JP5476745B2 - 固体撮像装置とその製造方法、及び電子機器 - Google Patents

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Description

本発明は、固体撮像装置に関し、特に、フローティングディフュージョン部に信号電荷を転送するCMOS型の固体撮像装置とその製造方法に関する。また、その固体撮像装置を用いた電子機器に関する。

固体撮像装置は、CCD(Charge Coupled Device)型固体撮像装置と、CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)型固体撮像装置とに大別される。CCD型固体撮像装置とCMOS型固体撮像装置とを比較すると、CCD型固体撮像装置では、信号電荷の転送に高い駆動電圧を必要とするため、CMOS型固体撮像装置に比べて電源電圧が高くならざるを得ない。このように、CMOS型固体撮像装置は、消費電力の点などから、CCD型固体撮像装置に比べて有利とされている。

従って、近年、カメラ付き携帯電話やPDA(Personal Digital Assistant)などのモバイル機器に搭載されている固体撮像装置としては、CCD型固体撮像装置よりも有利なCMOS型固体撮像装置が多く用いられている。

CMOS型固体撮像装置は、フォトダイオードからなり、受光に応じて信号電荷を生成する受光部と、受光部で生成された信号電荷が読み出されるフローティングディフュージョン部と、複数のMOSトランジスタによって構成されている。複数のMOSトランジスタとしては、転送トランジスタ、リセットトランジスタ、アンプトランジスタ、選択トランジスタ(必要に応じて)が挙げられ、これらのMOSトランジスタは、上層に形成された多層配線層の所望の配線層に接続されている。CMOS型固体撮像装置では、受光部で生成、蓄積された信号電荷は、転送トランジスタにより画素毎にフローティングディフュージョン部に読み出される。そして、フローティングディフュージョン部で読み出された信号電荷は、増幅トランジスタにより増幅されて、選択トランジスタにより選択的に多層配線層に形成された垂直信号線に出力される。

ところで、このようなCMOS型固体撮像装置では、受光部であるフォトダイオードで入射した光を効率良く収集するため、その上部を広く開口することが好ましい。
一方、フローティングディフュージョン部では、受光部の電荷を転送し読み出しを行う際に光が入ると、フローティングディフュージョン部においても光電変換が行われてしまい、ノイズの原因となる。この為、フローティングディフュージョン部は遮光されていることが好ましい。

従来のCMOS型固体撮像装置では、フローティングディフュージョン部の遮光は、基板の上層に形成された多層配線層を用いてなされていた。しかしながら、CMOS型固体撮像装置の場合、画素部も、周辺回路と同じCMOSプロセスを用いて形成するため、CCD型固体撮像装置の場合と比較し、配線層をフローティングディフュージョン部直近まで落とし込むことができない。このため、遮光膜を構成する配線層と、フローティングディフュージョン部の間の距離を縮めることができず、光の漏れ込みを防ぐことができなかった。

そのような問題点に鑑み、下記特許文献1では、フローティングディフュージョン部の遮光を、複数層構造のゲート電極膜を用いて形成するCMOS型固体撮像装置が記載されている。この場合、フローティングディフュージョン部の遮光が、フローティングディフュージョン部上の近傍でなされるため、フローティングディフュージョン部への光の漏れ込みが低減される。しかしながら、ゲート電極膜を複数層に形成するため、ゲート電極膜はシリサイド構造とされプロセスが複雑になる等の問題がある。また、コンタクト部の開口時に、ゲート部の段差の影響があるので開口を小さく形成することが難しく、コンタクト部を形成するためにフローティングディフュージョン部の面積を大きく形成する必要がある。また、ゲート電極膜間の寄生容量が大きく、ゲート電極膜間の干渉が懸念される。

また、下記特許文献2では、フローティングディフュージョン部とアンプトランジスタのゲート電極を、配線を介さずに電気的に接続することにより、配線層のレイアウトの自由度を向上させ、受光部の開口を広げる構成が記載されている。特許文献2では、受光部の開口率は向上するものの、フローティングディフュージョン部の遮光は、上層の多層配線層にある配線で行う必要がある。このため、遮光膜とフローティングディフュージョン部の間に光が入り込み、フローティングディフュージョン部に入射する光を十分に遮光することはできない。

特開2004−140152号公報 特開2004−71931号公報

上述の点に鑑み、本発明は、フローティングディフュージョン部の遮光が有効になされ、画質の向上が図られた固体撮像装置を提供する。また、その固体撮像装置を用いた電子機器を提供する。

上記課題を解決し、本発明の目的を達成するため、本発明の固体撮像装置は、受光部と、フローティングディフュージョン部と、複数のMOSトランジスタと、基板上に設けられた第1絶縁層と、遮光膜のみが配線として形成されている下部配線層と、下部配線層上に設けられた第2絶縁層と、第2絶縁層上に設けられた、遮光膜以外の複数の配線層からなる多層配線層とによって構成される。
受光部は、基板に形成され、入射した光の光電変換により信号電荷を生成する領域である。またフローティングディフュージョン部は、受光部で生成された信号電荷が転送される領域である。また、複数のMOSトランジスタは、信号電荷をフローティングディフュージョン部に転送する転送トランジスタと、フローティングディフュージョン部の電位に対応した画素信号を出力する増幅トランジスタを含む。また、多層配線層は、基板の上層に形成され、MOSトランジスタにコンタクト部を介して電気的に接続される複数の配線層を有して構成されているものである。また、遮光膜は、基板の上層であって、多層配線層よりも下層の下部配線層からなり、少なくともフローティングディフュージョン部を遮光する領域に形成され、コンタクト部を介してフローティングディフュージョン部に電気的に接続されているものである。

本発明の固体撮像装置では、フローティングディフュージョン部が、下部配線層からなる遮光膜により遮光される。下部配線層は、多層配線膜よりも下層であり、基板表面により近い位置に形成されるので、この下部配線層からなる遮光膜により、フローティングディフュージョン部への光の漏れ込みを抑制される。

また本発明の固体撮像装置の製造方法は、まず、基板に、受光部、フローティングディフュージョン部を形成する。そして、基板上に第1絶縁層を形成する。そして、フローティングディフュージョン部が露出するように、第1絶縁層に開口部を形成する。そして、開口部を金属材料で埋め込み、コンタクト部を形成する。そして、コンタクト部を含む絶縁層上の前記フローティングディフュージョン部を遮光する領域に、遮光膜のみからなる下部配線層を形成する。そして、遮光膜を含む第1絶縁層上に第2絶縁層を形成する。そして、第2絶縁層上に、遮光膜以外の複数の配線層を有する多層配線層を形成する。

また、本発明の固体撮像装置の製造方法は、まず、基板に、受光部、フローティングディフュージョン部、及び所望のMOSトランジスタのソース・ドレインを構成する不純物領域を形成する。そして、基板上に第1絶縁層を形成し、フローティングディフュージョン部上、及び不純物領域上部の第1絶縁層を開口し、フローティングディフュージョン部及び前記不純物領域が露出する開口部を形成する。そして、第1絶縁層に形成された開口部を金属材料で埋め込み、コンタクト部を形成する。そして、フローティングディフュージョン部上に形成されたコンタクト部を含む第1絶縁層上のフローティングディフュージョン部を遮光する領域に遮光膜を形成し、に下部配線層からなる遮光膜を形成する。そして、不純物領域上に形成されたコンタクト部を含む第1絶縁層上に、下部配線層からなる中間膜を形成する。そして、遮光膜及び中間膜を含む第1絶縁層上に中間膜を形成して、下部配線層を形成する。そして、下部配線層上に第2絶縁層を形成し、中間膜が露出するように、第2絶縁層に開口部を形成する。そして、第2絶縁層に形成された開口部を金属材料で埋め込み、コンタクト部を形成する。そして、第2絶縁層に形成されたコンタクト部に接続される配線を含む、遮光膜以外の複数の配線層を有する多層配線層を形成する。

また、本発明の電子機器は、光学レンズと、上述した固体撮像装置と、信号処理回路とを含んで構成される。

本発明によれば、ノイズによる画質の劣化が抑制された固体撮像装置、及びその固体撮像装置を用いた電子機器が得られる。

本発明の第1の実施形態に係る固体撮像装置の全体を示す概略構成図である。 本発明の第1の実施形態に係る固体撮像装置の1画素分の平面レイアウトである。 図2のA−A’線上に沿う断面構成図である。 本発明の第1の実施形態に係る固体撮像装置の1画素分の回路構成である。 遮光膜とゲート電極との電気的接続を示した一例を示す断面構成図である。 遮光膜とゲート電極との電気的接続を示した他の例を示す断面構成図である。 A〜C 本発明の第1の実施形態に係る固体撮像装置の製造方法を示す工程図(その1)である。 D,E 本発明の第1の実施形態に係る固体撮像装置の製造方法を示す工程図(その2)である。 F〜H 本発明の第1の実施形態に係る固体撮像装置の製造方法を示す工程図(その3)である。 本発明の第2の実施形態に係る固体撮像装置の1画素分の平面レイアウトである。 図10のB−B’線上に沿う断面構成図である。 本発明の第3の実施形態に係る固体撮像装置の概略断面構成図である。 A〜C 本発明の第3の実施形態に係る固体撮像装置の製造方法を示す工程図である(その1)。 D,E 本発明の第3の実施形態に係る固体撮像装置の製造方法を示す工程図である(その2)。 A,B 本発明の第4の実施形態に係る固体撮像装置の概略断面構成図である。 本発明の第5の実施形態に係る電子機器の概略構成図である。

以下に、本発明の実施形態に係る固体撮像装置とその製造方法、及び電子機器の一例を、図1〜図16を参照しながら説明する。本発明の実施形態は以下の順で説明する。なお、本発明は以下の例に限定されるものではない。
1.第1の実施形態:固体撮像装置
1.1 固体撮像装置全体の構成
1.2 要部の構成
1.3 固体撮像装置の製造方法
2.第2の実施形態:固体撮像装置
3.第3の実施形態:固体撮像装置
3.1 要部の構成
3.2 固体撮像装置の製造方法
4.第4の実施形態:固体撮像装置
5.第5の実施形態:電子機器

〈1.第1の実施形態:固体撮像装置〉
[1.1 固体撮像装置全体の構成]
図1は、本発明の第1の実施形態に係る固体撮像装置の全体を示す概略構成図である。
本実施形態例の固体撮像装置1は、シリコンからなる基板11上に配列された複数の画素2から構成される画素部3と、垂直駆動回路4と、カラム信号処理回路5と、水平駆動回路6と、出力回路7と、制御回路8等を有して構成される。

画素2は、フォトダイオードからなる受光部と、複数のMOSトランジスタとから構成され、基板11上に、2次元アレイ状に規則的に複数配列される。画素2を構成するMOSトランジスタは、転送トランジスタ、リセットトランジスタ、選択トランジスタ、アンプトランジスタで構成される4つのMOSトランジスタであってもよく、また、選択トランジスタを除いた3つのトランジスタであってもよい。

画素部3は、2次元アレイ状に規則的に複数配列された画素2から構成される。画素部3は、実際に光を受光し光電変換によって生成された信号電荷を増幅してカラム信号処理回路5に読み出す有効画素領域と、黒レベルの基準になる光学的黒を出力するための黒基準画素領域(図示せず)とから構成されている。黒基準画素領域は、通常は、有効画素領域の外周部に形成されるものである。

制御回路8は、垂直同期信号、水平同期信号及びマスタクロックに基づいて、垂直駆動回路4、カラム信号処理回路5、及び水平駆動回路6等の動作の基準となるクロック信号や制御信号などを生成する。そして、制御回路8で生成されたクロック信号や制御信号などは、垂直駆動回路4、カラム信号処理回路5及び水平駆動回路6等に入力される。

垂直駆動回路4は、例えばシフトレジスタによって構成され、画素部3の各画素2を行単位で順次垂直方向に選択走査する。そして、各画素2のフォトダイオードにおいて受光量に応じて生成した信号電荷に基づく画素信号を、垂直信号線を通してカラム信号処理回路5に供給する。

カラム信号処理回路5は、例えば、画素2の列毎に配置されており、1行分の画素2から出力される信号を画素列毎に黒基準画素領域(図示しないが、有効画素領域の周囲に形成される)からの信号によって、ノイズ除去や信号増幅等の信号処理を行う。カラム信号処理回路5の出力段には、水平選択スイッチ(図示せず)が水平信号線10とのあいだに設けられている。

水平駆動回路6は、例えばシフトレジスタによって構成され、水平走査パルスを順次出力することによって、カラム信号処理回路5の各々を順番に選択し、カラム信号処理回路5の各々から画素信号を水平信号線10に出力させる。

出力回路7は、カラム信号処理回路5の各々から水平信号線10を通して、順次に供給される信号に対し信号処理を行い出力する。

[1.2 要部の構成]
次に、図2〜図4を用いて、本実施形態例の固体撮像装置の要部の概略構成について説明する。図2は、本実施形態例に係る固体撮像装置1の1画素分の平面レイアウトであり、図3は、図2のA−A’線上に沿う断面構成図である。また、図4は、本実施形態例に係る固体撮像装置1の1画素分の回路構成である。

本実施形態例の画素2は、図2に示すように、受光部14と、フローティングディフュージョン部15と、複数のMOSトランジスタとを含んで構成されている。本実施形態例における複数のMOSトランジスタは、転送トランジスタTr1、リセットトランジスタTr2、増幅トランジスタTr3、選択トランジスタTr4によって構成されるものである。また、本実施形態例では、フローティングディフュージョン部15上部には、フローティングディフュージョン部15を被覆する遮光膜24が形成されている。

図3に示すように、受光部14は、シリコンからなる基板13の表面側の所望の領域に、フォトダイオードにより構成されている。受光部14では、光電変換により、入射した光の光量に応じて信号電荷が生成、蓄積される。

フローティングディフュージョン部15は、基板13の表面側の、受光部14に隣接する領域に形成されている。受光部14とフローティングディフュージョン部15の間の領域は、転送トランジスタTr1のチャネル領域とされる。

また、光入射側となる基板13表面の所定の領域には、後述するMOSトランジスタのソース・ドレイン領域を構成する不純物領域17,18,19が形成されている。そして、基板13上面には、ゲート絶縁膜16を介して、ゲート電極20,21,22,23が形成されている。

転送トランジスタTr1は、受光部14からなるソースと、フローティングディフュージョン部15からなるドレインと、そのソース・ドレイン間に形成されたゲート電極20とから構成されている。図4に示すように、転送トランジスタTr1では、ゲート電極20に転送パルスφTRGが供給される。これにより、受光部14に蓄積された信号電荷がフローティングディフュージョン部15に読み出される。

リセットトランジスタTr2は、フローティングディフュージョン部15からなるソースと、電源電圧VDDが供給される不純物領域17からなるドレインと、そのソース・ドレイン間に形成されたゲート電極21とから構成されている。図4に示すように、リセットトランジスタTr2では、ゲート電極21にリセットパルスφRSTが供給される。これにより、フローティングディフュージョン部15の電位が、電源電圧VDD付近の電位にリセットされる。

増幅トランジスタTr3は、電源電圧VDDが供給される不純物領域17からなるソースと、不純物領域18からなるドレインと、そのソース・ドレイン間に形成されたゲート電極22とから構成されている。図4に示すように、増幅トランジスタTr3では、ゲート電極22にフローティングディフュージョン部15の電位が供給される。これにより、その電位に対応した画素信号をドレインとなる不純物領域18に出力する。

選択トランジスタTr4は、不純物領域18からなるソースと、垂直信号線VSLに接続された不純物領域19からなるドレインと、そのソース・ドレイン間に形成されたゲート電極23とから構成されている。選択トランジスタTr4のソースとなる不純物領域18は、増幅トランジスタTr3のドレインと共用される。図4に示すように、選択トランジスタTr4では、ゲート電極23に選択パルスφSELが供給される。これにより、画素信号が、垂直信号線VSLに出力される。

そして、図3に示すようにゲート電極20,21,22,23を含むゲート絶縁膜16上部には、第1絶縁層27が形成され、第1絶縁層27上部のフローティングディフュージョン部15を被覆する領域に、下部配線層M0からなる遮光膜24が形成されている。この遮光膜24(下部配線層M0)は金属材料から構成され、第1絶縁層27に形成されたコンタクト部25を介してフローティングディフュージョン部15に電気的に接続されている。本実施形態例では、コンタクト部25及び、遮光膜24を構成する金属材料として、例えばタングステンを用いる。また、下部配線層M0の金属材料としては、タングステンの他、アルミニウム、銅などを用いることができる。特にタングステンを用いることによって、通常タングステンによって構成されるコンタクト部と同じ材料で下部配線層M0を形成することができるので、製造プロセス上信頼性が向上する。

遮光膜24を含む第1絶縁層27上にはさらに第2絶縁層28が形成されており、その第2絶縁層28上部には、多層配線層29が形成されている。この多層配線層29では、層間絶縁膜30を介して複数層、本実施形態例では3層の配線層M1,M2,M3が形成されている。本実施形態例では、多層配線層29に形成される配線層M1,M2,M3のうち、一番下層の配線層M1により、垂直信号線VSLが形成されている。この垂直信号線VSLは、第2絶縁層28、第1絶縁層27及びゲート絶縁膜16を貫通して形成されたコンタクト部26を介して、選択トランジスタTr4を構成する不純物領域19に電気的に接続されている。その他、多層配線層29に形成される各配線層M1,M2,M3は、図示しないコンタクト部を介して各ゲート電極20,21,22,23等に接続され、所望のパルス信号を供給する配線等に用いられる。多層配線層29の配線層M1,M2,M3は、アルミニウムや銅等の低抵抗な金属材料で構成されることが好ましい。また、コンタクト部26は、タングステンで構成される。

このように、本実施形態例の固体撮像装置1では、フローティングディフュージョン部を遮光する遮光膜24が基板13の上層であって、多層配線層29よりも下層に形成された金属材料により形成されている。

ところで、フローティングディフュージョン部15と増幅トランジスタTr3のゲート電極22は、電気的に接続される必要がある。

図5に、遮光膜24とゲート電極22との電気的接続を示した一例を示す断面構成を示す。
この例は、多層配線層29の配線層M1,M2,M3うち、最下層の配線層M1を用いて、フローティングディフュージョン部15と増幅トランジスタTr3のゲート電極22を接続する例である。この場合、図5に示すように、遮光膜24と配線層M1がコンタクト部32を介して接続され、ゲート電極22と配線層M1がコンタクト部33を介して接続されることにより、フローティングディフュージョン部15とゲート電極22が電気的に接続される。

また、図6に、遮光膜24とゲート電極22との電気的接続を示した他の例を示す断面構成を示す。
この例は、遮光膜24を配線として用い、フローティングディフュージョン部15とゲート電極22とを接続する例である。この場合、図6に示すように、遮光膜24が増幅トランジスタTr3のゲート電極22上部にまで延在して形成され、コンタクト部36を介して、遮光膜24とゲート電極22が接続される。これにより、フローティングディフュージョン部15とゲート電極22が電気的に接続される。本実施形態例では、遮光膜24が金属材料で形成されることにより、フローティングディフュージョン部15とゲート電極22を接続する配線として用いることもできる。このように、遮光膜24を、フローティングディフュージョン部15と増幅トランジスタTr3のゲート電極22を接続する配線に用いる場合には、図5の場合に比較し、配線層M1が形成される領域が広くならずに済む。このため、受光部14の開口面積を大きくとることができる。

以上の構成を有する固体撮像装置1では、受光部14に蓄積された信号電荷が、転送トランジスタTr1により、フローティングディフュージョン部15に読み出される。フローティングディフュージョン部15で読み出された信号電荷は、増幅トランジスタTr3により増幅されて選択トランジスタTr4により選択的に垂直信号線VSLに転送される。また、フローティングディフュージョン部15に読み出された信号電荷は、リセットトランジスタTr2により、電源電圧VDD付近の電位と同電位になるようにリセットされる。

[1.3 固体撮像装置の製造方法]
次に、図7〜図9を用いて、本実施形態例の固体撮像装置1の製造方法について説明する。図7〜図9は、本実施形態例に係る固体撮像装置1の製造方法を示す工程図(その1〜その3)である。

まず、シリコンからなる基板13の光入射側である表面側に所望の導電型の不純物をイオン注入する。これにより、図7Aに示すように、基板13上部にゲート絶縁膜16を形成し、ゲート絶縁膜16上の所望の位置に、ゲート電極20,21,22,23を形成する。このゲート電極20,21,22,23は、ゲート絶縁膜16上に、ポリシリコン膜を形成し、パターニングすることにより形成する。

次に、図7Bに示すように、それぞれのゲート電極20,21,22,23をマスクとして基板13の所望の領域に受光部14、フローティングディフュージョン部15、各MOSトランジスタのソース・ドレインとされる不純物領域17,18,19を形成する。

次に、図7Cに示すように、ゲート電極20,21,22,23を含むゲート絶縁膜16上部に、第1絶縁層27を形成する。

次に、図8Dに示すように、フローティングディフュージョン部15が露出するように、ゲート絶縁膜16及び第1絶縁層27に開口部25aを形成する。

次に、図8Eに示すように、開口部25aに金属材料であるタングステンを埋め込んでコンタクト部25を形成する。その後、フローティングディフュージョン部15上部の第1絶縁層27上にタングステンからなる下部配線層M0を形成する。この下部配線層M0が遮光膜24となる。この遮光膜24は、第1絶縁層27上部全面にタングステンからなる金属材料膜を形成した後に、パターニングすることにより形成する。遮光膜24は、フローティングディフュージョン部15上部の、フローティングディフュージョン部15に対応する領域よりも大きな領域に形成されることが好ましい。これにより、斜めから入射する光を、より効果的に遮光することができる。

次に、図9Fに示すように、遮光膜24を含む第1絶縁層27上に、さらに第2絶縁層28を形成する。

次に、図9Gに示すように、第2絶縁層28の所定の位置に、コンタクト部26を形成するための開口部26aを形成する。本実施形態例では、選択トランジスタTr4のドレインとなる不純物領域19が露出するように、第2絶縁層28、第1絶縁層27及びゲート絶縁膜16を貫通する開口部26aを形成する例を示している。

次に、図9Hに示すように、開口部26aにタングステンを埋め込んでコンタクト部26を形成する。

その後、図示を省略するが、第2絶縁層上の、コンタクト部26を含む所望の位置に、アルミニウム、または銅からなる配線層M1を形成する。層間絶縁膜30、及び配線層M2,M3の形成を繰り返すことにより、3層の配線層M1,M2,M3を有する多層配線層29を形成する。これらの多層配線層29に形成される配線層M1,M2,M3は、低抵抗であることが好ましく、アルミニウム、または銅が用いられる。
その後、図示しないが、通常用いられている固体撮像装置の製造方法により、平坦化膜、カラーフィルタ層、オンチップマイクロレンズ等が形成され、固体撮像装置1が完成する。

なお、上述の製造方法において、図5に示すように配線層M1を用いてフローティングディフュージョン部15と増幅トランジスタTr3のゲート電極22を接続する場合には、図9G,Hの工程において、コンタクト部32,33を形成すればよい。その後、コンタクト部32,33を配線層M1で接続することにより、フローティングディフュージョン部15と増幅トランジスタTr3のゲート電極22が電気的に接続される。

また、上述の製造方法において、図6に示すように、遮光膜24を用いて、フローティングディフュージョン部15と増幅トランジスタTr3のゲート電極22を接続する場合は、図8Dに示す工程で、ゲート電極22上に開口部を形成すればよい。そして、そのゲート電極22上に形成された開口部にタングステンを埋め込むことにより、コンタクト部36を形成し、図8Eにおける工程で、コンタクト部36上部に延在するように、遮光膜24を形成する。これにより、フローティングディフュージョン部15と増幅トランジスタTr3のゲート電極22が電気的に接続される。

また、本実施形態例では、受光部14やフローティングディフュージョン部15、及び各不純物領域17〜19の形成を、ゲート電極20〜23の形成後に行う例としたが、ゲート電極20〜23形成前に行うことも可能であり、工程の順番は種々の変更が可能である。また、本実施形態例では、多層配線層29に形成された垂直信号線VSLと選択トランジスタTr4の不純物領域19をコンタクト部26で接続する例のみを記載した。しかしながら、その他の配線M1,M2,M3も、同様の工程で形成されるコンタクト部を介して、所望の領域に接続される。

以上のようにして、本実施形態例の固体撮像装置1が形成される。

本実施形態例の固体撮像装置1によれば、フローティングディフュージョン部15を遮光する遮光膜24が、多層配線層29よりも下層に形成されることにより、基板13表面と遮光膜24との距離が近くなる。これにより、フローティングディフュージョン部15と遮光膜24との間にある絶縁層等の層間膜からフローティングディフュージョン部15へ漏れ込む光を抑えることが可能となる。これにより、受光部14からフローティングディフュージョン部15への信号電荷の読み出し時にフローティングディフュージョン部15に光が入射することに起因するノイズの発生を抑制することができ、画質の向上が図られる。

また、本実施形態例の固体撮像装置1によれば、フローティングディフュージョン部15と遮光膜24との間に寄生容量が発生する。このため、遮光膜24を用いることで、フローティングディフュージョン部15の飽和電荷量を増加させることができる。

また、従来、多層配線層29における配線層(例えば配線層M1)を用いて遮光膜を形成する場合には、遮光膜の為の配線層M1と、他の配線の為に形成される配線層M1のためのスペースが必要とされていた。すなわち、同一の層に、多くの配線スペースをとる必要があった。しかし、本実施形態例の固体撮像装置1では、遮光膜24を多層配線層29よりも下層に形成された下部配線層M0によって形成するため、多層配線層29の配線層M1〜M3に、遮光膜用の配線を形成する必要がない。このため、多層配線層29における配線層M1〜M3の形成スペースが縮小され、受光部14の開口面積を大きくとることができる。これにより、画素2毎に、受光部14に入射する入射光量を大きくすることができる。

また、近年、CMOS型固体撮像装置におけるグローバルシャッタ機能(同時刻シャッタ機能)等により、フローティングディフュージョン部15に信号電荷を長時間貯める駆動方式が採られる場合がある。グローバルシャッタ機能を有するCMOS型固体撮像装置では、全画素同時刻の露光によって生成された信号電荷を、全画素同時にフローティングディフュージョン部15に読み出し、ライン順次で垂直信号線VSLに出力する。この場合、フローティングディフュージョン部15に蓄積された信号電荷は、すぐに転送されないため、フローティングディフュージョン部15に漏れ込んだ光の影響は大きく画質の劣化につながる。また、フローティングディフュージョン部15に信号電荷を蓄積する時間が短い場合でも、高輝度の光がフローティングディフュージョン部15への入射した場合、画質の劣化が起こる。

本実施形態例の固体撮像装置1では、遮光膜24により、フローティングディフュージョン部15への光の漏れ込みを従来の固体撮像装置に比較して低減することができる。これにより、フローティングディフュージョン部15で信号電荷を長時間保持するために、フローティングディフュージョン部15への光の漏れ込みの影響が大きくでるような、グローバルシャッタ機能を有する固体撮像装置の構成にも好適に用いることができる。さらに、高輝度の光がフローティングディフュージョン部15に入射することに起因する画質の劣化も低減することができる。

また、本実施形態例では、多層配線層29よりも下層の下部配線層M0を、画素部3の遮光膜24に適用する例を示したが、この下部配線層M0は、画素部3のみに用いる例としても、画素部3及び周辺回路領域12に用いる例としてもよい。

画素部3の構成にのみ、遮光膜24を構成する下部配線層M0を用いる場合には、周辺回路領域12の構成を通常用いられている構成から変える必要がない。通常、周辺回路領域12においては、インバータ、NAND、NOR等の基本構成毎に基本レイアウトが用意されており、その構成は、多層配線層29で行われる。このため、画素部3の構成にのみ、下部配線層を用いる場合には、周辺回路領域12は、今までの製造プロセスを流用することができる。また、周辺回路領域12の構成に下部配線層M0を用いることで、他の配線との寄生容量が増加し、信号遅延等が懸念される場合は、画素部3の構成のみに、下部配線層M0を用いればよい。

また、CMOS型の固体撮像装置では、同一チップ上に各種アナログ回路や、ADコンバータを搭載することもあるが、このような回路では、S/Hキャパシタ等、フローティングディフュージョン部同様、電気的にフローティングとなるノードがある。これらのノードや素子に関しては、十分に遮光されていることが好ましい。本実施形態例の固体撮像装置1では、周辺回路領域12において、ノードや素子の部分の遮光に、下部配線層M0からなる遮光膜を用いることができる。このように、周辺回路領域12における遮光膜に下部配線層M0からなる遮光膜を用いる場合でも、遮光性を向上することが可能となる。

さらに、遮光膜24を構成する下部配線層M0を周辺回路領域12における配線として使用することもできる。個別ブロック中の配線に、下部配線層M0を使用することで、個別ブロックの集積度を向上させることが可能となり、ブロックサイズの縮小が可能で、固体撮像装置の面積削減が可能となる。

〈2.第2の実施形態:固体撮像装置〉
次に、本発明の第2の実施形態に係る固体撮像装置を説明する。図10、本発明の第2の実施形態に係る固体撮像装置の1画素分の平面レイアウトである。また、図11は、図10のB−B線上に沿う断面構成図である。本実施形態例の固体撮像装置の全体構成は、図1と同様であるから、説明を省略する。また、画素2を構成する回路構成も図4と同様であるから、説明を省略する。図10、及び図11において、図2、及び図3に対応する部分には同一符号を付し重複説明を省略する。

本実施形態例の固体撮像装置35は、第1の実施形態における固体撮像装置1の遮光膜24の構成を変更した例である。

本実施形態例の固体撮像装置35では、図10に示すように、遮光膜34は、フローティングディフュージョン部15を被覆する領域から、受光部14の開口領域を除いた受光部14の周囲に延長して形成されている。本実施形態例では、フローティングディフュージョン部15を被覆する遮光膜34と、受光部14の周囲を被覆する遮光膜34は電気的に接続されるように形成されているが、分離して形成してもよい。

また、本実施形態例の固体撮像装置35において、フローティングディフュージョン部15と増幅トランジスタTr3のゲート電極22との電気的接続は、図5、または図6に示す例を適用することができる。

本実施形態例の固体撮像装置35を形成する場合は、第1の実施形態における図8Eに示す工程で、受光部14周辺にも遮光膜34が形成されるように下部配線層M0をパターニングすることにより、本実施形態例の固体撮像装置35を形成することができる。

本実施形態例の固体撮像装置35では、遮光膜34を多層配線層29よりも下層に形成することにより、受光部14周辺に形成する遮光膜34を、基板13表面から近い距離に形成することができる。これにより、隣接する画素2に入射する光の混入を防ぐことができる。すなわち、隣接する画素2において、例えば、赤色のカラーフィルタを通った光が、緑色の画素2を構成する受光部14に入射することを防ぐことができるので、混色が低減されるなど、画質を向上する効果がある。

その他、本実施形態例においても第1の実施形態と同様の効果を得ることができる。

〈3.第3の実施形態:固体撮像装置〉
次に、本発明の第3の実施形態に係る固体撮像装置について説明する。
図12は、本発明の第3の実施形態に係る固体撮像装置の概略断面構成図である。本実施形態例の固体撮像装置の全体構成は、図1と同様であるから、説明を省略する。また、1画素分の平面レイアウト、及び回路構成は、図2、及び図4と同様であるから、説明を省略する。図12において、図3に対応する部分には同一符号を付し重複説明を省略する。

[3.1 要部の構成]
本実施形態例の固体撮像装置45は、選択トランジスタTr4のドレインを構成する不純物領域19と、垂直信号線VSLとが、下層配線層M0からなる中間膜44aを介して接続されている例である。すなわち、垂直信号線VSLと不純物領域19とは、第1絶縁層27に形成された第1コンタクト部47、中間膜44a、及び第2絶縁層28に形成された第2コンタクト部46を介して電気的に接続されている。

[3.2 固体撮像装置の製造方法]
図13、図14を用いて、本実施形態例の固体撮像装置45の製造方法について説明する。図13、及び図14は、本実施形態例の固体撮像装置45の製造方法を示す工程図(その1、その2)である。
図13Aの前段の工程は、第1の実施形態における図7A〜図7Cと同様であるから、説明を省略し、その後の工程から説明する。

図7Cに示したように、第1絶縁層27を形成した後、図13Aに示すようにフローティングディフュージョン部15が露出するように、ゲート絶縁膜16及び第1絶縁層27に開口部25aを形成する。同時に、選択トランジスタTr4のドレインとなる不純物領域19が露出するように、ゲート絶縁膜16及び第1絶縁層27に開口部47aを形成する。

次に、図13Bに示すように、フローティングディフュージョン部15上に形成された開口部25aにタングステンを埋め込んでコンタクト部25を形成する。また、同時に不純物領域19上に形成された開口部47aに金属材料であるタングステンを埋め込んで第1コンタクト部47を形成する。そして、第1絶縁層27上部であって、フローティングディフュージョン部15を被覆する領域と、第1コンタクト部47を含む領域にタングステンからなる下部配線層M0を形成する。フローティングディフュージョン部15を被覆する領域に形成される下部配線層M0は、遮光膜44とされるものであり、また、第1コンタクト部47を含む第1絶縁層27上に形成される下部配線層M0は、中間膜44aとされるものである。この遮光膜44及び中間膜44aは、第1絶縁層27上部全面に形成したタングステンからなる金属材料膜をパターニングすることにより形成する。遮光膜44は、フローティングディフュージョン部15上部の、フローティングディフュージョン部15に対応する領域よりも大きな領域に形成されることが好ましい。これにより、斜めから入射する光を、より効果的に遮光することができる。

次に、図13Cに示すように、遮光膜44及び中間膜44aを含む第1絶縁層27上に、さらに第2絶縁層28を形成する。

次に、図14Dに示すように、中間膜44aが露出するように、第2絶縁層28に開口部46aを形成する。

次に、図14Eに示すように、開口部46aにタングステンを埋め込んで第2コンタクト部46を形成すると共に、第2コンタクト部46を含む第2絶縁層28上の所望の位置に、アルミニウム、または銅からなる配線層M1を形成する。図14Eに示す例では、選択トランジスタTr4のドレインとなる不純物領域19に、第1コンタクト部、中間膜44a、及び第2コンタクト部46を介して接続された配線層M1は、垂直信号線VSLとなるものである。

そして、層間絶縁膜30、及び配線層の形成を繰り返すことにより、複数の配線層(本実施形態例では、3層の配線層M1,M2,M3)を有する多層配線層29を形成する。
その後、図示しないが、通常用いられている固体撮像装置の製造方法により、平坦化膜、カラーフィルタ層、オンチップマイクロレンズ等が形成され、固体撮像装置45が完成する。

第1の実施形態における製造方法(図9Gの工程)では、第1絶縁層27と第2絶縁層28の厚さを合わせた分の深さに開口部を開ける場合、開口の深さに応じて、開口径が大きくなるという問題があった。
本実施形態例の固体撮像装置の製造方法によれば、多層配線層29の配線層M1(本実施形態例では、垂直信号線VSL)と、基板13に形成された所望の領域(本実施形態例では、不純物領域19)を接続するコンタクト部を、2回の工程に分けて形成する。このため、1回の工程で開口するそれぞれの開口部47a,46aの深さが、浅くなる。これにより、本実施形態例では、絶縁層が薄い状態で開口部47a,46aを形成することができるので、開口部47a,46aのアスペクト比を小さくすることができる。これにより、第1コンタクト部47、及び第2コンタクト部46を第1の実施形態における製造方法に比較してより微細に形成することができるので、画素サイズの縮小が可能となる。また、同一の画素サイズにおいて、本実施形態例の製造方法を適用する場合には、各素子の集積度を上げることが可能なことから、受光部14の開口面積を広げることが可能となる。

本実施形態例では、基板13に接続される配線層M1の配線として、垂直信号線VSLを例にしたが、例えばゲート電極と多層配線層に形成される配線を接続するコンタクト部等を同様にして形成することでコンタクト部をより微細に形成することもできる。

その他、本実施形態例の固体撮像装置45においても、第1の実施形態と同様の効果を得ることができる。

本実施形態例の固体撮像装置の製造方法は、第2の実施形態における固体撮像装置に適応することもできる。

〈4.第4の実施形態:固体撮像装置〉
次に、本発明の第4の実施形態に係る固体撮像装置について説明する。
図15Aは、本発明の第4の実施形態に係る固体撮像装置の概略断面構成図である。本実施形態例の固体撮像装置の全体構成は、図1と同様であるから、説明を省略する。また、図15Aにおいて、図3に対応する部分には同一符号を付して重複説明を省略する。本実施形態例の固体撮像装置は、全画素同時刻に露光する(信号電荷を蓄積する)グローバルシャッタ機能を有する固体撮像装置であり、フローティングディフュージョン部を2つ有する例である。

本実施形態例の固体撮像装置57は、基板13の表面側に形成された受光部14と、第1フローティングディフュージョン部15aと第2フローティングディフュージョン部15bとを有して構成されている。

受光部14と第1フローティングディフュージョン部15a間の基板13上部には、ゲート絶縁膜16を介して、第1転送トランジスタTr1aを構成するゲート電極50が形成されている。また、第1フローティングディフュージョン部15bと第2フローティングディフュージョン部15bとの間の基板13上部には、ゲート絶縁膜16を介して、第2転送トランジスタTr1bを構成するゲート電極51が形成されている。
図15Aでは図示を省略するが、本実施形態例においても、第1〜第3の実施形態と同様、リセットトランジスタ、増幅トランジスタ、選択トランジスタ等が形成されている。

ゲート電極50,51を含むゲート絶縁膜16上部には、第1絶縁層27が形成されており、第1絶縁層27上の第1フローティングディフュージョン部15a上部に対応する領域には、下部配線層M0からなる遮光膜54が形成されている。また、同じく、第1絶縁層27上の第2フローティングディフュージョン部15b上部に対応する領域には、下部配線層M0からなる遮光膜55が形成されている。遮光膜54は、第1絶縁層27に形成されたコンタクト部52を介して第1フローティングディフュージョン部15aに電気的に接続されている。また、遮光膜55は、第1絶縁層27に形成されたコンタクト部53を介して第2フローティングディフュージョン部15bに電気的に接続されている。本実施形態例において、遮光膜54,55及びコンタクト部52,53は、タングステンにより形成されている。

そして、遮光膜54,55を含む第1絶縁層27上部には、第2絶縁層28が形成されており、また、第2絶縁層上部には、複数の配線層(本実施形態例では、3層からなる配線層M1,M2,M3)を有する多層配線層29が形成されている。多層配線層29の配線層のうち、最下層の配線層M1と、遮光膜55は、第2絶縁層28に形成されたコンタクト部56により電気的に接続されている。また、図示を省略するが、第2フローティングディフュージョン部15bと電気的に接続された配線層M1は、増幅トランジスタのゲート電極に接続されている。

以上の構成を有する固体撮像装置57では、全画素2の受光部14で同時刻露光によって生成された信号電荷は、全画素同時に、第1転送トランジスタTr1aにより、第1フローティングディフュージョン部15aに読み出される。その後、第1フローティングディフュージョン部15aに所定の時間保持された後、画素毎に第2転送トランジスタTr1bにより、第2フローティングディフュージョン部15bに読み出される。第2フローティングディフュージョン部15bに読み出された信号電荷による電圧変化が図では図示されない増幅トランジスタにより増幅され、増幅された画素信号が、垂直信号線により出力される。

本実施形態例の固体撮像装置57では、長時間信号電荷が保持される第1フローティングディフュージョン部15aが、基板13の受光面から近い距離にある下部配線層M0からなる遮光膜54により遮光されている。これにより、第1フローティングディフュージョン部15aで信号電荷を保持している間も、入射してくる光の漏れ込みを防ぐことができる。このため、ノイズの発生や、画質の低下を防ぐことができる。

また、第1フローティングディフュージョン部15a上部の遮光膜54は、第1フローティングディフュージョン部15aと電気的に接続されている。このため、遮光膜54を大きく形成することにより、遮光膜54の寄生容量を用いることにより、第1フローティングディフュージョン部15aにおける飽和電荷量を増加させることができる。

一方、本実施形態例の固体撮像装置では、第2フローティングディフュージョン部15b上部の遮光膜55は、多層配線層29の配線層M1に接続されるため、遮光膜55と配線層M1との間の寄生容量は小さい方が好ましい。そのため、遮光膜55は、第2フローティングディフュージョン部15bを遮光できる程度の大きさに形成することが好ましい。

ところで、本実施形態例において、第1フローティングディフュージョン部15a上部の遮光膜は第1フローティングディフュージョン部15aに電気的に接続される必要がない。その場合、図15Bに示すように、第1フローティングディフュージョン部15a及び第2フローティングディフュージョン部15b上部に、共通の遮光膜58を下部配線層M0によって形成する。このように、フローティングディフュージョン部を2つ構成する場合は、増幅トランジスタのゲート電極に接続される部分にのみコンタクト部を形成すればよい。

このように、本実施形態例の固体撮像装置によれば、グローバルシャッタ機能を有する固体撮像装置において、フローティングディフュージョン部で長時間信号電荷を保持する場合であっても、光の漏れ込みを抑制することができる。

また、本実施形態例においても、第1の実施形態と同様の効果を得ることができる。また、本実施形態例の構成を、第2〜第3の実施形態に示した構成に組み合わせることも可能である。

上述の第1〜第4の実施形態では、入射光量に応じた信号電荷を物理量として検知する単位画素が行列状に配置されてなるCMOS型固体撮像装置に適用した場合を例に挙げて説明した。しかしながら、本発明はCMOS型固体撮像装置への適用に限られるものではない。また画素が二次元マトリックス状に形成された画素部の画素列ごとにカラム回路を配置してなるカラム方式の固体撮像装置全般に限定するものでもない。

また、本発明は、可視光の入射光量の分布を検知して画像として撮像する固体撮像装置への適用に限らず、赤外線やX線、あるいは粒子等の入射量の分布を画像として撮像する固体撮像装置にも適用可能である。また、広義の意味として、圧力や静電容量など、他の物理量の分布を検知して画像として撮像する指紋検出センサ等の固体撮像装置(物理量分布検知装置)全般に対して適用可能である。

さらに、本発明は、画素部の各単位画素を行単位で順に走査して各単位画素から画素信号を読み出す固体撮像装置に限られるものではない。画素単位で任意の画素を選択して、当該選択画素から画素単位で信号を読み出すX−Yアドレス型の固体撮像装置に対しても適用可能である。
なお、固体撮像装置はワンチップとして形成された形態であってもよいし、画素部と、信号処理部または光学系とがまとめてパッケージングされた撮像機能を有するモジュール状の形態であってもよい。

また、本発明は、固体撮像装置への適用に限られるものではなく、撮像装置にも適用可能である。ここで、撮像装置とは、デジタルスチルカメラやビデオカメラ等のカメラシステムや、携帯電話機などの撮像機能を有する電子機器のことを言う。なお、電子機器に搭載される上記モジュール状の形態、即ちカメラモジュールを撮像装置とする場合もある。

〈5.第5の実施形態:電子機器〉
次に、本発明の第5の実施形態に係る電子機器について説明する。図16は本発明の第5の実施形態に係る電子機器200の概略構成図である。
本実施形態例の電子機器200は、上述した本発明の第1の実施形態における固体撮像装置1を電子機器(カメラ)に用いた場合の実施形態を示す。

図16に、本実施形態例に係る電子機器200の概略断面構成を示す。本実施形態に係る電子機器200は、静止画撮影が可能なデジタルカメラを例としたものである。

本実施形態に係る電子機器200は、固体撮像装置1と、光学レンズ210と、シャッタ装置211と、駆動回路212と、信号処理回路213とを有する。

光学レンズ210は、被写体からの像光(入射光)を固体撮像装置1の撮像面上に結像させる。これにより固体撮像装置1内に一定期間当該信号電荷が蓄積される。
シャッタ装置211は、固体撮像装置1への光照射期間および遮光期間を制御する。
駆動回路212は、固体撮像装置1の転送動作およびシャッタ装置211のシャッタ動作を制御する駆動信号を供給する。駆動回路212から供給される駆動信号(タイミング信号)により、固体撮像装置1の信号転送を行なう。信号処理回路213は、各種の信号処理を行う。信号処理が行われた映像信号は、メモリなどの記憶媒体に記憶され、あるいはモニタに出力される。

本実施形態例の電子機器200では、固体撮像装置1において、フローティングディフュージョン部が下部配線層からなる遮光膜により好適になされ、フローティングディフュージョン部への光の漏れ込みが抑制される。このため、電子機器200では、ノイズによる画質の劣化が抑制される。

このように、固体撮像装置1を適用できる電子機器200としては、カメラに限られるものではなく、デジタルスチルカメラ、さらには携帯電話機等のモバイル機器向けカメラモジュールなどの撮像装置に適用可能である。

本実施形態例においては、固体撮像装置1を電子機器に用いる構成としたが、前述した第2〜第4の実施形態における固体撮像装置を用いることもできる。

1 固体撮像装置
2 画素
3 画素部
4 垂直駆動回路
5 カラム信号処理回路
6 水平駆動回路
7 出力回路
8 制御回路
10 水平信号線
11 基板
12 周辺回路領域
13 基板
14 受光部
15 フローティングディフュージョン部
15a 第1フローティングディフュージョン部
15b 第2フローティングディフュージョン部
16 ゲート絶縁膜
17 不純物領域
18 不純物領域
19 不純物領域
20 ゲート電極
21 ゲート電極
22 ゲート電極
23 ゲート電極
24 遮光膜
25 コンタクト部
25a 開口部
26 コンタクト部
26a 開口部
27 第1絶縁層
28 第2絶縁層
29 多層配線層
30 層間絶縁膜

Claims (9)

  1. 基板に形成され、入射した光の光電変換により信号電荷を生成する受光部と、
    前記受光部で生成された信号電荷が転送されるフローティングディフュージョン部と、
    前記信号電荷を前記フローティングディフュージョン部に転送する転送トランジスタと、前記フローティングディフュージョン部の電位に対応した画素信号を出力する増幅トランジスタを含む複数のMOSトランジスタと、
    前記基板上に設けられた第1絶縁層と、
    前記第1絶縁層上に設けられ、少なくとも前記フローティングディフュージョン部を遮光する領域に形成され、前記第1絶縁層に設けられたコンタクト部を介して前記フローティングディフュージョン部に電気的に接続される遮光膜のみが配線として形成されている下部配線層と、
    前記下部配線層上に設けられた第2絶縁層と、
    前記第2絶縁層上に設けられた、前記MOSトランジスタにコンタクト部を介して電気的に接続される、前記遮光膜以外の複数の配線層からなる多層配線層と、
    を有する固体撮像装置。
  2. 前記遮光膜は、前記増幅トランジスタのゲート電極にコンタクト部を介して電気的に接続されている請求項1記載の固体撮像装置。
  3. 前記遮光膜は、前記受光部の開口領域を除く前記受光部周辺にも形成される請求項2記載の固体撮像装置。
  4. 前記MOSトランジスタと、前記MOSトランジスタに電気的に接続される前記多層配線層の配線層は、前記下部配線層に形成された中間膜を介してコンタクト部により接続されている請求項1記載の固体撮像装置。
  5. 基板に、受光部、フローティングディフュージョン部を形成する工程、
    前記基板上に第1絶縁層を形成する工程、
    前記フローティングディフュージョン部が露出するように、前記第1絶縁層に開口部を形成する工程、
    前記開口部を金属材料で埋め込み、コンタクト部を形成する工程、
    前記コンタクト部を含む前記第1絶縁層上の前記フローティングディフュージョン部を遮光する領域に、遮光膜のみからなる下部配線層を形成する工程、
    前記遮光膜を含む第1絶縁層上に第2絶縁層を形成する工程、
    前記第2絶縁層上に、前記遮光膜以外の複数の配線層を有する多層配線層を形成する工程、
    を含む固体撮像装置の製造方法。
  6. 前記遮光膜は、前記受光部の開口領域を除く前記受光部周辺にも形成する請求項5記載の固体撮像装置の製造方法。
  7. 基板に、受光部、フローティングディフュージョン部、及び所望のMOSトランジスタのソース・ドレインを構成する不純物領域を形成する工程、
    前記基板上に第1絶縁層を形成する工程、
    前記フローティングディフュージョン部上、及び前記不純物領域上部の前記第1絶縁層を開口し、前記フローティングディフュージョン部及び前記不純物領域が露出する開口部を形成する工程、
    前記第1絶縁層に形成された開口部を金属材料で埋め込み、コンタクト部を形成する工程、
    前記フローティングディフュージョン部上に形成されたコンタクト部を含む前記第1絶縁層上の前記フローティングディフュージョン部を遮光する領域に遮光膜を形成し、前記不純物領域上に形成されたコンタクト部を含む前記第1絶縁層上に中間膜を形成して、下部配線層を形成する工程、
    前記下部配線層上に、第2絶縁層を形成する工程、
    前記中間膜が露出するように、前記第2絶縁層に開口部を形成する工程、
    前記第2絶縁層に形成された開口部を金属材料で埋め込み、コンタクト部を形成する工程、
    前記第2絶縁層に形成されたコンタクト部に接続される配線を含む、前記遮光膜以外の複数の配線層を有する多層配線層を形成する工程
    を含む固体撮像装置の製造方法。
  8. 前記遮光膜は、前記受光部の開口領域を除く前記受光部周辺にも形成する請求項7記載の固体撮像装置の製造方法。
  9. 光学レンズと、
    基板に形成され、入射した光の光電変換により信号電荷を生成する受光部と、前記受光部で生成された信号電荷が転送されるフローティングディフュージョン部と、前記信号電荷を前記フローティングディフュージョン部に転送する転送トランジスタと、前記フローティングディフュージョン部の電位に対応した画素信号を出力する増幅トランジスタを含む複数のMOSトランジスタと、
    前記基板上に設けられた第1絶縁層と、前記第1絶縁層上に設けられ、少なくとも前記フローティングディフュージョン部を遮光する領域に形成され、前記第1絶縁層に設けられたコンタクト部を介して前記フローティングディフュージョン部に電気的に接続される遮光膜のみが配線として形成されている下部配線層と、前記下部配線層上に設けられた第2絶縁層と、前記第2絶縁層上に設けられた、前記MOSトランジスタにコンタクト部を介して電気的に接続される、前記遮光膜以外の複数の配線層からなる多層配線層と、を含んで構成され、前記光学レンズに集光された光が入射される固体撮像装置と、
    前記固体撮像装置から出力される出力信号を処理する信号処理回路と、
    を含む電子機器。
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