
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2014143824A RU2666761C2 (ru) | 2012-03-30 | 2013-03-28 | Модуль формирования изображений, устройство формирования изображений и управляющая программа для формирования изображений |
RU2018130065A RU2018130065A (ru) | 2012-03-30 | 2013-03-28 | Модуль формирования изображений, устройство формирования изображений и управляющая программа для формирования изображений |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2014143824A RU2666761C2 (ru) | 2012-03-30 | 2013-03-28 | Модуль формирования изображений, устройство формирования изображений и управляющая программа для формирования изображений |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (6) | US9571767B2 (ru) |
EP (2) | EP3490247B1 (ru) |
JP (7) | JP6277954B2 (ru) |
CN (6) | CN110149485B (ru) |
IN (1) | IN2014DN08606A (ru) |
RU (2) | RU2666761C2 (ru) |
WO (1) | WO2013145765A1 (ru) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11350053B2 (en) | 2017-11-30 | 2022-05-31 | Sony Corporation | Imaging device, method thereof, and imaging element |
Families Citing this family (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1104381B (de) * | 1959-10-03 | 1961-04-06 | Karrenberg Fa Wilhelm | Tuerschloss |
CN110149485B (zh) * | 2012-03-30 | 2022-04-19 | 株式会社尼康 | 拍摄单元及拍摄装置 |
EP2846538B1 (en) * | 2012-05-02 | 2021-06-23 | Nikon Corporation | Imaging device |
EP2975839B1 (en) | 2013-03-14 | 2020-11-25 | Nikon Corporation | Image-capturing unit, image-capturing device, and image-capture control program |
US10142563B2 (en) | 2013-07-04 | 2018-11-27 | Nikon Corporation | Electronic apparatus, method for controlling electronic apparatus, and control program |
TWI539584B (zh) * | 2014-05-12 | 2016-06-21 | 原相科技股份有限公司 | 具增進的收光效率的前感光式半導體結構及其製作方法 |
JP6380986B2 (ja) | 2015-03-12 | 2018-08-29 | 富士フイルム株式会社 | 撮影装置および方法 |
CN113099136A (zh) | 2015-09-30 | 2021-07-09 | 株式会社尼康 | 拍摄元件 |
JP6583430B2 (ja) | 2015-12-16 | 2019-10-02 | 株式会社ニコン | 撮像装置および動き検出方法 |
JP2018019335A (ja) * | 2016-07-29 | 2018-02-01 | ソニー株式会社 | 撮像素子および撮像装置 |
KR102430496B1 (ko) | 2017-09-29 | 2022-08-08 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센싱 장치 및 그 제조 방법 |
KR102477352B1 (ko) * | 2017-09-29 | 2022-12-15 | 삼성전자주식회사 | 반도체 패키지 및 이미지 센서 |
JP6610648B2 (ja) * | 2017-12-26 | 2019-11-27 | 株式会社ニコン | 撮像装置 |
KR102499033B1 (ko) * | 2018-01-31 | 2023-02-13 | 삼성전자주식회사 | 스택형 이미지 센서 및 스택형 이미지 센서를 포함하는 전자 장치 |
JP2018157602A (ja) * | 2018-06-14 | 2018-10-04 | 株式会社ニコン | 撮像装置 |
JP6954391B2 (ja) * | 2018-06-14 | 2021-10-27 | 株式会社ニコン | 電子機器 |
JP2020014110A (ja) * | 2018-07-18 | 2020-01-23 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像素子、撮像装置、および、固体撮像素子の制御方法 |
JP7245016B2 (ja) * | 2018-09-21 | 2023-03-23 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置および撮像システム |
JP7250555B2 (ja) * | 2019-02-18 | 2023-04-03 | キヤノン株式会社 | 撮像素子、および撮像装置 |
US11336854B2 (en) | 2019-03-01 | 2022-05-17 | Brookman Technology, Inc. | Distance image capturing apparatus and distance image capturing method using distance image capturing apparatus |
JP7137710B2 (ja) * | 2019-07-26 | 2022-09-14 | 富士フイルム株式会社 | 撮像素子、撮像装置、撮像素子の作動方法、及びプログラム |
JP2021082934A (ja) * | 2019-11-19 | 2021-05-27 | キヤノン株式会社 | 撮像装置及び撮像システム |
US20230056775A1 (en) | 2020-02-05 | 2023-02-23 | Panasonic Intellectual Property Corporation Of America | Terminal and communication method |
US20210265411A1 (en) * | 2020-02-21 | 2021-08-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
KR20220022019A (ko) * | 2020-08-14 | 2022-02-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 입력 감지 방법 및 이를 포함하는 입력 감지 장치 |
JP7099560B2 (ja) * | 2021-01-19 | 2022-07-12 | 株式会社ニコン | 撮像素子及び撮像装置 |
Family Cites Families (66)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0626410B2 (ja) * | 1986-04-14 | 1994-04-06 | 富士写真フイルム株式会社 | カラ−イメ−ジセンサ− |
JPS6489720A (en) * | 1987-09-30 | 1989-04-04 | Toshiba Corp | Line switching device |
US5262871A (en) * | 1989-11-13 | 1993-11-16 | Rutgers, The State University | Multiple resolution image sensor |
JPH06113195A (ja) * | 1992-09-29 | 1994-04-22 | Canon Inc | ビデオカメラ装置 |
US5452004A (en) * | 1993-06-17 | 1995-09-19 | Litton Systems, Inc. | Focal plane array imaging device with random access architecture |
JP2541470B2 (ja) * | 1993-08-26 | 1996-10-09 | 日本電気株式会社 | 固体撮像素子 |
US5543838A (en) * | 1993-08-31 | 1996-08-06 | Xerox Corporation | Signal multiplexing system for an image sensor array |
JP3397469B2 (ja) * | 1994-10-20 | 2003-04-14 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置 |
US6977684B1 (en) * | 1998-04-30 | 2005-12-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Arrangement of circuits in pixels, each circuit shared by a plurality of pixels, in image sensing apparatus |
US6693670B1 (en) * | 1999-07-29 | 2004-02-17 | Vision - Sciences, Inc. | Multi-photodetector unit cell |
JP2001103379A (ja) * | 1999-09-28 | 2001-04-13 | Minolta Co Ltd | 固体撮像装置 |
JP3713418B2 (ja) * | 2000-05-30 | 2005-11-09 | 光正 小柳 | 3次元画像処理装置の製造方法 |
US20030049925A1 (en) | 2001-09-10 | 2003-03-13 | Layman Paul Arthur | High-density inter-die interconnect structure |
CN1234234C (zh) * | 2002-09-30 | 2005-12-28 | 松下电器产业株式会社 | 固体摄像器件及使用该固体摄像器件的设备 |
DE602004021985D1 (de) * | 2003-03-25 | 2009-08-27 | Panasonic Corp | Bildaufnahmevorrichtung, die Detailverlust schattiger Bereiche vermeidet |
US20050212936A1 (en) * | 2004-03-25 | 2005-09-29 | Eastman Kodak Company | Extended dynamic range image sensor with fixed pattern noise reduction |
JP4349232B2 (ja) | 2004-07-30 | 2009-10-21 | ソニー株式会社 | 半導体モジュール及びmos型固体撮像装置 |
JP4277216B2 (ja) | 2005-01-13 | 2009-06-10 | ソニー株式会社 | 撮像装置及び撮像結果の処理方法 |
TWI429066B (zh) * | 2005-06-02 | 2014-03-01 | Sony Corp | Semiconductor image sensor module and manufacturing method thereof |
JP4792976B2 (ja) * | 2006-01-10 | 2011-10-12 | セイコーエプソン株式会社 | 撮像装置 |
WO2007083704A1 (ja) * | 2006-01-18 | 2007-07-26 | National University Corporation Shizuoka University | 固体撮像装置及びその画素信号の読みだし方法 |
JP4487944B2 (ja) * | 2006-02-09 | 2010-06-23 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置 |
JP2007220866A (ja) * | 2006-02-16 | 2007-08-30 | Sony Corp | 半導体装置 |
JP2007228019A (ja) * | 2006-02-21 | 2007-09-06 | Olympus Corp | 撮像装置 |
JP2007228460A (ja) | 2006-02-27 | 2007-09-06 | Mitsumasa Koyanagi | 集積センサを搭載した積層型半導体装置 |
JP5043448B2 (ja) * | 2006-03-10 | 2012-10-10 | キヤノン株式会社 | 放射線撮像装置及び放射線撮像システム |
JP3996618B1 (ja) * | 2006-05-11 | 2007-10-24 | 総吉 廣津 | 半導体撮像素子 |
WO2007134473A1 (de) * | 2006-05-22 | 2007-11-29 | Waeny Martin | Bildaufnehmer mit lokaler adaptiver belichtungsregelung |
US7714903B2 (en) * | 2006-08-29 | 2010-05-11 | Zoran Corporation | Wide dynamic range image capturing system method and apparatus |
CN101174645A (zh) * | 2006-11-03 | 2008-05-07 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 图像感测装置及其形成方法 |
JP4843461B2 (ja) * | 2006-11-13 | 2011-12-21 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置 |
WO2008075688A1 (ja) * | 2006-12-18 | 2008-06-26 | Sony Corporation | 撮像装置及び方法、記録装置及び方法、再生装置及び方法 |
JP5133085B2 (ja) * | 2007-04-18 | 2013-01-30 | パナソニック株式会社 | 撮像装置および撮像方法 |
US8144214B2 (en) | 2007-04-18 | 2012-03-27 | Panasonic Corporation | Imaging apparatus, imaging method, integrated circuit, and storage medium |
JP4337911B2 (ja) * | 2007-05-24 | 2009-09-30 | ソニー株式会社 | 撮像装置、撮像回路、および撮像方法 |
EP2181349B1 (en) * | 2007-08-06 | 2019-05-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Image sensing apparatus |
JP2009055540A (ja) * | 2007-08-29 | 2009-03-12 | Sanyo Electric Co Ltd | 撮像装置 |
JP2009055433A (ja) * | 2007-08-28 | 2009-03-12 | Sanyo Electric Co Ltd | 撮像装置 |
US7969492B2 (en) | 2007-08-28 | 2011-06-28 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Image pickup apparatus |
JP4693822B2 (ja) | 2007-08-29 | 2011-06-01 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置、カメラ及び情報処理装置 |
JP5223343B2 (ja) * | 2008-01-10 | 2013-06-26 | 株式会社ニコン | 固体撮像素子 |
KR101213451B1 (ko) * | 2008-06-10 | 2012-12-18 | 가부시키가이샤 시마쓰세사쿠쇼 | 고체촬상소자 |
JP5266916B2 (ja) * | 2008-07-09 | 2013-08-21 | ソニー株式会社 | 撮像素子、カメラ、撮像素子の制御方法、並びにプログラム |
JP5132497B2 (ja) * | 2008-09-16 | 2013-01-30 | キヤノン株式会社 | 撮像装置および撮像装置の制御方法 |
JP2010093549A (ja) * | 2008-10-08 | 2010-04-22 | Fujifilm Corp | 撮像装置及び固体撮像素子の駆動方法 |
JP5247397B2 (ja) * | 2008-12-05 | 2013-07-24 | キヤノン株式会社 | 撮像装置及び撮像方法 |
JP2010166304A (ja) * | 2009-01-15 | 2010-07-29 | Fujifilm Corp | 撮影装置および撮影装置の制御方法並びにプログラム |
JP5524495B2 (ja) * | 2009-03-10 | 2014-06-18 | 富士機械製造株式会社 | 撮像システムおよび電子回路部品装着機 |
JP4835710B2 (ja) | 2009-03-17 | 2011-12-14 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、固体撮像装置の駆動方法、及び電子機器 |
JP4941490B2 (ja) * | 2009-03-24 | 2012-05-30 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置、及び電子機器 |
JP2010283787A (ja) * | 2009-06-08 | 2010-12-16 | Panasonic Corp | 撮像装置 |
CN101931756B (zh) * | 2009-06-19 | 2012-03-21 | 比亚迪股份有限公司 | 一种提高cmos图像传感器动态范围的装置和方法 |
JP5342969B2 (ja) * | 2009-09-10 | 2013-11-13 | 富士フイルム株式会社 | 撮像装置及び撮像方法 |
JP2011091561A (ja) * | 2009-10-21 | 2011-05-06 | Panasonic Corp | 固体撮像素子、その駆動方法及びカメラ |
JP5721994B2 (ja) * | 2009-11-27 | 2015-05-20 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 放射線撮像装置 |
KR101133733B1 (ko) * | 2009-12-10 | 2012-04-09 | 삼성전자주식회사 | 전자 셔터를 이용한 다단계 노출 방법 및 이를 이용한 촬영 장치 |
KR20110076729A (ko) * | 2009-12-18 | 2011-07-06 | 삼성전자주식회사 | 전자 셔터를 이용한 다단계 노출 이미지 획득 방법 및 이를 이용한 촬영 장치 |
JP2011243704A (ja) * | 2010-05-17 | 2011-12-01 | Panasonic Corp | 固体撮像装置 |
JP2011244309A (ja) * | 2010-05-20 | 2011-12-01 | Sony Corp | 画像処理装置、画像処理方法及びプログラム |
JP5631643B2 (ja) | 2010-06-24 | 2014-11-26 | オリンパス株式会社 | 読出制御装置、読出制御方法、撮像装置、固体撮像装置およびプログラム |
JP2012010104A (ja) * | 2010-06-24 | 2012-01-12 | Sony Corp | 画像処理装置、撮像装置、画像処理方法、およびプログラム |
JP4657379B1 (ja) * | 2010-09-01 | 2011-03-23 | 株式会社ナックイメージテクノロジー | 高速度ビデオカメラ |
JP5500007B2 (ja) * | 2010-09-03 | 2014-05-21 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子およびカメラシステム |
CN102096273B (zh) * | 2010-12-29 | 2012-08-22 | 北京空间机电研究所 | 一种基于目标特性的空间相机自动曝光方法 |
JP2012235332A (ja) * | 2011-05-02 | 2012-11-29 | Sony Corp | 撮像装置、および撮像装置制御方法、並びにプログラム |
CN110149485B (zh) * | 2012-03-30 | 2022-04-19 | 株式会社尼康 | 拍摄单元及拍摄装置 |
-
2013
- 2013-03-28 CN CN201910490295.8A patent/CN110149485B/zh active Active
- 2013-03-28 RU RU2014143824A patent/RU2666761C2/ru active
- 2013-03-28 EP EP19151551.9A patent/EP3490247B1/en active Active
- 2013-03-28 JP JP2014507447A patent/JP6277954B2/ja active Active
- 2013-03-28 CN CN201910490100.XA patent/CN110299373A/zh active Pending
- 2013-03-28 RU RU2018130065A patent/RU2018130065A/ru not_active Application Discontinuation
- 2013-03-28 CN CN201910490685.5A patent/CN110265415A/zh active Pending
- 2013-03-28 CN CN201380018222.XA patent/CN104247401B/zh active Active
- 2013-03-28 CN CN201910490680.2A patent/CN110177227B/zh active Active
- 2013-03-28 WO PCT/JP2013/002148 patent/WO2013145765A1/ja active Application Filing
- 2013-03-28 CN CN201910490111.8A patent/CN110148605A/zh active Pending
- 2013-03-28 EP EP13768038.5A patent/EP2833620B1/en active Active
-
2014
- 2014-09-29 US US14/500,030 patent/US9571767B2/en active Active
- 2014-10-14 IN IN8606DEN2014 patent/IN2014DN08606A/en unknown
-
2017
- 2017-01-09 US US15/401,683 patent/US9967480B2/en active Active
-
2018
- 2018-01-18 JP JP2018006805A patent/JP6593468B2/ja active Active
- 2018-01-18 JP JP2018006808A patent/JP6593470B2/ja active Active
- 2018-01-18 JP JP2018006807A patent/JP6593469B2/ja active Active
- 2018-04-05 US US15/946,168 patent/US10652485B2/en active Active
-
2019
- 2019-09-26 JP JP2019175860A patent/JP2020017987A/ja active Pending
-
2020
- 2020-04-09 US US16/844,231 patent/US11082646B2/en active Active
-
2021
- 2021-07-09 US US17/371,751 patent/US11743608B2/en active Active
- 2021-11-17 JP JP2021186944A patent/JP7283520B2/ja active Active
-
2023
- 2023-05-16 JP JP2023080583A patent/JP2023103373A/ja active Pending
- 2023-07-18 US US18/223,262 patent/US20230362504A1/en active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11350053B2 (en) | 2017-11-30 | 2022-05-31 | Sony Corporation | Imaging device, method thereof, and imaging element |
Also Published As
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
RU2018130065A (ru) | Модуль формирования изображений, устройство формирования изображений и управляющая программа для формирования изображений | |
US10608101B2 (en) | Detection circuit for photo sensor with stacked substrates | |
US10598546B2 (en) | Detecting high intensity light in photo sensor | |
US9954034B2 (en) | Image sensor, method for manufacturing the same, and image processing device having the image sensor | |
US9973682B2 (en) | Image sensor including auto-focusing pixel and image processing system including the same | |
JP2018082494A5 (ja) | 撮像素子、撮像装置、および電子機器 | |
JP2018082495A5 (ja) | 撮像素子、撮像装置、および電子機器 | |
JP5552858B2 (ja) | 固体撮像装置、固体撮像装置の駆動方法、及び、電子機器 | |
JP2018082496A5 (ja) | 撮像素子、撮像装置、および電子機器 | |
JP2015159501A5 (ru) | ||
JP2017055328A5 (ru) | ||
KR101848771B1 (ko) | 3차원 이미지 센서 및 이를 포함하는 휴대용 장치 | |
TWI569646B (zh) | 用於提升像素單元中重設位準之方法及成像系統 | |
JP2010521812A5 (ru) | ||
JP2014120858A (ja) | 固体撮像装置 | |
JP2015162646A5 (ru) | ||
US20130188085A1 (en) | Image sensors having reduced dark current and imaging devices having the same | |
JP2008244445A5 (ru) | ||
JP2011522483A5 (ru) | ||
CN103531601B (zh) | 一种用于直接探测x射线的大面积cmos图像传感器 | |
JP2014078901A (ja) | データ転送回路、撮像素子、および撮像装置 | |
ATE537560T1 (de) | Bildsensorpixel mit grosser apertur | |
KR20120118348A (ko) | 이미지 센서, 이를 포함하는 이미지 처리 장치, 및 이들의 제조 방법 | |
JP2006129298A5 (ru) | ||
US20150312492A1 (en) | Image data processing device having image sensor with skewed pixel structure |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
FA93 | Acknowledgement of application withdrawn (no request for examination) |
Effective date: 20160329 |