JP2007335751A5 - - Google Patents
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- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims 1
Claims (5)
- 半導体基板上に光電変換部と信号走査回路を含む単位画素を配置してなる画素領域と、
前記画素領域の一部に形成され、暗時レベル設定用のオプティカルブラック画素を配置してなるオプティカルブラック画素領域と、
前記画素領域の各単位画素から信号を読み出す信号線と、
前記オプティカルブラック画素領域で前記半導体基板の前記オプティカルブラック画素領域の下部に形成され、前記半導体基板の不純物濃度より高い不純物濃度を有するバリア層と
を具備することを特徴とする固体撮像装置。 - 前記バリア層は、さらに前記オプティカルブラック画素領域内の有効オプティカルブラック画素領域を平面的に囲む周辺部にも形成されていることを特徴とする請求項１記載の固体撮像装置。
- 前記オプティカルブラック画素領域の周辺部に形成されているバリア層の領域内に、前記オプティカルブラック画素領域の一部のオプティカルブラック画素が存在することを特徴とする請求項２記載の固体撮像装置。
- 前記オプティカルブラック画素領域は、素子分離領域を含み、前記バリア層は、前記素子分離領域の下方に形成されていることを特徴とする請求項１記載の固体撮像装置。
- 前記バリア層は、前記素子分離領域に接して形成されていることを特徴とする請求項４記載の固体撮像装置。
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