JP2004328145A5 - - Google Patents

Claims (9)

1. 被写体を透過した放射線を電気信号として検出する複数の放射線検出素子が配置された放射線検出手段と、
   前記放射線検出手段で電気信号として検出された前記被写体の放射線画像を所定のフレームレートで複数フレームの連続した画像として撮影し、前記複数フレームの連続した画像のうち、第１のエネルギーを有する放射線によって取得された第１の画像と前記第１のエネルギーと異なる第２のエネルギーを有する放射線によって取得された第２の画像とを用いてサブトラクション処理を施すことにより得られた処理画像と、前記第１の画像もしくは前記第２の画像のいずれかの画像と、を同期させて表示装置に表示させる画像表示制御手段と
   を有することを特徴とする放射線撮像装置。
2. 前記画像表示制御手段は、前記第１の画像又は前記第２の画像に対して階調変換処理もしくはエッジ強調処理を行った後に、前記サブトラクション処理を施すことを特徴とする請求項１に記載の放射線撮像装置。
3. 前記放射線検出素子は、放射線を可視光に変換する波長変換体と、前記波長変換体で変換された可視光を電気信号に変換する光電変換素子とを含み構成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の放射線撮像装置。
4. 前記波長変換体は、Ｇｄ₂Ｏ₂Ｓ、Ｇｄ₂Ｏ₃、ＣｓＩのいずれかを主成分とするものであることを特徴とする請求項３に記載の放射線撮像装置。
5. 前記光電変換素子は、アモルファスシリコン半導体を用いたＭＩＳ型センサ又はＰＩＮ型センサであることを特徴とする請求項３又は４に記載の放射線撮像装置。
6. 前記ＭＩＳ型センサは、下部電極として形成された第１の金属薄膜層と、当該第１の金属薄膜層上に形成され、エレクトロン及びホールの通過を阻止するアモルファス窒化シリコンからなる絶縁層と、当該絶縁層上に形成された水素化アモルファスシリコンからなる光電変換層と、当該光電変換層上に形成され、ホールの注入を阻止するＮ型の注入阻止層と、当該注入阻止層上に上部電極として形成された透明導電層又は当該注入阻止層上の一部に形成された第２の金属薄膜層とを有して構成され、
   リフレッシュモードでは、前記ＭＩＳ型センサに対して、ホールを前記光電変換層から前記第２の金属薄膜層に導く方向に電界を与え、
   光電変換モードでは、前記ＭＩＳ型センサに対して、前記光電変換層に入射した放射線により発生したホールを当該光電変換層に留まらせてエレクトロンを前記第２の金属薄膜層に導く方向に電界を与え、
   前記光電変換モードにより前記光電変換層に蓄積される前記ホールもしくは前記第２の金属薄膜層に導かれた前記エレクトロンを光信号として検出することを特徴とする請求項５に記載の放射線撮像装置。
7. 前記放射線検出素子は、放射線を吸収して直接電気信号に変換するヨウ化鉛、ヨウ化水銀、セレン、テルル化カドミウム、ガリウムヒ素、ガリウム燐、硫化亜鉛、シリコンのいずれかの材料からなるものであることを特徴とする請求項１又は２に記載の放射線撮像装置。
8. 被写体を透過した放射線を電気信号として検出する複数の放射線検出素子が配置された放射線検出手段と、
   前記放射線検出素子に対して第１のエネルギーを有する放射線と当該第１のエネルギーとは異なる第２のエネルギーを有する放射線とを発生可能な放射線源と、
   前記放射線検出手段で電気信号として検出された前記被写体の放射線画像を所定のフレームレートで複数フレームの連続した画像として撮影し、取得された画像の表示制御を行う画像表示制御手段と、
   前記画像表示制御手段において取得された画像を表示する表示装置と
   を有し、
   前記画像表示制御手段は、前記複数フレームの連続した画像のうち、前記第１のエネルギーを有する放射線によって取得された第１の画像と前記第２のエネルギーを有する放射線によって取得された第２の画像とを用いてサブトラクション処理を施すことにより得られた処理画像と、前記第１の画像もしくは前記第２の画像のいずれかの画像と、を同期させて前記表示装置に表示させることを特徴とする放射線撮像システム。
9. 被写体を透過した放射線を電気信号として検出する放射線検出手段によって検出された複数フレームの連続した画像のうち、前記被写体を透過した第１のエネルギーを有する放射線によって取得された第１の画像と前記第１のエネルギーとは異なる第２のエネルギーを有する放射線によって取得された第２の画像とを用いてサブトラクション処理を施して処理画像を取得し、前記処理画像と、前記第１の画像もしくは前記第２の画像のいずれかの画像と、を同期させて表示装置に表示させることをコンピュータに実行させることを特徴とするコンピュータプログラム。